KR200399626Y1 - 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치 - Google Patents

이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치 Download PDF

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Abstract

본 고안은 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치에 관한 것으로, 하우징, 애노드, 캐소드, 자계 형성 수단 및 가스 분사 수단을 포함하는 이온 발생 장치를 제공하되, 상기 가스 분사 수단은, 상기 플라즈마 형성 영역과 연결된 내부 공간과, 상기 내부 공간의 측면 방향으로 가스를 분사하기 위한 다수의 분사 노즐과, 상기 분사 노즐을 통해 상기 내부 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유로를 포함한다. 또한, 상기의 이온 발생 장치를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다. 이를 통해 플라즈마 발생 영역으로 가스를 직접 분사시키지 않고, 내부 공간에 나선으로 분사된 가스가 플라즈마 발생 영역으로 공급되도록 하여 적은 량의 가스를 사용하면서도 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 고밀도의 플라즈마를 통해 피증착물질의 표면에 증착되는 박막의 증착율을 향상시킬 수 있다.

Description

이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치{ION GENERATING APPARATUS AND THIN FILM DEPOSITING SYSTEM USING THE SAME}
본 고안은 이온 발생 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 적은 량의 가스를 사용하면서도 높은 플라즈마 밀도를 가지는 이온 발생 장치에 관한 것이다.
최근 카메라 렌즈의 무반사 코팅, 레이저 공명기용 거울 등의 고반사율 코팅, 밴드 패스 필터 또는 간섭 필터용 등 광학계의 각종 분야별로 최적의 광학적 특성을 갖는 고기능성 광학 제품에 대한 요구가 증대되고 있다.
이러한 고기능성 광학 제품은 Cr, Al, Cu, Ag 등과 같은 단일금속, Al2O3, SiO2, TiO2, ZnO2 등과 같은 산화물 또는 TiN, Si3N4, MgF2 등과 같은 화합물들을 수십에서 수천 nm 단위로 유리나 고분자 기판 위에 단일층 또는 다중층으로 코팅하여 제조된다.
금속 코팅은 주로 전자빔 증착 장비 또는 스퍼터링(sputtering) 장비를 이용하며, 장비의 구성 및 코팅 조건에 따라서 박막의 특성은 확연히 달라지게 되어 최적의 장비 구성과 공정 조건을 결정하지 못하면 박막의 밀착력이 약하거나 외부 환경에 따라서 광학적 특성이 변화될 뿐만 아니라 굴절율, 전도도, 투과율, 반사율 등과 같은 광학적/전기적 특성이 그 물질 고유의 특성을 가지지 못하고 열화되는 현상이 나타나게 된다.
기존의 전자빔 증착 장비에서는 피증착 원료 물질에 고에너지를 인가하여 증발된 원료 물질이 금속재, 유리 또는 고분자 등의 기판에 증착될 때 증착이 용이하게 이루어질 수 있도록 원료 물질의 활성화를 돕고 기판을 결합 가능 온도까지 상승시키기 위해, 전자빔 외에 고에너지의 이온 발생 장치를 설치한다. 이온 발생 장치로는 일반적으로 엔드홀 타입의 이온 발생 장치를 사용한다.
종래의 엔드홀 타입의 이온 발생 장치는 도1에 도시된 바와 같이 이온 발생 장치의 내부에 플라즈마가 형성되는 영역을 감싸는 구조로 배치된 애노드(24)와 애노드 상부에 일정 간격 이격되어 설치된 캐소드(22)와 플라즈마 영역에 가스를 주입하기 위해 애노드(24) 하부에서 애노드(24) 내로 가스를 공급하는 가스 공급로(52)가 설치되고 가스 공급로(52)와 애노드 사이에는 가스 분배판(도시되지 않음)이 위치하며, 이를 각 부분을 하우징(34)이 감싸고 있다. 이러한 이온 발생 장치에서 이온빔을 발생시키기 위해서 캐소드에 전원을 가하여 활성화된 전자를 방출 시키고 애노드에 양전압을 가하여 방출된 활성화 전자들을 애노드 쪽으로 자력선을 따라 이동시킨다. 이때 가스 공급로를 통해 공급된 이온 발생용 가스가 활성화된 전자에 의해 여기되어 이온화되며 전자와는 반대로 캐소드 쪽으로 이동하여 이온빔이 발생된다.
