KR950030228A - 포토마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR950030228A
KR950030228A KR1019940007614A KR19940007614A KR950030228A KR 950030228 A KR950030228 A KR 950030228A KR 1019940007614 A KR1019940007614 A KR 1019940007614A KR 19940007614 A KR19940007614 A KR 19940007614A KR 950030228 A KR950030228 A KR 950030228A
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함영목
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 포토마스크의 미세 크롬패턴에 의해서 발생하는 노광 빛의 간섭을 상쇄 시킴으로써 리소그래피 공정의 공정 마진을 확보할 수 있는 포토마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 64메가(MEGA)급 이상의 반도체 고집적 소자를 제조함에 있어 리소그래피 공정마진을 충분히 확보하여 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.

Description

포토마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 포토마스크 및 상기 포토마스크를 투과한 후의 노광 빛 강도분포곡선, 제3A도 내지 제3C도는 본 발명에 따른 포토마스크 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 반도체 리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크에 있어서, 빛을 투과시키는 재질의 마스크 기판(301); 상기 마스크 기판(301)의 일측면에 소정의 패턴으로 형성되며 빛의 투과를 방지하는 크롬막(302); 상기 크롬막(302)이 형성되지 않은 마스크 기판(301)의 타측면에 형성되어 상기 크롬막(302)과 오버랩(overlap)되도록 형성되며 빛에 대해 높은 반사율을 갖는 고반사층(304)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고반사층(304)은 Al2O3, Au, Ag 중 어느 한 물질인 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  3. 반도체 리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크 제조방법에 있어서; 마스크 기판(301)의 일측 면에 소정의 크롬막(302)패턴을 형성하는 단계; 상기 크롬막(302)이 형성되지 않은 석영기판(301)의 타측 면에 네가티브(negative) 감광막(303)을 형성하는 단계; 크롬막(302)이 형성되어 있는 쪽에서 노광을 실시하고 현상하여 감광막 패턴(303')을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴(303')이 형성된 석영기판(301) 전면에 빛에 대해 높은 반사율을 갖는 고반사층(304)을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴(303')을 제거하면서 동시에 상기 감광막 패턴(303')상에 형성되어 있던 고반사층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  4. 제3항에 있어서; 상기 고반사층(304)은 Al2O3, Au, Ag중 어느 한 물질인 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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