JP3665400B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、反応性ガスを用いた半導体のドライエッチング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体のドライエッチング方法として、ケミカリー・アシステッド・イオン・ビーム・エッチング(CAIBE)がよく用いられる。図5はCAIBEに用いられる装置の一例で、詳細は、M.W.Geis他、ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー、19巻4号(1981年)、pp.1390〜1393に記載されている。この装置では、ノズル9を通して塩素ガス10を半導体基板、ここではGaAs基板1に直接照射する。一方で、タングステン・フィラメント7と陽極8で構成されるカウフマン型のイオン源を用いてアルゴンガス6をプラズマ化し、プラズマ中のアルゴンイオンを引き出し電極5によってエッチング室に引き出し、GaAs基板1に照射する。GaAsは室温では塩素ガスによってエッチングされないが、アルゴンイオンを照射することによってGaAsと塩素ガスの反応生成物の脱離が促進され、エッチングが進行する。このエッチング方法では非常に平滑なエッチングが可能であるとともに異方性のエッチングができるため、GaAsのエッチング方法として広く用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来例をAlAsやAlGaAsのエッチングに用いる場合、問題点が生じることが報告されている。A.Schere他、アプライド・フィジックス・レターズ、55巻26号(1989年)pp.2724〜2726によれば、AlAsを含む多層構造のエッチングには上記従来例のエッチング方法を用いた場合、エッチング室内部の残留酸素と活性なアルミニウムを含むAlAsが反応し、AlAs表面にAl2O3が形成される。Al2O3はエッチングマスクとして作用するため、エッチングが阻害され、所望の形状のエッチングができないという問題が発生するわけである。表面にAl2O3が形成されないようにするためにはエッチング室を超高真空雰囲気にすればよいが、その場合、エッチング装置は大変高価な装置となるだけでなく、その操作についても繁雑性が増し、作業効率も低下する、これを解決するためにSchereらはアルゴンイオンを引き出すときの引き出し電圧を増加させ、アルゴンイオンのエネルギーを500eV以上に上げることにより、物理的なスパッタリング作用で表面のAl2O3を除去している。ところがイオンのエネルギーを増加されるとそのエネルギーによって半導体基板に強い衝撃が加わり、結晶欠陥を発生させるという問題が新たに発生する。従って、本発明の主たる目的は半導体基板に結晶欠陥を発生させることなく、AlGaAs、またはAlAsを含む構造のエッチングを簡便に行う方法を提供することにある。
【0004】
我々は、従来のCAIBEを用いてイオンのエネルギーをパラメータとしてエッチング実験を行った。実験に用いた試料の構造を図6に、エッチング時間に対するエッチング深さのデータを図7に示す。ここで、試料はGaAs基板21上に1.5μmのAlGaAs層22、1.5μmのGaAs層23を有機金属熱分解(MOCVD)法によって作製した。AlGaAs層22のAl混晶比は0.5とした。エッチング実験は図5に示した装置を用いて室温で行い、ノズル9からの塩素ガス照射は流量10SCCM、アルゴンガスは流量7SCCMでイオン化室4に導入し、イオンの引き出し電圧を200、400、500、700Vと変化させて実験した。図よりわかるように、引き出し電圧が500V以上ではエッチングは等速で進行するが、引き出し電圧が400V以下の場合、表面から1.5μmエッチングが進行した時点、即ち、AlGaAs層22に達した時点でエッチングは停止し、それ以上のエッチングは不可能であった。このことは、引き出し電圧が400V以下の場合、多層膜のエッチングにおいてAlGaAs層がエッチング停止層として用いることができるということを示しているが、この層をエッチングしたいという場合にはCAIBEが適用できないことを示している。低ダメージのドライエッチングを実現したい場合、例えば半導体レーザの光出射端面の形成等に用いる場合、信頼性まで考慮するとこの方法は適当とはいえない。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載のドライエッチング方法は、反応性ガスを用いて、半導体基板、又は基板上に形成された半導体層表面に凹部を形成するドライエッチング方法において、前記半導体基板又は前記基板上に形成された半導体層は、Alを含みSiを含まなく、反応性ガスを前記半導体基板又は半導体層の表面に向けて衝突するように直接吹き付けると共に、前記反応性ガスと同一又は異なる反応性ガスをイオン化して前記反応性ガスと同時に前記半導体基板又は半導体層に照射し、前記直接吹き付けられる反応性ガスと前記イオン化される反応性ガスは共に、塩素を含むガスであることを特徴とするものである。
【0006】
請求項2に記載のドライエッチング方法は、前記イオン化される反応性ガスは、塩素、CCl 4、 CCl 2 F 2 、CCl 3 F、PCl 3 、BCl 3 、HClから選ばれたものであることを特徴とするものである。
【0007】
請求項3に記載のドライエッチング方法は、前記半導体基板又は半導体層表面上における反応性ガスのイオンに対する比が1000以上であることを特徴とするものである。
【0008】
請求項4に記載のドライエッチング方法は、反応性ガスを用いて、半導体基板、又は基板上に形成された半導体層表面に凹部を形成するドライエッチング方法において、反応性ガスを前記半導体基板又は半導体層に直接吹き付けると共に、反応性ガスのイオンもしくは希ガスのイオンを前記半導体基板又は半導体層に照射し、同時に前記半導体基板又は半導体層上全面に電子線を照射してなることを特徴とするものである。
請求項5に記載のドライエッチング方法は、前記イオンのエネルギーは500eV以下であることを特徴とするものである。
請求項6に記載のドライエッチング方法は、前記イオン化されるガスは、アルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウム、塩素、CCl 4 、 CCl 2 F 2 、CCl 3 F、PCl 3 、BCl 3 、HClから選ばれたものであることを特徴とするものである。
請求項7に記載のドライエッチング方法は、前記直接吹き付ける反応性ガスは、塩素ガスであることを特徴とするものである。
請求項8に記載のドライエッチング装置は、エッチング室内で、反応性ガスを用いて半導体基板、又は基板上に形成された半導体層表面に凹部を形成するドライエッチング装置であって、
少なくとも、
前記半導体基板又は半導体層上に前記反応性ガスを照射するノズルと、
前記半導体基板又は半導体層上全面に電子線を照射するよう配置された電子銃と、
反応性ガスもしくは希ガスをプラズマ化し、その中からイオンをエッチング室内へ取り出すイオン源と、を具備してなることを特徴とするものである。
【0009】
以下、本発明の作用を記載する。
【0010】
上述のように、反応性ガスを直接半導体基板又は基板上に形成された半導体層(以下、半導体層等)表面に照射すると共に、反応性ガス、特に塩素を含むガスをイオン化して半導体層等に照射すると、そのエネルギーが低い場合であっても半導体層等表面上の酸化膜は有効に除去され、AlGaAs又はAlAsを含む場合においてもエッチングは阻害されることなく進行する。また、反応性ガスを直接半導体層等の表面に照射すると共に、イオンと電子線を該半導体層等に照射すると、やはり半導体層等表面上の酸化膜は有効に除去され、AlGaAs、又はAlAsを含む場合においてもエッチングは進行する。この場合、イオンのエネルギーは低く、また電子線照射に起因する結晶欠陥もほとんど発生しないため、理想的なエッチングが実現される。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0012】
(実施例1)
図1は、本発明の第1の実施例のドライエッチング方法を示している。
【0013】
本実施例では、ノズル9を通して塩素ガス10を半導体基板、ここではGaAs/AlGaAs基板に直接照射する。一方でタングステン・フィラメント7と陽極8で構成されるカウフマン型のイオン源を用いて塩素ガス16をプラズマ化し、プラズマ中の塩素イオンを引き出し電極5によってエッチング室に引き出し、GaAs基板に照射する。塩素イオンとアルゴンイオンの質量はそれほど変わらない(35.5と40)から、従来例の場合と同じように、室温で塩素ガスによってエッチングされないGaAsは、塩素イオンを、照射することによってエッチングされると予想される。
【0014】
塩素イオンを用いたAlGaAsのエッチングに関しては浅川他による実験結果がある。詳細はK.Asakawa他ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジーズ、B3巻1号(1985年)pp.402―405に記載されている。それによるとAlGaAsを塩素イオンを用いてエッチングした場合、Al混晶比が0.3と低い場合であってもそのエッチレートはGaAsの場合と比較して低下することが明らかになっている。具体的には、イオンの引き出し電圧が300Vの場合、エッチング装置の真空度を3×l0-8Torr以下にまで高くしないとその低下は改善されていない。
【0015】
我々は、実際に従来例と同じ図6に示す層構造をもつ試料を作製してエッチング実験を行なった。図2にエッチング時間に対するエッチング深さのデータを示す。ここで、ノズル9からの塩素ガス照射は流量10SCCM、塩素ガスは流量7SCCMでイオン化室4に導入し、イオンの引き出し電圧を100、200、400、500Vと変化させて実験した。我々のエッチング装置の場合、基板付近の真空度は7×10-6Torrであり、従来の浅川らの報告によると塩素ガスを用いてGaAsとAlGaAsの等速エッチングは不可能な真空度である。それにもかかわらず、われわれの実験では、イオンの引き出し電圧を100Vまで下げた場合においてもAlGaAsに達したときのエッチレートの低下は観察されず、GaAsとAlGaAsが等速でエッチングされていることを示している。この理由については従来の実験結果からは予想されず。現状では理解されていない。
【0016】
K.Asakawa他、ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジーズ、83巻1号(1985年)pp.402―405には、Al2O3のスパッタ率が示されている。それによれば、塩素イオンを用いたエッチング、(リアクティブ・イオン・ビーム・エッチング)の場合、同じ条件で比較すると、GaAsのスパッタ率が13であるのに対してAl2O3のスパッタ率は0.2である。また、彼らも塩素イオンはAl2O3に対して非常に不活性であることを報告している。以上のことを考え併せると、本発明の効果は塩素ガスと塩素イオンの何らかの相乗作用によるものと考えられる。
【0017】
リアクティブ・イオン・ビーム・エッチングの場合、プラズマ中での塩素ガスのイオン化率は約1%程度と言われている。とすれば、塩素ガス/塩素イオンの比はイオン化室内で100程度である。そのうち、塩素イオンは引き出し電圧よって効率良くエッチング室に引き出され、基板に照射される。一方、塩素ガスは装置内を拡散してその一部が基板に到達する。したがって、基板上での塩素ガス/塩素イオンの比はたかだか100であり、その場合には本特許で示すようなAl2O3の除去効果は見られていないわけである。本特許の場合、塩素ガスは直接基板表面に照射されており、われわれの実験によれば塩素ガス/塩素イオンの比は1000以上と見積もられた。従って、本特許がGaAsとAlGaAsの等速エッチングに有効に使えるのは塩素ガス/塩素イオンの比が1000以上の領域であることがわかる。そのような条件下で、本特許の有効性が実証された。
【0018】
(実施例2)
次に、実施例1でイオン化室に導入した塩素ガスをCCl4、CCl2F2、CCl3F、PCl3、BCl3、HClと取り替えて実施した。そのほかのエッチング条件は実施例1と同じである。その結果を図3に示す。用いるガスを変えるとエッチレートはガスによって変化するが、どのガスを用いた場合でもAlGaAs層に到達した後も等速エッチングを続けている。即ち、塩素ガスだけでなく、これら塩素系ガスの場合でもそれをイオン化し、塩素ガス照射と同時に用いることにより、AlGaAs表面に形成される酸化膜を効率よく除去し、等速エッチングを実現できることを確認した。
【0019】
(実施例3)
図4は、本発明の第3の実施例のドライエッチング方法を示している。本実施例では、ノズル9を通して塩素ガス10をGaAs/AlGaAs基板に直接照射する。この例ではマグネット31によって発生させた磁場とマイクロ波30とでイオン化室34に導入されたアルゴンガス6をプラズマ化する電子サイクロトロン共鳴(ECR)を利用したイオン源を用いてイオンを作りだしている。プラズマ中のアルゴンイオンは、実施例1と同様に引き出し電極5によりてエッチング室に引き出し、GaAs/AlGaAs基板に照射する。それに加えて、エッチング室に配置された電子銃32から基板に向けて電子線を照射した。この電子銃は電子ビームを収束しないで照射するタイプの電子銃で、基板全面に均一に電子線を照射できるように設計されている。
【0020】
この場合にも、従来例と同じ図6に示す層構造をもつ試料を作製してエッチング実験を行った。その結果、実施例1と同様にAlGaAsとGaAsの等速エッチングが実現できた(この時のデータは実施例とほぼ同様である。)。この理由についても現時点では明らかではないが、電子線とイオンと塩素ガスの相乗作用がAl2O3の除去効果を有するものと考えられる。この場合、イオンとしてはアルゴンを用いているため、実施例1や実施例2とは異なったメカニズムが存在しているようであるが、本特許がGaAsとAlGaAsの等速エッチングに有効であることが実証された。
【0021】
また、本実施例では、イオン源としてアルゴンガスを用いているが、アルゴンガスの代わりにキセノン、ネオン、ヘリウム等を用いてもよく、さらには、塩素ガス、CCl4、CCl2F2、CCl3F、PCl3、BCl3、HClを用いる場合にも適用できることはいうまでもない。
【0022】
以上の実施例においてはカウフマン型、及びECR型のプラズマを用いてイオンを発生させたが、その他のイオン源、例えばヘリコン波励起プラズマ、誘導結合型プラズマ等を用いても同じ効果が得られることは自明である。
さらに、以上の実施例においては、半導体基板を直接エッチングする例を用いて説明したが、本願発明はこれに限定されるものではなく、基板上に形成された半導体層であってもよい。
【0023】
また、以上の実施例においては、AlGaAsを含む構造のエッチングに関して説明しているが、AlGaAsの代わりにAlAsを用いた場合や、そのほかのAlを含む半導体、AlN、AlGaN、AlP、AlGaP、AlSb、AlGaSb、AlInP、AlInAs、AlInSb、AlAsP、AlAsSb、AlSbP又はその混晶を用いた場合にも適用できる。さらに、GaAsの場合や、その他半導体膜、例えばGaN、GaP、GaSb、InN、InP、InAs、InSb又はそれらの混晶を用いた場合にも適用できることはいうまでもない。
