KR950025486A - 반도체소자의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 공지의 기술로 반도체기판의 상부에 패턴을 형성하고자 하는 층을 형성한 후, 그 상부에 얇은 감광막을 도포하고 단차가 낮은 깊은 골에만 마스크를 사용하여 노광 및 현상공정을 이용하여 제1감광막패턴을 형성한 다음, 고온 열공정으로 상기 제1감광막패턴을 경화시키고 전체구조상부에 두꺼운 감광막을 도포한 후, 다른 마스크를 사용하여 단차가 높은 지역에만 제2감광막패턴을 형성하고 상기 제1, 2감광막패턴을 마스크로하여 패턴을 형성하고자하는 층을 식각하여 미세패턴을 형성한 다음, 상기 제1, 2감광막패턴을 제거함으로써, 반도체소자의 미세패턴 형성하는 기술로서 해상력이 좋아 초미세패턴을 형성할 수 있고 두개의 마스크의 장점만을 사용하여 공정효과를 높일 수 있어 특히 단차가 심한 DRAM이나 SRAM제조공정에 유용하게 사용될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 미세패턴 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판 상부에 패턴을 형성하여야 하는 층을 형성한 후, 그 상부에 얇은 감광막을 도포하고 단차가 깊은 골에만 마스크를 사용하여 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 130℃ 이상의 열공정으로 상기 제1감광막패턴을 경화시키고 전체구조상부에 두껍게 감광막을 도포한 다음, 다른 마스크를 사용하여 단차가 높은 지역에 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1, 2감광막패턴을 마스크로하여 패턴을 형성하고자하는 층에 미세패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴을 경화시킴으로써 제2감광막패턴 형성공정시에 제거되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1감광막패턴을 형성하는 감광막의 두께는 0.7㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크는 단자의 높낮이에 따라 두개의 마스크패턴을 제작하여 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940001962A KR950025486A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940001962A KR950025486A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025486A true KR950025486A (ko) | 1995-09-15 |
Family
ID=66663311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940001962A KR950025486A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025486A (ko) |
-
1994
- 1994-02-03 KR KR1019940001962A patent/KR950025486A/ko not_active Application Discontinuation
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