KR950019914A - 실리레이션을 이용한 미세패턴 형성방법 - Google Patents
실리레이션을 이용한 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950019914A KR950019914A KR1019930027237A KR930027237A KR950019914A KR 950019914 A KR950019914 A KR 950019914A KR 1019930027237 A KR1019930027237 A KR 1019930027237A KR 930027237 A KR930027237 A KR 930027237A KR 950019914 A KR950019914 A KR 950019914A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer resist
- lower layer
- exposed
- upper layer
- silation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 제조공정중 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 다층레지스트공정을 대체할 수 있으며, 종래의 실리레이션 공정에서 문제되는 포토레지스트 측벽의 거침도(Roughness)를 개선하여 정확한 크기의 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 반도체소자의 제조방법에 있어서, 하부층 상부에 하층레지스트를 도포하고, 플러드 노광시켜 하층레지스트의 일정두께를 노광시키는 공정과, 실리콘기를 상기 노광된 하층레지스트에 주입시키는 공정과, 상층레지스를 상기 하층레지스트 상부에 도포한 다음, 마스크를 이용하여 예정된 부분의 상층레지스트를 노광시키는 노광과, 노광된 상층레지스트를 습식현상시켜 상층레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 노출된 지역의 하층실리사이드에 주입된 실리콘기를 열처리공정으로 밖으로 빠져 나가게 하는 공정과, 산소플라즈마 식각으로 상층레지스트패턴과 노출된 하층레지스트를 식각하여 하층레즈스트패턴을 형성하는 공정을 포함하는 실리레이션을 이용한 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리공정은 25℃이상의 온도와 1기압 이하의 압력에서 실시하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930027237A KR950019914A (ko) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 실리레이션을 이용한 미세패턴 형성방법 |
| KR1019980003051A KR0146070B1 (ko) | 1993-12-10 | 1998-02-04 | 웨이퍼 회전 건조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930027237A KR950019914A (ko) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 실리레이션을 이용한 미세패턴 형성방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980003051A Division KR0146070B1 (ko) | 1993-12-10 | 1998-02-04 | 웨이퍼 회전 건조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950019914A true KR950019914A (ko) | 1995-07-24 |
Family
ID=66850820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930027237A KR950019914A (ko) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 실리레이션을 이용한 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950019914A (ko) |
-
1993
- 1993-12-10 KR KR1019930027237A patent/KR950019914A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970018110A (ko) | 반도체장치의 패턴 형성방법 | |
| KR950019914A (ko) | 실리레이션을 이용한 미세패턴 형성방법 | |
| KR950015617A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR100422956B1 (ko) | 미세패턴형성방법 | |
| KR100451508B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970006930B1 (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR950004394A (ko) | 감광막패턴 형성방법 | |
| KR940015669A (ko) | 오르가닉 아크층을 이용한 미세패턴 형성방법 | |
| KR970003558A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR0172587B1 (ko) | 미세 레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR19980026093A (ko) | 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970018041A (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR940009769A (ko) | 반도체 소자의 감광막 미세 패턴 형성방법 | |
| KR970051897A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR970017950A (ko) | 미세 감광막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR950021154A (ko) | 반도체 소자의 광역단차 평탄화 방법 | |
| KR920005352A (ko) | 다층 레지스트를 이용한 미세패턴 형성방법 | |
| KR970048997A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR950021045A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
| JPH03108314A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR950025486A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR950025913A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR960002597A (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR970028807A (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR960026296A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WICV | Withdrawal of application forming a basis of a converted application |