JPH088234A

JPH088234A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH088234A
Application number: JP6164759A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Yanagi; 良明柳; Yoshihisa Hirano; 能久平野
Original assignee: M C ELECTRON KK
Current assignee: M C ELECTRON KK
Priority date: 1994-06-23
Filing date: 1994-06-23
Publication date: 1996-01-12

Abstract

(57)【要約】【目的】ＬＣＤ基板等の広面積の基板を多数枚同時に
プラズマ処理する場合に好適なバッチ方式の新規なプラ
ズマ処理装置を提供する。【構成】ガス供給路（２）及び真空系に接続されたガ
ス排出路（３）を有するチャンバー（１）と、チャンバ
ー（１）に対して出し入れ可能に構成された複数組の平
行平板電極（４）、（４）…と、各組の平行平板電極
（４）、（４）…の間で基板を水平に保持する基板保持
手段とを備え、しかも、各組の平行平板電極（４）、
（４）…において、基板の上方に位置する各電極板（４
１）、（４１）…は、順次に接続され且つ最上段（又は
最下段）の電極板（４１）が高周波電源印加側に接続さ
れ、基板の下方に位置する各電極板（４２）、（４２）
…は、順次に接続され且つ最下段（又は最上段）の電極
板（４２）が接地されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
するものであり、詳しくは、特に、ＬＣＤ用基板等の広
面積の基板を多数枚同時にプラズマ処理する場合に好適
なバッチ方式の新規なプラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知の通り、プラズマ処理装置は、シリ
コン基板やガラス基板にＣＶＤ、エッチング、アッシン
グ等の各種の乾式処理を施す反応器であり、基板を１枚
づつ処理する枚葉方式の装置、または、多数枚の基板を
同時に処理するバッチ方式の装置が処理量などに応じて
適宜に選択される。

【０００３】バッチ方式のプラズマ処理装置は、処理能
力の点から量産工程に適してはいるが、処理チャンバー
の容積が大きいため、チャンバー内の基板処理空間にプ
ラズマを一様に発生させることが比較的難しい。そのた
め、同種の装置においては、円筒状電極を同軸に配置し
た同軸給電方式、円筒状チャンバーの外周側に対向電極
を配置した対向電極方式などの各種の電極構造が提案さ
れている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バッチ
方式のプラズマ処理装置においては、チャンバーの直
径、すなわち、処理空間が大きくなるに従い、プラズマ
を均一に発生させることが一層困難となり、各基板にお
ける処理レートの均一性を担保し難い等の理由から、比
較的小面積の基板について処理されている。すなわち、
現状においては、例えば、ＬＣＤの製造に使用する広面
積のガラス基板などを処理する場合、通常、上下に対向
配置された平行平板型などの電極構造を有する枚葉方式
のプラズマ処理装置が使用されている。従って、ＬＣＤ
用などの広面積の基板をも多数枚同時に処理し得るバッ
チ方式の新規な装置が望まれる。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の問
題を解決すべく種々検討を重ねた結果、次の様な知見を
得た。すなわち、バッチ方式の装置において、平行平板
電極を間隔を設けて多数組積み重ねた電極構造とするこ
とにより、広面積の基板を多数枚同時に処理し得ると考
えられるが、斯かる電極構造では、例えば、数メガヘル
ツよりも高い周波数の電圧を印加した場合、中段部分の
平行平板間において、十分なプラズマが発生しないか、
または、電極面積によっては全くプラズマが発生しない
という状況が生じる。そして、数メガヘルツよりも低い
周波数の電圧を印加した場合、発生したイオンの挙動が
大きいために基板にダメージを与え、しかも、基板の処
理レートが著しく遅いという状況が生じ、何れにしても
各平行平板間に均一かつ必要な電界を形成し難い。本発
明者等は、斯かる知見に基づいて更に検討を重ねた結
果、間隔を設けて複数組積み重ねた平行平板電極に特定
の方式で給電するならば、比較的高い周波数の電圧を印
加した場合も電極全体に一様なプラズマを発生させ得る
ことを知得し、本発明の完成に至った。

【０００６】すなわち、本発明の要旨は、ガス供給路お
よび真空系に接続されたガス排出路を有するチャンバー
と、上下方向に間隔を有して積み重ね状態で設けられ且
つ前記チャンバーに対して出し入れ可能に構成された複
数組の平行平板電極と、前記各組の平行平板電極の間で
基板を水平に保持する基板保持手段とを備えたプラズマ
処理装置であって、前記各組の平行平板電極は、基板の
上方に位置する電極板が高周波電圧印加側とされ、か
つ、基板の下方に位置する電極板がグランド側とされ、
高周波電圧印加側の前記各電極板は、順次に接続され且
つ最上段（又は最下段）の電極板が高周波電源に接続さ
れ、グランド側の前記各電極板は、順次に接続され且つ
最下段（又は最上段）の電極板が接地されていることを
特徴とするプラズマ処理装置に存する。

【０００７】

【作用】上記の特定の給電構造は、最上段と最下段の各
平行平板電極のインピーダンスを高い値とし、平行平板
電極全体で共振回路を構成させるため、各組の平行平板
電極における電離効率を高める。

【０００８】

【実施例】本発明に係るプラズマ処理装置の実施例を図
面に基づいて説明する。図１は、本発明のプラズマ処理
の概要を示す一部破断側面図である。図２は、図１にお
けるII−II矢視図であり、本発明のプラズマ処理装置の
内部構造を示す平面図である。図３は、図２におけるII
I−III矢視図であり、本発明のプラズマ処理装置の電極
構造を示す側面図である。図４は、図３における電極の
部材構成の一例を示す斜視図である。

【０００９】本発明のプラズマ処理装置は、図１に示す
様に、ガス供給路（２）及び真空系に接続されたガス排
出路（３）を有するチャンバー（１）と、上下方向に間
隔を有して積み重ね状態で設けられ且つチャンバー
（１）に対して出し入れ可能に構成された複数組の平行
平板電極（４）、（４）…と、各組の平行平板電極
（４）、（４）…の間で基板を水平に保持する基板保持
手段とを備えている。そして、各組の平行平板電極
（４）、（４）…は、基板の上方に位置する電極板（４
１）が高周波電圧印加側とされ、かつ、基板の下方に位
置する電極板（４２）がグランド側とされている。しか
も、高周波電圧印加側の各電極板（４１）、（４１）…
は、順次に接続され且つ最上段（又は最下段）の電極板
（４１）が高周波電源に接続され、グランド側の各電極
板（４２）、（４２）…は、順次に接続され且つ最下段
（又は最上段）の電極板（４２）が接地されている。

【００１０】チャンバー（１）は、例えば、水平なベー
ス板を支柱によって適当な高さに支持した構造の適宜の
架台（図示せず）に搭載される。斯かるチャンバー
（１）は、図１及び図２に示す様に、通常は円筒状に形
成されて上端をトッププレート（１１）によって封止さ
れ、下端をボトムプレート（１２）及び蓋体（１３）に
よって封止される。具体的には、ボトムプレート（１
２）には、上記の平行平板電極（４）及び基板が通過し
得る程度の大きさの例えば略方形の開口部（１２ｃ）が
中央に設けられており、蓋体（１３）が開口部（１２
ｃ）を気密に封止する様になされている。

【００１１】すなわち、基板のチャンバー（１）への挿
入またはチャンバー（１）からの排出を通常はチャンバ
ー（１）の下部から行うため、図示しないが、蓋体（１
３）は、上記の架台の下方で昇降可能に構成されてい
る。蓋体（１３）の昇降機構としては、架台側に取り付
けたボールネジに当該蓋体を螺合させることによって昇
降させる機構、架台側に取り付けたシリンダー装置によ
って昇降させる機構などの従来公知の各種の機構を使用
することが出来る。

【００１２】ガス供給路（２）は、トッププレート（１
１）からボトムプレート（１２）に亙ってチャンバー
（１）内に挿入された配管にて構成され、当該配管には
多数のガス噴出孔が長手方向に沿って設けられている。
斯かるガス供給路（２）の上下端部は、ガス容器を含む
ガス供給装置側に接続され、そして、プラズマ用ガスが
前記噴出孔を通じてチャンバー（１）内に供給される。
ガス供給路（２）の上下端部からプラズマ用ガスを供給
するのは、チャンバー（１）内の高さ方向においてガス
濃度を一様にするためである。

【００１３】ガス排出路（３）も、トッププレート（１
１）からチャンバー（１）内に挿入された配管にて構成
され、当該配管には多数のガス吸引孔が長手方向に沿っ
て設けられている。斯かるガス排出路（３）は、真空ポ
ンプを含む真空系に接続され、そして、チャンバー
（１）内の反応排ガス等が前記吸引孔を通じて系外に排
気される。なお、ガス排出路（３）は、通常、プラズマ
用ガスをチャンバー（１）内に均一に供給するため、チ
ャンバー（１）内においてガス供給路（２）と対向して
位置させられる。

【００１４】また、チャンバー（１）内には、基板に予
備加熱を施すための加熱手段を設けるのが好ましい。加
熱手段としては、図示する様に、例えば、複数本の棒状
のセラミックヒーター（９）、（９）…をチャンバー
（１）の内壁に沿って位置する様にトッププレート（１
１）及びボトムプレート（１２）に取り付けた構造のも
のなど適宜の構造の加熱手段を採用し得る。このような
加熱手段を設けた場合には、処理前のチャンバー（１）
内の減圧操作の際に予め基板を処理温度に近い温度に加
熱することが出来、アッシング処理などを速やかに行う
ことが出来る。

【００１５】本発明のプラズマ処理装置の電極は、上下
方向に間隔を有して積み重ね状態で設けられた複数組の
平行平板電極（４）、（４）…、すなわち、水平配置さ
れた一対の電極板（４１）、（４２）…の組のスタック
にて構成される。電極板（４１）、（４２）…は、図２
に示す様に、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合
金にて方形平板状に形成され、そして、略直方体の外観
をなす電極板（４１）、（４２）…のスタックは、上記
の蓋体（１３）に搭載されてチャンバー（１）内に装入
されるか、または、チャンバー（１）外へ搬出される。
なお、平行平板電極（４）、（４）…は、１回の基板取
扱枚数およびチャンバー（１）の容積などを勘案し、通
常、１０〜３０組とされる。斯かる電極構造の詳細につ
いては後述する。

