KR950012596A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR950012596A
KR950012596A KR1019930022678A KR930022678A KR950012596A KR 950012596 A KR950012596 A KR 950012596A KR 1019930022678 A KR1019930022678 A KR 1019930022678A KR 930022678 A KR930022678 A KR 930022678A KR 950012596 A KR950012596 A KR 950012596A
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KR1019930022678A
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함영목
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 감광막 패턴을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 감광막 패턴의 상부를 유기금속 물질과 반응시키는 상측 표면 이메징(TSI)공정에서 노광공정 진행시 감광막의 전 표면이 유기금속 물질화할 수 있을 정도로 충분한 노광에너지로 노광하여 싸인파 형상의 노광영역을 형성한 후, 유기금속화시켜 유기금속 결합층을 형성하고, 상기 유기금속 결합층을 소정 두께 제거하여 서로 독립되어 있는 유기금속 결합층 패턴과 그 하부의 감광막 패턴을 형성하였으므로, 충분한 노광에너지로 노광하므로 노광공정시의 시간 조절에 따른 어려움을 방지할 수 있으며, 노광에너지 및 노광마스크 패턴의 간격으로 상기 노광영역의 싸인파 형상을 조절할 수 있으므로 감광막 패턴의 선폭 조절이 용이하고, 상기 유기금속 결합층의 식각 두께에 따라 선폭 및 패턴간의 거리를 조절하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A) 및 (B)는 종래 기술에 따른 감광막 패턴의 제조 공정도.
제2도(A)~(C)는 본 발명에 따른 감광막 패턴의 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 유기금속 물질을 사용하여 감광막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 기판상에 감광막을 도포하는 공정과, 상기 감광막을 적어도 상기 감광막의 전 표면에 유기금속 물질이 결합될 정도의 에너지로 선택적으로 노광하여 싸인파 형상의 노광영역을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 표면을 유기금속 물질에 노출시켜 유기물질과 결합된 싸인파 형상의 유기금속 결합층을 감광막 상부에 형성하는 공정과, 상기 구조의 표면을 상기 유기금속 결합층이 서로 독립되도록 식각하여 소정 선폭의 유기금속 결합층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 유기금속 결합층 패턴에 의해 노출되어 있는 감광막을 제거하여 감광막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기금속이 Ge 또는 Si인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 결합층 패턴의 선폭을 싸인파 형상의 진폭 및 파장을 결정하는 노광에너지 및 노광공정시 노광마스크의 패턴 선폭으로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기금속 결합층 패턴의 선폭을 상기 유기금속 결합층의 식각 두께로 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101669653B1 (ko) 2016-03-21 2016-10-26 (주)바이오제닉스 에멀젼 비드 및 이의 제조방법
KR20230091062A (ko) 2021-12-15 2023-06-22 (주)바이오제닉스 졸-겔 전이 거동을 가지는 다당체 및 폴리올을 포함하는 분쇄성 다당체 비드 및 이의 제조방법

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