KR950015617A - 반도체소자의 미세패턴 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 미세패턴 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적반도체소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 고집적된 크롬패턴을 갖는 마스크를 두개의 마스크로 분할시켜 노광되는 영역을 늘려주고. 패턴하고자하는 하부층 상부에 제1마스크를 사용하여 유기물질층 패턴을 형성한 다음, 유기물질층 패턴 사이에 제2마스크를 사용하여 감광막패턴을 형성하고, 미세 간격으로 형성된 유기물질층 패턴과 감광막 패턴을 마스크로 하열 하부층 패턴을 형성하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 2b도는 본 발명에 의해 조밀한 패턴을 두개의 마스크로 분리 제작한 단면도.
제3a도 내지 제3d도는 본 발명에 의한 미세패턴을 형성하는 공정단계를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 미세패턴 형성방법에 있어서, 다수의 미세패턴중에는 이웃하는 패턴중 하나씩을 선택하여 제1마스크와 제2마스크를 형성하는 공정과, 패턴을 형성하고자 하는 하부층 상부에 유기물질층을 도포하고 제1마스크를 이용한 노광공정과 현상공정으로 유기물질층 패턴을 형성하는 공정과,감광막을 상기 유기물질층 패턴 상부에 도포하고, 제2마스크를 이용한 노광공정과 현상공정으로 유기물질층 패턴사이에 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴과 유기물질층 패턴을 마스크로 하여 하부층 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1마스크와 제2마스크는 쿼츠 상부에 크롬패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유기물질층은 유기 ARC(Organic Anti Reflective coating)층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
- 미세패턴 형성방법에 있어서, 다수의 미세패턴 중에는 이웃하는 패턴중 하나씩을 선택형성하여 제1마스크와 제2마스크를 형성하는 공정과, 패턴을 형성하고자 하는 하부층 상부에 하부감광막을 도포하고, 그상부에 중간층, 유기물질층 및 상부감광막을 적층하는 공정과, 상기 제1마스크를 이용하여 상부감광막을 노광시키고 현상시켜 상부감광막패턴을 형성한 다음 노출된 유기물질층을 식각하여 유기물질층 패턴을 형성하고, 상부 감광막패턴을 제거하는 공정과, 유기물질층 패턴 상부에 다시 상부감광막을 도포하고, 상기 제2마스크를 이용한 노광공정으로 상부감광막을 노광시키고, 노광된 상부감광막을 제거하여 유기물질층패턴 사이에 상부감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 유기물질층 패턴과 상기 상부감광막패턴을 마스크로 하여 노출된 중간층을 식각하여 중간층패턴을 형성하는 공정과, 상기 중간층패턴을 마스크로 하여 노출된 하부층을 식각하면서 중간층패턴 상부에 있는 유기물층 패턴과 상부감광막패턴을 식각하여 하부층 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024235A KR950015617A (ko) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 |
| DE4440230A DE4440230C2 (de) | 1993-11-10 | 1994-11-10 | Verfahren zur Bildung feiner Strukturen eines Halbleiterbauelements |
| JP27667194A JP2803999B2 (ja) | 1993-11-10 | 1994-11-10 | 半導体装置の微細パターン製造法 |
| GB9422666A GB2284300B (en) | 1993-11-10 | 1994-11-10 | Process for forming fine pattern of semiconductor device |
| US08/656,972 US5705319A (en) | 1993-11-10 | 1996-06-06 | Process for forming fine patterns for a semiconductor device utilizing three photosensitive layers |
| US08/659,741 US5741625A (en) | 1993-11-10 | 1996-06-06 | Process for forming fine patterns in a semiconductor device utilizing multiple photosensitive film patterns and organic metal-coupled material |
| US08/883,289 US5716758A (en) | 1993-11-10 | 1997-06-26 | Process for forming fine pattern for semiconductor device utilizing multiple interlaced exposure masks |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024235A KR950015617A (ko) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950015617A true KR950015617A (ko) | 1995-06-17 |
Family
ID=66825451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930024235A KR950015617A (ko) | 1993-11-10 | 1993-11-15 | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950015617A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100790999B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 더블 패터닝 공정을 이용하는 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법 |
| KR100819672B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 패턴 형성 방법 |
| KR100955293B1 (ko) * | 2001-05-18 | 2010-04-30 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 디바이스 제조 방법과 초기 패턴의 패턴 피쳐 분배 방법 및 이러한 방법에 따라서 제조된 디바이스, 리소그래피 서브 마스크 그룹 및 이를 이용하여 제조된 디바이스 |
-
1993
- 1993-11-15 KR KR1019930024235A patent/KR950015617A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100955293B1 (ko) * | 2001-05-18 | 2010-04-30 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 디바이스 제조 방법과 초기 패턴의 패턴 피쳐 분배 방법 및 이러한 방법에 따라서 제조된 디바이스, 리소그래피 서브 마스크 그룹 및 이를 이용하여 제조된 디바이스 |
| KR100819672B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 패턴 형성 방법 |
| KR100790999B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 더블 패터닝 공정을 이용하는 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법 |
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