이러한 엔드홀 타입의 이온 발생 장치는 캐소드의 손상 및 부식은 방지할 수 있으나, 이온 발생용 가스가 누설되기 쉽고, 애노드 영역에서 플라즈마 밀도가 낮은 문제점이 있다.
또한, 종래의 엔드홀 타입의 이온 발생 장치는 플라즈마 밀도를 높이기 위해서 다량의 이온 발생용 가스를 사용해야 되는 단점이 있고, 다량의 이온 발생용 가스를 사용하는 경우 가스 분배판이 쉽게 손상되는 문제점이 있다.
따라서, 본 고안은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 적은 량의 가스를 사용하면서도 플라즈마 밀도를 높이는 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치를 제공함을 그 목적으로 한다.
또한, 본 고안은 이온 전류를 높인 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치를 제공함을 그 목적으로 한다.
본 고안에 따른 플라즈마 형성 영역을 갖는 하우징과, 상기 플라즈마 형성 영역의 일부를 감싸는 애노드와, 상기 애노드와 일정간격 이격되어 배치된 캐소드와, 상기 플라즈마 형성 영역 내에 자계를 형성하는 자계 형성 수단 및 상기 애노드 하부에 위치하여 상기 플라즈마 형성 영역에 가스를 주입하는 가스 분사 수단을 포함하고, 상기 가스 분사 수단은, 상기 플라즈마 형성 영역과 연결된 내부 공간과, 상기 내부 공간의 측면에서 가스를 분사하는 하나 이상의 분사 노즐과, 상기 분사 노즐을 통해 상기 내부 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유로를 포함하는 이온 발생 장치를 제공한다.
여기서, 상기 분사 노즐의 출구가 상기 내부 공간의 중심에서 소정 거리 만큼 이격된 위치를 향하는 것이 바람직하다.
상기 분사 노즐의 연장선과 해당 분사노즐의 출구를 지나는 중심 방향선이 교차하여 이루는 각은 1 내지 89도인 것이 바람직하다. 그리고, 적어도 일부의 분사 노즐의 연장선과 해당 분사 노즐의 출구를 지나는 중심 방향선이 이루는 각은 서로 동일한 것이 효과적이다.
상기 분사 노즐은 하향 경사진 것이 바람직하고, 상기 분사 노즐의 상기 하향 경사각은 1 내지 90도인 것이 효과적이다. 적어도 일부의 분사 노즐의 경사각은 서로 동일한 것이 바람직하다.
상기의 가스는 Ar 가스, O2 가스 또는 이들의 혼합가스를 사용하는 것이 효과적이다.
이때, 상기 자계 형성 수단은 전자석 또는 영구 자석을 사용하여 상기 애노드와 캐소드 사이에 자계를 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 가스 분사 수단에 상기 가스를 공급하는 가스 공급관을 더 포함하는 것이 효과적이다. 또한, 상기 캐소드와 애노드 사이의 전위차를 발생시키는 전원 수단을 더 포함하는 것이 효과적이다.
또한 본 고안에 따른 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되어 소정의 박막이 형성될 피증착물이 안착되는 안착부재와, 상기 피증착물에 박막 증착용 원료를 공급하는 원료 공급 수단 및 상기 피증착물에 플라즈마를 인가하는 청구항 1 또는 청구항 2에 따른 이온 발생 장치를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 고안은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 고안의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 고안의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상부에 또는 위에 있다고 표현되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 바로 상부 또는 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 2a는 본 고안의 실시예에 따른 이온 발생 장치의 사시도이고, 도 2b는 이온 발생장치의 평면도이고, 도 3은 도 2b의 이온 발생 장치를 A-A선에 대해 자른 종단면도이다. 도 4는 본 고안에 따른 가스 분사 수단을 설명하기 위해 도 3의 B-B선에 대해 자른 횡단면도이다. 도 5는 가스 분사 수단의 분사 노즐을 설명하기 위한 분사 노즐 영역의 단면도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 이온 발생 장치는 내부에 소정의 플라즈마 형성 영역을 갖고 플라즈마 발생을 위한 부품들이 내장된 하우징(110)과, 플라즈마 형성 영역의 일부를 감싸는 애노드(120)와, 애노드(120)와 일정간격 이격되어 배치된 캐소드(130)와, 애노드(120) 하부에 위치하여 플라즈마 형성 영역에 가스를 주입하는 가스 분사 수단(140)을 포함한다.
또한, 가스 분사 수단(140)에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급관(150)을 더 포함한다. 또한, 애노드(120) 하부에 위치하여 애노드(120)와 캐소드(130) 사이에 자계를 형성하는 자계 형성 수단(160)을 더 포함한다. 자계 형성 수단(160)으로 전자석 또는 영구자석을 사용할 수 있다. 또한, 캐소드(130)와 애노드(120)의 전위차를 발생시키는 전원 수단(미도시)을 더 포함하고, 캐소드(130)를 물리적으로 지지하는 부싱(132)과, 애노드(130)를 접속 지지하는 애노드 서포트(122)를 더 포함한다.
본 실시예에서는 하우징(110)은 원통 형상으로 형성하고, 그 내부에 플라즈마를 발생시키기 위한 장치들이 배치된다. 하우징(110)의 상부 영역에는 플라즈마가 형성되는 플라즈마 형성 영역이 위치한다. 이때, 플라즈마 형성 영역은 상단의 중심이 하단의 중심보다 큰 원기둥 형상으로 형성된다. 플라즈마 형성 영역은 상단 일부가 하단으로 내려갈수록 좁아지도록 소정의 경사를 갖는 내측벽에 의해 둘러 쌓여있다.
플라즈마 형성 영역의 적어도 일부를 애노드(120)가 감싸고 있다. 따라서 애노드(120)는 그 내부에 상단의 중심이 하단의 중심보다 큰 원기둥 형상의 관통공간을 갖는 원통 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.
애노드(120)의 하부에는 가스 분사 수단(140)이 위치하여 플라즈마 형성 영역에 소정의 가스를 공급한다. 이에 가스 분사 수단(140)은 그 내부에 애노드(120) 하단의 중심과 동일한 중심을 갖는 빈공간이 형성된 원통 형상으로 형성하는 것이 바람직하다. 물론 상기 빈공간은 애노드(120) 하단의 중심 즉, 플라즈마 형성 영역 하단의 중심보다 클 수도 있고 작을 수도 있다.
상기의 가스 분사 수단(140)을 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4에 도시된 바와 같이 가스 분사 수단(140)은 플라즈마 형성 영역에 연결된 내부 공간(142)과, 상기 내부 공간(142)의 중심 방향과 교차하는 방향으로 형성된 다수의 분사 노즐(144)과, 분사 노즐(144)을 통해 상기 내부 공간(142)에 가스를 공급하는 가스 공급 유로(146)를 포함한다.
상기 분사 노즐(144)은 서로 마주 보지않고 어긋나게 즉, 중심을 향하지 않게 중심에서 소정 거리만큼 이격된 위치를 향하게 형성하여 내부 공간(142) 내에 주입되는 가스의 와류가 발생할 수 있도록 하는 것이 효과적이다. 즉, 개개의 분사 노즐(144)을 통해 분사된 가스가 내부 공간(142) 내에서 나선형의 와류를 형성하도록 상기 분사 노즐(144)을 나선형으로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 가스 분사 수단(140)의 분사노즐(144)의 출구를 지나는 분사 노즐(144)의 중심 방향선(R)과 분사 노즐(144)의 연장선(N)이 교차하여 이루는 각(도 4의 a 참조)은 예각을 이루는 것이 바람직하다. 즉, 중심 방향선(R)과 연장선(N)은 1 내지 89도의 각을 이룬다. 이때, 중심 방향선(R)과 연장선(N)이 이루는 각(a)은 20 내지 70도인 것이 더욱 바람직하다. 물론 30 내지 60도인 것이 더욱 바람직하다. 다수의 분사 노즐(144)이 이루는 각(a)이 상술한 범위 내에서 모두 동일할 수도 있고, 각기 다를 수도 있다.
또한, 상기의 분사 노즐(144)은 도 5에 도시된 바와 같이, 내부 공간(142)과 가스 공급 유로(146) 사이에서 소정 기울기를 갖고 하향 경사진 것이 바람직하다. 이때, 경사각(b)은 1 내지 90도일 수 있다. 그리고, 경사각은 20 내지 70도인 것이 효과적이다. 물론 상기 경사각(b)이 90도보다 클 수도 있다. 다수의 분사 노즐(144)이 이루는 경사각(b)는 모두 동일할 수도 있고, 각기 다를 수도 있다.
본 고안의 도면에서는 분사 노즐(142)이 직선형태인 것을 도시하였지만, 이에 한정되지 않고, 굴곡되어 있을 수도 있다. 또한, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 가스 분사 수단(140)은 분사 노즐(144)과 가스 공급 유로(146)가 하나의 몸체 내에서 일체화되어 형성될 수도 있다. 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 가스 분사 수단(140)은 분사 노즐(144)과 가스 공급 유로(146)가 각기 서로 다른 몸체(141, 145)에 제작된 다음 이들을 결합하여 형성할 수도 있다.
상술한 분사 노즐(142)을 통해 분사되는 가스는 비 반응성 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 Ar 가스, O2 가스 또는 이들의 혼합가스를 사용하는 것이 효과적이다.
상술한 구조의 이온 발생 장치의 동작을 간략히 설명하면 다음과 같다. 상기의 애노드(120)와 캐소드(130) 사이에 소정의 전위차를 주고, 가스 분사 수단(140)을 통해 소정의 가스가 분사되면 캐소드(130)로부터 활성화된 전자는 자계 형성 수단(160)에 의해 형성된 자계를 따라 에노드(120)로 이동한다. 이때, 플라즈마 형성 영역 내의 활성화된 전자가 가스 분자와 충돌하게 되고, 이러한 충돌로 인해 이온이 생성되고, 전자와 이온은 플라즈마 발생영역에서 혼합되어 전도성 가스나 플라즈마를 형성한다. 이때, 중성원자나 분자의 밀도가 애노드(120)에서 캐소드(130) 방향으로 급격히 감소하기 때문에 대부분의 중성원자와의 이온화 충돌은 애노드(120)에 의해 둘러싸인 영역에서 발생한다.
여기서, 가스 분사 수단(140) 내의 분사 노즐(144)을 통해 플라즈마 형성 영역 하부로 분사되는 가스의 흐름을 제어하게 된다. 즉, 다수의 분사 노즐(144)이 나선형으로 배치되어 있어서 분사 노즐(144)을 통해 분사되는 가스가 와류현상을 일으키게 된다. 이때, 다수의 분사 노즐(144)의 분사 방향을 조절하여 가스의 회전 방향을 균일하게 조절함으로써, 플라즈마 형성 영역으로 공급되는 가스의 운동 에너지를 증가시킬 수 있게 된다. 이를 통해 플라즈마 형성 영역에서의 플라즈마 밀도를 향상시킬 수 있다. 즉, 이온 전류를 높일 수 있어 적은량의 가스로 높은 플라즈마 밀도를 얻을 수 있게 된다. 또한, 가스를 측면에서 분사하여 가스의 누설을 줄일 수 있다.
하기에서는 상술한 본 실시예의 이온 발생 장치를 이용한 박막 증착 장치에 관해 설명한다.
도 6은 본 고안에 따른 박막 증착 장치의 개념 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 고안에 따른 박막 증착 장치는 챔버(200)와, 챔버(200) 내에 배치되어 소정의 박막이 형성될 피증착물(201)이 안착되는 안착부재(210)와, 상기 피증착물(201)에 박막 증착용 원료를 공급하는 원료 공급 수단(220)과, 상기 피증착물(201)에 플라즈마를 인가하는 이온 발생장치(100)를 포함한다.
상기의 피증착물(201)로는 고기능성 광학 제품을 사용하되, 광학 렌즈, 거울, 프리즘, 밴드 패스 필터 또는 간섭 필터용 광학계 등을 사용할 수 있다.
안착 부재(210)에는 챔버(200)의 상부에 위치하고, 적어도 하나의 피증착물(201)이 안착될 수 있다. 여기서, 안착 부재(210)의 안착영역은 관통되어 있어 피증착물(201)의 박막 증착 영역이 관통영역을 통해 노출되도록 하여 하부의 증착 원료 또는 플라즈마에 직접 노출되도록 하는 것이 바람직하다. 그리고, 안착부재(210)는 소정의 구동장치(212)를 통해 회전운동을 하는 것이 바람직하다. 이러한 회전운동을 통해 안착 부재(210)에 안착된 다수의 피증착물(201)의 표면에 균일한 두께의 박막을 증착할 수 있다. 상기 구동장치(212)와 안착부재(210)는 구동축(214)을 통해 접속되어 있는 것이 바람직하다.
원료 공급 수단(220)은 박막 증착을 위한 원료가 저장된 용기와, 상기 용기를 가열하는 가열 수단을 포함한다. 즉, 가열 수단을 통해 용기를 가열하게 되면, 용기 내의 원료가 증발하면서 상부에 위치한 피증착물(201)의 표면에 증착하게 된다. 여기서, 용기 내에 저장되는 원료로는 Cr, Al, Cu, Ag, Al2O3, SiO2, TiO2, ZnO2,TiN, Si3N4, MgF2 및 이들의 화합물 중 적어도 어느 하나를 사용한다.
이때, 피증착물(201)의 표면 상태에 따라 증착 원료의 증착율이 달라진다. 따라서, 이온 발생 장치(100)로부터 생성된 플라즈마를 통해 피증착물(201)의 표면에 미세한 스크래치를 발생시키고, 증발되는 원료를 플라즈마를 통해 활성화시켜 박막의 증착율을 향상시킬 수 있다.
이러한 플라즈마의 밀도를 증가시키기 위해 이온 발생 장치(100)는 앞서 설명한 실시예와 같이 플라즈마 형성 영역을 갖는 하우징(110)과, 애노드(120)와, 캐소드(130)와, 가스 분사 수단(140)과, 자계 형성 수단(160)을 포함한다.
이때, 가스 분사 수단(140)은 내부 공간(142)과, 상기 내부 공간(142)의 중심 방향과 교차하는 방향으로 형성된 다수의 분사 노즐(144)과, 분사 노즐(144)을 통해 상기 내부 공간(142)에 가스를 공급하는 가스 공급 유로(146)를 포함한다. 이때, 분사 노즐(144)에 의해 분사되는 가스가 플라즈마 형성 영역에 직접 분사되지 않고, 내부 공간(142)을 통하여 플라즈마 형성 영역으로 분사되며, 분사 노즐(144)에 의해 분사되는 가스가 내부 공간에서 와류를 일으키게 되어 적은 량의 가스를 사용하여 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있게 된다. 이와 같이 이온 발생 장치(100)를 통해 발생된 플라즈마는 피증착물(201)에 조사되어 피증착물(201)의 박막 증착율을 향상시킬 수 있다. 상기에서 증착 원료의 종류에 따라 피증착물(201) 상에 증착되는 박막의 종류 또한 다양할 수 있고, 증착되는 박막은 단일 층일 수도 있고 다층일 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 고안은 플라즈마 발생 영역으로 가스를 직접 분사시키지 않고, 내부 공간에 나선으로 분사된 가스가 플라즈마 발생 영역으로 공급되도록 하여 적은 량의 가스를 사용하면서도 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
또한, 고밀도의 플라즈마를 통해 피증착물질의 표면에 증착되는 박막의 증착율을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 고안의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안을 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 이온 발생 장치의 개념도.
