JPS6273203A - 無反射処理基板およびその製造方法 - Google Patents
無反射処理基板およびその製造方法Info
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- JPS6273203A JPS6273203A JP60212434A JP21243485A JPS6273203A JP S6273203 A JPS6273203 A JP S6273203A JP 60212434 A JP60212434 A JP 60212434A JP 21243485 A JP21243485 A JP 21243485A JP S6273203 A JPS6273203 A JP S6273203A
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はブラウン管等の製造に用いらｆる無反射処理基
板およびその製造方法に関するものである。
板およびその製造方法に関するものである。
公知のようにフラウン管などでは１表面反射を防止する
必要があるため、従来は多層膜をコーティングすること
によシ目的を達して−た。ところが、多層コーテングで
は膜厚を±２０Ｘ程度に製造する必要があるばかりでな
く、真空中で蒸着によｐ成膜しなけ扛ばならないため、
コスト高となり、かつスループットも小さいと云う問題
点があった０ この解決策として、例えは米国特許第２４９０６６２号
公報に記載さ扛ているように、珪ふっ化水素酸のシリカ
過飽和水溶液を利用するエツチング方法がある。該方法
はガラス基板を上記水溶液中に浸漬して、アルカリ金属
酸化物等をガラス表面から除去し、多孔質のシリカスケ
ルトンからなる凹凸面をガラス表面に形成するものであ
る。このような方法を使用すｔ″Ｌは、低コストで表面
反射を防止することができ、かつスルーグツトも大とな
る。
必要があるため、従来は多層膜をコーティングすること
によシ目的を達して−た。ところが、多層コーテングで
は膜厚を±２０Ｘ程度に製造する必要があるばかりでな
く、真空中で蒸着によｐ成膜しなけ扛ばならないため、
コスト高となり、かつスループットも小さいと云う問題
点があった０ この解決策として、例えは米国特許第２４９０６６２号
公報に記載さ扛ているように、珪ふっ化水素酸のシリカ
過飽和水溶液を利用するエツチング方法がある。該方法
はガラス基板を上記水溶液中に浸漬して、アルカリ金属
酸化物等をガラス表面から除去し、多孔質のシリカスケ
ルトンからなる凹凸面をガラス表面に形成するものであ
る。このような方法を使用すｔ″Ｌは、低コストで表面
反射を防止することができ、かつスルーグツトも大とな
る。
上記と同様に表面に多孔質の凹凸面を形成する方法は、
その他にいくつかあり５例えば西ドイツ特許第８２１８
２号に記載さ扛ているヒ酸ナトリウムを用いてエツチン
グする方法、あるいは米国特別第４２７３８２６号公報
に記載さｒているように、ゾル−グル過程によル多成分
ガラス層を基板上に形成し、該ガラス層をフッ酸により
エツチングする方法婢がある。
その他にいくつかあり５例えば西ドイツ特許第８２１８
２号に記載さ扛ているヒ酸ナトリウムを用いてエツチン
グする方法、あるいは米国特別第４２７３８２６号公報
に記載さｒているように、ゾル−グル過程によル多成分
ガラス層を基板上に形成し、該ガラス層をフッ酸により
エツチングする方法婢がある。
ところが、上記のよう々いづｎの方法によシ形成した無
反射処理基板でも、膜強度は十分に大でなく、また素手
で取扱う場合には、汚染し易いと云う実用上、極めて不
利な問題点があった。
反射処理基板でも、膜強度は十分に大でなく、また素手
で取扱う場合には、汚染し易いと云う実用上、極めて不
利な問題点があった。
本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、無反
射効果を低減することなく、膜強度が大きく、かつ容易
に汚染しない実用的な無反射処理基板とその製造方法を
提供することを目的とするものである。
射効果を低減することなく、膜強度が大きく、かつ容易
に汚染しない実用的な無反射処理基板とその製造方法を
提供することを目的とするものである。
本発明の無反射処理板は」：１目的を達成するために、
基板表面をエツチングにょ勺凹凸状に形成してなる基板
、または基板表面上に形成した透明膜の表面をエツチン
グにより凹凸状に形成してなる基板において、該凹凸面
−Ｆに透明膜を一層以上形成したことを％徴とする。
基板表面をエツチングにょ勺凹凸状に形成してなる基板
、または基板表面上に形成した透明膜の表面をエツチン
グにより凹凸状に形成してなる基板において、該凹凸面
−Ｆに透明膜を一層以上形成したことを％徴とする。
一層、上記無反射処理板の製造方法は、基板表面上また
は該基板表面上に形成した透明膜表面上に適宜の化学処
理によりエツチングを施して凹凸面を形成し、該凹凸面
上に真空蒸着法、スパッタリング法、ｃｖｎ法等により
透明膜を一層以上形成したことを特徴とする。
は該基板表面上に形成した透明膜表面上に適宜の化学処
理によりエツチングを施して凹凸面を形成し、該凹凸面
上に真空蒸着法、スパッタリング法、ｃｖｎ法等により
透明膜を一層以上形成したことを特徴とする。
以下、本発明の冥施例を駒間について股間する。
実施例１
第１図において、同（Ａ）の１はガラス基板で、該基板
１の表面上に同図（Ｂ）に示すような凹部と凸部を有す
る凹凸面を形成するには、次に述べる４つの方法のうち
の任意の方法を用いてエッチ／りを施せはよい。すなわ
ち、 （１）ガラス基板１をフッ酸０．５％水溶液中に１０分
間浸漬して表面を洗浄した後、３０℃で１ ｍｏｌｅ／
Ｅの濃度の珪フッ化水素酸のシリカ過飽和水溶液に４０
℃で１２０分間浸漬し、さらに流水洗浄した後に乾燥す
る。
１の表面上に同図（Ｂ）に示すような凹部と凸部を有す
る凹凸面を形成するには、次に述べる４つの方法のうち
の任意の方法を用いてエッチ／りを施せはよい。すなわ
ち、 （１）ガラス基板１をフッ酸０．５％水溶液中に１０分
間浸漬して表面を洗浄した後、３０℃で１ ｍｏｌｅ／
Ｅの濃度の珪フッ化水素酸のシリカ過飽和水溶液に４０
℃で１２０分間浸漬し、さらに流水洗浄した後に乾燥す
る。
（２）ガラス基板１をアルミニウムイオンを含むヒ酸ナ
トリウム溶液（ｎｏ ５ｍｏｌｅ ／ｌ ）に８７℃で
２０時間浸漬（〜、ついで蒸留水で２分間、メタノール
で２分間洗浄］−た後に乾燥する。
トリウム溶液（ｎｏ ５ｍｏｌｅ ／ｌ ）に８７℃で
２０時間浸漬（〜、ついで蒸留水で２分間、メタノール
で２分間洗浄］−た後に乾燥する。
（３）ガラス基板１に２ Ｍｅｖでヘリウムイオンを打
込み、６６規定水酸化す） ＩＪウム溶液中に６０℃で
４分間浸漬すし、ついで、脱イオン水で洗浄彼に乾燥す
る。
込み、６６規定水酸化す） ＩＪウム溶液中に６０℃で
４分間浸漬すし、ついで、脱イオン水で洗浄彼に乾燥す
る。
（４）ガラス基板１としてアルカリボロンシリケートガ
ラス（Ｂ、Ｏ，、Ａ／、Ｏ，、Ｎａ、Ｏ）を所定負を含
むガラス）１−用い、６００℃で５時間加熱した後に、
酸性フッ化アンモニウムの１０％溶液に室温で２０分浸
漬する０ついで、蒸留水で３０秒間洗浄した後、１規定
硝酸とａ ４ ｍｏ１θ／／配性７ツ化アンモニウム溶
液の混合液に９０℃で５分間浸漬する。
ラス（Ｂ、Ｏ，、Ａ／、Ｏ，、Ｎａ、Ｏ）を所定負を含
むガラス）１−用い、６００℃で５時間加熱した後に、
酸性フッ化アンモニウムの１０％溶液に室温で２０分浸
漬する０ついで、蒸留水で３０秒間洗浄した後、１規定
硝酸とａ ４ ｍｏ１θ／／配性７ツ化アンモニウム溶
液の混合液に９０℃で５分間浸漬する。
さらに、蒸留水で２分間洗浄した彼に乾燥する。
上述し７’（４つの方法のうち、任意の方法でエツチン
グを施したガラス基板１の凹凸面１ａ上に、真空蒸発法
、スパッタリング法、Ｃ’／Ｄ法（Ｃｈｅｍｉ−ｃａＩ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの任意の方法
により、第１図（Ｃ）に示すようにフッ化マグネシウム
あるいは酸化シリコンの透明膜２を形成する。または、
同図（ＤＩ Ｋ示すように上記ガラス基板１上に酸化シ
リコンの透明膜３を上記の同様にして形成した後。
グを施したガラス基板１の凹凸面１ａ上に、真空蒸発法
、スパッタリング法、Ｃ’／Ｄ法（Ｃｈｅｍｉ−ｃａＩ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの任意の方法
により、第１図（Ｃ）に示すようにフッ化マグネシウム
あるいは酸化シリコンの透明膜２を形成する。または、
同図（ＤＩ Ｋ示すように上記ガラス基板１上に酸化シ
リコンの透明膜３を上記の同様にして形成した後。
該酸化シリコン膜５上にさらにフッ化マグネシウムの透
明膜４を形成する。
明膜４を形成する。
このようにして製作さｎｆＬ第１災施例（無反射処理基
＠）の反射率は第１表に示すとおシである〇肢第１表に
は、膜強度の指標として消しゴムでこすった場合、伺回
で剥離するかが示さ扛、また汚染しやすさを、集子で触
ｎた時の指紋の着き方により斬新して示し几。ま次、前
記透明膜の屈折率は、ガラスの１．５．５より小さく空
気の１．０より大である範囲のうち、１．５〜１．１が
最適でおこと全夾験により確認した。
＠）の反射率は第１表に示すとおシである〇肢第１表に
は、膜強度の指標として消しゴムでこすった場合、伺回
で剥離するかが示さ扛、また汚染しやすさを、集子で触
ｎた時の指紋の着き方により斬新して示し几。ま次、前
記透明膜の屈折率は、ガラスの１．５．５より小さく空
気の１．０より大である範囲のうち、１．５〜１．１が
最適でおこと全夾験により確認した。
実施例２
第２図は他の実施例を示したものである０同図（Ａ）に
おいて、１０はシリコン基板で、該基板１０上にまず同
図（Ｂｌに示すガラス層５を形成する０この形成は次の
ようにして行わｎる。すなわちテトラエチルシリケー）
２４．５ ｇ、 メトキシエタノール２５ｇおよび１
規定硝酸の混合液’１ｉ−６０℃に加熱して冷却稜、ア
ルミニウムトリプトキント電１ｇを添加（７てかくはん
する。さらに該混合物に硝酸カルシウム４．６ｇ、硝酸
ナトリウム１．１ｇ、塩基性炭酸マグネシウム１．８ｇ
、硝酸１０ｇｉ水２０ｇに溶解した混合物を添加する。
おいて、１０はシリコン基板で、該基板１０上にまず同
図（Ｂｌに示すガラス層５を形成する０この形成は次の
ようにして行わｎる。すなわちテトラエチルシリケー）
２４．５ ｇ、 メトキシエタノール２５ｇおよび１
規定硝酸の混合液’１ｉ−６０℃に加熱して冷却稜、ア
ルミニウムトリプトキント電１ｇを添加（７てかくはん
する。さらに該混合物に硝酸カルシウム４．６ｇ、硝酸
ナトリウム１．１ｇ、塩基性炭酸マグネシウム１．８ｇ
、硝酸１０ｇｉ水２０ｇに溶解した混合物を添加する。
上記のようにして得ら扛た溶液をシリコン基板１０にス
ピン塗布した後、８５℃で１５分間乾燥し、さらに６０
０℃で２０分間加熱した後に、７５０℃で１時間加熱す
ると、前記ガラス層５ｆ形成することができる。その後
、フッ酸１２ ｍ／ 、塩酸７．６第１．フルコール（
エタノール：メタノール：イソプロパトル＝９０：５：
５）１１２ｍｌ！の混合液中で２分間エツチングして上
記ガラス層５上に凹凸面５ａを形成し、ついで蒸留水で
洗浄した後に乾燥する。
ピン塗布した後、８５℃で１５分間乾燥し、さらに６０
０℃で２０分間加熱した後に、７５０℃で１時間加熱す
ると、前記ガラス層５ｆ形成することができる。その後
、フッ酸１２ ｍ／ 、塩酸７．６第１．フルコール（
エタノール：メタノール：イソプロパトル＝９０：５：
５）１１２ｍｌ！の混合液中で２分間エツチングして上
記ガラス層５上に凹凸面５ａを形成し、ついで蒸留水で
洗浄した後に乾燥する。
このような凹凸面５ａ上に真空蒸着法によシ第２図（Ｃ
１に示すように、フッ化マグネシウムまたは酸化シリコ
ンの透明膜２を形成する。一方、同図（Ｄ）に示すよう
に、上記と同様にして凹凸面５ａ上に酸化シリコン膜３
を形成した後、１膜６上に７ツ化マグネシウムの透明膜
４′ｆｔ形成する。
１に示すように、フッ化マグネシウムまたは酸化シリコ
ンの透明膜２を形成する。一方、同図（Ｄ）に示すよう
に、上記と同様にして凹凸面５ａ上に酸化シリコン膜３
を形成した後、１膜６上に７ツ化マグネシウムの透明膜
４′ｆｔ形成する。
このようにして製作さｔた第２実施例（無反射処理基板
）の反射率９Ｍ強度および汚染【７やすさなどを、前記
第１実施例の場合と同様に【７て求め表にすると、下記
第２表に示すとおりである。上記透明膜の屈折率は、カ
ラスの１．５５より小さく空気の１．０よ勺大である範
囲のうち、五８〜１．１が最適であることを東独により
確認した。
）の反射率９Ｍ強度および汚染【７やすさなどを、前記
第１実施例の場合と同様に【７て求め表にすると、下記
第２表に示すとおりである。上記透明膜の屈折率は、カ
