KR100653073B1 - 기판처리장치와 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치와 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리장치와 기판 처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리장치는 처리되는 기판이 안착되는 기판 안착부와; 상기 기판 안착부 상부에 순차적으로 마련되어 있는 제1플라즈마 공간 및 제2플라즈마 공간과; 상기 제1플라즈마 공간과 상기 제2플라즈마 공간 사이에 위치하며 상기 제2플라즈마 공간에서 생성된 플라즈마의 양이온과 전자 중 어느 하나를 선택적으로 추출하는 제1추출전극과; 상기 제1플라즈마 공간과 상기 기판 안착부 사이에 위치하며 상기 제1플라즈마 공간의 플라즈마로부터 양이온과 전자를 추출하는 제2추출전극과; 상기 기판 안착부, 상기 제1플라즈마 공간 및 상기 제2플라즈마 공간을 수용하는 진공챔버를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 구조가 간단하면서도 처리대상인 절연막의 절연파괴가 감소되는 기판처리장치가 제공된다.

Description

기판처리장치와 기판처리방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD OF TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 그리드의 사시도이고,,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 그리드에 인가되는 전압을 나타낸 그래프이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 양이온 빔과 음이온 빔의 포텐셜을 설명하기 위한 그래프이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *
10 : 진공 챔버 11 : 반응가스 공급부
12 : 배기구 21 : 기판 안착부
31 : 처리 공간 32 : 플라즈마 공간
41 : 추출전극 51 : 전원공급부
61a 내지 61d : 전류계 71 : 제어부
81 : 코일 82 : 플라즈마 형성 전원공급부
83 : 임피던스 매칭 유닛
본 발명은 기판처리장치와 기판처리방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔을 교대로 추출하는 기판처리장치와 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 또는 각종 표시장치의 기판은(이하 '기판'이라 함) 기판 상에 박막을 형성하고 부분적으로 그 박막을 식각하는 등의 기판처리공정을 반복수행함으로써 제조할 수 있다. 이 중 절연막을 식각하는 공정에는 플라즈마로부터 추출된 방향성을 가지는 이온 빔이 많이 사용되고 있다. 플라즈마를 이용하는 공정은 이방성 식각 특성과 높은 식각율 등 많은 장점을 가지고 있다.
이온 빔을 이용하는 방법에서는 이온이 가지는 전기적 특성을 이용하여 포텐셜의 차를 이용해 방향성을 가지는 빔을 형성한다. 이렇게 형성된 빔은 방향성을 유지하면서 절연막으로 입사되고 절연막을 식각하게 된다.
그러나 절연막에는 전류 통로(current path)가 형성되어 있지 않기 때문에 입사되는 이온의 전하는 절연막에 축적된다(charge-up). 이렇게 축적된 전하는 절연파괴 등의 문제를 일으켜 기판을 손상시키고, 언더 컷(under-cut) 등 식각불량을 야기한다.
이러한 문제를 해결하기 위해 이온 빔을 중성빔(neutral beam)으로 변환하거나 기판에 축적된 전하와 반대 극성의 전하를 공급하여 전하를 보상(charge-compensation)해주는 방법 등이 사용된다.
이를 자세히 설명하면 다음과 같다.
이온 빔을 중성빔으로 변환하는 방법 중 하나는 별도의 전자총(electron gun) 또는 전자추출 장치에서 전자를 추출하여 양이온 빔의 진행방향에 전자를 입사하는 것이다. 전자와 양이온의 충돌로 에너지 이동이 발생하고 양이온은 중성화된다. 양이온은 상대적으로 질량이 작은 전자와 충돌하기 때문에 진행방향이 바뀌지 않는다.
이온 빔을 중성빔으로 변환하는 다른 방법은 이온 빔을 중성화 장치(neutralizer)에 통과시켜 중성화시키는 것이다. 방향성을 가지는 이온 빔은 중성화 장치의 반사판(reflector)과 작은 입사각으로 충돌하고 동일한 각도로 반사된다. 충돌 시에 전하의 교환(charge-exchange)이 발생하여 이온빔은 중성화되고, 반사 각도가 일정하기 때문에 방향성을 가지게 된다.
반대 극성의 전하를 공급하는 방법에서는 전자총과 같은 별도의 전자공급장치를 이용해 양이온 빔이 입사되는 기판에 직접 전자를 공급한다. 양이온 빔에 의해 축적되는 양전하(positive charge)를 음극을 가지는 전자를 공급하는 상쇄시키는 방식이다.
