JP2021096373A - 反射防止構造体、及びその製造方法 - Google Patents
反射防止構造体、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021096373A JP2021096373A JP2019227726A JP2019227726A JP2021096373A JP 2021096373 A JP2021096373 A JP 2021096373A JP 2019227726 A JP2019227726 A JP 2019227726A JP 2019227726 A JP2019227726 A JP 2019227726A JP 2021096373 A JP2021096373 A JP 2021096373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- metal oxide
- base material
- depth
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 217
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 122
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 79
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 64
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 57
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 116
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 45
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/118—Anti-reflection coatings having sub-optical wavelength surface structures designed to provide an enhanced transmittance, e.g. moth-eye structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2456—Coating containing TiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/212—TiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/213—SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/216—ZnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/218—V2O5, Nb2O5, Ta2O5
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/22—ZrO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/228—Other specific oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/25—Metals
- C03C2217/27—Mixtures of metals, alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
- C03C2217/732—Anti-reflective coatings with specific characteristics made of a single layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
- C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
- G02B2207/101—Nanooptics
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Description
更に、凹凸形状を短形とするのではなく、山と谷、すなわち光学素子材料側と空気側の体積比が連続的に変化するような、いわゆる錐形状(錐形状のパターン)とすることにより、広い波長域を有する光に対しても反射防止効果を得ることができる(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
即ち、本発明は、以下の(1)〜(17)に記載する発明を要旨とする。
金属酸化物膜がその表面(S)と、穴(Hn)の底部から上部方向の各空間部(Cn)に配置された、反射防止構造体であって、
各空間部(Cn)に配置された金属酸化物膜の厚さ(tn)が、各穴(Hn)の深さ(dn)が深くなるほど増加していることにより、
前記表面(S)に配置された金属酸化物膜の最表面(Sm)から各空間部(Cn)内に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少していることを特徴とする反射防止構造体。
前記穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)に配置された金属酸化物膜は繊維状柱状膜である、前記(1)に記載の反射防止構造体。
(3)前記基材(B)の平坦な表面(S)の「算術平均粗さ(Ra)」が50nm以下であり、該表面(S)における開口部の面積割合(開口率)(r)が50〜80面積%である、
前記(1)又は(2)に記載の反射防止構造体。
(4)前記基材(B)の表面(S)に配置された金属酸化物膜の厚さ(p)が20〜60nmである、前記(1)から(3)のいずれかに記載の反射防止構造体。
(5)前記基材(B)の表面部(S)に配置された金属酸化物膜の厚さ(p)が20〜40nmであり、
前記基材(B)の最表面(Sm)から、穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn)が下記式(i)で示される範囲である、前記(1)から(4)のいずれかに記載の反射防止構造体。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.10・・・(i)
前記基材(B)の最表面(Sm)から、穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn)が下記式(ii)で示される範囲である、前記(1)から(4)のいずれかに記載の反射防止構造体。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05・・・(ii)
(7)前記金属酸化物膜を形成している金属酸化物が酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、及び酸化ジルコニウムのいずれかである、前記(1)から(6)のいずれかに記載の反射防止構造体。
(8)前記表面(S)に配置されている金属酸化物膜、及び各穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)に配置されている金属酸化物膜がプラズマ源を有する真空成膜装置により形成された膜である、前記(1)から(7)のいずれかに記載の反射防止構造体。
プラズマ源を有する真空成膜装置を用いて下記条件(a)〜(c)で真空成膜を行い、
(a)ターゲットが金属酸化物(M)、又は該金属酸化物を構成する金属(K)
(b)真空チャンバー内に供給するガスが希ガス、又は希ガスと酸素ガス
(c)真空チャンバー内のガス圧力が4〜6パスカル
表面(S)と各穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)にそれぞれ金属酸化物(M)からなる薄膜と柱状膜を堆積することを特徴とする、反射防止構造体の製造方法。
基材(B)の表面(S)に配置された薄膜の最表面(Sm)から各空間部(Cn)内に配置される柱状膜の表面までの各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少する、前記(9)に記載の反射防止構造体の製造方法。
(11)前記プラズマ源を有する真空成膜装置がスパッタリング装置である、前記(9)又は(10)に記載の反射防止構造体の製造方法。
(12)前記金属酸化物膜を形成する金属酸化物(M)が酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、及び酸化ジルコニウムのいずれかである、前記(9)から(11)のいずれかに記載の反射防止構造体の製造方法。
(13)前記ターゲットが酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、もしくは酸化ジルコニウムからなる金属酸化物(M)、又はケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、もしくはジルコニウム(Zr)からなる金属(K)である、前記(9)から(12)のいずれかに記載の反射防止構造体の製造方法。
(15)前記基材(B)の表面(S)に堆積される金属酸化物(M)からなる薄膜の厚さ(p)が20〜60nmである、前記(9)から(14)のいずれかに記載の反射防止構造体の製造方法。
(16)前記プラズマ源を有する真空成膜装置を用いて、基材(B)の表面(S)に厚さ(p)が20〜40nmの金属酸化物(M)からなる薄膜を堆積すると、
基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物(M)からなる柱状膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn(nm))が下記式(i)で示される範囲となり、
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.10・・・(i)
各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少する、前記(9)から(15)のいずれかに記載の反射防止構造体の製造方法。
基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物(M)からなる柱状膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn(nm))が下記式(ii)で示される範囲となり、
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05・・・(ii)
各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少する、前記(9)から(15)のいずれかに記載の反射防止構造体の製造方法。
以下、金属酸化物(M)を単に金属酸化物ということがある。
図1(a)〜(c)において、(a)は表面に対して垂直断面形状がU字形状の穴12が設けられた基材11の概念図であり、(b)は該基材11の表面と穴部に公知の方法で薄膜13が堆積された構造体の概念図であり、(c)は、前記基材11の表面(S)に金属酸化物からなる薄膜14が配置され、穴(Hn)の空間部(Cn)12に金属酸化物からなる柱状膜15が配置された、本発明の反射防止構造体の概念図である。
図4は、試験片(A−2)に設けられた各穴の深さに対応する、本発明のプロセスで得られた成膜後の試験片(B−2)、及び公知のプロセスで得られた成膜後の試験片(C−5)の各穴の深さを示す。
図5〜7は、参考例1、実施例1、比較例1で作製した試験片(A−2)、試験片(B−2)、試験片(C−5)について、光の入射角度が5度おける光線反射率をそれぞれ評価した結果を説明する図面である。図8〜10は、参考例1、実施例1、比較例1で作製した試験片(A−2)、試験片(B−2)、試験片(C−5)について、光の入射角度が5〜70度おける光線反射率をそれぞれ評価した結果を説明する図面である。尚、図3〜10について、詳細は実施例、比較例の項で説明する。
本発明の反射防止構造体は、平坦な表面(S)に対する垂直断面形状がU字形状ないしV字形状の穴(Hn)が複数形成されていて、該穴(Hn)の形状は、開口部の平均直径(m)が50〜300nm、隣接する開口部との間のそれぞれの中心点の平均間隔(k)が100〜400nm、及び表面(S)を基準とした各穴(Hn)の深さ(dn)が80〜250nmの範囲である、透明な基材(B)に、
金属酸化物膜がその表面(S)と、穴(Hn)の底部から上部方向の各空間部(Cn)に配置された、反射防止構造体であって、
各空間部(Cn)に配置された金属酸化物膜の厚さ(tn)が、各穴(Hn)の深さ(dn)が深くなるほど増加していることにより、
前記表面(S)に配置された金属酸化物膜の最表面(Sm)から各空間部(Cn)内に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少していることを特徴とする。
基材(B)は、平坦な表面(S)に対する垂直断面形状がU字形状ないしV字形状の穴(Hn)が複数形成されていて、該穴(Hn)の形状は、開口部の平均直径(m)が50〜300nm、隣接する開口部との間のそれぞれの中心点の平均間隔(k)が100〜400nm、及び表面(S)を基準とした各穴(Hn)の深さ(dn)が80〜250nmの範囲である、透明な構造体である。
基材(B)に使用可能な有機材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリシクロオレフィン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリアリレート系樹脂等が挙げられるが、これらに限定されない。使用可能な無機材料としては、ガラス、シリコン、石英、セラミック材料等が挙げられるが、これらに限定されない。上記材料の中でも、穴(Hn)を形成する際の加工性などを考慮すると、有機材料の使用が好ましい。上記ポリカーボネートは、透明性、耐衝撃性、耐熱性、寸法安定性、燃焼性に優れているためより好ましく、ポリエチレンテレフタレートは、耐熱性、機械的強度、寸法安定性、耐薬品性、光学特性等、および表面の平滑性やハンドリング性に優れているためより好ましい。
基材(B)の表面(S)は、平坦な形状で、その表面粗さがJIS601に基づく算術平均粗さ(Ra)で50nm以下が好ましい。尚、該平坦な形状には、緩やかな曲率をもって湾曲している形状も含まれる。基材(B)の厚さは特に制限はない。基材(B)の表面(S)に設けられる穴(Hn)の形状は、図1(a)の概念図等に示すように、表面(S)と垂直方向の断面構造でU字形状ないしV字形状である。このような形状とすることにより、後述する穴(Hn)の空間部(Cn)に、金属酸化物からなる柱状膜を形成し易くなると共に、光線に対する反射防止効果が向上する。
上記各穴(Hn)の開口部の平均直径(m)、開口部の中心点の平均間隔(k)における平均値は、測定値の正規分布から求められる中央値であり、上記穴(Hn)の深さ(dn)の範囲は、多少のバラツキがある場合には測定値の内の70%以上が含まれていればよい。
上記基材(B)の構造は、図2(a)に示す射出成形用上金型16と射出成形用下金型17を用いて、図2(b)に示す、射出成形機にこれらの金型がセットされた空間に基材を形成する溶融樹脂が射出されるプロセスで形成することが可能であるが、ナノ構造物で構成された金型を用いて射出成形の他に、キャスト成形、プレス成形等で成形することができる。
本発明の反射防止構造体は、透明な基材(B)の表面(S)に金属酸化物が薄膜として配置され、各穴(Hn)の空間部(Cn)に金属酸化物が柱状膜として配置されている。
従来、基材に反射防止の機能を発揮させるための手段として、基材の表面に反射を防止する光源の波長以下のナノサイズの穴に、金属酸化物からなる反射防止膜を配置した構造体が知られていた。しかし、基材に形成された穴の深さにバラツキがある場合には、基材表面と穴の空間部に同じ厚さの金属酸化物膜を配置しても必ずしも十分な反射防止効果を発揮することはできなかった。
また、本発明の更なる特徴は、各穴(Hn)の空間部(Cn)に配置されている金属酸化物からなる柱状膜の厚さ(tn)が、後述するように、各穴(Hn)の成膜前の深さ(dn)が深くなる程増加して、各穴(Hn)間の成膜後の深さ(fn)の差が減少して、反射防止機能を更に向上していることにある。尚、公知の反射防止構造体では図1(b)に示すように構造体の表面と穴の内部に共に一定の厚さの反射防止構造体が配置されていた。
基材(B)の表面(S)及び穴(Hn)の空間部(Cn)に配置されて反射防止効果を発揮しうる金属酸化物膜を形成する無機の金属酸化物(M)の具体例としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム(アルミナ)、ケイ酸ジルコニウム、ルチル型酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化アンチモン、五酸化ニオブ、酸化銅等が挙げられるがこれらの中でも屈折率の低い酸化ケイ素、酸化アルミニウム、その他酸化チタン、酸化ジルコニウム(ジルコニア)が好ましい。
