KR970049008A - 반도체소자의 미세패턴 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 미세패턴 제조방법 Download PDFInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세패턴 제조방법에 관한 것으로서, 이중 노광에 의해 형성되는 섬패턴이나 라인/스페이스 패턴 또는 네가티브 이미지의 콘택 패턴등을 형성하는 이중 노광방법에서 두장의 노광마스크에 대응되는 광차단막 패턴을 하나의 노광마스크에 위치별로 분할하여 형성하고, 상기 노광마스크를 웨이퍼 상에서 순차적으로 이동시키며, 반복 노광하여 감광막패턴을 형성하였으므로, 노광되는 감광막은 두장의 노광마스크를 사용한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있어 공정여유도가 향상되며, 중첩 정밀도의 측정이 용이하고, 공정이 간단하여 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체소자의 노광마스크의 평면도,
제6도는 본 발명에 따른 반도체소자의 감광막패턴 제조방법을 설명하기 위한 개략도.
Claims (3)
- 반도체기판상에 형성되어 있는 패턴을 형성하고자하는 피식감층상에 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 노광하되, 이중노광에 사용되는 두장 노광마스크에 형성되어있는 광차단막 패턴과 대응되는 광차단막 패턴을 두 부분으로 나누어진 투명기판상에 각각 형성되어 있는 광차단막 패턴을 구비하는 노광마스크를 사용하여 위치에 따라 순차적으로 이동하며 노광하는 공정과, 상기 감광막을 선택 현상하여 감광막패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노광마스크가 전하저장전극용, 콘택홀용 및 라인/스페이스 패턴들중 어느하나인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막을 포지티브 또는 네가티브인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066161A KR970049008A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066161A KR970049008A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970049008A true KR970049008A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066161A KR970049008A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970049008A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687883B1 (ko) * | 2005-09-03 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 노광용 포토마스크 및 이를 이용한 이중 노광 방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066161A patent/KR970049008A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687883B1 (ko) * | 2005-09-03 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 노광용 포토마스크 및 이를 이용한 이중 노광 방법 |
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