KR960019486A - 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 콘택 마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법에 관한 것으로서, 콘택홀 노광마스크보다 라인/스페이스 노광마스크가 분해 가능한 패턴 크기가 더 작다는 성질을 이용하여, 서로 콘택홀 위치에서 교차되는 라인/스페이스 패턴을 갖는 두장의 노광마스크를 사용하여 두차례 노광하되, 두차례의 노광에너지 각각을 감광막이 완전히 현상되는 에너지 Ei보다 작고, 그 합이 Ei보다 크게 하여 노광하고, 감광막의 중복노광된 부분을 제거하여 콘택홀로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 감광막패턴을 형성하였으므로, 콘택 마스크의 분해능이 향상되어 더욱 작은 크기의 콘택홀을 안전적으로 형성할 수 있어 소자의 고집적화에 유리하고 콘택홀 형성 공정의 여유도가 증가되어 공정수율이 향상된다.

Description

반도체소자의 콘택 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 및 제3B도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 콘택 마스크용 노광마스크들의 평면도,
제4도는 제3A도 및 제3B도의 노광마스크들을 사용하여 노광된 반도체소자의 평면도,
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자의 콘택 마스크용 노광마스크들이 중첩되어 있는 상태의 평면도.

Claims (5)

  1. 반도체기판상에 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 라인/스페이스 패턴이 형성되어 있고, 콘택홀로 예정되어 있는 부분에 스페이스가 위치하는 제1노광마스크를 사용하여 감광막의 감광 에너지의 일부만으로 노광하는 일차 노광 공정과, 상기 제1노광마스크의 라인/스페이스 패턴과 교차되는 라인/스페이스 패턴이 형성되어 있으며, 상기 감광막에서 콘택홀로 예정되어 있는 부분을 중복되게 노출시키는 제2노광마스크를 사용하여 감광막의 감광에 필요한 나머지 에너지로 노광하는 이치 노광 공정과, 상기 노광된 감광막을 현상하여 콘택홀로 예정되어 있는 부분이 제거된 감광막패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴의 제거되는 부분이 메트립스 형상으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴의 제거되는 부분이 불규칙하게 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2노광마스크가 위상반전 마스크인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2노광마스크의 스페이스의 일측에 광차단막 패턴이 소정폭으로 제거된 별도의 보조 노광영역을 형성하여 위상반전 효과를 증대시킨 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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