그러나 이러한 종래의 방법은 다음과 같은 문제가 있다.
첫째 전자를 이용하여 양이온 빔을 중성화하는 방식에서는 이온 빔을 추출하 는 장치 이외에 전자를 공급하는 장치가 별도로 필요하다. 또한 양이온 빔의 외곽에서 양이온 빔의 중심방향으로 물리적 충돌이 일어나기 때문에 양이온 빔 단면에서의 중심부의 중성화가 원활하게 이루어지지 않는 문제가 있다.
둘째 반사체를 이용하는 이온빔을 중성화하는 방식에서는 물리적 충돌에 의해 중성 입자의 에너지 감소가 발생한다. 또한 반사판은 이온 충돌에 의해 열변형, 폴리머의 증착, 아킹(arching) 등의 문제가 있을 수 있고, 반사판의 조도에 따라 방향성을 쉽게 잃어버리는 문제가 있다.
셋째 반대 극성의 전하를 공급하는 방법에서는 전자총의 방향을 기판을 향하게 하거나 자기장을 이용하여 전자에 방향성을 부여하는 장치가 매우 복잡해지는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 구조가 간단하면서도 처리대상인 절연막의 절연파괴가 감소되는 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 구조가 간단하면서도 처리대상인 절연막의 절연파괴가 감소되는 기판처리장치를 이용해 기판을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
상기의 본 발명의 목적은 플라즈마가 형성되는 플라즈마 공간과 기판 처리가 이루어지는 처리 공간을 가지는 진공챔버와; 상기 플라즈마 공간과 상기 처리 공간 사이에 위치하는 추출 전극과; 상기 추출 전극에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 플라즈마 공간의 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔이 교대로 상기 처리 공간으로 추출되도록 상기 전원공급부를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리장치에 의하여 달성될 수 있다.
상기 음전하 빔은 전자 빔과 음이온 빔 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 추출 전극은 복수의 그리드를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 복수의 그리드는 서로 평행하게 배치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제어부는 상기 복수의 그리드 각각에 서로 다른 전압을 인가되도록 상기 전원공급부를 제어하는 것이 바람직하다.
상기 제어부는 상기 복수의 그리드 중 상기 처리 공간과 접하는 상기 그리드에는 접지 전압이 인가되도록 상기 전원공급부를 제어하는 것이 바람직하다.
상기 복수의 그리드 각각의 전류값을 측정하여 상기 제어부에 전달하는 전류계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제어부는 상기 양이온 빔 추출 시간과 상기 음이온 빔 추출 시간이 실질적으로 동일하도록 상기 전원공급부를 제어하는 것이 바람직하다.
상기 제어부는 상기 처리 공간에 공급되는 양이온 빔의 전하량과 음전하 빔의 전하량이 실질적으로 동일하도록 상기 전원공급부를 제어하는 것이 바람직하다.
처리대상 기판의 측정하여 상기 제어부에 전달하는 전류계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 처리 공간의 하부에 위치하며 처리대상 기판이 안착되는 기판 안착부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 플라즈마 공간에 대응되는 상기 진공 챔버 외부에 위치하는 코일과 상기 코일에 전원을 공급하는 플라즈마 형성 전원공급부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 코일과 상기 전원공급부 사이에 위치하는 임피던스 매칭 유닛을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 플라즈마 공간에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 다른 목적은 진공 챔버 내의 기판 안착부 상에 절연막이 노출되어 있는 처리대상 기판을 안착시키는 단계와; 상기 기판 안착부 상부의 플라즈마 공간에 플라즈마를 발생시키는 단계와; 상기 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔을 교대로 추출하여 상기 처리대상 기판에 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법에 의하여 달성될 수 있다.
상기 음전하 빔은 전자 빔과 음이온 빔 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 양이온 빔 추출 시간과 상기 음이온 빔 추출 시간은 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.
상기 처리대상 기판에 공급되는 상기 양이온 빔의 전하량과 상기 음전하 빔의 전하량은 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.
상기 추출은 상기 처리대상 기판과 상기 플라즈마 공간 사이에 위치하는 추출전극을 이용하여 수행되는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하겠다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.
