KR940018710A - 홀로그램 광학 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 홀로그램 광학 소자의 효율을 증대할 수 있는 홀로그램 광학 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 종래에는 기판이 에칭되는 깊이가 보통 1um 이하로써 그 깊이를 실현하기가 어렵고, 기판을 직접 에칭하므로써 표면이 거칠어지며 평탄화가 이루어지지 않는 결점이 있었으나, 본 발명에서는 절연체(5, 8)를 다층으로 형성하므로써 홀로그램 광학 소자의 효율을 높일 수 있도록 하며 기판(1) 식각깊이는 절연체(5)의 두께와 같게 하므로써 그 깊이 제어를 용이하게 할 수 있도록 하므로 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명 홀로그램 광학 소자 제조의 일 실시예를 설명하기 위한 공정 단면도, 제 3 도는 본 발명 홀로그램 광학 소자 제조의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도.
Claims (3)
- 유리기판(1)위에 절연체(5) 또는 유전체 박막층을 형성하는 단계와, 상기 박막층 표면에 감광막(6)을 형성하고 사진 식각법으로 상기 감광막(6)을 패터닝하는 단계와, 상기 감광막(6)을 마스크로 이용하여 상기 박막층을 에칭하는 단계를 차례로 실시하여 이루어짐을 특징으로 하는 홀로그램 광학 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 박막층은 유리기판(1) 양면에 절연체(5) 또는 유전체를 다층으로 형성함을 특징으로 하는 홀로그램 광학 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 에칭시 CF4가스 분위기에서 건식 에칭함을 특징으로 하는 홀로그램 광학 소자의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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