KR960005792A - 미세 콘택 형성 방법 - Google Patents

미세 콘택 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960005792A
KR960005792A KR1019940017026A KR19940017026A KR960005792A KR 960005792 A KR960005792 A KR 960005792A KR 1019940017026 A KR1019940017026 A KR 1019940017026A KR 19940017026 A KR19940017026 A KR 19940017026A KR 960005792 A KR960005792 A KR 960005792A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
film
contact
pattern
conductive film
Prior art date
Application number
KR1019940017026A
Other languages
English (en)
Inventor
안희백
장혁규
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940017026A priority Critical patent/KR960005792A/ko
Publication of KR960005792A publication Critical patent/KR960005792A/ko

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 소자가 점차 고집적화 되어감에 따라 패턴간의 간격 또한 미세해지면서 장비의 한계 때문에 하부전도막 패턴 사이에 바로 콘택 마스크로 콘택을 디파인 할 수 없는 경우 두번의 마스크 공정을 사용하여 절연막을 식각, 콘택 홀을 형성함으로써 단차의 발생이 심해지는 것을 막는 동시에 미세한 콘택을 형성하는 효과가 있다.

Description

미세 콘택 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 콘택 형성 공정도이다.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 있어서, 제1전도막(2) 패턴을 형성하는 단계, 전체구조 상부에 절연막(3)을 형성하는 단계, 하부전도막(2)과 제1감광막(7')패턴을 서로 (도면의 a와 b)정 오버랩되지 않게 정렬하여 형성하는 단계, 상기 제1감광막(7)패턴을 식각장벽으로 하여 절연막(3)의 전체 두께 중 일정두께만을 식각한 후 제1감광막(7)패턴을 제거하는 단계, 제1감광막(7) 패턴이 하부전도막(2)과의 정오버랩에서 벗어난 방향의 반대 방향으로 벗어나도록 정렬되는 제2감각막(7′)을 형성하는 단계, 콘택이 예정된 부위의 상부에 남은 절연막(3) 두께(도면의 d)를 타겟으로 하여 절연막(3)을 식각한 후 제2감광막(7')을 제거하는 단계, 상부 전도막(6)을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 콘택 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017026A 1994-07-14 1994-07-14 미세 콘택 형성 방법 KR960005792A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940017026A KR960005792A (ko) 1994-07-14 1994-07-14 미세 콘택 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940017026A KR960005792A (ko) 1994-07-14 1994-07-14 미세 콘택 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960005792A true KR960005792A (ko) 1996-02-23

Family

ID=66689058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940017026A KR960005792A (ko) 1994-07-14 1994-07-14 미세 콘택 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960005792A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100429008B1 (ko) * 2001-11-21 2004-04-29 한국디엔에스 주식회사 반도체 장치의 콘택 홀 형성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100429008B1 (ko) * 2001-11-21 2004-04-29 한국디엔에스 주식회사 반도체 장치의 콘택 홀 형성 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930018654A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR960035802A (ko) 미세 패턴 형성방법 및 이를 이용한 금속 배선 형성방법
KR960005792A (ko) 미세 콘택 형성 방법
KR960019517A (ko) 반도체 소자의 콘택 홀 제조방법
KR960002547A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR960002487A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 단면형상 관측방법
KR940015698A (ko) 미세한 감광막 패턴 형성 방법
KR960026303A (ko) 미세패턴 형성방법
KR940007611A (ko) 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법
KR970003559A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR970048997A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR970052342A (ko) 반도체 소자의 금속패턴 형성방법
KR940010366A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 제조방법
KR970053571A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조 방법
KR960035766A (ko) 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR960005791A (ko) 반도체소자의 콘택홀 형성방법
KR960026791A (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR970052385A (ko) 반도체장치의 콘택홀 형성방법
KR940004836A (ko) 반도체소자의 콘택홀 형성방법
KR960026635A (ko) 금속배선 형성방법
KR970053558A (ko) 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법
KR950021076A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR970018216A (ko) 반도체 장치의 평탄화 방법
KR940016439A (ko) 반도체소자의 콘택형성방법
KR970052506A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination