TWI695080B - 多層沉積處理裝置 - Google Patents

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威廉戴維斯 李
史費特那 Ｂ‧ 瑞都凡諾
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Abstract

一種處理裝置，可包括：提取組件，至少包括第一提取孔隙與第二提取孔隙，提取組件經設置以自電漿至少提取第一離子束與第二離子束；靶材組件，設置為鄰近提取組件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)與第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分與第二靶材部分經配置以分別截取第一離子束與第二離子束；以及基板平臺，配置為鄰近靶材組件且經設置以在第一點與第二點之間沿著掃描軸掃描基板，其中第一靶材部分與第二靶材部分分別自第一點分離第一距離與第二距離，且第一距離小於第二距離。

Description

多層沉積處理裝置
本實施例是有關於一種處理裝置及方法，且特別是有關於一種在離子植入製程中控制處理的構件及方法。
現今，有許多用以沉積膜層的技術，包括了化學氣相沉積、物理氣相沉積以及其他技術。為了處理複雜的結構(例如多層膜層)，在單獨的處理室中沉積一系列的膜層可能是有利的。某些材料(例如金屬)的沉積可使用各種濺鍍或其他物理氣相沉積技術來進行。對於多層沉積來說，此可能需要使用到多種不同靶材，且這些不同的靶材由不同的材料構成。在一些情況中，離子束濺鍍可用來轟擊多種不同的靶材，以沉積多層結構。此對於不同的材料提供了可將由特定不同材料的組合構成的多層結構沉積至大目標(extent target)的彈性方法。
關於已知的離子束濺鍍方法的問題包括提供均勻塗層(例如多層結構)的能力。均勻性可能因自用於離子束濺鍍的離子 源不均勻地提取離子束以及自用於沉積膜層的靶材不均勻地濺鍍材料而受影響。此外，用於多層沉積一些技術可能必需改變靶材以沉積不同材料。由於剝落(flaking)以及其他汙染物，在依序沉積多層結構的期間過度地處理靶材可能在最終結構中產生缺陷。
對於上述以及其他的考量，本發明的改善會是有利的。
本發明內容以簡化的形式介紹一些概念的選擇，在以下實施方式中做進一步的描述。本發明內容不意欲限定所保護的標的關鍵特徵或必要特徵，也不意欲用於決定所保護的標的的範圍。
在一實施例中，裝置可包括提取組件，提取組件至少包括第一提取孔隙與第二提取孔隙，提取組件經設置以自電漿至少提取第一離子束與第二離子束。所述裝置亦可包括靶材組件，靶材組件設置為鄰近提取組件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)與第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分與第二靶材部分經配置以分別截取第一離子束與第二離子束。所述裝置可包括基板平臺，基板平臺配置為鄰近靶材組件且經設置以在第一點與第二點之間沿著掃描軸掃描基板，其中第一靶材部分與第二靶材部分分別自第一點分離第一距離與第二距離，第一距離小於第二距離。
在另一實施例中，處理裝置可包括：電漿室，用以容置電漿；提取組件，至少包括第一提取孔隙與第二提取孔隙，提取組件 經設置以自電漿至少提取第一離子束與第二離子束。所述處理裝置亦可包括：靶材組件，配置為鄰近提取組件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)與第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分與第二靶材部分經配置以分別截取第一離子束與第二離子束；以及基板平臺，配置為鄰近靶材組件且經設置以在第一點與第二點之間掃描基板，其中第一靶材部分與第二靶材部分分別自第一點分離第一距離與第二距離，第一距離小於第二距離。
