KR101579506B1 - 기판 처리 장치 및 그 파티클 취급 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치 및 그 파티클 취급 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부; 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 플라즈마 챔버에 설치되어 상기 공정 가스로부터 상기 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스; 상기 플라즈마 소스에 상기 플라즈마를 생성하기 위한 RF 신호를 제공하는 RF 전원; 상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 플라즈마를 상기 공정 챔버 내 처리 공간에 균일하게 공급하는 배플; 상기 배플에 DC 전압을 인가하는 DC 전원; 기판 처리에 의해 상기 공정 챔버 내에 발생된 파티클을 배출하는 배기부; 및 상기 파티클에 의한 상기 기판의 오염을 방지하도록 상기 DC 전원을 제어하여 상기 파티클을 취급하는 제어부를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 그 파티클 취급 방법에 관한 것이다.
최근 들어 기판 처리 공정 중 세정이나 식각과 같은 공정은 케미컬을 이용한 습식 공정보다 건식 공정이 많이 사용되고 있다. 특히, 건식 공정 중에서도 플라즈마를 이용하여 기판 상의 박막을 제거하는 건식 세정 및 건식 식각이 널리 사용되고 있다.
이러한 건식 공정 진행 도중 공정 가스와 박막 간의 반응에 의해 발생하는 파티클은 공정이 이루어지는 챔버 전역에 걸쳐 지속적으로 증착되어 공정에 지장을 줄 뿐만 아니라, 이 파티클이 기판 상에 낙하하는 경우 해당 부위의 결함을 유발할 수 있다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 공정 시 파티클이 발생하게 되면, 이 파티클은 플라즈마에 의해 대전되고, 대전된 파티클은 전기력에 의해 챔버 표면에 들러붙거나 플라즈마 내에서 플로팅하게 된다. 그 뒤, 공정이 종료되어 플라즈마의 발생이 중단되면 펌핑이 진행되어 챔버 내 파티클이 펌프 라인을 통해 배출되지만, 이 과정에서 파티클 일부가 기판에 안착하여 기판을 오염시키는 문제가 발생하게 된다.
본 발명의 실시예는 기판 처리 공정 진행 시 파티클을 취급하여 기판 상에 파티클이 안착되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 그 파티클 취급 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 공정 진행 도중 파티클을 취급하는 과정이 플라즈마 생성에 영향을 미치지 않도록 하는 기판 처리 장치 및 그 파티클 취급 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 공정 진행 시 챔버 내에 쌓인 파티클을 챔버 밖으로 효과적으로 배출시키는 기판 처리 장치 및 그 파티클 취급 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부; 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 플라즈마 챔버에 설치되어 상기 공정 가스로부터 상기 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스; 상기 플라즈마 소스에 상기 플라즈마를 생성하기 위한 RF 신호를 제공하는 RF 전원; 상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 플라즈마를 상기 공정 챔버 내 처리 공간에 균일하게 공급하는 배플; 상기 배플에 DC 전압을 인가하는 DC 전원; 기판 처리에 의해 상기 공정 챔버 내에 발생된 파티클을 배출하는 배기부; 및 상기 파티클에 의한 상기 기판의 오염을 방지하도록 상기 DC 전원을 제어하여 상기 파티클을 취급하는 제어부를 포함할 수 있다.
상기 DC 전원은 상기 배플에 음의 DC 전압을 인가할 수 있다.
상기 제어부는 기판 처리 종료 후 상기 DC 전원이 상기 배플에 음의 DC 전압을 인가하도록 제어할 수 있다.
상기 제어부는 상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 종료되면 상기 DC 전원의 음의 DC 전압 인가를 개시할 수 있다.
상기 제어부는 상기 공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면 상기 DC 전원의 음의 DC 전압 인가를 종료할 수 있다.
상기 DC 전원은 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가할 수 있다.
상기 제어부는 기판 처리 도중 상기 DC 전원이 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하도록 제어할 수 있다.
상기 제어부는 상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 개시되면 상기 DC 전원의 양의 DC 전압 인가를 개시할 수 있다.
상기 제어부는 상기 공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면 상기 DC 전원의 양의 DC 전압 인가를 종료할 수 있다.
상기 제어부는 상기 양의 DC 전압 인가 종료 후, 상기 DC 전원이 기 설정된 시간 동안 상기 배플에 양의 DC 전압을 더 인가하도록 제어할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 구비되어 플라즈마 생성 공간과 기판 처리 공간을 연결하는 유입 덕트를 더 포함하며, 상기 배플은 상기 유입 덕트의 상기 공정 챔버 쪽 단부에 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 취급 방법은 기판 처리 장치가 기판 처리에 의해 발생되는 파티클을 취급하는 방법으로서, 가스 공급부가 플라즈마 챔버에 공정 가스를 주입하는 단계; 기판을 처리하기 위해 RF 전원이 플라즈마 소스에 RF 신호를 제공하는 단계; 및 상기 파티클에 의한 상기 기판의 오염을 방지하도록 DC 전원이 배플에 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 DC 전압을 인가하는 단계는: 상기 DC 전원이 상기 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 음의 DC 전압을 인가하는 단계는: 기판 처리 종료 후 상기 DC 전원이 상기 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 종료 후 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 단계는: 상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 종료되면, 상기 DC 전원이 음의 DC 전압 인가를 개시하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 종료 후 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 단계는: 공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면, 상기 DC 전원이 음의 DC 전압 인가를 종료하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 DC 전압을 인가하는 단계는: 상기 DC 전원이 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 양의 DC 전압을 인가하는 단계는: 기판 처리 도중 상기 DC 전원이 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 도중 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계는: 상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 개시되면, 상기 DC 전원이 양의 DC 전압 인가를 개시하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 도중 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계는: 공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면, 상기 DC 전원이 양의 DC 전압 인가를 종료하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 파티클 취급 방법은 상기 양의 DC 전압 인가 종료 후, 상기 DC 전원이 기 설정된 시간 동안 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 파티클 취급 방법은 컴퓨터로 실행될 수 있는 프로그램으로 구현되어, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 기록될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 파티클이 기판 상에 안착되는 것을 막아 기판의 오염을 방지하고 공정의 수율을 개선시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 공정 진행 도중 이루어지는 파티클 취급이 플라즈마 생성에 간섭하지 않아 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 챔버 내에 쌓인 파티클을 챔버 밖으로 효과적으로 배출시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 예시적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 파티클을 취급하기 위해 RF 전원 및 DC 전원을 제어하는 순서를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 파티클을 취급하기 위해 RF 전원 및 DC 전원을 제어하는 순서를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 취급 방법을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 DC 전압 인가 과정을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 DC 전압 인가 과정을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 파티클을 취급하기 위해 RF 전원 및 DC 전원을 제어하는 순서를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 파티클을 취급하기 위해 RF 전원 및 DC 전원을 제어하는 순서를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 취급 방법을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 DC 전압 인가 과정을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 DC 전압 인가 과정을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
이하, 본 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 예시적인 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(S) 상의 박막을 처리, 예컨대 세정, 식각 또는 애싱(ashing)할 수 있다. 처리하고자 하는 박막은 질화막일 수 있으며, 일 예에 의하면 질화막은 실리콘 질화막(Silicon nitride)일 수 있으나, 처리되는 박막의 종류는 이에 제한되지 않는다.
기판 처리 장치(10)는 공정 유닛(100), 배기 유닛(200) 및 플라즈마 발생 유닛(300)을 가질 수 있다. 공정 유닛(100)은 기판이 놓이고 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다. 배기 유닛(200)은 공정 유닛(100) 내부에 머무르는 공정 가스 및 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 유닛(100) 내의 압력을 설정 압력으로 유지할 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 외부에서 공급되는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성시키고, 이를 공정 유닛(100)으로 공급할 수 있다.
공정 유닛(100)은 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 그리고 배플(130)을 가질 수 있다. 공정 챔버(110)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(111)이 형성될 수 있다. 공정 챔버(110)는 상부벽이 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판은 개구를 통하여 공정 챔버(110)에 출입할 수 있다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 공정 챔버(110)의 바닥면에는 배기홀(112)이 형성될 수 있다. 배기홀(112)은 배기유닛(200)과 연결되며, 공정 챔버(110) 내부에 머무르는 가스와 반응 부산물이 외부로 배출되는 통로를 제공할 수 있다.
기판 지지부(120)는 기판(S)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(120)는 서셉터(121)와 지지축(122)을 포함할 수 있다. 서셉터(121)는 처리 공간(111) 내에 위치되며 원판 형상으로 제공될 수 있다. 서셉터(121)는 지지축(122)에 의해 지지될 수 있다. 기판(S)은 서셉터(121)의 상면에 놓일 수 있다. 서셉터(121)의 내부에는 전극(미도시)이 제공될 수 있다. 전극은 외부 전원과 연결되며, 인가된 전력에 의해 정전기를 발생시킬 수 있다. 발생된 정전기는 기판(S)을 서셉터(121)에 고정시킬 수 있다. 서셉터(121)의 내부에는 가열부재(125)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열부재(125)는 히팅 코일일 수 있다. 또한, 서셉터(121)의 내부에는 냉각부재(126)가 제공될 수 있다. 냉각부재는 냉각수가 흐르는 냉각라인으로 제공될 수 있다. 가열부재(125)는 기판(S)을 기 설정된 온도로 가열할 수 있다. 냉각부재(126)는 기판(S)을 강제 냉각시킬 수 있다. 공정 처리가 완료된 기판(S)은 상온 상태 또는 다음 공정 진행에 요구되는 온도로 냉각될 수 있다.
배플(130)은 서셉터(121)의 상부에 위치할 수 있다. 배플(130)에는 홀(131)들이 형성될 수 있다. 홀(131)들은 배플(130)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 배플(130)의 각 영역에 균일하게 형성될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 플라즈마 발생 유닛(300)은 공정 챔버(110)의 상부에 위치할 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(111)으로 공급할 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 RF 전원(311), 플라즈마 챔버(312) 및 코일(313)을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 플라즈마 발생 유닛(300)은 제 1 소스 가스 공급부(320), 제 2 소스 가스 공급부(322) 및 유입 덕트(340)를 더 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(312)는 공정 챔버(110)의 외부에 위치할 수 있다. 일 예에 의하면, 플라즈마 챔버(312)는 공정 챔버(110)의 상부에 위치되어 공정 챔버(110)에 결합될 수 있다. 플라즈마 챔버(312)에는 상면 및 하면이 개방된 방전 공간(311)이 내부에 형성될 수 있다. 플라즈마 챔버(312)의 상단은 가스 공급 포트(325)에 의해 밀폐될 수 있다. 가스 공급 포트(325)는 제 1 소스 가스 공급부(320)와 연결될 수 있다. 제 1 소스 가스는 가스 공급 포트(325)를 통해 방전 공간(311)으로 공급될 수 있다. 제 1 소스 가스는 이불화메탄(CH2F2, Difluoromethane), 질소(N2), 그리고 산소(O2)를 포함할 수 있다. 선택적으로 제 1 소스가스는 사불화탄소(CF4, Tetrafluoromethane) 등 다른 종류의 가스를 더 포함할 수 있다.
코일(313)은 유도 결합형 플라즈마(ICP) 코일일 수 있다. 코일(313)은 플라즈마 챔버(312) 외부에서 플라즈마 챔버(312)에 복수 회 감길 수 있다. 코일(313)은 방전 공간(311)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(312)에 감길 수 있다. 코일(313)의 일단은 RF 전원(311)과 연결되고, 타단은 접지될 수 있다.
RF 전원(311)은 코일(313)에 고주파 전력을 공급할 수 있다. 코일(313)에 공급된 고주파 전력은 방전 공간(311)에 인가될 수 있다. 고주파 전력에 의해 방전 공간(311)에는 유도 전기장이 형성되고, 방전 공간(311) 내 제 1 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환될 수 있다.
위에서는 코일(313)을 이용한 ICP 타입의 플라즈마 소스를 설명하였으나, 플라즈마 소스는 이에 제한되지 않고 서로 마주보는 전극들을 이용하는 CCP 타입으로도 구성될 수 있다.
유입 덕트(340)는 플라즈마 챔버(312)와 공정 챔버(110) 사이에 위치할 수 있다. 유입 덕트(340)는 공정 챔버(110)의 개방된 상면을 밀폐하며, 하단에 배플(130)이 결합될 수 있다. 유입 덕트(340)의 내부에는 유입 공간(341)이 형성될 수 있다. 유입 공간(341)은 방전 공간(311)과 처리 공간(111)을 연결하며, 방전 공간(311)에서 생성된 플라즈마가 처리 공간(111)으로 공급되는 통로로 제공할 수 있다.
유입 공간(341)은 유입구(341a)와 확산 공간(341b)을 포함할 수 있다. 유입구(341a)는 방전 공간(311)의 하부에 위치하며, 방전 공간(311)과 연결될 수 있다. 방전 공간(311)에서 생성된 플라즈마는 유입구(341a)를 통해 유입될 수 있다. 확산 공간(341b)은 유입구(341a)의 하부에 위치하며, 유입구(341a)와 처리 공간(111)을 연결할 수 있다. 확산 공간(341b)은 아래로 갈수록 단면적이 점차 넓어질 수 있다. 확산 공간(341b)은 역 깔때기 형상을 가질 수 있다. 유입구(341a)에서 공급된 플라즈마는 확산 공간(341b)을 통과하는 동안 확산될 수 있다.
방전 공간(311)에서 발생된 플라즈마가 공정 챔버(110)로 공급되는 통로에는 제 2 소스 가스 공급부(322)가 연결될 수 있다. 예컨대, 제 2 소스 가스 공급부(322)는 코일(313)의 하단이 제공되는 위치와 확산 공간(341b)의 상단이 제공되는 위치 사이에서 플라즈마가 흐르는 통로로 제 2 소스 가스를 공급할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 소스 가스는 삼불화질소(NF3, Nitrogen trifluoride)를 포함할 수 있다. 선택적으로 제 2 소스 가스의 공급 없이 제 1 소스 가스만으로 공정이 수행될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치(10)는 DC 전원(350) 및 상기 DC 전원을 제어하는 제어부(미도시)를 더 포함한다. 상기 DC 전원(350)은 상기 배플(130)에 DC 전압을 인가한다. 상기 제어부는 기판 처리에 의해 챔버 내에 발생된 파티클이 기판(S)을 오염시키지 않도록 상기 DC 전원(350)을 제어한다.
이와 같이, 상기 DC 전원(350)이 배플(130)에 DC 전압을 인가하는 경우, 상기 배플(130)은 절연체(미도시)를 통해 유입 덕트(340)의 하단에 결합된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 파티클을 취급하기 위해 RF 전원(311) 및 DC 전원(350)을 제어하는 순서를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 DC 전원(350)은 상기 배플(130)에 음의 DC 전압을 인가할 수 있다. 이 경우, 상기 제어부는 기판 처리 종료 후 상기 DC 전원(350)이 상기 배플(130)에 음의 DC 전압을 인가하도록 제어할 수 있다.
예를 들어, 도 2를 참조하면, 상기 RF 전원(311)은 시각 t1에 RF 신호를 출력하기 시작하여 플라즈마 소스(예컨대, 도 1의 코일(313))에 제공함으로써, 플라즈마 챔버(312) 내에 플라즈마가 생성되고 기판 처리 공정이 진행될 수 있다. 기판 처리 공정은 사전에 설정된 시간 동안 진행되고, 시각 t2에 상기 RF 전원(311)은 RF 신호의 출력을 종료하여 기판 처리 공정이 종료될 수 있다.
그러고 나서, 상기 제어부는 상기 RF 전원(311)의 RF 신호 출력이 종료되면, 시각 t2에 상기 DC 전원(350)이 상기 배플(130)로 음의 DC 전압을 인가하도록 제어할 수 있다. 상기 배플(130)에 대한 음의 DC 전압 인가는 공정 챔버(110)로부터 기판(S)이 인출될 때까지 지속될 수 있다. 즉, 상기 제어부는 상기 공정 챔버(110)로부터 상기 기판(S)이 인출되는 시각 t3에 상기 DC 전원(350)이 음의 DC 전압 인가를 종료하도록 제어할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 2를 참조로 설명한 바와 같이, 기판 처리 종료 후 배플(130)에 음의 DC 전압을 인가하는 경우, 음으로 대전되어 챔버 내에 플로팅된 파티클이 공정 종료 후에도 음으로 대전된 배플(130)에 의해 상기 배플(130)로부터 소정 간격만큼 이격되어 부유할 수 있다.
즉, 음의 DC 전압을 인가받아 음으로 대전된 배플(130)은 음으로 대전된 파티클에 척력을 가하여 상기 파티클이 상기 배플(130) 위에 부유하도록 한다. 그 결과, 공정이 종료된 후에도 파티클은 기판(S) 위에 떨어지지 않아 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
그 뒤, 기판(S)이 공정 챔버(110)로부터 인출되면, 상기 배플(130)은 더 이상 음의 DC 전압을 인가받지 않으므로, 상기 배플(130) 위에 플로팅된 파티클은 아래로 떨어져 배기 유닛(200)에 의해 챔버 밖으로 배출된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 파티클을 취급하기 위해 RF 전원(311) 및 DC 전원(350)을 제어하는 순서를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
전술한 실시예와 달리, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 DC 전원(350)은 상기 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가할 수 있다. 이 경우, 상기 제어부는 기판 처리가 진행되는 도중 상기 DC 전원(350)이 상기 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하도록 제어할 수 있다.
예를 들어, 도 4를 참조하면, 상기 RF 전원(311)이 시각 t1에 RF 신호를 출력하여 플라즈마 챔버(312) 내에 플라즈마가 생성될 때, 상기 DC 전원(350)도 시각 t1에 상기 배플(130)로 양의 DC 전압을 인가할 수 있다.
이 실시예에 따르면, 상기 배플(130)에 대한 양의 DC 전압 인가는 상기 RF 전원(311)이 RF 신호의 출력을 종료한 시각 t2 후에도 계속된다. 그러고 나서, 상기 DC 전원(350)은 공정 챔버(110)로부터 기판(S)이 인출되는 시각 t3에 상기 배플(130)에 대한 양의 DC 전압 인가를 종료할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 4를 참조로 설명한 바와 같이, 기판 처리 도중 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하는 경우, 음으로 대전된 파티클은 양으로 대전된 배플(130)에 부착된다. 즉, 양의 DC 전압을 인가받아 양으로 대전된 배플(130)과 음으로 대전된 파티클 사이에는 인력이 작용하여 상기 파티클이 상기 배플(130)에 부착될 수 있다. 그 결과, 공정 진행 중 발생된 파티클은 챔버 내에서 상기 배플(130)에 달라붙어 기판(S)이 챔버로부터 빠져나갈 때까지 기판 위에 떨어지지 않아 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
그 뒤, 기판(S)이 공정 챔버(110)로부터 인출되면, 상기 배플(130)에 인가되던 양의 DC 전압은 차단되고, 상기 배플(130)에 부착되어 있던 파티클은 배기 유닛(200)에 의해 챔버 밖으로 배출된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제어부는 양의 DC 전압 인가 종료 후, 상기 DC 전원(350)이 기 설정된 시간 동안 상기 배플(130)에 양의 DC 전압을 더 인가하도록 제어할 수 있다.
예를 들어, 도 4를 참조하면, 상기 DC 전원(350)은 배플(130)에 대한 양의 DC 전압 인가를 종료한 시각 t3 뒤에도, 기 설정된 시간 t' 동안 배플(130)에 양의 DC 전압을 더 인가할 수 있다.
그 결과, 배플(130)에 대한 양의 DC 전압 인가 종료 후에도 배플(130)에 부착되어 있는 파티클을 배플로부터 떨어뜨려 챔버 밖으로 파티클을 효과적으로 배출시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파티클의 거동을 나타내는 예시적인 도면이다.
도 5를 참조로 설명한 바와 같이, 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하여 공정 중 발생되는 파티클을 배플(130)에 부착시키는 경우, 배플(130)에 인가되는 양의 DC 전압을 차단하더라도 일부 파티클은 양으로 대전되어 여전히 배플(130)에 부착되어 있을 수 있다.
이 실시예에 따르면, 배플(130)에 대한 양의 DC 전압 인가가 종료된 후에도, 상기 DC 전원(350)이 소정 시간 동안 배플(130)에 양의 DC 전압을 한 번 더 인가하도록 함으로써, 상기 배플(130)에 붙어 있는 파티클을 챔버 밖으로 효과적으로 배출시킬 수 있다.
도 4에 도시된 실시예는 양의 DC 전압 인가가 종료된 시각 t3 후에 양의 DC 전압을 배플(130)에 한 번 더 인가하였으나, 그 횟수는 둘 또는 그 이상이 될 수도 있다.
나아가, 도 1을 참조로 설명한 바와 같이, 상기 기판 처리 장치(10)는 플라즈마 챔버(312)와 공정 챔버(110) 사이에 유입 덕트(340)를 더 구비하여 플라즈마가 생성되는 공간과 기판이 처리되는 공간을 연결할 수 있다. 이 경우, 배플(130)은 상기 유입 덕트(340)의 공정 챔버(110) 쪽 단부, 즉 하단에 결합될 수 있다.
그 결과, 배플(130)과 플라즈마 챔버(312) 간의 거리가 유입 덕트(340)의 사이즈만큼 확보되어, 전술한 바와 같이 배플(130)에 양의 DC 전압이 인가되더라도 배플(130)에 인가된 양의 전압은 플라즈마 생성에 영향을 미치지 않을 수 있다.
따라서, 전술한 파티클 취급을 위한 DC 전원(350)의 동작은 플라즈마 생성에 간섭하지 않아, 본 발명의 실시예에 따른 파티클 취급이 공정의 생산성을 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파티클 취급 방법(20)을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
상기 파티클 취급 방법(20)은 전술한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)에 의해 수행되어 파티클에 의한 기판(S)의 오염을 방지한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 파티클 취급 방법(20)은 가스 공급부(320)가 플라즈마 챔버(312)에 공정 가스를 주입하는 단계(S210), 기판(S)을 처리하기 위해 RF 전원(311)이 플라즈마 소스(313)에 RF 신호를 제공하는 단계(S220), 및 파티클에 의한 기판(S)의 오염을 방지하도록 DC 전원(350)이 배플(130)에 DC 전압을 인가하는 단계(S230)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 DC 전압을 인가하는 단계(S230)는 상기 DC 전원(350)이 상기 배플(130)에 음의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 음의 DC 전압을 인가하는 단계는 기판 처리 종료 후 상기 DC 전원(350)이 상기 배플(130)에 음의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 DC 전압 인가 과정(S230)을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 기판 처리 종료 후 배플(130)에 음의 DC 전압을 인가하는 단계는, RF 전원(311)의 RF 신호 출력이 종료되면, DC 전원(350)이 음의 DC 전압 인가를 개시하는 단계(S231)를 포함할 수 있다.