ラスの１．５５より小さく空気の１．０よ勺大である範
囲のうち、五８〜１．１が最適であることを東独により
確認した。
第２表
実施例３
第１図に示す基板１と［２てシリコン基板１′を使用し
、水酸化カリウムと、イングロパノールと水とを９ ：
２０ ： １２０ の比で混合した溶液中（７５Ｃ）
に上記シリコン基板１′を２０分間エツチングし、こ扛
によって得らｎ次ンリコン基板１′に真空蒸着法により
同図（Ｄ）に示すように酸化チタン３を形成し、この酸
化チタン５′上に弗化マグネシウム４を形成してシリコ
ン基板１′を得た。
、水酸化カリウムと、イングロパノールと水とを９ ：
２０ ： １２０ の比で混合した溶液中（７５Ｃ）
に上記シリコン基板１′を２０分間エツチングし、こ扛
によって得らｎ次ンリコン基板１′に真空蒸着法により
同図（Ｄ）に示すように酸化チタン３を形成し、この酸
化チタン５′上に弗化マグネシウム４を形成してシリコ
ン基板１′を得た。
このシリコン基板１′の反射率は蒸着前のものと同等の
約５チであった。
約５チであった。
なお、凹凸面上に形成する透明膜は以上述べたものに限
定さｎるものでなく、屈折率がシリコン五８よりも小さ
く空気１．０よりも大きいものならはどｔでも差支えな
い、また成膜方法は真空蒸着法に限定さ扛るものでなく
、スパッタｉ、ＣＶＤ法などでもよい、さらに本実施例
では２層を使用したか３以上の積層でも差支えない０ 以上述べ′ｆｃ谷夾施例で形成さｆる透明膜の膜厚は凹
凸の大きさにより１００〜１０，０ＯＯＡであることが
望ましい。
定さｎるものでなく、屈折率がシリコン五８よりも小さ
く空気１．０よりも大きいものならはどｔでも差支えな
い、また成膜方法は真空蒸着法に限定さ扛るものでなく
、スパッタｉ、ＣＶＤ法などでもよい、さらに本実施例
では２層を使用したか３以上の積層でも差支えない０ 以上述べ′ｆｃ谷夾施例で形成さｆる透明膜の膜厚は凹
凸の大きさにより１００〜１０，０ＯＯＡであることが
望ましい。
以上説明したように、本発明によ扛は％膜強贋が大きく
、かつ容易に汚染しない無反射処理基板を低コストで、
しかもスルー７”ット大で得らするので、表面反射の低
減さｒしたブラウン管等を安価に製造することか可能で
おる。
、かつ容易に汚染しない無反射処理基板を低コストで、
しかもスルー７”ット大で得らするので、表面反射の低
減さｒしたブラウン管等を安価に製造することか可能で
おる。
第１図および第２図は本発明に係わる無反射処理基板の
製造方法の実施例を示す説明図である。 １・・・ガラス基板、１’、１０・・・シリコン基板、
１ａ。 ５ａ・・・凹凸面、２．５・・・酸化シリコン膜、３′
・・・酸化チタン、４・・・フッ化マグネシウム膜、５
・・・ガラス層。 代理人弁理士 小 川 勝 男（゛ゝ 蔦１圀 冨２０
製造方法の実施例を示す説明図である。 １・・・ガラス基板、１’、１０・・・シリコン基板、
１ａ。 ５ａ・・・凹凸面、２．５・・・酸化シリコン膜、３′
・・・酸化チタン、４・・・フッ化マグネシウム膜、５
・・・ガラス層。 代理人弁理士 小 川 勝 男（゛ゝ 蔦１圀 冨２０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板表面をエッチングにより凹凸状に形成してなる
基板、または基板表面上に形成した透明膜の表面をエッ
チングにより凹凸状に形成してなる基板において、該凹
凸面上に透明膜を一層以上形成したことを特徴とする無
反射処理基板。 ２、上記基板としてガラス基板を用い、該基板に設けた
凹凸面上に屈折率を１．１〜１．５に設定した透明膜を
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
無反射処理基板。 ３、上記基板としてシリコン基板を用い、該基板に設け
た凹凸面上に屈折率を１．１〜３．８に設定した透明膜
を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の無反射処理基板。 ４、上記基板上または該基板上の透明膜上の凹面面上に
形成された透明膜の膜厚を１００〜１０，０００Åに設
定したことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のうち任意の１項記載の無反射処理基板。 ５、基板表面をエッチングにより凹凸状に形成してなる
基板、または基板表面上に形成した透明膜の表面をエッ
チングにより凹凸状に形成してなる基板において、前記
エッチングを適宜の化学処理により行って凹凸面を形成
し、該凹凸面上に真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法等により透明膜を一層以上形成したことを特徴とす
る無反射処理基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212434A JPS6273203A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 無反射処理基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212434A JPS6273203A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 無反射処理基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273203A true JPS6273203A (ja) | 1987-04-03 |
Family
ID=16622537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212434A Pending JPS6273203A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 無反射処理基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273203A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116601A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピネル系透光性複合材 |
| JPH01145601A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化イツトリウム系透光性複合材 |
| JPH01239501A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Nitto Denko Corp | 反射防止板の製造方法 |
| JPH0237301A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射防止膜 |
| JPH0749419A (ja) * | 1993-01-28 | 1995-02-21 | Gold Star Co Ltd | ホログラム光学素子の製造方法 |
| JP2008041556A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | 光源ランプ、光源装置およびプロジェクタ |
| JP2021096373A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 反射防止構造体、及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212434A patent/JPS6273203A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116601A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピネル系透光性複合材 |
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| JP2021096373A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 反射防止構造体、及びその製造方法 |
| WO2021125207A1 (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 反射防止構造体、及びその製造方法 |
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