KR960005792A - 미세 콘택 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소자가 점차 고집적화 되어감에 따라 패턴간의 간격 또한 미세해지면서 장비의 한계 때문에 하부전도막 패턴 사이에 바로 콘택 마스크로 콘택을 디파인 할 수 없는 경우 두번의 마스크 공정을 사용하여 절연막을 식각, 콘택 홀을 형성함으로써 단차의 발생이 심해지는 것을 막는 동시에 미세한 콘택을 형성하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 콘택 형성 공정도이다.
Claims (1)
- 반도체 소자의 콘택 형성 방법에 있어서, 제1전도막(2) 패턴을 형성하는 단계, 전체구조 상부에 절연막(3)을 형성하는 단계, 하부전도막(2)과 제1감광막(7')패턴을 서로 (도면의 a와 b)정 오버랩되지 않게 정렬하여 형성하는 단계, 상기 제1감광막(7)패턴을 식각장벽으로 하여 절연막(3)의 전체 두께 중 일정두께만을 식각한 후 제1감광막(7)패턴을 제거하는 단계, 제1감광막(7) 패턴이 하부전도막(2)과의 정오버랩에서 벗어난 방향의 반대 방향으로 벗어나도록 정렬되는 제2감각막(7′)을 형성하는 단계, 콘택이 예정된 부위의 상부에 남은 절연막(3) 두께(도면의 d)를 타겟으로 하여 절연막(3)을 식각한 후 제2감광막(7')을 제거하는 단계, 상부 전도막(6)을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 콘택 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940017026A KR960005792A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 미세 콘택 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940017026A KR960005792A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 미세 콘택 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960005792A true KR960005792A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940017026A KR960005792A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 미세 콘택 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960005792A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100429008B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2004-04-29 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 장치의 콘택 홀 형성 방법 |
-
1994
- 1994-07-14 KR KR1019940017026A patent/KR960005792A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100429008B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2004-04-29 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 장치의 콘택 홀 형성 방법 |
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |