KR950014976A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 패턴간의 스페이스가 작은 밀집된 섬상 패턴을 형성함에 있어, 기판상에 네가티브 감광막을 도포한 후, 상기 감광막을 직사각 형상의 노광영역들을 정의하는 광차단막패턴이 형성되어 있는 제1노광 마스크로 노광한 다음, 상기 제1노광 마스크의 노광영역들과 중복되지 않으며, 엇갈리게 위치하는 노광영역을 갖는 제2노광 마스크를 사용하여 이차로 중복노광한 후, 현상하여 감광막 패턴을 형성하였으므로, 하나의 노광 마스크로 형성되는 경우 보다 광간섭 효과 및 광회절 효과가 감소되어 기존의 스테퍼로도 매우 큰 공정 마진을 갖고 스페이서가 작은 밀집된 섬상 패턴을 형성할 수 있어, 소자의 설계상 유리할 뿐만 아니라 반도체 장치를 고집적화할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 따른 노광 마스크의 평면도,
제2도는 제1도의 노광 마스크를 통과한 광의 에너지 분포를 설명하기 위한 개략도,
제3도 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 제1 및 제2노광 마스크의 평면도.
Claims (2)
- 노광 마스크로 노광 공정을 진행하여 감광막 패턴을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 소정의 기판 상에 네가티브형 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 패턴으로 예정된 부분중 인접하지 않은 일부만을 노광시키는 소정의 노광영역이 광차단막 패턴으로 형성되어 있는 제1노광마스크를 사용하여 상기 감광막을 선택적으로 노광하는 공정과, 상기 감광막의 패턴으로 예정된 부분중에서 상기 제1노광 마스크의 노광 영역과 중첩되지 않는 부분만을 노광시키는 노광영역이 광차단막 패턴으로 형성되어 있는 제2노광 마스크를 사용하여 노광한 후 강광막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 네가티브형 감광막 대신에 실리레이션용 포지티브 감광막을 사용하고, 중복노광 공정후 선택적으로 실리레이션하여 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024499A KR950014976A (ko) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024499A KR950014976A (ko) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950014976A true KR950014976A (ko) | 1995-06-16 |
Family
ID=66825492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930024499A KR950014976A (ko) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950014976A (ko) |
-
1993
- 1993-11-17 KR KR1019930024499A patent/KR950014976A/ko not_active Application Discontinuation
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