기판 처리장치(1)는 처리공간(31) 및 플라즈마 공간(32)이 형성되어 있는 진공챔버(10), 처리대상 기판(100)이 안착되는 안착부(21), 플라즈마로부터 양이온 빔 및 음전하 빔을 추출하기 위한 추출전극(41), 플라즈마 형성을 위한 코일(81) 및 플라즈마 형성 전원공급부(82)를 포함한다. 여기서 추출전극(41)은 전원공급부(51)에 연결되어 있으며, 추출전극(41)에 공급되는 전원은 제어부(71)에 의해 제어된다.
진공 챔버(10)는 추출전극(41)과 함께 기판 처리가 이루어지는 처리 공간(31)과 플라즈마가 형성되는 플라즈마 공간(32)을 형성하며, 이들 공간(31, 32)을 진공과 일정온도로 유지시켜 주는 기능을 수행한다. 반응챔버(10)의 상부 측면에는 플라즈마가 형성하는 반응가스가 유입되는 반응가스 공급부(11)가 마련되어 있다. 반응가스로는 CFx, Ar, O2, SF6 등이 사용될 수 있다.
진공 챔버(10)의 하부에는 반응 시 발생하는 부산물 등을 외부로 방출하는 배기구(12)가 설치되어 있다. 도시하지는 않았지만 진공 챔버(10)는 배기구(12)에 연결된 진공펌프를 더 포함할 수 있다.
진공 챔버(10)의 하부에는 처리대상 기판(100)이 안착되는 기판 안착부(21)가 위치하고 있다. 처리대상 기판(100)에는 식각 대상인 절연막이 노출되어 있으며, 식각되지 않을 절연막의 상부에는 감광막이 형성되어 있다.
기판 안착부(21)의 상부가 기판 처리가 수행되는 처리 공간(31)이 되며 처리 공간(31) 상부에는 추출전극(41)을 사이에 두고 플라즈마 공간(32)이 형성되어 있다.
처리 공간(31)과 플라즈마 공간(32) 사이에는 추출 전극(41)이 마련되어 있다. 추출 전극(41)은 3개의 그리드(41a, 41b, 41c)로 이루어져 있다. 3개의 그리드(41a, 41b, 41c)는 서로 평행하게 배치되어 있다. 각 그리드(41a, 41b, 41c)는 도 2와 같이 사각형상의 평판에 복수의 통과공(42)이 형성되어 있는 형태이며 각 그리드(41a, 41b, 41c)의 통과공(42)은 일렬로 배치되어 있다. 그리드(41a, 41b, 41c)의 형태와 통과공(42)의 배치는 필요에 따라 변형될 수 있다.
추출 전극(41)은 전원공급부(51)에서 전원을 공급받아 플라즈마 공간(32)에서 필요한 성분을 처리 공간(31)으로 전달시킨다. 구체적으로 보면 각 그리드(41a, 41b, 41c)는 각각 별도의 독립 전원부(51a, 51b, 51c)에 연결되어 있어, 그리드(41a, 41b, 41c)별로 독립된 전원 공급이 가능하다.
각 그리드(41a, 41b, 41c)와 각 독립 전원부(51a, 51b, 51c) 사이에는 전류계(61a, 61b, 61c)가 연결되어 실제 그리드(41a, 41b, 41c)에 흐르는 전류값을 측정한다. 한편 처리대상 기판(100)도 전류계(61d)에 연결되어 있는데, 전류계(61d)는 처리대상 기판(100)의 전하축적을 측정하게 된다.
제어부(71)는 전원공급부(51)가 추출 전극(41)에 공급하는 전원을 제어한다. 제어부(71)는 전원제어를 통해 플라즈마 공간(32)의 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔을 교대로 추출하여 처리 공간(31)에 전달한다. 제어부(71)는 각 전류계(61a, 61b, 61c, 61d)에서 측정한 전류값을 피드백 받아 처리대상 기판(100)의 전 하축적이 발생하지 않도록 전원공급부(51)를 제어한다.
플라즈마 공간(32)에 대응하는 진공 챔버(10) 외부에는 코일(81)이 위치하여 코일(81)은 플라즈마 형성 전원공급부(82)에 연결되어 있다. 플라즈마 형성 전원공급부(82)는 제1코일(61)에 고주파 전원을 공급하며, 공급되는 전원의 주파수는 수kHz 내지 수백 MHz일 수 있다. 플라즈마 형성 전원공급부(82)의 전원공급에 의해 플라즈마 공간(32)에는 유도 결합 플라즈마(induced-coupled plasma)이 형성된다. 코일(81)과 플라즈마 형성 전원공급부(82) 사이에는 임피던스 매칭 유닛(83, impedence matching unit)이 마련되어 있다.
이상과 같은 기판 처리장치(1)는 플라즈마 영역(32)에 형성된 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔을 교대로 추출한다. 추출전극(41)이 양이온 빔 또는/그리고 음전하 빔을 선택적으로 추출하는 원리는 각각의 에너지와 추출전극(41)의 포텐셀과의 관계를 이용한 것이다. 이러한 방법은 예를 들어 IAN G. BROWN의 THE PHYSICS AND TECHNOLOGY OF ION SOURCES, 2판, 61페이지 내지 64페이지에 개시되어 있다.
이하에서는 본 발명에서 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔을 추출하는 방법을 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.
본 발명에서 음전하 빔은 음이온 빔 그리고/또는 전자 빔으로써 양이온 빔을 중성화시킬 수 있는 것을 말한다. 이하에서는 음전하 빔으로서 음이온 빔을 예로 들어 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 그리드에 인가되는 전 압을 나타낸 그래프이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 양이온 빔과 음이온 빔의 포텐셜을 설명하기 위한 그래프이다.
도 3을 보면 각 그리드(41a, 41b, 41c)에 공급하는 전압의 패턴이 상이함을 알 수 있다. 제1그리드(41a)와 제2그리드(41b)에 공급되는 전압은 일정한 주기를 가지고 변화하는 사각파이며 서로 엇갈리고 있다. 제3그리드(41c)에는 시간에 상관없이 그라운드 전압이 인가되고 있다.
실시예에서 제1그리드(41a)의 포텐셜이 낮고 제2그리드(41b)의 포텐셜이 높은 경우 음이온 빔이 추출되며, 반대로 제1그리드(41a)의 포텐셜이 높고 제2그리드(41b)의 포텐셜이 낮은 경우 양이온 빔이 추출된다. 음이온 빔의 추출 시간과 양이온 빔의 추출 시간은 서로 동일하다. 제1그리드(41a)와 제2그리드(41b)의 주파수는 1Hz에서 수백 kHz 중에서 선택될 수 있다.
제어부(71)는 각 그리드(41a, 41b, 41c)에 공급되는 전원패턴이 도 3과 같이 되도록 전원공급부(51)를 제어한다. 제어부(71)는 이 과정에서 각 전류계(61a, 61b, 61c, 61d)에서 측정한 전류값을 바탕으로 전원패턴을 변경할 수 있다.
여기서 제1그리드(41a)와 제2그리드(42b)에 인가되는 전압은 사각파외에 사인파나 삼각파등도 가능하다.
도 4는 진공 챔버(10) 내에서 수직방향에 따른 양이온 빔과 음이온 빔의 포텐셜을 예시한 것이다.
양이온 빔의 포텐셜은 제1그리드(41a)와 제2그리드(41b) 사이에서 급격하게 감소하다가 제2그리드(41b)와 제3그리드(41c) 사이에서는 비교적 완만하게 증가한 다. 음이온 빔의 포텐셜은 제1그리드(41a)와 제2그리드(41b) 사이에서 급격하게 증가하다가 제2그리드(41b)와 제3그리드(41c) 사이에서는 비교적 완만하게 감소한다.
이상의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)는 다양하게 변형가능하다. 예를 들어 그리드의 개수는 1개 또는 2개도 가능하며, 4개 이상을 가지는 것도 가능하다.
이하 이상과 같은 기판 처리장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
먼저 처리대상 기판(100)을 기판 안착부(21)에 안착시킨다(S100). 처리대상 기판(100)에는 식각 대상인 절연막이 노출되어 있으며, 식각되지 않을 절연막의 상부에는 감광막이 형성되어 있다. 절연막은 질화 실리콘막 또는 산화 실리콘막이며 그 하부에는 금속으로 이루어진 배선이 위치할 수 있다. 처리대상 기판(100)은 반도체 웨이퍼 또는 표시장치용 기판일 수 있으며 표시장치로는 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이장치(PDP), 유기발광다이오드(OLED) 등이 가능하다.