基材(B)の表面(S)に配置される金属酸化物膜の薄膜の厚さ(p)は、穴の空間部(Cn)に配置する柱状膜の厚さ(tn)、反射防止機能等を考慮すると、20〜60nmが好ましく、20〜40nmがより好ましい。
上記反射防止構造体の表面(S)に配置されている金属酸化物からなる薄膜は、その厚さ(p)が数十nm程度である場合には、例えば、本明細書の実施例1で作製した反射防止構造体の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である図3(b)及び従来技術等から配向性は高くなく、密度が比較的高い薄膜状であると判断される。
基材(B)の穴(Hn)の空間部(Cn)に配置された金属酸化物からなる柱状膜の構造は、例えば、本明細書の実施例1で作製した反射防止構造体の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である図3(b)とソーントン・モデル(国際公開第2008−071906号、J. A. Thornton, J Vac. Sci. Technol. 11, p666 1974参照)から配向性があり、繊維状で全体形状が柱状膜であると判断される。また、穴(Hn)の空間部(Cn)で、柱状膜が、薄膜が配置された基材(B)の最表面(Sm)を基準として、120nm〜250nmの深さの範囲に配置されていることが好ましい。柱状膜の好ましい厚さ(tn(nm))は後述する。
本発明の反射防止構造体は、上記特定のナノメーターサイズの穴(Hn)が複数設けられた透明な基材(B)の表面(S)に金属酸化物からなる薄膜が配置され、かつ穴(Hn)の空間部(Cn)に前記薄膜とは異なる構造の柱状膜が配置されているので反射防止機能を発揮し、更に、該柱状膜が繊維状であることにより、反射防止効果、親水効果、及び防曇効果が向上する特徴を有する。
また、本発明の好ましい態様では、穴(Hn)の空間部(Cn)に配置されている金属酸化物からなる柱状膜の厚さ(tn)は、基材(B)に設けられた各穴(Hn)の深さ(dn(nm))が深いほど増加している状態で配置されている結果、基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の空間部(Cn)に配置されている柱状膜の表面までの各深さ(fn)の差が下記の式(i)又は式(ii)に示すように減少して反射防止機能を更に向上している。
fn=0.195dn+95.5・・・・・・・・(iii)
尚、空間部(Cn)内に形成される各柱状膜の厚さ(tn)は、以下の式(iv)が求められる。
tn=(dn+p)−fn・・・・・・(iv)
上記式(iii)における傾値(0.195)が小さい値であるので、前記基材(B)の表面(S)に配置された薄膜の厚さ(p)を20〜40nmの範囲にまで普遍化して、基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の空間部(Cn)内の柱状膜の最表面までの各深さ(fn)の好ましい範囲を求めることができ、この場合においても本発明の効果が期待できる。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.10・・・(i)
尚、式(i)中、(p-25)は、基材(B)の表面に配置される薄膜の厚さ(p)が上記範囲であることを考慮したものであり、係数0.90と、1.10は図4におけるバラツキの範囲を考慮して、深さ(fn)の上限、下限を示すための数値であり、数字の単位は、ナノメーター(nm)である。本発明において、すべての穴(Hn)の深さ(fn)のうちの90%以上が上記式(i)の範囲に含まれていれば本発明の効果が発揮される。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05・・・(ii)
尚、式(ii)中、(p-25)は、基材(B)の表面に配置される薄膜の厚さ(p)が上記範囲であることを考慮したものであり、係数0.95と、1.05は図4におけるバラツキの範囲を考慮して、深さ(fn)の上限、下限を示すための数値であり、数字の単位は、ナノメーター(nm)である。本発明において、すべての穴(Hn)の深さ(fn)のうちの90%以上が上記式(ii)の範囲に含まれていれば本発明の効果が発揮される。
本発明の反射防止構造体の製造方法は、
平坦な表面(S)に対する垂直方向の断面形状がU字形状ないしV字形状の穴(Hn)が複数設けられていて、各穴(Hn)の開口部の平均直径(m)が50〜300nm、隣接する開口部との間のそれぞれの中心点の平均間隔(k)が100〜400nm、かつ深さ(dn)が表面(S)を基準として80〜250nmの範囲である、透明な基材(B)に金属酸化物膜を堆積する反射防止構造体の製造方法であって、
プラズマ源を有する真空成膜装置を用いて下記条件(a)〜(c)で真空成膜を行い、
(a)ターゲットが金属酸化物(M)、又は該金属酸化物を構成する金属(K)
(b)真空チャンバー内に供給するガスが希ガス、又は希ガスと酸素ガス
(c)真空チャンバー内のガス圧力が4〜6パスカル
表面(S)と各穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)にそれぞれ金属酸化物からなる薄膜と柱状膜を堆積することを特徴とする。
基材に特定のナノメーターサイズの穴(Hn)が設けられた上記基材(B)を作製する手段は、後述する通り、公知の方法で行うことが可能である。また、一般に基材等の表面に薄膜を形成する方法には,めっきや陽極酸化などの湿式法と,物理的方法と化学的方法等の乾式法があり、物理的方法(PVD、physical vapor deposition)としては、真空蒸着,スパッタリング、イオンプレーティング等が挙げられる。本発明の反射防止構造体の製造方法においては、基材(B)に金属酸化物からなる膜を形成する際に上記物理的方法に属する真空成膜法などのプラズマを用いた物理成膜法において、通常より金属酸化物等の粒子の平均自由工程を短くして散乱効果を高め、表面(S)に比較的緻密で平坦な、金属酸化物からなる薄膜を形成すると共に、穴(Hn)の空間部(Cn)に表面(S)に堆積される薄膜と同一材料の柱状膜を堆積することに特徴がある。
スパッタリング等の真空成膜法は、低温下でも比較的緻密で均一な構造の薄膜を形成でき、再現性・安定性に優れ、ターゲットと基板間の距離が比較的短くできるので装置の小型化が可能であり、ターゲットの寿命が長いので生産の連続化が可能になる、という特徴を有している。
真空成膜法の中でも、スパッタリングは、ターゲットから真空中に放出される粒子のエネルギーは真空蒸着法等の他の物理的方法と比較して各段に高く、ターゲットへの入射粒子1個当たりに対し、スパッタリングにより気相中にはじき出される原子(又は分子)の数であるスパッタリング率は低いという特徴がある。また、形成される薄膜の構造と物性に粒子のエネルギーが影響を及ぼすために、ターゲット材料とスパッタリング用ガスの選択、放電条件、圧力、ターゲットと基板面間の距離等の制御条件を考慮する必要がある。
(イ)基材(B)の材質
真空成膜法により金属酸化物膜を形成する基板(B)の材質には特に制限はなく、基本的にはどのような材料にも成膜は可能である。該材料としては、プラスチックなどの有機材料と、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を使用できる。
基材(B)の表面(S)は、平坦な形状で、その表面粗さがJIS601に基づく算術平均粗さ(Ra)で50nm以下が好ましい。尚、該平坦な形状には、緩やかな曲率をもって湾曲している形状も含まれる。基材(B)の厚さは特に制限はない。基材(B)の表面(S)に設けられる穴(Hn)の形状は、図1(a)の概念図に示すように、表面(S)に対して垂直方向の断面構造でU字形状ないしV字形状である。このような形状とすることにより、光線に対する反射防止効果が発揮し易くなり、また後述する穴(Hn)の空間部(Cn)に、金属酸化物膜が柱状膜として堆積し易くなる。
上記基材(B)の構造は、図2(a)に示す射出成形用上金型16と射出成形用下金型17を用いて、図2(b)に示す、射出成形機にこれらの金型がセットされた空間に基材(B)を形成する溶融樹脂が射出されるプロセスで形成することが可能であるが、ナノ構造物で構成された金型を用いた射出成形の他に、キャスト成形、プレス成形等で成形することができる。
基材(B)の形状が3次元の複雑構造のものは、スパッタリング等の真空成膜ではその細部に回り込んで成膜させるのが難しく、付着しなくなる面がある。このような場合には、金属酸化物等の粒子の平均自由工程を短くすることにより、いろいろな方向に粒子を散乱させることで、回り込みを増やせることができる。しかし、この回り込みには限度があって、ターゲットに対して直角程度までは粒子を付着させることは可能であるが、裏面までは困難である。
真空成膜法には種々の方法が挙げられるが、以下にスパッタリングの例について具体的に説明する。
(イ)スパッタリング装置
(a)スパッタリング
スパッタリングは、真空チャンバー内にアルゴン(Ar)等の不活性ガスである希ガス等を導入しながら基板(陽極側)とターゲット(陰極側)間に高電圧を印加し、Ar+等のイオン化した希ガスをターゲットに衝突させて、はじき飛ばされたターゲット物質を基板に成膜させる方法である。真空中で処理を行うのは、希ガスのイオン化と、スパッタリングで飛ばしたターゲット分子を基板に届かせるため、そして不純物の少ない膜をつくるためである。
ガス供給部は、ターゲットの長手方向、すなわち基板の幅方向にガスノズルが設けることができ、反応性ガスを供給する場合にはその供給薄膜の組成に応じて適宜選択される。
利用する放電・プラズマの区分からみた代表的スパッタ装置方式として、マグネトロン方式、イオンビーム方式、DC2極方式、交流2極方式等が挙げられるが、これらの方式の中で膜の生成速度の大きいマグネトロンスパッタ方式の採用が好ましく、実際に広く使用されている。
スパッタリングを引き起こすための高いエネルギーを持つ粒子を得る方法としては、プラズマを発生させ、形成されたイオンを電気的に加速させることが一般的である。更に、磁場を用いてプラズマを閉じ込め、電子の使用効率を高めることができる。この方法はマグネトロンスパッタリング法とよばれる。マグネトロンスパッタリング方式は、例えばカソードの裏面に永久磁石等を配してスパッタ率を上げた方式で現在一般的に使われるようになっている。
ターゲットとしては、金属(K)、金属酸化物(M)などの材料が用いることができる。具体的には、酸化ケイ素、酸化アルミニウム(アルミナ)、ケイ酸ジルコニウム、ルチル型酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化アンチモン、五酸化ニオブ、もしくは酸化銅等の金属酸化物(M)、又はケイ素、アルミニウム、チタン、スズ、ジルコニウム、セリウム、亜鉛、鉄、アンチモン、ニオブ、もしくは銅等の金属(K)等を用いることができる。酸化ケイ素からなる化合物を製膜する場合には、ターゲットに酸化ケイ素を用いるか、金属Siを用いてO2ガスを真空チャンバー内に導入して、金属とO2を化合させることにより酸化ケイ素膜を形成する方法がある。後者は反応性スパッタリングといわれる。
基材(B)の表面(S)及び穴(Hn)の空間部(Cn)に堆積されて反射防止効果を発揮しうる無機の金属酸化物(M)の具体例としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム(アルミナ)、ケイ酸ジルコニウム、ルチル型酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化アンチモン、五酸化ニオブ、酸化銅等が挙げられるがこれらの中でも屈折率の低い酸化ケイ素、酸化アルミニウム、その他酸化チタン、酸化ジルコニウム(ジルコニア)が好ましい。
スパッタリング条件のファクターとしては、(a)電源と電圧、(b)スパッタリング用ガス、(c)ガス圧力、(d)基材とターゲットの面間隔、(e)スパッタリング温度、時間等が挙げられる。
スパッタリング用の電源としては、直流電源、あるいは高周波電源のいずれを使用することも可能である。高周波スパッタ(RFスパッタ)は、電源に高周波電源を使用したスパッタであり、絶縁物を製膜するときにターゲットに絶縁物をそのまま使用することが可能になる。カソード、アノード間にスパッタを行うための電圧を印加する方法は、特に限定されるものではなく、2つのターゲット間に交流電圧を印加する方法、1つのターゲットに対してDCパルス電源で電圧を印加する方法、2つのターゲットに対し交互にDCパルス電源で電圧印加を行う所謂バイポーラ方式のDMS法などを利用することができる。例えば、一対のターゲットに交流電圧を印加した場合、各ターゲットがアノード電極、カソード電極に交互に切替わり、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気が形成される。
スパッタリングでは、通常は希ガスであるArを放電に用いるが、他の希ガスも使用することが可能である。ターゲット材料としてSiなどの金属を使用して、反応性スパッタリングにより酸化ケイ素等の化合物膜を堆積する場合には、希ガスに加えてO2などの反応性ガスを用いることができる。また、タ−ゲットに酸化ケイ素等の金属酸化物等の化合物を用いて、SiとO(酸素)の組成日が1対2であるという化学量論組成比を持つ薄膜を形成するために、放電ガス中に酸素ガスを加える必要が生じるが、この場合も反応性スパッタリングの一つである。これらのガスを真空チャンバー内に導入するには、通常ガス流量制御装置が用いられる。
酸化ケイ素等の誘電体薄膜の成膜に、金属ターゲットであるSi等を用いた反応性スパッタを採用する場合、アルゴン等の希ガスおよび酸素等の反応性ガスをスパッタ室内に導入し、金属領域と酸化物領域との中間の遷移領域となるように反応性ガスの導入量を制御することにより、酸化物薄膜を成膜することができる。スパッタリング用ガスとして希ガスにO2ガスを併せて用いる場合には、実験条件にもよるがガス中でO2ガスを15〜35モル%程度の濃度とすることができる。
本発明の反射防止構造体の製造方法において、基材(B)には上記の通りナノメーターサイズの複数の穴(Hn)が設けられているので、真空チャンバー内のガス圧力は通常の0.5〜1パスカル(Pa)程度より高い圧力に設定するが、本発明では、平均自由工程を短くし散乱性を高めるためにスパッタリングガスの圧力は、4〜6Paが選択される。また、平均自由工程は、気体原子が他の原子気体と衝突するまでの飛行距離の平均値であり、次式から求められる。
λ=3.11×10−24・T/PD2
ここで、λは、平均自由工程λ(m)、ガス圧力P(Pa)、温度T(K)、及び分子の直径D(m)である。
本発明の反射防止構造体の製造方法において、ターゲットと基材(B)との面間隔は、10〜150mmの範囲が好ましい。また、材(B)の各穴(Hn)の空間部(Cn)に金属酸化物の柱状膜を形成する為に、基材とターゲットの配置関係は法線方向で60度以内にするのが好ましく、対向させるのがより好ましい。
実際のスパッタリングにおいて、圧力が4〜6Pa程度では、スパッタリングされたガスが高温になることはなく、ほぼ室温になる。成膜速度は電力に比例するので、電力密度(W/cm2)により制御することが可能である。また、成膜速度は、ターゲットと基板間距離に大まかに反比例する。スパッタリング時間は、基材(B)の表面(S)上に堆積させる金属酸化物からなる薄膜の厚みを考慮して決めることができる。
本発明の反射防止構造体の製造方法で得られる、反射防止構造体は、ナノメーターサイズの穴(Hn)が設けられた基材(B)の表面(S)に金属酸化物からなる薄膜が堆積され、かつ穴(Hn)の空間部(Cn)に同じ金属酸化物からなる繊維状柱状膜が堆積された構造体で、基材(B)にこのような2種類の構造からなる金属酸化物が堆積されているのが特徴である。
スパッタリングにより、基板上への薄膜の堆積は、低温で行われることが多く、非平衡プロセスである。スパッタリングにより堆積される薄膜の構造と物性については、前記ソーントン・モデルが知られている。
基材(B)の表面(S)に堆積される金属酸化物膜の薄膜の厚さ(p)は、反射防止機能等を考慮すると、20〜60nmが好ましく、20〜40nmがより好ましい。
上記反射防止構造体の表面(S)に堆積されている金属酸化物からなる薄膜は、その厚さ(p)が数十nm程度の場合には、例えば、本明細書の実施例1で作製した反射防止構造体の走査型電子顕微鏡(SEM)の観察(図3(b))、及び従来技術等を考慮すると、配向性は比較的低く、密度が比較的高い薄膜状であると判断される。スパッタリングの際に、基板(B)の表面(S)に入射してくるスパッタ粒子は、その表面で一部は反射し、一部は付着して付着したスパッタ粒子は成長していき、薄膜を形成していくと想定される。
基材(B)の穴(Hn)の空間部(Cn)に堆積される金属酸化物膜の構造は、例えば、本明細書の実施例1で作製した反射防止構造体の走査型電子顕微鏡(SEM)による観察(図3(b))、前記ソーントン・モデル等から配向性を有していて、繊維状で全体形状が柱状膜であると判断される。また、穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)における、繊維状柱状膜は、薄膜状に配置された基材(B)の最表面(Sm)を基準として、120nmから穴(Hn)の底部の範囲に配置されていることが好ましく、120〜180nmの深さの範囲に配置されていることがより好ましい。
スパッタリングの際に、基板(B)の穴(Hn)の空間部(Cn)に入射してくるスパッタ粒子は基材(B)の表面(S)に入射したスパッタ粒子と比較して、他のスパッタ粒子、穴(Hn)の壁に衝突する等の機会が増加して、スパッタ粒子のエネルギーはより減少するので、スパッタ粒子が穴(Hn)の空間部(Cn)から飛び出る確率は減少する。
fn=0.195dn+95.5・・・・・・・・(iii)
尚、空間部(Cn)内に形成される各柱状膜の厚さ(tn)は、以下の式(iv)が求められる。
tn=(dn+p)−fn・・・・・・(iv)
上記式(iii)における傾値(0.195)が小さい値であるので、前記基材(B)の表面(S)に配置された薄膜の厚さ(p)を20〜40nmの範囲にまで普遍化して、基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の空間部(Cn)内の柱状膜の最表面までの各深さ(fn)の好ましい範囲を求めることができて、この場合においても本発明の効果が期待できる。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.10・・・(i)
尚、式(i)中、(p-25)は、基材(B)の表面に配置される薄膜の厚さ(p)が上記範囲であることを考慮したものであり、係数0.90と、1.10は図4におけるバラツキの範囲を考慮して、深さ(fn)の好ましい上限、下限を示すための数値であり、数字の単位は、ナノメーター(nm)である。本発明において、すべての穴(Hn)の深さ(fn)のうちの90%以上が上記式(i)の範囲に含まれていれば本発明の効果が発揮される。
すなわち、基材(B)の表面(S)に配置された薄膜の厚さ(p)が20〜40nm、好ましくは20〜30nmのときで、かつ基材(B)の各穴(Hn)の深さ(dn)が80〜250nmであるとき、基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の空間部(Cn)に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn(nm))は、表面(S)を基準とした成膜前の各穴(Hn)の深さ(dn(nm))から求められる、下記式(ii)で示される範囲であることがより好ましい。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05・・・(ii)
尚、式(ii)中、(p-25)は、基材(B)の表面に配置される薄膜の厚さ(p)が上記範囲であることを考慮したものであり、係数0.95と、1.05は図4におけるバラツキの範囲を考慮して、深さ(fn)のより好ましい上限、下限を示すための数値であり、数字の単位は、ナノメーター(nm)である。本発明において、すべての穴(Hn)の深さ(fn)のうちの90%以上が上記式(ii)の範囲に含まれていれば本発明の効果が発揮される。
(1)試験片の形状や深さの測定
走査型プローブ顕微鏡(SPM, Scanning Probe Microscope)((株)日立ハイテクノロジーズ製、型式:AFM5400)を用いた。
(2)成膜装置
マグネトロンスパッタ装置(芝浦エレクトロニクス(株)製、型式:CFS-4ES)を用いた。
電源は、高周波数交流電源(周波数:13.56MHz)、100Wである。
(3)スパッタリングで形成した薄膜、柱状膜の組織の観察
走査型電子顕微鏡(SEM, Scanning Electron Microscope)、とエネルギー分散型X線分光法(EDX, Energy Dispersive X-ray Spectroscop)を用いた。
(4)光学特性の評価
紫外可視分光光度計((株)島津製作所製、型式:SolidSpec-3700)を用いた。
参考例1において、射出成形により基材にU字形状の穴が設けられた試験片(A)を作製した。
(1)試験片(A)の作製に使用した熱可塑性樹脂
試験片(A)作製に、ポリカーボネート樹脂(三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製、商品名:ユーピロンS−3000R)を用いた。
(2)評価用の試験片(A−1〜3)の作製
射出成形装置に使用する金型として、平均直径200nm、高さ350nm(尚、射出成形の際に、成形温度等の条件の調製により、成形品の深さが90〜230nmになるように調整した。)、隣接するU字形状の水平断面の中心点間の平均間隔250nmの逆U字の凸形状を複数有する駒金型を用いた。
上記試験片(A−1〜3)の穴の形状は、開口部の平均径(正規分布の平均直径)が200nm、隣接する開口部との間のそれぞれの中心点の平均間隔(k)が250nm、平均開口率(面積当りの開口部の割合)が60%であった。また、図4に示す通り、試験片(A−2)の最大深さ230nm、最小深さ80nm、開口部の平均径は上記の通り200nmであった。
尚、平均穴径において、開口部が真円でない場合はその穴の長径と短径の平均値を各穴の直径とした値であり、穴の平均間隔(k)において、各穴の中心点間の距離を測定した上記平均値であり、穴が円形状でない場合には、各穴の長径と短径を示す線の交差する点を中心点とした。
(1)評価用の試験片(B−1〜3)の作製
上記マグネトロンスパッタ装置を用いて、下記条件下で上記試験片(A−1)、(A−2)、(A−3)の表面と、穴の空間部に酸化ケイ素の薄膜、柱状膜が形成された試験片(B−1)、(B−2)、(B−3)をそれぞれ作製した。
(a)ターゲット材料:酸化ケイ素
(b)成膜ガス:ArガスとO2ガスの混合ガス(Ar/O2モル比:75/25)
(c)試験片(A−1〜3)とターゲットの面間隔:80mm
(d)ガス圧力:4Pa
(e)スパッタリング時間:30分(表面に膜厚25nmの薄膜が形成される時間とした。)
(f)試験片の温度:常温
上記スパッタリング条件と結果をまとめて表1に示す。試験片(B−2)について最大深さ130nm、最小深さ110nm、開口部の平均径200nmであった。
また、上記スパッタリングで得られた、試験片(B−2)について、表面上側から上記走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した写真を図3(b)に示す。上記スパッタリングで得られた、試験片(B−1)〜(B−3)については、前記走査型電子顕微鏡で観察した結果等から、いずれも図3(b)に示す試験片(B−2)のように表面に堆積された酸化ケイ素膜は、配向性は殆どなく、比較的密度の高い薄膜であり、穴の空間部に堆積された酸化ケイ素膜は繊維状の柱状膜と判断された。
(1)評価用の試験片(B−4〜6)の作製
上記マグネトロンスパッタ装置を用いて、上記試験片(A−1)、(A−2)、(A−3)を用い、スパッタリングのガスの混合割合はそのままにして、ガス圧力を6Paに変更した以外は実施例1と同様の条件で、試験片(A−1)、(A−2)、(A−3)の表面と、穴の空間部にそれぞれ酸化ケイ素の薄膜、柱状膜が形成された試験片(B―4)、(B−5)、(B−6)を作製した。
(2)評価結果
上記スパッタリング条件と結果をまとめて表1に示す。試験片(B―4)、(B−5)、(B−6)について、最大深さ、最小深さ、及び開口部の平均径は上記試験片(B―2)とほぼ同じであった。上記スパッタリングで得られた、試験片((B―4)、(B−5)、(B−6)については、上記走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した結果等から、いずれも上記試験片(B−2)と同様に、表面に堆積された酸化ケイ素膜は、配向性は殆どなく、比較的密度の高い薄膜であり、穴の空間部に堆積された酸化ケイ素膜は繊維状の柱状膜と判断された。
(1)評価用の試験片(C−1)〜(C−6)の作製
上記マグネトロンスパッタ装置を用いて、スパッタリングガスの混合割合はそのままにして、ガス圧力を比較例1、2において、それぞれ0.7Pa、2Paに変更した以外は表2に示す通り、実施例1と同様の条件で、試験片(A−1)〜(A−3)の表面と、穴の内部にそれぞれ酸化ケイ素の膜が堆積された、比較例1で試験片(C―1)〜(C−3)、比較例2で試験片(C―4)〜(C−6)をそれぞれ作製した。
