KR100714898B1 - 중성빔을 이용한 기판 처리장치 및 처리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 중성빔을 이용한 기판 처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 처리장치는 이온이 발진하는 이온 소오스, 이온 소오스로부터 발진한 이온이 입사되어 2n(n=양의 정수)회 소정각도로 충돌하여 중성빔으로 중성화되고, 중성빔이 상기 이온의 발진 각도로 복원되도록 하는 반사체, 반사체를 통과한 중성빔이 입사되어 처리가 수행되는 기판을 구비하여 이온 소오스와 기판의 표면이 서로 수직 상태를 유지한 상태에서도 중성화된 중성빔이 기판에 입사되는 각도가 수직이 되도록 함으로써 처리장치의 수직 배치 및 제작이 가능토록 하여 처리장치의 제조 및 관리가 용이하도록 하고, 중성빔의 입사 균일도와 기판 처리시의 처리 균일도가 보다 향상되도록 한다.

Description

중성빔을 이용한 기판 처리장치 및 처리방법{Substrate processing apparatus for using neutral beam and its processing methods}

도 1은 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리장치의 개념도이다.

도 2는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리장치의 구성도이다.

도 3은 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리장치에서 이온의 충돌 상태를 도시한 도면이다.

도 4a는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리장치에서 반사체에 대한 첫 번째 실시예를 도시한 도면이다.

도 4b는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리장치에서 반사체에 대한 두 번째 실시예를 도시한 도면이다.

도 5는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리방법을 도시한 블록도이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

100...챔버

200...이온 소오스

300...제 1반사체

500...기판

본 발명은 중성빔을 이용한 기판 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온이 충돌하여 중성화되는 반사체를 개선하여 이온을 발생시키는 이온 소오스와 기판의 표면이 수직상태를 유지할 수 있도록 한 중성빔을 이용한 기판 처리장치 및 그 처리방법에 관한 것이다.

일반적으로 플라즈마 처리장치는 건식식각이나, 물리적 또는 화학적 기상 증착 등에 사용되는 것이다. 이 플라즈마 처리장치는 챔버에 고주파 전력을 인가하고, 동시에 챔버 내부로 반응가스를 공급하여 반응가스가 챔버 내부에서 해리되어 글로우 방전에 의하여 플라즈마가 여기되도록 한다. 이때 플라즈마에서 발생한 이온을 이용하여 기판에 대한 처리를 수행한다.

한편, 근래에는 반도체 소자가 고집적화 됨에 따라 집적회로의 디자인룰이 0.1 마이크로 이하로 발전하고 있다. 따라서 이러한 초미세 반도체 소자의 제조를 위해서는 반도체 처리장치의 공정 조건 또한 더불어 엄격해지고 있다. 이러한 요구에 따라 플라즈마 처리 장치의 경우도 지속적으로 성능 개선이 이루어지고 있는데, 이는 주로 플라즈마의 밀도를 높이거나 플라즈마의 분포를 균일하게 하는 기술이 주류를 이루고 있다.

그러나 플라즈마는 아무리 성능을 개선한다고 하더라도 기본적인 물리적 성질에 있어서 특징적인 한계를 가지고 있다. 즉 플라즈마는 대전된 이온 입자군으로 되어 있다. 따라서 이 이온들은 공정 수행시 다양한 문제점을 유발시키는데 예를 든다면 기판의 특정 물질층을 비정질층으로 변환시키거나, 기판 표면층의 화학적 조성을 변화시키거나, 또는 기판 표면층에 댕글링 결합(dangling bond)을 유발시키거나 또는 게이트 절연막의 차지업(charge up) 손상을 유발시키는 문제점이 있다.

이러한 문제를 해결하기 위한 것으로 중성빔 이용한 반도체 처리장치가 있다. 즉 플라즈마에서 발생한 이온을 중성화시켜 기판의 표면으로 향하도록 하여 기판 처리를 수행하도록 하는 것이다. 이온을 중성화하는 방법은 이온과 중성자를 충돌시키거나, 이온과 전자를 충돌시키거나 또는 이온을 금속판에 충돌시키는 방법이 있다.

