JP7285251B2 - 高屈折率材料のh2補助傾斜エッチング - Google Patents
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Description
ヘッドマウントディスプレイ(HMD)またはヘッドアップディスプレイ(HUD)システムなどの人工現実システムは、一般的に、仮想環境において物体を描写する人工画像を提示するように構成されるディスプレイを含む。ディスプレイは、仮想現実(VR)、拡張現実(AR)、または複合現実(MR)アプリケーションにあるように、仮想物体を表示する、または現実物体の画像と仮想物体の画像を組み合わせることができる。例えば、ARシステムにおいて、ユーザは、例えば、透明ディスプレイガラスまたはレンズを通して見ること(光学シースルー方式と称されることが多い)、またはカメラによって取り込まれた周囲環境の表示画像を見ること(ビデオシースルー方式と称されることが多い)によって、仮想物体の画像(例えば、コンピュータ生成画像(CGI))と、周囲環境の画像との両方を見ることができる。
SiO2+CF4→SiF4+CO2
に従って、反応性ガスCF4によって化学的にエッチングされてよい。SiF4およびCO2は、容易に除去され得る揮発性材料である。IBEシステム1000のように、CAIBEシステム1100は、エッチング時間および/またはエッチング領域を制御するためのシャッター1190(またはブレード)を含んでよい。材料層1180は、高指向性平行イオンビーム1162に対して材料層1180の角度を改良するために回転させることができる回転ステージ1170に装着されてよい。ある特定の材料に対して、CAIBEシステムは、IBEシステムに対して、エッチング異方性、スパッタ再付着、およびエッチング速度のさらなる制御を与えることができる。
Si3N4+4CF3+F→NF3+FCNz+3SiF4
に従って反応性ガスCF4によって化学的にエッチングされてよく、ここで、NF3、FCNz、およびSiF4は、揮発性材料であってよく、Si3N4層において傾斜構造を形成するために比較的容易に除去可能である。CARIBEプロセスにおいて材料層1380に達するビームにおける中性物質対イオン比は、RIBEまたはCAIBEプロセスにおけるものより高い場合がある。
Si3N4+H+→SiHxNy、または
SiON+H+→SiHxNy
に従って、基板において、例えば、SiHxNyを形成することができる。プラズマにおけるさらなるイオン、またはCF4、CF3 +、CHFx +などの反応性ガスにおけるさらなるガスは、例えば、
SiHxNy+C/F/N/H→SiF4+NH3+HCN
に従って、物理および化学エッチング中にSiHxNyと反応し得る。SiF4、NH3、HCNは、ガスなどの揮発性材料であってよいため、これらが移動する方向に関係なくグレーティング領域から容易に除去可能である。そのように、リーディングエッジとトレーリングエッジの両方におけるエッチング速度は改善可能であり、グレーティング溝の底部に蓄積される残りの材料はないまたは少ない場合がある。よって、結果として生じる傾斜グレーティングは深くなり得、リーディングエッジおよびトレーリングエッジにおいて同様の長さおよび傾斜角度(すなわち、対称的)を有することができる。
Claims (20)
- 材料層における傾斜表面レリーフ構造を作製する方法であって、前記方法は、
反応性イオン源発生装置に第1の反応性ガスを注入することと、
H 2 またはヘリウムを含む低分子量ガスを前記反応性イオン源発生装置に加えることと、
前記反応性イオン源発生装置において、前記第1の反応性ガスおよび前記低分子量ガスを用いてプラズマを生成することであって、前記材料層と反応して揮発性材料を生成するように構成される前記低分子量ガスの反応性イオンを含む前記プラズマを生成することと、
前記材料層に向けて平行反応性イオンビームを形成するために前記プラズマから前記反応性イオンの少なくとも一部を引き出すことと、
前記材料層と反応するように構成される第2の反応性ガスを前記材料層上に注入することと、を含み、
前記平行反応性イオンビームおよび前記第2の反応性ガスは、前記傾斜表面レリーフ構造を形成するために前記材料層を物理的と化学的の両方でエッチングする、方法。 - 前記傾斜表面レリーフ構造の所望の傾斜角度に基づいて前記材料層を回転させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の反応性ガスは、CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8、C4F6、C2F6、C2F8、NF3、CLF3、N2O、N2、O2、SF6、Cl2、BCl3、HBr、H2、Ar、He、またはNeのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記材料層は、半導体基板、SiO2層、Si3N4材料層、酸化チタン層、アルミナ層、SiC層、SiOxNy層、非晶質シリコン層、スピンオンカーボン(SOC)層、非晶質炭素層(ACL)、ダイアモンド状炭素膜(DLC)層、TiOx層、AlOx層、TaOx層、またはHFOx層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記平行反応性イオンビームを形成するために前記プラズマから前記反応性イオンの少なくとも一部を引き出すことは、
前記反応性イオン源発生装置に隣接した引き出しグリッドに引き出し電圧を印加することと、
前記反応性イオンの少なくとも一部を引き出しかつ加速させるために加速グリッドに加速電圧を印加することと、を含み、
前記引き出しグリッドおよび前記加速グリッドは配列され、
前記加速電圧は前記引き出し電圧より低い、請求項1に記載の方法。 - 前記第2の反応性ガスは、CF4、CHF3、N2、O2、SF6、Cl2、BCl3、またはHBrのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記傾斜表面レリーフ構造は傾斜表面レリーフ光学グレーティングを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記傾斜表面レリーフ光学グレーティングは複数のリッジを含み、
それぞれのリッジのリーディングエッジは前記リッジのトレーリングエッジに平行である、請求項7に記載の方法。 - 前記リーディングエッジの傾斜角度および前記トレーリングエッジの傾斜角度は、前記材料層の面法線に対して30度を上回る、請求項8に記載の方法。
- 前記リーディングエッジの長さと前記トレーリングエッジの長さとの間の差異は、前記トレーリングエッジの長さの10%未満である、請求項8に記載の方法。
- 前記傾斜表面レリーフ光学グレーティングの深さは100nmを上回る、請求項7に記載の方法。
- 前記傾斜表面レリーフ光学グレーティングのデューティサイクルは60%を上回る、請求項7に記載の方法。
- 前記低分子量ガスはH2を含み、
前記反応性イオンはH+イオンを含み、
前記材料層はSiOmNn層またはSi3N4層を含み、
前記H+イオンは前記SiOmNn層または前記Si3N4層と反応して、SiHxNy層を形成する、請求項1に記載の方法。 - 前記平行反応性イオンビームおよび前記第2の反応性ガスは、前記SiHxNy層と反応して、SiF4ガス、NH3ガス、およびHCNガスを生成する、請求項13に記載の方法。
- 材料層において傾斜表面レリーフ構造を作製するための化学補助反応性イオンビームエッチング(CARIBE)システムであって、前記CARIBEシステムは、
第1の反応性ガスと、H 2 またはヘリウムを含む低分子量ガスとを使用してプラズマを生成するように構成される反応性イオン源発生装置であって、前記プラズマは、前記材料層と反応して揮発性材料を生成するように構成される前記低分子量ガスの反応性イオンを含む、反応性イオン源発生装置と、
前記材料層に向けて平行反応性イオンビームを形成するために前記プラズマにおける前記反応性イオンの少なくとも一部を引き出しかつ加速させるように構成される1つまたは複数の配列コリメータグリッドと、
前記材料層と反応するように構成される第2の反応性ガスを、前記材料層上に注入するように構成されるガスこんろと、を含み、
前記平行反応性イオンビームおよび前記第2の反応性ガスは、前記材料層において前記傾斜表面レリーフ構造を形成するために前記材料層を物理的と化学的の両方でエッチングする、CARIBEシステム。 - 前記反応性イオン源発生装置は前記プラズマを封入するように構成される内部空洞を含み、
前記内部空洞の表面層は酸化物材料を含む、請求項15に記載のCARIBEシステム。 - 前記酸化物材料はY2O3または酸化アルミニウムを含む、請求項16に記載のCARIBEシステム。
- 前記平行反応性イオンビームを中和するために前記平行反応性イオンビームに電子ビームを注入するように構成される中和装置をさらに含む、請求項15に記載のCARIBEシステム。
- 前記反応性イオン源発生装置は誘導結合プラズマ発生装置を含む、請求項15に記載のCARIBEシステム。
- 前記第1の反応性ガスは、CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8、C4F6、C2F6、C2F8、NF3、CLF3、N2O、N2、O2、SF6、H2、Cl2、BCl3、HBr、Ar、He、またはNeのうちの少なくとも1つを含み、
前記第2の反応性ガスは、CF4、CHF3、N2、O2、SF6、Cl2、BCl3、またはHBrのうちの少なくとも1つを含む、請求項15に記載のCARIBEシステム。
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