在另一實施例中，裝置可包括：電漿室，用以容置電漿；以及提取組件，包括第一提取孔隙與第二提取孔隙，提取組件經設置以分別透過第一提取孔隙與第二提取孔隙自電漿提取第一離子束與第二離子束。所述裝置亦可包括：靶材組件，配置為鄰近提取組件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)，靶材組件經配置以截取第一離子束；以及偏壓系統，包括：靶材偏壓供應器，相對於電漿室對靶材組件施加負偏壓；以及基板偏壓供應器，提供基板偏壓，以相對於電漿室對基板施加負偏壓。所述裝置可更包括基板平臺，基板平臺經設置以在鄰近第一提取孔隙的第一點與鄰近第二提取孔隙的第二點之間掃描基板。
100、200:處理裝置
102:電漿源
104、204:電漿室
106:電漿
110、210、301:提取組件
112、302:中央部分
114、316:外部部分
118、120、214、304、306:提取孔隙
122、124:彎月面
130、132、216、218、220、222、270、272、274、276、312、314:離子束
134:第一材料
136:第二材料
140、340:基板
142:掃描軸
144、250、330:第一層
146、252、332:第二層
148:基板平臺
150、310:靶材組件
152:第一靶材部分
154:第二靶材部分
160、260:偏壓系統
162、262:靶材偏壓供應器
164:基板偏壓供應器
166:第一電壓供應器
168:第二電壓供應器
170:邊界
172:電漿鞘
180:第一面
182:第二面
212:擋板
230、232、234、236、A、B、C、D、E、F:靶材部分
239:靶材組件
240、242、244、246、320、322、324、326:靶材材料
254、334:第三層
256、336:第四層
266:第三電壓供應器
268:第四電壓供應器
300:裝置
P1:第一點
P2:第二點
W、Ws:寬度
θ1:第一入射角
θ2:第二入射角
θ3:第三入射角
θ4:第四入射角
圖1A為符合本揭露的各種實施例的處理裝置的側視示意圖。
圖1B為根據一些實施例的圖1A的裝置的一部分的底面示意 圖。
圖1C為在第一架構中自靶材組件濺鍍材料的幾何形狀(geometry)細節。
圖1D在第二架構中自靶材組件濺鍍材料的幾何形狀細節。
圖2A為根據本揭露實施例在一個操作範例期間的另一處理裝置的側視示意圖。
圖2B為在另一個操作範例期間的圖2A的處理裝置的側視示意圖。
圖3A繪示為在第一範例期間的用於多層沉積的裝置的第一架構。
圖3B繪示為在第二範例期間的圖3A的裝置得的第二架構。
本實施例將參照所附圖式(顯示一些實施例)在下文描述地更完全。本揭露的標的可以許多不同的形式體現，且不被解釋為限制於本文中的實施例。提供這些實施例使得本揭露全面且完整，且將完全地將所述標的的範圍傳達給本領域技術人員。在圖式中，相似的元件符號代表相似的元件。
本文描述的實施例提供處理基板的新穎的處理裝置與方法。各種實施例提供用於方便在基板上沉積多膜層的裝置。除了在基板上沉積至少一個膜層之外，一些實施例還提供用於蝕刻基板的裝置。
圖1A為根據本揭露的各種實施例的處理裝置100的側視示意圖。處理裝置100包括電漿源102，其經設置以在電漿室104中產生電漿106。在各實施例中，電漿源102可為原位(in situ)源或遠距(remote)源、感應耦合電漿源、電容耦合電漿源、螺旋源、微波源、電弧源或任何其他種類的電漿源。實施例不限於本文。處理裝置100更包括偏壓系統160，其包括：靶材偏壓供應器162，相對於電漿室104對靶材組件施加偏壓；以及基板偏壓供應器164，相對於電漿室104對基板施加偏壓。偏壓系統160可用以利用不同方式提取離子束以處理基板140，如下所詳述。
處理裝置100更包括提取組件110，其配置為鄰近靶材組件150。在一些實施例中，提取組件110可包括第一提取孔隙與第二提取孔隙。這些孔隙在圖1A中繪示為提取孔隙118與提取孔隙120。提取孔隙118與提取孔隙120由提取組件110的中央部分112以及提取組件110的外部部分114所定義。在各實施例中，提取組件110可以是導電的且可以電性連接至電漿室104。特別是，提取組件可操作為接收與電漿室104相同的電壓。舉例來說，在一些操作模式中，提取組件110與電漿室104可藉由偏壓系統160而處於接地電位，但在其他操作模式中，提取組件110與電漿室104相對於接地可處於相同正電壓(電位)。
處理裝置100可更包括靶材組件150，其配置為鄰近如圖1A中所示的提取組件110。靶材組件150可包括多個靶材部分。在圖1A的實例中，靶材組件包括第一靶材部分152與第二靶材部 分154。
在一操作實例中，當在電漿室104中產生電漿106以及相對於電漿室104對靶材組件150施加負偏壓時，可經由提取孔隙118提取含有正離子的第一離子束，且可經由提取孔隙120提取第二離子束。這些離子束分別繪示為離子束130與離子束132。如圖1A進一步所示，電漿與電漿鞘172之間的邊界170可在提取孔隙118中形成彎月面(meniscus)122以及在提取孔隙120中形成彎月面124。彎月面122與彎月面124的確切形狀可由例如電漿功率、電漿室104中的氣體壓力等因素以及其他因素來控制。彎月面122的形狀與方向可使得離子束130中的離子具有如由描述離子束130的箭號所示的平均的軌跡。類似地，彎月面124的形狀與方向可使得離子束132中的離子具有如由描述離子束132的箭號所示的平均的軌跡。在一些特定實例中，在較高的電漿功率(例如1kW至5kW)下，離子束130與離子束132可傾向具有撞擊靶材組件150的軌跡。如圖1A所示，第一靶材部分152可截取離子束130且第二靶材部分154可截取離子束132。第一靶材部分152可包括第一材料，其中第一材料待沉積於基板140上。離子束130可包括用以轟擊蝕刻第一材料的離子，且將第一材料134導向基板140，如垂直箭號所示。第二靶材部分154可包括第二材料，其中第二材料亦待沉積於基板140上。離子束132可包括用以轟擊蝕刻第二材料的離子，且將第二材料136導向基板140，如垂直箭號所示。合適的離子束130與離子束132的離子包括惰性 氣體離子、諸如氧、氮等反應性離子或其他離子。
如進一步繪示於圖1A中，處理裝置100亦可包括基板平臺148，其配置為鄰近靶材組件150。基板平臺148可經設置以在第一點P1與第二點P2之間沿著掃描軸142掃描基板。在圖1A中，掃描軸142可平行於所繪示的笛卡爾座標系統(Cartesian coordinate system)的Y軸。有利的是，靶材組件150被安排為第一靶材部分152自第一點P1分離第一距離且第二靶材部分154自第二點P2分離大於第一距離的第二距離。在此方式中，當基板平臺148沿著掃描軸142自第一點P1至第二點P2掃描基板140時，基板140可在截取自第二靶材部分154濺射出的第二材料136之前截取自第一靶材部分152濺射出的第一材料134。在此方式中，第一材料134的第一層144沉積於基板140上，而第二材料136的第二層146沉積於第一層144上。
在各實施例中，靶材組件150可包括多邊形剖面，例如所繪示的三角形剖面。在各實施例中，靶材組件150可沿著X軸延長，如圖1B的實施例所示。靶材組件150可具有沿著X方向的寬度W，其等於或大於基板140的沿著X方向的寬度Ws。舉例來說，在一些實施例中，寬度W可大於300mm。在此方式中，當相對於提取組件自第一點P1至第二點P2沿著掃描軸142掃描基板140且同時第一材料134與第二材料136濺鍍時，圖1A中的第一層144與第二層146可覆蓋整個基板140。
在各實施例中，基板140可沿Z軸自靶材組件150分離 數公釐至數公分而設置。此接近的距離有助於在掃描期間更快速沉積材料於基板140上。
在各實施例中，第一靶材部分152可具有第一面180。在不同實施例中，第一面180可具有平坦形狀、凹面形狀或凸面形狀。第二靶材部分154同樣可具有第二面182，其中第二面在不同實施例中為平坦的、凹面的或凸面的。當離子束130撞擊第一面180時，離子束可相對於第一面定義出入射角。同樣地，離子束132可相對於第二面182定義出入射角。在一些實施例中，靶材組件150可沿著平行於X軸的旋轉軸而旋轉，如圖1C所示。因此，在如圖1C所示的第一架構中，離子束130可相對於第一面180定義出第一入射角θ1。當靶材組件150旋轉為第二架構時，如圖1D所示，離子束130可相對於第一面180定義出第二入射角θ2。同樣地，在如圖1C所示的第一架構中，離子束132可相對於第二面182定義出第三入射角θ3。當靶材組件150旋轉為第二架構時，如圖1D所示，離子束132可相對於第二面182定義出第四入射角θ4。再次參照圖1A，由於自靶材濺射的材料的角度分佈可取決於相對於靶材表面的離子的入射角，因此第一材料134的角度分佈以及第二材料136的角度分佈可藉由旋轉靶材組件150而改變。
有利的是，靶材組件150可在基板140的掃描期間或在基板140的第一掃描與基板140的第二掃描之間旋轉，以將材料自靶材組件150以不同的角度分佈導引至基板140。此在覆蓋三維結構的不同表面時可以是有利的，其中所述不同表面相對於X-Y 平面例如可形成不同傾斜角。
如圖1A進一步所示，靶材偏壓供應器162可包括多個偏壓供應器。在一實例中，靶材偏壓供應器162可包括：第一電壓供應器166，以提供第一靶材偏壓至第一靶材部分152；以及第二電壓供應器168，以提供第二靶材偏壓至第二靶材部分154。這些電壓供應器可彼此獨立地作動，其中可施加相同電壓或不同電壓至第一靶材部分152與第二靶材部分154。在一操作實例中，偏壓系統160可使電漿室104處於接地電位以及使靶材組件150處於負電壓，使得靶材組件150相對於電漿室104被施加負偏壓。舉例來說，在一實例中，第一靶材部分152可被偏置為-1000V。第二靶材部分154亦可被偏置為-1000V或可被偏置為其他負偏壓。自電漿106提取的個別帶電離子可因此以大約1000eV的能量撞擊第一靶材部分152而不論電漿106的實際電位(通常相較於電漿室104的電位為正，且差距為5V至50V)。
在各種附加的實施例中，可提供不同於圖1A所示的幾何形狀的靶材組件架構以沉積多層結構於基板上。圖2A為根據本揭露各種實施例的在第一操作模式期間的另一處理裝置200的側視示意圖。在此實施例中，處理裝置200可與處理裝置100共同使用電漿源102與基板平臺148。電漿室204可容置由電漿源102產生的電漿206。在此實施例中，提取組件210包括四個不同的提取孔隙，其繪示為提取孔隙214。在其他實施例中，處理裝置可具有更少或更多數量的提取孔隙。提取組件更包括多個擋板，其繪示為 擋板212且如繪示具有相對於X-Y平面以非0角度設置的表面。如圖2A所繪示，靶材部分可配置為鄰近特定擋板。在各實施例中，至少三個靶材部分可配置為鄰近各別的提取孔隙。在圖2A中，繪示四個不同的靶材部分，包括了靶材部分230、靶材部分232、靶材部分234以及靶材部分236。這些靶材部分可一起構成靶材組件239。特定的靶材部分亦可如所繪示相對於X-Y平面以非0角度傾斜。靶材部分(例如靶材部分230)可呈現暴露於自電漿206提取的離子的表面。舉例來說，離子束216可提取自電漿206且導向至靶材部分230；離子束218可提取自電漿206且導向至靶材部分232；離子束220可提取自電漿206且導向至靶材部分234；且離子束222可提取自電漿206且導向至靶材部分236。在一些實例中，靶材部分230可包括第一材料，靶材部分232可包括第二材料，靶材部分234可包括第三材料，且靶材部分236可包括第四材料。在其他實施例中，這些靶材部分中至少二者可由相同材料構成。
如所繪示，在不同的靶材部分之間可改變與第一點P1之間的距離。因此，舉例來說，當基板平臺148沿著掃描軸142自第一點P1至第二點P2掃描基板140時，基板140的特定部分可以接續的方式在不同靶材下通過。在此方式中，基板140在截取自靶材部分232濺射的靶材材料242之前可截取自靶材部分230濺射的靶材材料240。同樣地，基板140在截取自靶材部分234濺射的靶材材料244之前可截取自靶材部分232濺射的靶材材料242。 此外，基板140在截取自靶材部分236濺射的靶材材料246之前可截取自靶材部分234濺射的靶材材料244。在此方式中，靶材材料240的第一層250沉積於基板140上，而靶材材料242的第二層252沉積於第一層250上。靶材材料244的第三層254沉積於第二層252上，而靶材材料246的第四層256沉積於第三層254上。
如進一步繪示於圖2A中，偏壓系統260可包括靶材偏壓供應器262，其包括多個偏壓供應器。在一實例中，靶材偏壓供應器262可包括用於靶材組件的特定靶材部分的獨立電壓供應器。在圖2A的實例中，靶材偏壓供應器可包括：第一電壓供應器166，以提供第一靶材偏壓至靶材部分230；第二電壓供應器168，以提供第二靶材偏壓至靶材部分232；第三電壓供應器266，以供應第三靶材偏壓至靶材部分234；以及第四電壓供應器268，以供應第四靶材偏壓至靶材部分236。這些電壓供應器可彼此獨立地作動，其中可施加相同或不同電壓至不同靶材部分。
在一些實例中，基板(例如基板140)可在第一點P1與第二點P2之間被多次掃描。此外，基板140可在第一點P1與第二點P2之間來回掃描，或只在一個方向上掃描。在一些實施例中，在掃描基板140期間，靶材組件239的至少一個靶材部分可保持在與電漿室204相同的電位。在此方式中，在所述至少一個靶材部分處不會發生濺射。因此，在特定掃描期間可省略相對於電漿室未被施加負偏壓的靶材部分的特定材料層的沉積。如此一來，可藉 由處理裝置200產生來自靶材材料240、靶材材料242、靶材材料244以及靶材材料246的膜層的任何順序。
在額外的實施例中，在對基板140蝕刻以及於基板140上沉積的步驟中，偏壓系統260可改變施加至處理裝置200的不同構件的電壓。在一些實施例中，電漿室104可藉由偏壓系統260而處於接地電位，而靶材組件的至少一個靶材部分處於諸如-1000V等負電位。或者，所述至少一個靶材部分可處於諸如-2000V至-5000V等另一個合適的負電壓。實施例不限於本文所描述。在此方式中，當基板140的特定區域通過在相對於電漿室104被施加負偏壓的所述至少一個靶材部分下方時，自所述至少一個靶材部分濺射的材料可沉積於基板的特定區域上。此外，至少一個其他靶材部分可處於接地電位，使得所述至少一個其他靶材部分不被蝕刻，這是因為在此條件下具有足夠能量來引起濺射的離子並未自電漿206被吸引。另外，偏壓系統260可使基板140相對於電漿室204處於負電位。
為了說明，在圖2B所示的一個特定實例中，電漿室104、靶材部分230以及靶材部分234可藉由偏壓系統260而處於接地電位。靶材部分232以及靶材部分236可藉由偏壓系統260而處於-1000V。最後，偏壓系統260可使基板140(基板平臺148)處於-500V。在此方案中，靶材材料242可自靶材部分232濺射且導向基板140，且靶材材料246可自靶材部分236濺射且亦導向基板140。此外，在位於靶材部分230與靶材部分232之間的提取孔隙 214中，離子可自電漿206被提取且以離子束270形式導向基板140。此外，在位於靶材部分234與靶材部分236之間的提取孔隙214中，離子可自電漿206被提取且以離子束274形式導向基板140。尤其是，由於可能只有小電位差(例如10V)會存在於電漿206與靶材部分230以及靶材部分234之間，因此自電漿206提取的離子被向下導向至基板(處於-500V)，如離子束270與離子束274中的箭號軌跡所示。因此，靶材部分230與靶材部分234不被離子濺射。此外，由於施加至靶材部分232與靶材部分236的偏壓電壓(-1000V)較施加至基板140的偏壓電壓(-500V)負的多，因此離子束272被導向靶材部分232且可能不會撞擊基板140。同樣地，離子束276被導向靶材部分236且可能不會撞擊基板140。
在上述方式中，離子束可在提取組件210的不同孔隙中被導向，以撞擊特定靶材部分來沉積靶材材料，或直接撞擊基板以產生蝕刻。特別是，在圖2B的方案中，當沿著掃描軸142掃描基板140，可藉由控制掃描速度以及施加至不同靶材部分或施加至基板140的不同電壓的持續時間來產生不同的沉積圖案和蝕刻圖案。
此外，在產生如同在圖2B中相似結果的其他架構中，基板140可接地，且電漿室104可相對於接地而處於正電位。舉例來說，當基板140接地時，電漿室104、靶材部分230與靶材部分234可處於+500V，且靶材部分232與靶材部分236可處於-500V。
圖3A描述在第一範例期間用於多層沉積的裝置300的 第一架構。裝置300可包括提取組件301，其具有中央部分302與外部部分316。裝置300亦可包括靶材組件310，其包括多個靶材部分。中央部分302與外部部分316可定義提取孔隙304與提取孔隙306。在操作期間，裝置300可位於用以沉積多個膜層的處理裝置中。可產生電漿(為了使圖式清楚而省略)以做為經導向穿過提取孔隙304的離子束312以及經導向穿過提取孔隙306的離子束314的來源。如圖所示，靶材組件310可具有多個靶材部分，其包括靶材部分A、靶材部分B、靶材部分C、靶材部分D、靶材部分E與靶材部分F。實施例不限於本文所描述。靶材部分可具有楔形形狀，其中特定靶材部分呈現外表面。靶材組件310可繞著旋轉軸旋轉，所述旋轉軸平行於X軸。在圖3A所示的操作方案中，靶材組件310可以離子束312撞擊靶材部分A的架構來設置，使得靶材部分A材料濺射且做為靶材材料320被導向至基板340。在此架構中，離子束314可撞擊靶材部分B，使得靶材部分B的材料濺射且做為靶材材料322被導向至基板340。當基板340在第一掃描中沿著掃描軸142自左至右掃描時，靶材材料320的第一層330可沉積於基板340上，而靶材材料322的第二層332沉積於第一層330上。
在接續的情況中，靶材組件310可繞著旋轉軸旋轉而成為圖3B所示的架構。在此架構中，離子束312可撞擊靶材部分C，使得靶材部分C的材料濺射且做為靶材材料324被導向至基板340。在此架構中，離子束314可撞擊靶材部分D，使得靶材部分 D的材料濺射且做為靶材材料326被導向至基板340。當基板340在第二掃描中沿著掃描軸142自左至右掃描時，靶材材料324的第三層334可沉積於基板340上，而靶材材料326的第四層336沉積於第三層334上。
在各種額外的實施例中，類似於圖3A所示的靶材組件的靶材組件可同時將多個不同的靶材部分呈現至特定離子束。舉例來說，靶材部分F與靶材部分A可同時暴露於相同的離子束。此可產生具有含來自靶材部分F與靶材部分A的材料的混合物的組成的膜層。
所述實施例提供的優點包括於一個簡單的裝置中在一次基板掃描中於基板上沉積多個膜層的能力，其中可鄰近電漿室來提供基板。另一個優點為避免為了沉積多個不同膜層而改變靶材。再一個優點為使用提取自鄰近基板的一個電漿室的離子在基板上蝕刻和沉積的能力。又一個優點為修改在基板上沉積材料的方向的能力。
本揭露不限於由本文所描述的特定實施例的範圍。更確切地，除了本文所描述的之外，對本揭露的其他各種修改的實施例在參照上述描述以及所附圖式後對於本領域技術人員將是顯而易見的。因此，這些其他實施例與修改意欲落入本揭露的範圍中。此外，雖然本揭露已描述於為了特定目的在特定環境中的特定實施方式，但本領域技術人員將明瞭其益處不限於此，且本揭露為了任何數量的目的在任何數量的環境中可以有利地實施。因此，所附申 請專利範圍應如本文所描述針對本揭露的廣泛度與精神來解釋。
100:處理裝置
102:電漿源
104:電漿室
106:電漿
110:提取組件
112:中央部分
114:外部部分
118、120:提取孔隙
122、124:彎月面
130、132:離子束
134:第一材料
136:第二材料
140:基板
142:掃描軸
144:第一層
146:第二層
148:基板平臺
150:靶材組件
152:第一靶材部分
154:第二靶材部分
160:偏壓系統
162:靶材偏壓供應器
164:基板偏壓供應器
166:第一電壓供應器
168:第二電壓供應器
170:邊界
172:電漿鞘
180:第一面
182:第二面
P1:第一點
P2:第二點

Claims (15)

  1. 一種處理裝置，包括：提取組件，至少包括第一提取孔隙與第二提取孔隙，所述提取組件經設置以自電漿至少提取第一離子束與第二離子束；靶材組件，設置為鄰近所述提取組件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分與包含第二材料的第二靶材部分，所述第一靶材部分與所述第二靶材部分經配置以分別截取所述第一離子束與所述第二離子束；以及基板平臺，配置為鄰近所述靶材組件且經設置以在第一點與第二點之間沿著掃描軸掃描基板，其中所述第一靶材部分與所述第二靶材部分分別自所述第一點分離第一距離與第二距離，且所述第一距離小於所述第二距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中當所述基板平臺在所述第一點與所述第二點之間掃描所述基板時，所述第一材料的第一層沉積於所述基板上，且所述第二材料的第二層沉積於所述第一層上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中所述靶材組件至少包括三個靶材部分，且其中所述靶材組件圍繞旋轉軸為可旋轉的，其中在第一架構中所述第一靶材部分與所述第二靶材部 分分別暴露於所述第一離子束與所述第二離子束，且其中在第二架構中包含第三材料的第三靶材部分暴露於所述第一離子束。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中所述第一靶材部分包括第一面，其中所述第一靶材部分沿著垂直於所述掃描軸的旋轉軸為可旋轉的，其中在第一方位中所述第一離子束相對於所述第一面形成第一入射角，且其中在第二方位中所述第一離子束相對於所述第一面形成第二入射角。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中所述第一靶材部分與所述第二靶材部分分別具有第一面與第二面，所述第一面與所述第二面具有平面形狀、凹面形狀或凸面形狀。