여기서 이온을 중성화시키기 위하여 금속판을 사용하는 경우가 미국특허 4,662,977에 개시되어 있다. 이 금속판을 '977특허에서는 중성화 판(neutralizer plate)이라고 하고 있으며. 이 중성화 판은 각도 조절이 가능하게 설치되어 이온을 주사방향에 대하여 소정 각도로 편향시켜 기판으로 향하도록 하고 있다.

그런데 이와 같이 중성화 판을 이용하여 이온을 충돌시킨 후 기판을 향하도록 하게 되면 플라즈마 소오스와 기판 사이가 이때의 충돌각도 만큼 기울어져야 한다. 하지만 이렇게 기울어진 각도로 장비를 제조하거나 관리하는 것은 매우 힘들다. 또한 기울어진 플라즈마 소오스로 인하여 다수의 위치별로 이온 경로가 달라지게 되어 입사 균일도(incidence uniformity)가 나빠지게 되는 문제점이 발생한다.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 이온이 중성화되어 반사되는 반사판에 입사되는 이온을 서로 대칭하는 방향으로 2n(n=양의 정수(integral number))회 충돌시켜 플라즈마 소오스에서 발진한 이온의 진행방향과 기판의 표면이 수직상태가 되도록 한 중성빔을 이용한 기판 처리장치 및 처리방법을 제공하기 위한 것이다.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리장치는 이온이 발진하는 이온 소오스; 상기 이온 소오스로부터 발진한 상기 이온이 입사되어 서로 다른 방향으로 2n(n=양의 정수)회 충돌하여 중성빔으로 중성화되고, 상기 중성빔이 상기 이온의 발진 각도로 복원되도록 하는 반사체; 상기 반사체를 통과한 상기 중성빔이 입사되어 처리가 수행되는 기판을 구비한다.

그리고 상기 이온의 첫 번째 충돌과 상기 첫 번째 충돌 다음의 두 번째 충돌은 서로 대칭하는 방향으로 발생하는 것이 바람직하다.

또한 상기 이온의 입사각도와 상기 중성빔의 복원된 각도는 상기 기판의 표면에 대하여 수직상태가 되는 것이 바람직하고, 상기 이온과 상기 반사체의 충돌각도는 3 - 10° 인 것이 바람직하다.

또한 상기 이온 소오스는 플라즈마 발생부와 상기 플라즈마 발생부로부터 상기 이온을 추출하여 발진시키는 그리드 유닛을 포함하는 것이 바람직하다.

또한 상기 반사체는 상기 이온 소오스와 상기 기판 사이에 서로 평행하게 배치된 복수개의 반사판을 포함하는 것이 바람직하고, 상기 반사판은 첫 번째 충돌이 발생하는 제 1반사판과, 상기 제 1반사판과 마주하며 두 번째 충돌이 발생하는 제 2반사판으로 구성되는 것이 바람직하다.

또한 상기 반사체의 다른 기술적 구성으로는 첫 번째 충돌이 발생하는 제 1반사체와, 상기 제 1반사체와 상기 기판 사이에 제 1반사체와 분리되어 설치되며 두 번째 충돌이 발생하는 제 2반사체로 마련될 수 있다. 이때 각각의 반사체는 다수개의 반사판이 서로 평행하게 배치되어 구성될 수 있다.

그리고 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리방법은 플라즈마로부터 이온을 추출하는 단계; 추출된 이온을 소정각도로 충돌시켜 상기 이온이 충돌하기 전의 각도로 복원된 중성빔으로 중성화시키는 단계; 상기 중성빔을 상기 기판에 조사하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리단계로 마련된다.

그리고 상기 중성화시키는 단계는 상기 이온이 충돌하여 중성빔으로 중성화되는 중성화 충돌단계와, 상기 중성빔이 충돌하여 상기 이온의 충돌전 각도로 복원되도록 하는 각도 복원단계로 구성되는 것이 바람직하다.

