KR930024116A - 포토레지스터 현상방법 - Google Patents

포토레지스터 현상방법 Download PDF

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KR930024116A
KR930024116A KR1019920008095A KR920008095A KR930024116A KR 930024116 A KR930024116 A KR 930024116A KR 1019920008095 A KR1019920008095 A KR 1019920008095A KR 920008095 A KR920008095 A KR 920008095A KR 930024116 A KR930024116 A KR 930024116A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
developer
developed
ultraviolet rays
developing
Prior art date
Application number
KR1019920008095A
Other languages
English (en)
Inventor
장덕규
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 주식회사 금성사 filed Critical 이헌조
Publication of KR930024116A publication Critical patent/KR930024116A/ko

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Abstract

본 발명은 포토레지스터 현상방법에 관한 것으로, 종래에는 형성하고자 하는 패턴을 위해 마스크로서 자외선을 선택적으로 투과시킨 후 감광된 포토레지스터를 현상한 다음 식각한 후 잔류한 포토레지서터를 현상액을 현상하여 많은 현상액의 소비와 시간이 많이 소요되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 식각 후 잔류한 포토레지스터를 제거할때 포토레지스터 전면을 자외선을 조사하여 감광된 포토레지스터를 형성한 후 현상액으로 현상하여 사진식각 공정시 현상액 소비를 줄일수 있으며 또한 공정시간을 단축시키는 효과가 있다.

Description

포토레지스터 현상방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (사)는 본 발명에 따른 사진식각 공정도.

Claims (1)

  1. 유리기판(1)과 투명도전막(2) 위의 포토레지스터(3)에 마스크(4)로 자외선(UV)을 선택적 투사하여 감광된 포토레지스터(5)를 형성한 후 현상하고 노출된 상기 투명도전막(2)을 식각한 후 잔류한 포토레지스터(3) 전면에 자외선(UV)을 투시하여 감광된 포토레지스터(5)를 형성한 후 현상액으로 현상하는 포토레지스터 현상방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920008095A 1992-05-13 포토레지스터 현상방법 KR930024116A (ko)

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Publication Number Publication Date
KR930024116A true KR930024116A (ko) 1993-12-22

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