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中所述靶材組件包括包含第三材料的第三靶材部分，其中所述第三靶材部分配置於與所述第一點相距第三距離處，所述第三距離大於所述第二距離，且其中所述提取組件包括第三提取孔隙，所述第三提取孔隙經設置以自所述電漿提取第三離子束，所述第三靶材部分經設置以截取所述第三離子束。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中所述第一靶材部分與所述第二靶材部分彼此相鄰，其中所述靶材組件包括垂直於所述掃描軸的多邊形剖面。
  8. 一種處理裝置，包括：電漿室，用以容置電漿；提取組件，至少包括第一提取孔隙與第二提取孔隙，所述提取組件經設置以自所述電漿至少提取第一離子束與第二離子束；靶材組件，配置為鄰近所述提取組件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分與包含第二材料的第二靶材部分，所述第一靶材部分與所述第二靶材部分經配置以分別截取所述第一離子束與所述第二離子束；以及基板平臺，配置為鄰近所述靶材組件且經設置以在第一點與第二點之間掃描基板，其中所述第一靶材部分與所述第二靶材部分分別自所述第一點分離第一距離與第二距離，且所述第一距離小於所述第二距離。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的處理裝置，更包括偏壓系統，所述偏壓系統包括靶材偏壓供應器以相對於所述電漿室對所述靶材組件施加負偏壓。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的處理裝置，其中所述靶材偏壓供應器包括：第一電壓供應器，經設置以供應第一靶材偏壓至所述第一靶材部分；以及 第二電壓供應器，經設置以供應第二靶材偏壓至所述第二靶材部分。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的處理裝置，其中當所述基板平臺在所述第一點與所述第二點之間掃描所述基板且所述偏壓系統相對於所述電漿室對所述靶材組件施加負偏壓時，所述第一材料的第一層沉積於所述基板上，且所述第二材料的第二層沉積於所述第一層上。
  12. 一種處理裝置，包括：電漿室，用以容置電漿；提取組件，包括第一提取孔隙與第二提取孔隙，所述提取組件經設置以分別透過所述第一提取孔隙與所述第二提取孔隙自所述電漿提取第一離子束與第二離子束；靶材組件，配置為鄰近所述提取組件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分，所述靶材組件經配置以截取所述第一離子束；偏壓系統，包括靶材偏壓供應器以及基板偏壓供應器，所述靶材偏壓供應器相對於所述電漿室對所述靶材組件施加負偏壓，所述基板偏壓供應器提供基板偏壓以相對於所述電漿室對所述基板施加負偏壓；以及基板平臺，經設置以在鄰近所述第一提取孔隙的所述第一點 與鄰近所述第二提取孔隙的所述第二點之間掃描所述基板。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的處理裝置，其中當所述基板平臺在所述第一點與所述第二點之間掃描所述基板且所述靶材偏壓供應器相對於所述電漿室對所述靶材組件施加負偏壓時，所述第一材料的第一層沉積於所述基板上，且所述基板被所述第二離子束蝕刻。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的處理裝置，其中所述靶材組件更包括第二靶材部分，所述第二靶材部分包括第二材料，所述第一靶材部分與所述第二靶材部分經配置以分別截取所述第一離子束與第三離子束。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的處理裝置，其中當所述基板平臺在所述第一點與所述第二點之間掃描所述基板且所述偏壓系統相對於所述電漿室對所述靶材組件施加負偏壓時，所述第一材料的第一層沉積於所述基板上，且所述第二材料的第二層沉積於所述第一層上。
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