또한 상기 이온의 충돌 전 각도와 상기 중성빔의 복원된 각도는 상기 기판의 표면에 대하여 수직인 것이 바람직하고, 또한 상기 소정각도는 3 - 10° 인 것이 바람직하고, 상기 기판 처리단계는 식각일 수 있다. 이 식각은 반도체 소자, 박막 디스플레이 또는 초미세 전기 기계 시스템의 제조를 위한 것일 수 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리장치에 대한 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이 이온 소 오스(200)와 반사체(300) 그리고 기판(500)을 구비하고, 기판(500)이 안착되는 기판 스테이지를 구비한다. 여기서 이온 소오스(200)와 기판(500)은 서로 평행하게 설치되며, 이온 소오스(200)로부터 발진한 이온의 각도는 반사체(300)에서 중성화되어 기판(500)에 입사되는 중성빔의 각도와 동일하게 유지된다.

즉 이온이 반사체(300)로 발진하는 각도가 기판(500)의 표면에 대하여 수직이면 반사체(300)를 거쳐 기판(500)에 입사되는 중성빔의 각도도 수직으로 구현된다. 여기서의 수직은 장치의 개념적 설계에서 구현하고자 하는 목표이다. 따라서 장치의 실제 제작시에는 오차가 발생할 수 있으며, 본 실시예에서 언급하는 수직은 이러한 오차범위를 포함한 개념이다.

도 2를 참조하여 보다 구체적으로 처리장치의 실시예를 설명한다. 기판 처리장치는 챔버(100)와 이 챔버(100) 내부에 설치된 이온 소오스(200)를 구비한다. 이온 소오스(200)는 플라즈마 발생부(210)와 이 플라즈마 발생부(210)의 하측에 설치된 그리드 유닛(220)으로 마련된다.

플라즈마 발생부(210)는 유도코일(211)에 유도전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 유도 결합 플라즈마(ICP:Inductivity Coupled Plasma), 또는 축전 결합형 플라즈마(CCP:Capacitively Couple Plasma)를 채용할 수 있다.

그리드 유닛(220)은 각각에 서로 연통하는 제 1관통홀(221a)이 형성된 제 1그리드(221)와 제 2관통홀(222a)이 형성된 제 2그리드(222)를 구비한다. 제 1그리드(221)와 제 2그리드(222)에는 각각 서로 다른 크기의 전압이 인가되어 이 제 1그리드(221)와 제 2그리드(222)의 전위차로 플라즈마의 이온을 관통홀로 추출하는 기 능을 한다. 한편, 도면에 도시되지 않았지만 별도로 제 3그리드를 설치할 수 있다. 이때의 제 3그리드는 이온의 방향성을 양호하게 유지시키기 위하여 접지되어 설치된다.

한편, 그리드 유닛(220)을 통과한 이온은 그리드 유닛(220)에서 기판(500)의 표면에 대하여 대체로 수직 방향으로 발진한다. 이때 발진하는 이온들의 발진 각도는 실제적으로 미세한 차이가 있을 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 사상에서는 이때의 발진 각도 차이를 본 실시예에서 언급하고 있는 수직의 개념에 포함시킨 것이다.

그리드 유닛(220)의 하부에는 반사체(300)가 설치된다. 반사체(300)는 도 3과 도 4a에 도시된 바와 내부에 일정간격으로 배치된 다수개의 반사판이 경사지게 설치되어 단면 형상이 대체로 그릴 형태로 형성된다.

이 반사체(300)는 접지되어 설치될 수 있다. 그리고 반사판의 재질은 탄탈륨(Tantalum), 백금(Platinum), 몰디브덴(Molybdenum), 텅스텐(Tungsten), 금(Aurum) 또는 스테인레스(Stainless) 등의 금속 재질로 형성된다. 다른 실시예로 반사체는 원통체의 관에 다수의 경사진 홀이 형성된 형태로도 형성할 수 있다.

반사체(300)에서 이온이 2n(n=양의 정수)회 충돌하여 통과하는 경로는 도 3에 도시된 바와 같이 서로 평행하게 설치되며 3 - 10° 정도의 각도로 경사지게 설치된 제 1반사판(310)과 제 2반사판(320) 사이에 형성된다. 그리고 이온의 충돌 횟수는 최소 두 번 이상, 2n(n=양의 정수)회가 되어야 한다.

한편, 이온과 반사판(310)(320)의 충돌각도가 3° 미만인 경우에는 이온의 중성화 비율이 급격하게 떨어지고, 10°를 초과하게 되면 반사판(310)(320)에서 불필요한 스퍼터링이 과다하게 발생한다. 따라서 충돌각도는 3 - 10° 정도가 적절하다.

