KR950009931A - 반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법 Download PDF

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김주용
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 포지티브 및 네가티브 감광막을 사용하는 반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판(1)에 제1감광막(2)을 도포한 다음, 마스크(3)를 씌워 자외선을 조사한 다음 현상하여 패턴을 형성하는 단계와, 현상후 상기 패턴 사이의 반도체 기판(1)이 노출된 부위에 상기 제1감광막(2)과 빛에 대한 감응 특성이 반대되는 제2감광막(4)을 도포한 다음, 상기 마스크(3)를 씌워 자외선을 조사한 다음 현상하여 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써 0.1㎛급 수준의 초미세 패턴을 형성할 수 있는 효과가 기대된다.

Description

반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 감광막 패턴 형성 공정 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법에 있어서, 반도체 기판(1)에 제1감광막(2)을 도포한 다음, 마스크(3)를 씌워 자외선을 조사한 다음 현상하여 패턴을 형성하는 단계와, 현상후 상기 패턴 사이의 반도체 기판(1)이 노출된 부위에 상기 제1감광막(2)과 빛에 대한 감응 특성이 반대되는 제2감광막(4)을 도포한 다음, 상기 마스크(3)를 씌워 자외선을 조사한 다음 현상하여 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2감광막(4) 패턴 형성을 위한 노광시간은 상기 제1감광막(1) 패턴 형성시의 노광시간과 서로 다른 노광시간을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광막 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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