도 2a는 본 고안의 실시예에 따른 이온 발생 장치의 사시도이고, 도 2b는 이온 발생장치의 평면도.
도 3은 도 2b의 이온 발생 장치를 A-A선에 대해 자른 종단면도.
도 4는 본 고안에 따른 가스 분사 수단을 설명하기 위해 도 3의 B-B선에 대해 자른 횡단면도.
도 5는 가스 분사 수단의 분사 노즐을 설명하기 위한 분사 노즐 영역의 단면도.
도 6은 본 고안에 따른 박막 증착 장치의 개념 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 이온 발생 장치 110 : 하우징
120 : 애노드 130 : 캐소드
140 : 가스 분사 수단 144 : 분사 노즐
146 : 가스 유로 200 : 챔버
210 : 안착부재 220 : 원료 공급 수단

Claims (12)

  1. 플라즈마 형성 영역을 갖는 하우징;
    상기 플라즈마 형성 영역의 일부를 감싸는 애노드;
    상기 애노드와 일정간격 이격되어 배치된 캐소드;
    상기 플라즈마 형성 영역 내에 자계를 형성하는 자계 형성 수단; 및
    상기 애노드 하부에 위치하여 상기 플라즈마 형성 영역에 가스를 주입하는 가스 분사 수단을 포함하고,
    상기 가스 분사 수단은,
    상기 플라즈마 형성 영역과 연결된 내부 공간과, 상기 내부 공간의 측면에서 가스를 분사하는 하나 이상의 분사 노즐과, 상기 분사 노즐을 통해 상기 내부 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유로를 포함하는 이온 발생 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 분사 노즐의 출구가 상기 내부 공간의 중심에서 소정 거리 만큼 이격된 위치를 향하는 이온 발생장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 분사 노즐의 연장선과 해당 분사노즐의 출구를 지나는 중심 방향선이 교차하여 이루는 각은 1 내지 89도인 이온 발생 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    적어도 일부의 분사 노즐의 연장선과 해당 분사 노즐의 출구를 지나는 중심 방향선이 이루는 각은 서로 동일한 이온 발생 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 분사 노즐은 하향 경사진 이온 발생 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 분사 노즐의 상기 하향 경사각은 1 내지 90도인 이온 발생 장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    적어도 일부의 분사 노즐의 경사각은 서로 동일한 이온 발생 장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 가스는 Ar 가스, O2 가스 또는 이들의 혼합가스를 사용하는 이온 발생 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 자계 형성 수단은 전자석 또는 영구 자석을 사용하여 상기 애노드와 캐소드 사이에 자계를 형성하는 이온 발생 장치.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 가스 분사 수단에 상기 가스를 공급하는 가스 공급관을 더 포함하는 이온 발생 장치.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 캐소드와 애노드 사이의 전위차를 발생시키는 전원 수단을 더 포함하는 이온 발생 장치.
  12. 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되어 소정의 박막이 형성될 피증착물이 안착되는 안착부재;
    상기 피증착물에 박막 증착용 원료를 공급하는 원료 공급 수단; 및
    상기 피증착물에 플라즈마를 인가하는 청구항 1 또는 청구항 2에 따른 이온 발생 장치를 포함하는 박막 증착 장치.
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