KR970054993A - 부분 회절 격자 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 광소자인 레이저 다이오드의 제작시 기판 또는 박막에 부분적인 회절 격자를 형성하는 방법에 관한 것으로, 극성이 다른 2층의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이것을 마스크로 이용한 식각 공정으로 기판 또는 박막위에 부분적으로 회절 격자를 형성하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의해 기판에 부분 회절 격자를 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (5)
- 부분 회절 격자 형성방법에 있어서, 기판 또는 박막위에 제1포토레지스트를 얇게 도포한 후 노광 및 현상 공정으로 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴 상부에 제1포지티브와는 극성이 다른 제2포토레지스트를 도포하고, MASK를 이용하여 노광한 후 현상을 실시하여 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴과 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 기판 또는 박막을 일정 두께 식각하여 회절 격자를 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴과 상기 제2포토레지스트 패턴을 동시에 제거하는 단계를 포함하는 부분 회절 격자 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 네가티브 포토레지스트를 홀로그라피 노광 간섭계로 회절 간섭 패턴을 기판 전체에 균일하게 노광하는 단계를 특징으로 하는 부분 회절 격자 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 또는 박막을 일정 두께 식각하는 것을 습식 식각인 것을 특징으로 하는 부분 회절 격자 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1포토레지스트는 네가티브인 것을 특징으로 하는 부분 회절 격자 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2포토레지스트는 포지티브인 것을 특징으로 하는 부분 회절 격자 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066060A KR970054993A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 부분 회절 격자 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066060A KR970054993A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 부분 회절 격자 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054993A true KR970054993A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066060A KR970054993A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 부분 회절 격자 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054993A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396523B1 (ko) * | 2001-10-06 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 파장가변 레이저 장치의 선택회절 격자 제작 방법 |
| US8173356B2 (en) | 2005-08-24 | 2012-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three dimensional scaffold and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066060A patent/KR970054993A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396523B1 (ko) * | 2001-10-06 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 파장가변 레이저 장치의 선택회절 격자 제작 방법 |
| US8173356B2 (en) | 2005-08-24 | 2012-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three dimensional scaffold and method of fabricating the same |
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