JP2018523922A5 - 基板を処理する装置及びシステム、及び基板をエッチングする方法 - Google Patents
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Description
プラズマ６は、ガス混合物をガス・マニホールド（多岐管）５からプラズマチャンバ２４内へ入れながら、ＲＦ電力をＲＦアンテナ１１から誘電体のＲＦ窓を通してガス混合物に結合させることによって発生することができる。放電を点弧して持続させるためのＲＦ電力は、ＲＦ発生器１３から整合（マッチング）回路網１４を通して供給することができる。イオンビーム７中のイオンのイオンエネルギーは、パルスＤＣ電源１５によって制御することができ、このパルスＤＣ電源は、プラズマチャンバ２４を上昇した正の静電ポテンシャル（静電電位）に維持する事ができるのに対し、基板ステージ２及び基板１は接地電位に維持される。システム３００はＤＣ電源をさらに含むことができ、偏向電極１０に結合された偏向電圧源１６として示す。イオンビーム７中のイオンの角度分布は、偏向電圧源１６から偏向電極に印加される負のバイアス電圧を変化させることによって制御することができる。特に、偏向電極１０はビーム遮断器１８に隣接して配置することができ、ビーム遮断器１８はプラズマチャンバ２４と偏向電極１０との間に配置されている。偏向電極に印加される電圧は、イオンビーム７がプラズマ６から抽出される際にイオンビーム７を偏向させる電界を発生することができる。特に、このことは、偏向電極１０への偏向電圧が変化する際にイオンビームの入射角を変化させる働きをすることができる。従って、偏向電極１０は、単に電圧を変化させることによって、基板特徴部分におけるＡＬＥによってエッチングされた部分を好都合に変化させる能力を有する。種々の実施形態では、このように電圧を変化させることを、基板または基板のグループの処理中に動的な方法で実行することができる。
図４は、本発明の実施形態による処理の流れ（プロセスフロー）４００を示す。ブロック４０２では、基板をプロセスチャンバ内に配置した際に反応性ガスを基板へ指向させる動作を実行し、反応性ガス及び基板からの材料を含む第１生成物層が基板の外面上に形成される。ブロック４０４では、リボンビームをプラズマチャンバから抽出開口を通して基板の露光部分へ指向させる動作を実行し、リボンビームは第１方向に沿った長軸を有する。ブロック４０６では、反応性ガスを指向させリボンビームを指向させる期間中に、第１方向に直交する第２方向に基板を走査する動作を実行し、露光部分では第１生成物層が基板からエッチングで除去され、リボンビームで露光されていない未露光部分では基板からエッチングで除去されない。
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