上記スパッタリング条件と結果をまとめて表2に示す。また、上記スパッタリングで得られた、試験片(C−5)について、表面上側から上記走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した写真を図3(c)に示す。
上記スパッタリングで得られた、試験片(C−1)〜(C−6)については、上記走査型電子顕微鏡で観察した結果等から、いずれも試験片(C−5)と同様に、その表面に形成された酸化ケイ素膜は、配向性は少なく、比較的密度の高い薄膜であり、穴の空間部に形成された酸化ケイ素膜も同様に配向性は少なく、比較的密度の高い薄膜と判断された。
実施例3において、上記実施例2で作製した試験片(B−2)、及び上記比較例2で作製した試験片(C−5)について、試験片(A−2)を基準とした、深さ94nm〜222nmの範囲において、最表面(Sm)からの各穴の深さを上記走査型プローブ顕微鏡(SPM)を用いて測定した。参考例1で作製した試験片(A−2)について、深さを測定する穴の位置を穴の開口部の形状等から、予め特定しておいて、スパッタリング後の最表面(Sm)からの各穴の深さを測定した。結果を図4に示す。
尚、以下の記載、及び図4において、試験片(A−2)は試験片(A)、試験片(B−2)は試験片(B)、試験片(C−5)は試験片(C)と記載する。図5においても同様である。
ラインB−Cは、横軸が成膜前の試験片(A)に設けられた任意箇所の各穴の深さ(nm)で、縦軸は試験片(B)における最表面(Sm)から成膜前の穴の底面までの深さである。ラインA−Dは、横軸が成膜前の試験片(A)に設けられた任意箇所の各穴の深さ(nm)で、縦軸は試験片(C)における最表面から穴の空間部に堆積された薄膜表面までの深さである。ラインB−Eは、横軸が成膜前の試験片(A)に設けられた任意箇所の各穴の深さ(nm)で、縦軸は試験片(B)における最表面から柱状膜表面までの穴の深さである。
一方、試験片(A)を用いて公知のスパッタリング条件下で成膜した試験片(C)では、成膜前の穴の深さに関係なく、穴の表面と空間部に一定の厚さの薄膜が堆積されていた。
・基材(B)の最表面(Sm)を基準とした、成膜前の穴(Hn)の仮想の深さ(dn’)は、図4におけるラインB−Cであるから、dn’=dn+膜の厚さ(p)で示される。
・基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の空間部(Cn)内の柱状膜の表面までの深さ(fn)は、図4中のラインのB−Eであるから、図4からその傾きと、dn=0での縦軸との接点から、下記式(iii)が求められる。
fn=0.195dn+95.5・・・・・・・・(iii)
・柱状膜の厚さ(tn)は、ラインB−CからラインB−Eを差し引いた値になるから、下記式(vi)が求められる。
tn=(dn+p)−fn・・・・・・・(iv)
参考例としての試験片(A)、実施例1の試験片(B)、及び比較例2の試験片(C)について、それぞれの成膜前の穴の深さ(dn)に対応する成膜後の穴の深さ(fn)について、光の入射角度が5度のときの反射率を測定した。結果を図5、6、7、に示す。
比較例2の試験片(C)を参考例1の試験片(A)と対比すると、反射率は多少低下していることが確認されたが、実施例1の試験片(B)を参考例1の試験片(A)と対比すると、380nm〜780nmの可視光域において反射率は顕著に低下していることが確認された。
参考例としての試験片(A)、実施例1の試験片(B)、及び比較例2の試験片(C)を用いて光入射角度を5度から70度まで変化させたときの波長と反射率の関係を測定した。結果を図8、9、10、に示す。
比較例2の試験片(C)を参考例1の試験片(A)と対比すると、光入射角度に対する反射率は多少低下していることが確認されたが、実施例1の試験片(B)を参考例1の試験片(A)と対比すると、380nm〜780nmの可視光域において光入射角度5〜60度の範囲で反射率は顕著に低下していることが確認された。
上記実施例2で作製した試験片(B−1〜3)、及び比較例2で作製した試験片(C−4〜6)ついて、液滴法により静的接触角(θ)を測定した。
静的接触角の測定には、協和界面科学(株)製、接触角計DM-501を使用した。
液滴法は、純水1μmの液滴を固体表面に接触させて着滴したとき、試料面とのなす角度(静的接触角θ)を測定した。測定結果を表3に示す。表3から、実施例2で得られた試験片(B―4)、(B−5)、(B−6)はいずれも優れた親水性を有していることが確認できた。
12 穴の空間部
13 公知の方法で堆積された薄膜
14 真空成膜法で堆積された金属酸化物からなる薄膜
15 真空成膜法で堆積された金属酸化物からなる柱状膜
16 射出成形用上金型
17 射出成形用下金型
Claims (17)
- 平坦な表面(S)に対する垂直断面形状がU字形状ないしV字形状の穴(Hn)が複数形成されていて、該穴(Hn)の形状は、開口部の平均直径(m)が50〜300nm、隣接する開口部との間のそれぞれの中心点の平均間隔(k)が100〜400nm、及び表面(S)を基準とした各穴(Hn)の深さ(dn)が80〜250nmの範囲である、透明な基材(B)に、
金属酸化物膜がその表面(S)と、穴(Hn)の底部から上部方向の各空間部(Cn)に配置された、反射防止構造体であって、
各空間部(Cn)に配置された金属酸化物膜の厚さ(tn)が、各穴(Hn)の深さ(dn)が深くなるほど増加していることにより、
前記表面(S)に配置された金属酸化物膜の最表面(Sm)から各空間部(Cn)内に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少していることを特徴とする反射防止構造体。 - 前記基材(B)の表面(S)に配置された金属酸化物膜は薄膜であり、
前記穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)に配置された金属酸化物膜は繊維状柱状膜である、請求項1に記載の反射防止構造体。 - 前記基材(B)の平坦な表面(S)の「算術平均粗さ(Ra)」が50nm以下であり、該表面(S)における開口部の面積割合(開口率)(r)が50〜80面積%である、請求項1又は2に記載の反射防止構造体。
- 前記基材(B)の表面(S)に配置された金属酸化物膜の厚さ(p)が20〜60nmである、請求項1から3のいずれか1項に記載の反射防止構造体。
- 前記基材(B)の表面部(S)に配置された金属酸化物膜の厚さ(p)が20〜40nmであり、
前記基材(B)の最表面(Sm)から、穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn)が下記式(i)で示される範囲である、請求項1から4のいずれか1項に記載の反射防止構造体。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90〜[(0.195dn+95.5) +(p-25)]×1.10・・・(i) - 前記基材(B)の表面(S)に配置された金属酸化物膜の厚さ(p)が20〜40nmであり、
前記基材(B)の最表面(Sm)から、穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn)が下記式(ii)で示される範囲である、請求項1から4のいずれか1項に記載の反射防止構造体。
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05・・・(ii) - 前記金属酸化物膜を形成している金属酸化物が酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、及び酸化ジルコニウムのいずれかである、請求項1から6のいずれか1項に記載の反射防止構造体。
- 前記表面(S)に配置されている金属酸化物膜、及び各穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)に配置されている金属酸化物膜がプラズマ源を有する真空成膜装置により形成された膜である、請求項1から7のいずれか1項に記載の反射防止構造体。
- 平坦な表面(S)に対する垂直方向の断面形状がU字形状ないしV字形状の穴(Hn)が複数設けられていて、各穴(Hn)の開口部の平均直径(m)が50〜300nm、隣接する開口部との間のそれぞれの中心点の平均間隔(k)が100〜400nm、かつ深さ(dn)が表面(S)を基準として80〜250nmの範囲である、透明な基材(B)に金属酸化物膜を堆積する反射防止構造体の製造方法であって、
プラズマ源を有する真空成膜装置を用いて下記条件(a)〜(c)で真空成膜を行い、
(a)ターゲットが金属酸化物(M)、又は該金属酸化物を構成する金属(K)
(b)真空チャンバー内に供給するガスが希ガス、又は希ガスと酸素ガス
