KR940016868A - 대형 다이(Die)의 광리소그래피 장치 및 그 방법 - Google Patents

대형 다이(Die)의 광리소그래피 장치 및 그 방법 Download PDF

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Abstract

대형의 직접회로를 제조하기 위하여 웨이퍼의 층을 노출시키기 위한 개선된 래디클(20) 및 그 사용 방법이 개시되었다. 집적회로(10)은 인접하여 반복되는 패턴을 포함하는 중앙 영역과 달리, 반복되지 않는 패턴들을 주위 영역에 배치된다. 레티클(20)은 다수의 마스크(21-23)를 가지도록 패턴되는데, 상이한 마스크들은 반복 및 비반복 패턴을 표현한다. 반복 패턴을 표현하는 마스크(22)는 비반복 패턴을 표현하는 마스크(21, 23)과 별도로 단계적으로 이동되고 조사될 수 있다.

Description

대형 다이(Die)의 광리소그래피 장치 및 그 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따라 구성부품이 배치된 반도체 웨이퍼의 제조층의 평면도.

Claims (12)

  1. 광리소그래피 기법에 의하여 제작되는 장치의 층을 노출시키기 위한 레티클에 있어서, 투명 기판 ; 구성부품의 반복되지 않는 세트를 노출시키기 위한 제 1 패턴을 가지도록 상기 기판상에 패턴된 비반복 마스크 ; 및 인접하여 단계를 이루는(contiguously stepped) 반복되는 구성부품의 세트를 노출시키기 위한 제 2 패턴을 가지도록 상기 기판 상에서 패턴된 반복 마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 비반복 마스크가 장치의 주위에 있는 구성 부품의 세트를 나타내는 것을 특징으로 하는 레티클.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반복 마스크가 장치의 중앙에 있는 동일한 구성 부품들의 어레이의 일부를 나타내는 것을 특징으로 하는 레티클.
  4. 반도체 웨이퍼의 하나 이상의 층을 노출시키기 위한 레티클에 있어서 ; 투명기판 ; 반복되지 않는 서브회로를 노출시키기 위한 제 1 패턴을 가지도록 상기 기판상에 패턴된 비반복 마스크 ; 및 웨이퍼의 중앙부에서 인접하여 단계를 이루는 반복되는 서브회로의 세트를 노출시키기 위한 제 2 패턴을 가지고 상기 기판상에 패턴된 반복 마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 비반복 마스크가 집적회로 주위의 주변 제어 서브회로를 나타내는 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 레티클.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 기판 상에 직접회로 주위의 다른 서브회로 패턴을 노출시키기 위한 제 3 의 패턴을 가지는 다른 비반복 마스크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 비반복 마스크들이 집적회로의 대향하는 측면들 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 비반복 마스크들이 집적회로의 인접한 측면들 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  9. 제 4 항에 있어서, 상기 반복 마스크가 메모리 셀을 나타내는 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 레티클.
  10. 제 4 항에 있어서, 상기 반복 마스크가 가변 반사경 픽셀 소자를 나타내는 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 레티클.
  11. 반복되는 영역의 크기가 광리소그래피 장비의 단계적 이동의 증분을 초과하는 반복되는 구성부품의 어레이를 가진 장치에 대하여, 단계적으로 이동하는 광리소그래피 장비를 사용하여 에이퍼를 노출시키는 방법에 있어서, 반복되지 않는 패턴이 장치의 주위 영역에 배치되고 반복되는 패턴이 장치의 중앙 영역에 배치되도록 장치를 서브 영역들로 패터닝하는 단계 ; 단일 레티클이 비반복 마스크 및 반복 마스크를 가지도록 상기 반복 및 비반복 패턴을 위한 리소그래피용 레티클을 제조하는 단계 ; 상기 비반복 마스크 영역만이 광을 상기 주위 영역으로 전달하도록 상기 반복 마스크 영역을 차단하는 단계 ; 상기 비반복 마스크의 패턴으로 상기 장치의 표면을 노출시키기 위하여 상기 레티클을 조사하는 단계 ; 상기 중앙 영역의 부분을 노출시키기 위하여 상기 레티클을 이동시키는 단계 ; 상기 반복 마스크만이 광을 전달하도록 상기 비반복 마스크를 차단하는 단계 ; 및 상기 중앙 영역 내에서 다수의 인접한 반복 패턴을 노출시키기 위하여 상기 반복 마스크를 여러번 단계적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 차단 단계가 광리소그래피 장비의 셔터 장치에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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