처리대상 기판(100)을 안착시킨 후 진공 챔버(10) 내부의 온도와 압력을 조절한다.
이 후 반응가스 공급부(11)를 통해 반응가스를 주입하면서 플라즈마 형성 전원공급부(82)를 통해 코일(81)에 고주파 전원을 가한다. 이와 같은 과정을 통해 플라즈마 공간(32)에는 유도 결합에 의해 반응가스로부터 플라즈마가 형성된다(S200). 플라즈마에는 양이온, 음이온, 전자가 모두 포함되어 있다.
플라즈마가 형성되면 제1추출전극(41)의 각 그리드(41a, 41b, 41c)에 인가되는 전압을 조절하여 양이온 빔과 음전하 빔을 교대로 추출하여 처리 공간(31)으로 전달한다(S300). 음전하 빔은 음이온 빔 그리고/또는 전자 빔일 수 있으며 양이온 빔과 실질적으로 동일한 전하량을 갖는다.
처리 공간(31)에 공급된 양이온 빔과 음전하 빔은 처리대상 기판(100)에 입사하여 노출된 절연막을 식각한다(S400). 이 과정에서 양이온 빔과 음전하 빔은 중성화되어 절연막에는 전하가 축적되지 않는다. 이에 따라 절연막의 절연이 파괴되거나 품질이 저하되는 문제가 감소한다.
이상과 같이 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 복수의 플라즈마 공간과 추출 전극을 이용하여 중성화 장치와 같은 복잡한 구성없이 절연막에의 전하 축적을 방지한다.
비록 본발명의 실시예가 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 구조가 간단하면서도 처리대상인 절연막의 절연파괴가 감소되는 기판처리장치가 제공된다.
또한 본 발명에 따르면 구조가 간단하면서도 처리대상인 절연막의 절연파괴가 감소되는 기판처리장치를 이용해 기판을 처리하는 방법이 제공된다.

Claims (19)

  1. 기판 처리장치에 있어서,
    플라즈마가 형성되는 플라즈마 공간과 기판 처리가 이루어지는 처리 공간을 가지는 진공챔버와;
    상기 플라즈마 공간과 상기 처리 공간 사이에 위치하는 추출 전극과;
    상기 추출 전극에 전원을 공급하는 전원공급부와;
    상기 플라즈마 공간의 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔이 교대로 상기 처리 공간으로 추출되도록 상기 전원공급부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 음전하 빔은 전자 빔과 음이온 빔 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 추출 전극은 복수의 그리드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 그리드는 서로 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 복수의 그리드 각각에 서로 다른 전압을 인가되도록 상기 전원공급부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 복수의 그리드 중 상기 처리 공간과 접하는 상기 그리드에는 접지 전압이 인가되도록 상기 전원공급부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 그리드 각각의 전류값을 측정하여 상기 제어부에 전달하는 전류계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 양이온 빔 추출 시간과 상기 음이온 빔 추출 시간이 실질적으로 동일하도록 상기 전원공급부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 처리 공간에 공급되는 양이온 빔의 전하량과 음전하 빔의 전하량이 실질적으로 동일하도록 상기 전원공급부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    처리대상 기판의 전류값을 측정하여 상기 제어부에 전달하는 전류계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 처리 공간의 하부에 위치하며 처리대상 기판이 안착되는 기판 안착부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 공간에 대응되는 상기 진공 챔버 외부에 위치하는 코일과 상기 코일에 전원을 공급하는 플라즈마 형성 전원공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 코일과 상기 전원공급부 사이에 위치하는 임피던스 매칭 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 공간에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  15. 기판 처리 방법에 있어서,
    진공 챔버 내의 기판 안착부 상에 절연막이 노출되어 있는 처리대상 기판을 안착시키는 단계와;
    상기 기판 안착부 상부의 플라즈마 공간에 플라즈마를 발생시키는 단계와;
    상기 플라즈마로부터 양이온 빔과 음전하 빔을 교대로 추출하여 상기 처리대상 기판에 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 음전하 빔은 전자 빔과 음이온 빔 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 양이온 빔 추출 시간과 상기 음이온 빔 추출 시간은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 처리대상 기판에 공급되는 상기 양이온 빔의 전하량과 상기 음전하 빔의 전하량은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 추출은 상기 처리대상 기판과 상기 플라즈마 공간 사이에 위치하는 추출전극을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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