KR910020802A - 마스크의 제작방법 - Google Patents

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof

Abstract

내용 없음

Description

마스크의 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)∼(D)도는 본 발명에 따른 마스크의 제작방법을 나타내는 도면, 제3도 및 제4도는 빛을 조사할 때에 상기 마스크를 통과한 빛의 상태를 나타내는 도면, 제5도는 본 발명에 의해 제작된 마스크를 반도체장치의 제조공정에 사용한 결과의 일례를 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 위상반전영역을 갖는 마스크의 제작방법에 있어서, 투명한 기판 표면에 불투명한 마스크 플레이트와 감광막을 도포하는 공정과, 상기 감광막의 소정부분을 노광 및 현상하여 상기 마스크플레이트의 소정부분을 노출시키는 공정과, 상기 마스크플레이트의 노출된 부분을 식각하여 상기 기관의 소정부분을 노출시키는 공정과, 상기 기관을 소정두께 식각하여 패턴영역을 형성하는 공정과, 상기 마스크플레이트를 측면식각하여 위상반전영역을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 제거하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 마스크의 제작방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴영역을 형성하는 공정에서 이 패턴영역과 위상반전영역을 각각 통과하는 빛들이 위상반전되도록 식각함을 특징으로 하는 마스크의 제작방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 위상반번영역을 0.2∼0.3㎛정도의 폭을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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