나아가, 상기 기판 처리 종료 후 배플(130)에 음의 DC 전압을 인가하는 단계는, 공정 챔버(110)로부터 기판(S)이 인출되면, DC 전원(350)이 음의 DC 전압 인가를 종료하는 단계(S232)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 DC 전압을 인가하는 단계(S230)는 DC 전원(350)이 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 양의 DC 전압을 인가하는 단계는 기판 처리 도중 상기 DC 전원(350)이 상기 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 DC 전압 인가 과정(S230)을 설명하는 예시적인 흐름도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 기판 처리 도중 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하는 단계는, RF 전원(311)의 RF 신호 출력이 개시되면, DC 전원(350)이 양의 DC 전압 인가를 개시하는 단계(S233)를 포함할 수 있다.
나아가, 상기 기판 처리 도중 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하는 단계는, 공정 챔버(110)로부터 기판(S)이 인출되면, DC 전원(350)이 양의 DC 전압 인가를 종료하는 단계(S234)를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 파티클 취급 방법(20)은, 양의 DC 전압 인가 종료(S234) 후, DC 전원(350)이 기 설정된 시간 t' 동안 배플(130)에 양의 DC 전압을 인가하는 단계(S235)를 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 실시예에 따른 파티클 취급 방법(20)은 컴퓨터에서 실행되기 위한 프로그램으로 제작되어 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체에 저장될 수 있다. 상기 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 저장장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있다.
이상에서 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 위 실시예는 단지 본 발명의 사상을 설명하기 위한 것으로 이에 한정되지 않는다. 통상의 기술자는 전술한 실시예에 다양한 변형이 가해질 수 있음을 이해할 것이다. 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구범위의 해석을 통해서만 정해진다.
10: 기판 처리 장치
100: 공정 유닛
110: 공정 챔버
120: 기판 지지부
130: 배플
200: 배기 유닛
300: 플라즈마 발생 유닛
311: RF 전원
312: 플라즈마 챔버
313: 코일
340: 유입 덕트
350: DC 전원
S: 기판
100: 공정 유닛
110: 공정 챔버
120: 기판 지지부
130: 배플
200: 배기 유닛
300: 플라즈마 발생 유닛
311: RF 전원
312: 플라즈마 챔버
313: 코일
340: 유입 덕트
350: DC 전원
S: 기판
Claims (22)
- 기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 플라즈마 챔버에 설치되어 상기 공정 가스로부터 상기 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스;
상기 플라즈마 소스에 상기 플라즈마를 생성하기 위한 RF 신호를 제공하는 RF 전원;
상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 플라즈마를 상기 공정 챔버 내 처리 공간에 균일하게 공급하는 배플;
상기 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 DC 전원;
기판 처리에 의해 상기 공정 챔버 내에 발생된 파티클을 배출하는 배기부; 및
상기 파티클에 의한 상기 기판의 오염을 방지하도록 상기 DC 전원을 제어하여 상기 파티클을 취급하되, 기판 처리 종료 후 상기 DC 전원이 상기 배플에 음의 DC 전압을 인가하도록 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 종료되면 상기 DC 전원의 음의 DC 전압 인가를 개시하는 기판 처리 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면 상기 DC 전원의 음의 DC 전압 인가를 종료하는 기판 처리 장치. - 기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 플라즈마 챔버에 설치되어 상기 공정 가스로부터 상기 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스;
상기 플라즈마 소스에 상기 플라즈마를 생성하기 위한 RF 신호를 제공하는 RF 전원;
상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 플라즈마를 상기 공정 챔버 내 처리 공간에 균일하게 공급하는 배플;
상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 DC 전원;
기판 처리에 의해 상기 공정 챔버 내에 발생된 파티클을 배출하는 배기부; 및
상기 파티클에 의한 상기 기판의 오염을 방지하도록 상기 DC 전원을 제어하여 상기 파티클을 취급하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 제어부는 기판 처리 도중 상기 DC 전원이 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하도록 제어하는 기판 처리 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 개시되면 상기 DC 전원의 양의 DC 전압 인가를 개시하는 기판 처리 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면 상기 DC 전원의 양의 DC 전압 인가를 종료하는 기판 처리 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 양의 DC 전압 인가 종료 후, 상기 DC 전원이 기 설정된 시간 동안 상기 배플에 양의 DC 전압을 더 인가하도록 제어하는 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 구비되어 플라즈마 생성 공간과 기판 처리 공간을 연결하는 유입 덕트를 더 포함하며,
상기 배플은 상기 유입 덕트의 상기 공정 챔버 쪽 단부에 결합되는 기판 처리 장치. - 기판 처리 장치가 기판 처리에 의해 발생된 파티클을 취급하는 방법에 있어서,
가스 공급부가 플라즈마 챔버에 공정 가스를 주입하는 단계;
기판을 처리하기 위해 RF 전원이 플라즈마 소스에 RF 신호를 제공하는 단계; 및