【0024】
【発明の効果】
上記のように、反応性ガスを直接半導体基板、又は基板上に形成された半導体層(以下、半導体層等)表面に照射するとともに、反応性ガス、特に塩素を含むガスをイオン化して半導体層等に照射すると、イオンのエネルギーが低くてすむため、それに起因する結晶欠陥は発生しない。AlGaAs、又はAlAsを含む場合においても、そのエネルギーが低い場合であっても半導体層等表面上の酸化膜は有効に除去され、エッチングは阻害されることなく進行する。また、反応性ガスを直接半導体層等の表面に照射するとともにイオンと電子線を基板に照射すると、イオンのエネルギーが低くてすむため、それに起因する欠陥損傷は発生しない。AlGaAs又はAlAsを含む場合においても半導体層等の表面の酸化膜は有効に除去され、エッチングは進行する。また電子線照射に起因する結晶欠陥もほとんど発生しないため、理想的なエッチングが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体基板のエッチング方法を説明するための図である。
【図2】本発明の第1の実施例によるエッチングの結果を示し、エッチング時間に対するエッチング深さを示す図である。
【図3】本発明の第2の実施例によるエッチングの結果を示し、エッチング時間に対するエッチング深さを示す図である。
【図4】本発明の第3の実施例の半導体基板のエッチング方法を説明するための図である。
【図5】従来例による半導体エッチング方法を説明するための図である。
【図6】従来例、本発明の第1乃至第3の実施例においてエッチングに用いた試料の構造を示す図である。
【図7】従来例によるエッチングの結果を示し、エッチング時間に対するエッチング深さを示す図である。
【符号の説明】
1 GaAs基板
2 エッチング室
3 アルゴンイオンビーム
4 イオン化室
5 引き出し電極
6 アルゴンガス
7 タングステン・フィラメント
8 陽極
9 ノズル
10 塩素ガス
11 GaAs/AlGaAs基板
13 塩素イオンビーム
16 塩素ガス
30 マイクロ波
31 マグネット
32 電子銃
33 電子線
34 イオン化室
Claims (8)
- 反応性ガスを用いて、半導体基板、又は基板上に形成された半導体層表面に凹部を形成するドライエッチング方法において、
前記半導体基板又は前記基板上に形成された半導体層は、Alを含みSiを含まなく、
反応性ガスを前記半導体基板又は半導体層の表面に向けて衝突するように直接吹き付けると共に、前記反応性ガスと同一又は異なる反応性ガスをイオン化して前記反応性ガスと同時に前記半導体基板又は半導体層に照射し、
前記直接吹き付けられる反応性ガスと前記イオン化される反応性ガスは共に、塩素を含むガスであることを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記イオン化される反応性ガスは、塩素、CCl4 、CCl2F2、CCl3F、PCl3、BCl3、HClから選ばれたものであることを特徴とする請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 前記半導体基板又は半導体層表面上における反応性ガスのイオンに対する比が1000以上であることを特徴とする請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 反応性ガスを用いて、半導体基板、又は基板上に形成された半導体層表面に凹部を形成するドライエッチング方法において、
反応性ガスを前記半導体基板又は半導体層に直接吹き付けると共に、反応性ガスのイオンもしくは希ガスのイオンを前記半導体基板又は半導体層に照射し、同時に前記半導体基板又は半導体層上全面に電子線を照射してなることを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記イオンのエネルギーは500eV以下であることを特徴とする請求項1又は4に記載のドライエッチング方法。
- 前記イオン化されるガスは、アルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウム、塩素、CCl 4 、 CCl 2 F 2 、CCl 3 F、PCl 3 、BCl 3 、HClから選ばれたものであることを特徴とする請求項4に記載のドライエッチング方法。
- 前記直接吹き付ける反応性ガスは、塩素ガスであることを特徴とする請求項4に記載のドライエッチング方法。
- エッチング室内で、反応性ガスを用いて半導体基板、又は基板上に形成された半導体層表面に凹部を形成するドライエッチング装置であって、
少なくとも、
前記半導体基板又は半導体層上に前記反応性ガスを照射するノズルと、
前記半導体基板又は半導体層上全面に電子線を照射するよう配置された電子銃と、
反応性ガスもしくは希ガスをプラズマ化し、その中からイオンをエッチング室内へ取り出すイオン源と、を具備してなることを特徴とするドライエッチング装置。
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