KR950012588A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 스테퍼의 분해능 이상의 크기를 갖는 두장의 노광 마스크를사용하여, 감광막 패턴이 오픈될 부분을 두번의 노광 과정에서 중복되게 노광/비노광시켜 패턴이 되기에 충분한 광에너지를 제공하여 광 회절에 의한 영향을 받지 않고 분해능 이하 크기의 극미세패턴을 형성하였다.
따라서 종래 공정 분해능이 0.5㎛이상인 i-라인, G-라인 또는 그 이하인 액시머 레이저 스테퍼로 64M디램 이상의 초고집적 소자에 필요한 공정 분해능 0.3㎛이하의 극미세 패턴을 용이하게 형성하여 반도체 장치의 고집적화가 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 제1 및 제2정렬 측정 마크가 형성되어 있는 다이의 평면도.
제4도는 제3도의 일, 제2정렬 마크에 의해 정렬되어 있는 다이들의 평면도.
Claims (4)
- 소정 기판상에 감광액을 도포한 후, 축소 노광 장치로 노광하여 감광막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 축소 노광 장치의 분해능 이상 크기의 패턴이 형성되어 있는 제1노광 마스크를 사용하여, 상기 감광액을 패턴화하기에 불충분한 에너지로 일차 노광하는 공정과, 상기 제1노광 마스크의 패턴에서 형성하고자 하는 패턴의 크기 만큼 일측으로 이동된 형상의 패턴이 형성되어 있는 제2노광 마스크를 사용하여, 상기 일차 노광된 감광액 상에 상기 감광액을 패턴화하기에 충분한 에너지로 이차 중복 노광을 실시하는 공정과, 상기 감광액을 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 축소 노광장치가 i-라인, G-라인 및 엑시머 레이저로 이루어지는 군에서 임의의 선택되는 하나의 파장을 광원으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광액이 포지티브형 또는 네가티브형 감광액인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 포지티브 감광액일 때 상기 제1및 제2노광 마스크의 크롬 패턴이 상기 제거되는 감광액의 오픈 영역을 중복 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021156A KR970010568B1 (ko) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019930021156A KR970010568B1 (ko) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
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| KR950012588A true KR950012588A (ko) | 1995-05-16 |
| KR970010568B1 KR970010568B1 (ko) | 1997-06-28 |
Family
ID=19365716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930021156A KR970010568B1 (ko) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970010568B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100722985B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-05-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 멀티마스크 노광시스템 |
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1993
- 1993-10-13 KR KR1019930021156A patent/KR970010568B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970010568B1 (ko) | 1997-06-28 |
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