상기 파티클에 의한 상기 기판의 오염을 방지하도록 기판 처리 종료 후 DC 전원이 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함하는 파티클 취급 방법. - 삭제
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,
상기 기판 처리 종료 후 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 단계는:
상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 종료되면, 상기 DC 전원이 음의 DC 전압 인가를 개시하는 단계를 포함하는 파티클 취급 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 기판 처리 종료 후 배플에 음의 DC 전압을 인가하는 단계는:
공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면, 상기 DC 전원이 음의 DC 전압 인가를 종료하는 단계를 더 포함하는 파티클 취급 방법. - 기판 처리 장치가 기판 처리에 의해 발생된 파티클을 취급하는 방법에 있어서,
가스 공급부가 플라즈마 챔버에 공정 가스를 주입하는 단계;
기판을 처리하기 위해 RF 전원이 플라즈마 소스에 RF 신호를 제공하는 단계; 및
상기 파티클에 의한 상기 기판의 오염을 방지하도록 DC 전원이 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함하는 파티클 취급 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 양의 DC 전압을 인가하는 단계는:
기판 처리 도중 상기 DC 전원이 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 포함하는 파티클 취급 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 기판 처리 도중 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계는:
상기 RF 전원의 RF 신호 출력이 개시되면, 상기 DC 전원이 양의 DC 전압 인가를 개시하는 단계를 포함하는 파티클 취급 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 기판 처리 도중 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계는:
공정 챔버로부터 상기 기판이 인출되면, 상기 DC 전원이 양의 DC 전압 인가를 종료하는 단계를 더 포함하는 파티클 취급 방법. - 제 20 항에 있어서,
상기 양의 DC 전압 인가 종료 후, 상기 DC 전원이 기 설정된 시간 동안 상기 배플에 양의 DC 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 파티클 취급 방법. - 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서,
제 12 항 또는 제 17 항에 따른 파티클 취급 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10796891B2 (en) | 2017-10-17 | 2020-10-06 | Semes Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20210027648A (ko) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 챔버 클리닝 방법 |
| KR20210064174A (ko) * | 2019-11-13 | 2021-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110459458B (zh) * | 2019-08-29 | 2021-12-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 等离子体刻蚀工艺 |
| US20220108874A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Low current high ion energy plasma control system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090005535A (ko) * | 2007-07-09 | 2009-01-14 | 한양대학교 산학협력단 | 활성화된 플라즈마 처리장치 |
| KR20110110056A (ko) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184489B1 (en) * | 1998-04-13 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| JP4073204B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2008-04-09 | 株式会社荏原製作所 | エッチング方法 |
| KR100663351B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| KR100653073B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 기판처리장치와 기판처리방법 |
| KR101385750B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2014-04-18 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용하는 기판 처리 장치 및 방법 |
-
2014
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090005535A (ko) * | 2007-07-09 | 2009-01-14 | 한양대학교 산학협력단 | 활성화된 플라즈마 처리장치 |
| KR20110110056A (ko) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10796891B2 (en) | 2017-10-17 | 2020-10-06 | Semes Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20210027648A (ko) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 챔버 클리닝 방법 |
| KR102290909B1 (ko) * | 2019-08-30 | 2021-08-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 챔버 클리닝 방법 |
| KR20210064174A (ko) * | 2019-11-13 | 2021-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
| KR102404472B1 (ko) * | 2019-11-13 | 2022-05-31 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
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