(c)真空チャンバー内のガス圧力が4〜6パスカル
表面(S)と各穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)にそれぞれ金属酸化物(M)からなる薄膜と柱状膜を堆積することを特徴とする、反射防止構造体の製造方法。 - 前記基材(B)の各空間部(Cn)に堆積される柱状膜の厚さ(tn)が、各穴(Hn)の深さ(dn)が深くなるほど増加して、
基材(B)の表面(S)に配置される薄膜の最表面(Sm)から各空間部(Cn)内に配置される柱状膜の表面までの各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少する、請求項9に記載の反射防止構造体の製造方法。 - 前記プラズマ源を有する真空成膜装置がスパッタリング装置である、請求項9又は10に記載の反射防止構造体の製造方法。
- 前記金属酸化物膜を形成する金属酸化物(M)が酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、及び酸化ジルコニウムのいずれかである、請求項9から11のいずれか1項に記載の反射防止構造体の製造方法。
- 前記ターゲットが酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、もしくは酸化ジルコニウムからなる金属酸化物(M)、又はケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、もしくはジルコニウム(Zr)からなる金属(K)である、請求項9から12のいずれか1項に記載の反射防止構造体の製造方法。
- 前記真空チャンバー内に供給されるガスがアルゴンガス、又はアルゴンガスと酸素ガスである、請求項9から13のいずれか1項に記載の反射防止構造体の製造方法。
- 前記基材(B)の表面(S)に堆積される金属酸化物(M)からなる薄膜の厚さ(p)が20〜60nmである、請求項9から14のいずれか1項に記載の反射防止構造体の製造方法。
- 前記プラズマ源を有する真空成膜装置を用いて、基材(B)の表面(S)に厚さ(p)が20〜40nmの金属酸化物(M)からなる薄膜を堆積すると、
基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物(M)からなる柱状膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn(nm))が下記式(i)で示される範囲となり、
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.10・・・(i)
各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少する、請求項9から15のいずれか1項に記載の反射防止構造体の製造方法。 - 前記プラズマ源を有する真空成膜装置を用いて、基材(B)の表面(S)に厚さ(p)が20〜40nmの金属酸化物(M)からなる薄膜を堆積すると、
基材(B)の最表面(Sm)から穴(Hn)の底部から上部方向の空間部(Cn)内に配置された金属酸化物(M)からなる柱状膜の表面までの各穴(Hn)の深さ(fn(nm))が下記式(ii)で示される範囲となり、
fn=[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95〜[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05・・・(ii)
各穴(Hn)間の深さ(fn)の差が減少する、請求項9から15のいずれか1項に記載の反射防止構造体の製造方法。
 
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019227726A JP2021096373A (ja) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 反射防止構造体、及びその製造方法 |
EP20902491.8A EP4080253A4 (en) | 2019-12-17 | 2020-12-16 | SANDWICH STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF |
CN202080077166.7A CN114641709B (zh) | 2019-12-17 | 2020-12-16 | 防反射结构体及其制造方法 |
PCT/JP2020/046890 WO2021125207A1 (ja) | 2019-12-17 | 2020-12-16 | 反射防止構造体、及びその製造方法 |
US17/806,811 US20220317337A1 (en) | 2019-12-17 | 2022-06-14 | Antireflection structure and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019227726A JP2021096373A (ja) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 反射防止構造体、及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021096373A true JP2021096373A (ja) | 2021-06-24 |
Family
ID=76431202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019227726A Pending JP2021096373A (ja) | 2019-12-17 | 2019-12-17 | 反射防止構造体、及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220317337A1 (ja) |
EP (1) | EP4080253A4 (ja) |
JP (1) | JP2021096373A (ja) |
CN (1) | CN114641709B (ja) |
WO (1) | WO2021125207A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202300959A (zh) * | 2021-03-11 | 2023-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 藉由物理氣相沉積所沉積的氧化鈦光學裝置薄膜 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273203A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 無反射処理基板およびその製造方法 |
JPH08281692A (ja) | 1995-04-14 | 1996-10-29 | Sony Corp | 成形品の製造方法及びその成形装置 |
JP3626012B2 (ja) | 1998-05-06 | 2005-03-02 | 東洋機械金属株式会社 | 金型圧縮射出成形方法 |
JP2001272505A (ja) | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Japan Science & Technology Corp | 表面処理方法 |
JP2006243633A (ja) | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射防止構造体を有する部材の製造方法 |
JP2007322763A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Nissan Motor Co Ltd | 反射防止構造、反射防止構造体及びその製造方法 |
WO2008071906A1 (en) | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Bae Systems Plc | Improvements relating to thin film getter devices |
DE102007009512A1 (de) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Optisches Element mit einer Antibeschlagsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN102575372B (zh) * | 2009-10-09 | 2014-05-28 | 夏普株式会社 | 模具和模具的制造方法以及防反射膜 |
