KR970017948A - 유기 반사 방지막 제조 방법 - Google Patents

유기 반사 방지막 제조 방법 Download PDF

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KR970017948A
KR970017948A KR1019950031119A KR19950031119A KR970017948A KR 970017948 A KR970017948 A KR 970017948A KR 1019950031119 A KR1019950031119 A KR 1019950031119A KR 19950031119 A KR19950031119 A KR 19950031119A KR 970017948 A KR970017948 A KR 970017948A
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KR
South Korea
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photoresist layer
organic photoresist
selectively exposing
mask pattern
antireflection film
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Application number
KR1019950031119A
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Inventor
여기성
여정호
남정림
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 반사 방지막(ARC : anti reflected coting) 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 유기 포토레지스트층의 필요 부분에 선택적 노광을 하여 반사 방지막을 형성하도록 한 방법에 관한 것이다.
유기 포토 레지스트층에 마스크 패턴을 개재하여 소정의 부분을 선택적으로 노광하는 단계 및 유기 포토레지스트층의 노광된 부분은 제거하고 마스크 패턴이 개재된 부분은 남겨 열산화 베이크 과정을 통해 반사방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 유기 포토 레지스트층의 필요 부분에 선택적 노광을 함으로서, 패턴이 형성되지 않는 깊은 단차면 또는 좁은 공간서의 반사 방지막을 제거하는 잇점이 있다.

Description

유기 반사 방지막 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 반사 방지막상에서 포토 레지스트를 코팅하고 반사 방지막을 식각하는 것을 도시한 것이다.

Claims (1)

  1. 기판상에 흡광제가 함유된 유기 포토 레지스층을 형성하는 단계; 상기 유기 포토 레지스트층에 마스크패턴을 개재하여 소정의 부분을 선택적으로 노광하는 단계; 상기 유기 포토 레지스트층의 노광된 부분은 제거하고 마스크 패턴이 개재된 부분은 남겨 열산화 베이크 과정을 통해 반사 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950031119A 1995-09-21 1995-09-21 유기 반사 방지막 제조 방법 KR970017948A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100370172B1 (ko) * 2001-03-19 2003-02-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법

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