따라서 경로 내에서 이온은 제 1반사판(310)에서 3 - 10°의 각도로 첫 번째 충돌하고, 이후 첫 번째 충돌시의 대칭 위치로 반사되어 제 2반사판(320)에서 3 - 10°의 각도로 두 번째 충돌한다. 첫 번째 충돌에서 이온은 중성빔으로 중성화되고, 두 번째 충돌에서 이온은 최초 제 1반사판(310)에 충돌할 때 입사되었던 각도로 복원하게 된다. 따라서 반사체(300)의 길이는 두 번의 충돌이 이루어질 수 있을 정도의 길이로 되어야 한다.

도 3을 참조하여 이온이 반사판에 충돌하는 각도가 "θ"이고, 첫 번째 충돌 후 두 번째 충돌까지의 거리가 "L"이라고 하고, 제 1반사판(310)과 제 2반사판(320) 사이의 간격, 즉 충돌경로의 폭이 "W"라고 할 경우 반사체(300)의 길이를 SINθ =

와 같은 수학식으로 구할 수 있다. 따라서 반사체(300)의 길이는 "L"과 같거나 "L" 보다 길어야 하고, "2L" 미만으로 짧아야 두 번째 충돌 후 세 번째 충돌이 발생하지 않는다.

한편, 중성화에 대한 이론적 근거는 비.에이.헬머(B.A.Helmer) 및 디.비.그래이브스(D.B.Graves)에 의해 발표된 논문 " Molecular dynamics simulations of Cl 2+ impacts onto a chlorinated silicon surface: Energies and angles of the reflected Cl 2 and Cl fragments"(J.Vac. Sci. Technol. A 17(5), Sep/Oct 1999) 에 개시되어 있다.

반사체(300)의 하부에는 그리드 유닛(220)의 표면과 평행하게 배치된 기판 스테이지(600)가 설치된다. 기판 스테이지(600)에는 중성빔에 의한 기판(500) 처리가 이루어지는 기판(500)이 기판 스테이지(600)에 평행하게 안착된다. 기판(500)은 반도체 소자 제조용 웨이퍼일 수 있지만 박막 디스플레이나 초미세 구조물이 적용될 수 도 있다. 그리고 기판(500)의 처리는 식각일 수 있다.

한편, 반사체는 도 4a에 도시된 실시예와 같이 하나의 반사체(300)에서 두 번의 충돌이 이루어지도록 할 수 있지만 다른 실시예로 도 4b에 도시된 바와 같이 별도로 구분된 두 개의 반사체(300)(400)에서 충돌이 각각 한번씩 이루어지도록 할 수 있다.(도 4a와 도 4b에서 동일 구성에 대한 부호는 동일한 부호를 사용한다.)

도 4b에 도시된 실시예에서의 반사체는 그리드 유닛(220)에 인접하여 첫 번째 이온 충돌이 발생하여 이온이 중성화되는 제 1반사체(300)와, 이 제 1반사체(300)의 하부에 제 1반사체(300)와 별개로 마련되고 두 번째 충돌이 발생하여 중성빔의 입사각이 최초 이온의 충돌각으로 복원되도록 하는 제 2반사체(400)로 구성된다.

이렇게 두개의 반사체(300)(400)를 별도로 구성하게 되면 이온의 충돌이 하나의 반사체에서 한번만 이루어지기 때문에 이온의 충돌에 의한 반사체의 과열을 최소화 할 수 있다. 그리고 제 2반사체(400)의 경우는 이온에 대한 중성화가 이루어지지 않기 때문에 금속 외에 세라믹 또는 강화 수지 등과 같은 다양한 재질로도 채용할 수 있다.

그리고 첫 번째 충돌이 수행되는 제 1반사체(300)와 두 번째 충돌이 이루어지는 제 2반사체(400)의 전체 길이는 상술한 수학식을 이용하여 반사체의 길이와 각각의 반사체에 설치된 반사판의 폭을 설정할 수 있다.

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리방법에 대하여 설명한다. 도 2와 도 5를 참조하여 설명하면 먼저 이온을 이온 소오스(200)로부터 추출하는 단계를 거친다(S10). 이온의 추출을 위하여 이온 소오스(200)의 플라즈마 발생부(210)에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마 발생부(210)에 플라즈마를 발생시킨다. 이때의 플라즈마 발생을 위하여 필요한 C_XF_Y 계 등과 같은 반응가스를 플라즈마 발생부(210) 내부로 함께 공급하고, 또한 그 내부는 10^{-3 -} 10^-5torr 정도의 압력으로 유지시킨다.

그리고 플라즈마 발생부(210)로부터 발생된 플라즈마로부터 이온을 추출한다. 이온의 추출은 그리드 유닛(220)에서 수행한다. 즉 제 1그리드(221)와 제 2그리드(222)에 각각 다른 전압(V₁, V₂)을 인가하고, 이때의 전압 차에 의하여 플라즈마의 이온이 추출되도록 한다(S21). 이때의 전위는 100 - 1,000V 정도를 처리되는 기판(500)의 막질에 따라 선택할 수 있다. 그리고 추출된 이온은 기판(500)의 표면에 대하여 수직 상태로 발진하도록 한다.

이렇게 이온이 추출되면 추출된 이온을 중성화시켜 중성빔으로 만들고, 이 중성빔을 이온의 입사각으로 복원시키는 단계를 거친다(S20). 이 단계에서 이온은 먼저 반사체에 3 - 10도의 각도로 충돌한다. 이때의 충돌로 이온은 반사체로부터 전자를 얻어 중성빔으로 중성화된다(S21). 그리고 중성빔은 다시 반사체에 첫 번째 충돌과 대칭하는 방향으로 두 번째 충돌하게 된다. 이때의 두 번째 충돌로 중성빔은 이온이 첫 번째 충돌할 때 입사된 각도로 복원된다(S22). 이후 기판(500)에 대하여 수직한 각도로 복원된 중성빔은 기판(500)에 도달하여 식각과 같은 필요한 기판(500) 처리를 수행한다(S30).

전술한 바와 같은 본 발명의 실시예 외에 각각의 구성요소들을 일부 변형하여 다르게 실시할 수 있을 것이다. 즉 반사체의 형상이나 재질 기판의 종류 그리고 이온 소오스의 종류 또는 크기 및 구성 등은 필요한 처리방법에 따라 변형 실시할 수 있고, 또한 식각장치 뿐만아니라 증착장치 및 그 외에 기판 처리가 이루어지는 다른 종류의 장치들에도 적용이 가능하다.

그러나 기본적으로 이온을 2n(n=양의 정수)회 충돌시켜 이온의 발진각도와 중성빔의 기판에 대한 입사각도를 동일하게 유지시키고, 더욱이 중성빔의 입사각도를 기판에 대하여 수직하게 구현하도록 한 것이라면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.

이상과 같은 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 기판 처리장치 및 처리방법은 이온 소오스와 기판의 표면이 서로 수직 상태를 유지한 상태에서도 중성화된 중성빔이 기판에 입사되는 각도가 수직이 되도록 함으로써 처리장치의 수직 배치 및 제작이 가능토록 하여 처리장치의 제조 및 관리가 용이하도록 하고, 또한 이온 소오스가 기판의 표면에 대하여 수직 상태로 위치하게 됨에 따라 빔의 경로의 차에 의 한 입사 균일도와 기판 처리시의 처리 균일도가 보다 향상되도록 하는 효과가 있다.

Claims (23)

1. 플라즈마 발생부;

   상기 플라즈마 발생부로부터 이온을 추출하여 그 하방을 향하도록 발진시키는 그리드 유닛;

   상기 그리드유닛으로부터 발진된 상기 이온이 입사되어, 상기 이온이 중성빔으로 중성화되도록 상기 이온이 첫 번째 충돌되는 제 1반사체;

   상기 제 1반사체의 설치 경로를 따라 위치되어, 상기 중성빔이 상기 이온의 입사각으로 복원되도록 두 번째 충돌되는 제 2반사체;

