KR970048997A - 반도체소자의 미세패턴 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 미세패턴 형성방법 Download PDF

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KR970048997A
KR970048997A KR1019950050497A KR19950050497A KR970048997A KR 970048997 A KR970048997 A KR 970048997A KR 1019950050497 A KR1019950050497 A KR 1019950050497A KR 19950050497 A KR19950050497 A KR 19950050497A KR 970048997 A KR970048997 A KR 970048997A
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김서민
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 관한 것으로, 레지스트의 상부 일정 두께에 패턴을 형성한다음, 플라즈마 식각공정으로 레지스트의 일정두께를 식각 속도 차이를 이용하여 미세 레지스트 패턴을 형성하는 것이다. 즉, 플라즈마 이온이 플라즈마에서 먼 지점에서 더 큰 운동에너지를 갖게 되어 더 빠른 식각속도로 레지스트가 식각되는 것을 특징으로 하여 레지스트 패턴을 형성하는 것이다.

Description

반도체소자의 미세패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 실시예에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 단차가 있는 웨이퍼 상부에 후속공정에서 필요한 두께보다 더 두껍게 레지스트를 도포하는 단계와, 레지스트의 윗부분에 일부 두께를 노광시켜 레지스트에 노광영역을 형성하는 단계와, 상기 노광영역을 현상공정으로 제거하여 요부를 형성하는 단계와, 상기 레지스트의 일정두께를 식가하되 레지스트의 요부가 레지스트 철부보다 더 빨리 식각되는 것을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼와 레지스트 사이에 다른 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 패턴을 형성할때 O2플라즈마 식각장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050497A 1995-12-15 1995-12-15 반도체소자의 미세패턴 형성방법 KR970048997A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200001467U (ko) 2018-12-24 2020-07-02 유지열 벽체부착 비누케이스

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