US8747683B2 (en) * | 2009-11-27 | 2014-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Die for moth-eye, and method for producing die for moth-eye and moth-eye structure |
JP5782719B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-09-24 | デクセリアルズ株式会社 | 透明導電性素子、入力装置、および表示装置 |
JP5935281B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-06-15 | 大日本印刷株式会社 | 型、型の製造方法、および、型を用いた反射防止フィルムの製造方法 |
CN104380150B (zh) * | 2012-07-04 | 2016-08-24 | 日本曹达株式会社 | 功能性防反射层叠体 |
JP5699359B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2015-04-08 | 大日本印刷株式会社 | 透過率異方性フィルム、透過率異方性フィルムの製造方法及び表示装置 |
JP2015001578A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 日東電工株式会社 | 低放射率部材 |
US10259149B2 (en) * | 2013-09-18 | 2019-04-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Structure, production method thereof, and article provided with said structure |
DE102014105939B4 (de) * | 2014-04-28 | 2019-08-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer Entspiegelungsschicht auf einer Silikonoberfläche und optisches Element |
DE102015101135B4 (de) * | 2015-01-27 | 2018-12-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems und reflexionsminderndes Schichtsystem |
SG11201707249QA (en) * | 2015-03-06 | 2017-10-30 | Agency Science Tech & Res | Anti-reflective and anti-fogging materials |
-
2019
- 2019-12-17 JP JP2019227726A patent/JP2021096373A/ja active Pending
-
2020
- 2020-12-16 EP EP20902491.8A patent/EP4080253A4/en active Pending
- 2020-12-16 CN CN202080077166.7A patent/CN114641709B/zh active Active
- 2020-12-16 WO PCT/JP2020/046890 patent/WO2021125207A1/ja unknown
-
2022
- 2022-06-14 US US17/806,811 patent/US20220317337A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220317337A1 (en) | 2022-10-06 |
EP4080253A1 (en) | 2022-10-26 |
WO2021125207A1 (ja) | 2021-06-24 |
CN114641709B (zh) | 2024-05-24 |
CN114641709A (zh) | 2022-06-17 |
EP4080253A4 (en) | 2024-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1485515B1 (en) | Evaluation of chamber components having textured coatings | |
JP5797334B2 (ja) | 型基材、型基材の製造方法、型の製造方法および型 | |
KR101337306B1 (ko) | 필드-강화 스퍼터링 타겟 및 그 생산 방법 | |
KR20100084655A (ko) | 광학박막 증착장치 및 광학박막의 제조방법 | |
JP2001200357A (ja) | 成膜装置と成膜方法 | |
JP5475109B2 (ja) | 光学素子、反射防止構造体及びその製造方法 | |
WO2021125207A1 (ja) | 反射防止構造体、及びその製造方法 | |
JP5890256B2 (ja) | アルミニウム合金膜 | |
US20210395878A1 (en) | Conductive sputter targets with silicon, zirconium and oxygen | |
EP1370708A1 (en) | Topologically tailored sputtering targets | |
KR20210003668A (ko) | 증착 장치 | |
JP2011150154A (ja) | 薄膜、及び、薄膜の形成方法 | |
US20040104110A1 (en) | Topologically tailored sputtering targets | |
US9659758B2 (en) | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production | |
JP2004219532A (ja) | 凹凸構造体およびその製造方法 | |
US20210050192A1 (en) | Magnetron sputtering device | |
KR101245324B1 (ko) | 알루미늄 코팅 강판 및 그 제조 방법 | |
KR100690447B1 (ko) | 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치 | |
KR200399626Y1 (ko) | 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치 | |
KR20150059432A (ko) | 성능이 우수한 반사방지막의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 반사방지막 | |
JP2023047351A (ja) | 光学製品及び光学製品の製造方法 | |
KR20160050520A (ko) | ICP 결합된 DC 마그네트론 스퍼터링에 의한 TiAlN 코팅의 제조방법 | |
Álvarez Molina et al. | Fabrication of black-gold coatings by glancing angle deposition with sputtering | |
CN116601326A (zh) | 溅射靶构件及其制造方法、溅射膜的制造方法、以及磁控溅射装置 | |
CN116125562A (zh) | 减反射膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20200619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200619 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221006 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20230427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240510 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240521 |