   상기 제 2반사체를 통과한 상기 중성빔이 입사되어 처리가 수행되는 기판이 안착되는 기판 스테이지를 구비한 것을 특징으로 하는 식각장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 첫 번째 충돌방향과 상기 두 번째 충돌방향은 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 식각장치.
3. 제 1항에 있어서, 상기 이온의 입사각은 상기 기판의 표면에 대하여 수직인 것을 특징으로 하는 식각장치.
4. 제 1항에 있어서, 상기 중성빔의 상기 기판의 표면에 대한 입사각은 상기 기판의 표면에 대하여 수직인 것을 특징으로 하는 식각장치.
5. 제 1항에 있어서, 상기 충돌은 2n(n=양의 정수)회 발생하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
6. 제 1항에 있어서, 상기 이온과 상기 반사체들 각각의 충돌 각도는 3 - 10° 인 것을 특징으로 하는 식각장치.
7. 제 1항에 있어서, 상기 제 1반사체는 상기 그리드 유닛과 상기 기판 사이에 서로 평행하게 배치된 복수개의 제 1반사판들을 구비하고, 상기 제 2반사체는 상기 제 1반사판들과 상기 기판의 사이에 서로 평행하도록 배치되되, 상기 제 1반사판들의 설치 경로를 따라 상기 제 1반사판들과 분리되도록 설치되는 제 2반사판들을 구비하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
8. 제 7항에 있어서, 상기 제 1반사판들은 상기 첫 번째 충돌이 발생되며, 상기 제 2반사판들은 상기 두 번째 충돌이 발생되는 것을 특징으로 하는 식각장치.
9. 삭제
10. 이온이 발진하는 이온 소오스;

    상기 이온 소오스로부터 발진한 상기 이온이 입사되어 서로 다른 방향으로 2n(n=양의 정수)회 충돌하여 중성빔으로 중성화되고 상기 중성빔이 상기 이온의 발진 각도로의 복원이 이루어지도록 되는 경우에 상기 이온과 상기 중성빔을 각각 일회씩 충돌시키는 반사체;

    상기 반사체를 통과한 상기 중성빔이 입사되어 처리가 수행되는 기판을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
11. 제 10항에 있어서, 상기 이온의 첫 번째 충돌과 상기 첫 번째 충돌 다음의 두 번째 충돌은 서로 대칭하는 방향으로 발생하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
12. 제 11항에 있어서, 상기 충돌 각도는 3 - 10° 인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
13. 제 10항에 있어서, 상기 이온의 입사 각도와 상기 중성빔의 복원된 각도는 상기 기판의 표면에 대하여 수직인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
14. 제 10항에 있어서, 상기 이온 소오스는 플라즈마 발생부와 상기 플라즈마 발생부로부터 상기 이온을 추출하여 발진시키는 그리드 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
15. 삭제
16. 삭제
17. 제 10항에 있어서, 상기 반사체는 제 1반사체와 제 2반사체를 구비하되,

    상기 제 1반사체는 상기 이온 소오스와 상기 기판 사이에 서로 평행하게 배치되어 첫 번째 충돌이 발생되는 복수개의 제 1반사판들을 구비하고, 상기 제 2반사체는 상기 제 1반사판들과 상기 기판의 사이에 서로 평행하도록 배치되되, 상기 제 1반사판들의 설치 경로를 따라 상기 제 1반사판들과 분리되도록 설치되어 두 번째 충돌이 발생되는 제 2반사판들을 구비하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
18. 플라즈마로부터 이온을 추출하는 단계;

    상기 추출된 이온을 제 1반사체에 소정각도로 첫 번째 충돌시켜 중성빔으로 중성화 시키는 중성화 충돌단계;

    상기 제 1반사판들의 설치 경로를 따라 상기 제 1반사판들과 분리되도록 설치되는 제 2반사판들에 상기 중성빔을 상기 이온의 충돌 전 각도로 복원되도록 하는 각도 복원단계; 및

    상기 각도가 복원된 중성빔을 상기 기판에 조사하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리단계로 된 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
19. 제 18항에 있어서, 상기 충돌은 2n(n=양의 정수)회 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
20. 삭제
21. 제 18항에 있어서, 상기 이온의 충돌 전 각도와 상기 중성빔의 복원된 각도는 상기 기판의 표면에 대하여 수직인 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
22. 제 18항에 있어서, 상기 소정각도는 3 - 10° 인 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
23. 제 18항에 있어서, 상기 기판 처리단계는 식각인 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.

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