【００１６】上記の基板保持手段としては、例えば、図
１又は図２に示す様に、蓋体（１３）に立設され且つ平
行平板電極（４）、（４）…の外周縁に位置させられた
複数本の石英ガラス等からなる支柱（７０）、（７０）
…にて構成された従来公知の所謂ウエハーボートと同様
の保持機構を使用することが出来る。すなわち、上記の
支柱（７０）、（７０）…の周面には、長手方向に沿っ
て所定間隔で多数の切欠が形成されており、斯かる切欠
によって基板の外周縁を下面側から支持する。

【００１７】更に、具体的には、複数本の支柱（７
０）、（７０）…の平面的配置は、上記の切欠間に亙る
所定の間口を少なくとも１箇所形成する様な配置とされ
る。斯かる間口は、基板をこれら支柱の内側へ挿入し得
る程度の大きさとされる。また、支柱（７０）、（７
０）…の周面に形成された切欠は、平行平板電極
（４）、（４）…の配列ピッチと同様とされ、これによ
り、基板は平行平板電極（４）、（４）…の各一対の電
極板（４１）、（４２）の間で水平に保持される。

【００１８】また、ロボットフィンガー等の移送装置を
使用して電極板（４１）、（４２）の間へ基板を挿入
し、または、これらの間から基板を取り出すため、各支
柱（７０）、（７０）…は、電極板（４１）、（４２）
の離間距離の範囲において同期して昇降可能に構成され
ている。図１には１本の支柱（７０）のみが例示されて
いるが、支柱（７０）、（７０）…の具体的な昇降機構
としては、例えば、蓋体（１３）の下方へ挿通された各
支柱（７０）、（７０）…の下端をプレート（８０）で
接続し、蓋体（１３）に取り付けたシリンダー装置（８
１）によってプレート（８０）を昇降させる機構を使用
することが出来る。

【００１９】各組の平行平板電極（４）、（４）…は、
図３に示す様に、通常、基板の表面を上面として処理を
施すため、基板の上方に位置する電極板（４１）が高周
波電圧印加側とされ、かつ、基板の下方に位置する電極
板（４２）がグランド側とされる。そして、本発明にお
いては、例えば、高周波電圧印加側の各電極板（４
１）、（４１）…は、順次に接続され且つ最上段の電極
板（４１ｈ）が高周波電源に接続され、グランド側の各
電極板（４２）、（４２）…は、順次に接続され且つ最
下段の電極板（４２ｇ）が接地される。すなわち、最上
段の電極板（４１ｈ）が高周波電源の印加側の端子に接
続され、最下段の電極板（４２ｇ）が高周波電源のグラ
ンド側の端子に接続される。これにより、各組の平行平
板電極（４）、（４）…における電離効率を高めること
が出来る。

【００２０】また、図２に示す様に、高周波電圧印加側
の各電極板（４１）、（４１）…及びグランド側の各電
極板（４２）、（４２）…は、各々、電極（４）、
（４）…の外周に分散配置された複数本の継電ライン
（５０）、（５０）…及び（６０）、（６０）…で接続
されているのが好ましい。これにより、各電極板（４
１）、（４２）…が広面積であっても電極面全体に亙っ
て一様にプラズマを発生させることが出来、例えば、ア
ッシング処理などで基板表面の平面方向における処理レ
ートの均一化を図ることが出来かつ処理レートを向上さ
せることが出来る。

【００２１】平行平板電極（４）、（４）…のスタック
構造を更に具体的に説明する。図４に示す様に、蓋体
（１３）の上面には、継電ライン（５０）を構成するア
ルミニウム合金製の支柱（５１）がセラミックス製の絶
縁支柱（５５）を介して４本立設される。各電極板（４
１）、（４１）…には互いに平行な縁部に各々給電用の
耳片が２箇所づつ形成されており、かつ、これら耳片に
は支柱（５１）を挿通する孔がそれぞれ設けられてい
る。各電極板（４１）、（４１）…は、これらの孔に各
支柱（５１）、（５１）…を挿通することにより積み重
ねられる。その場合、各電極板（４１）、（４１）…の
間にはアルミニウム合金製のカラー（５２）が挿入さ
れ、斯かるカラー（５２）が実質的に上記の継電ライン
（５０）を形成する。そして、図１及び図４に示す様
に、最上段の電極板（４１ｈ）には給電ライン（５）が
接続される。

【００２２】給電ライン（５）は、高周波電力を電極板
（４１ｈ）へ供給するための給電材であり、高周波電源
（図示せず）に通じている。斯かる給電ライン（５）
は、図１に示す様に、蓋体（１３）の下方から挿通され
たアルミニウム製の支柱から構成され、当該支柱の基端
部はセラミックス製のカラー等により蓋体（１３）と絶
縁されている。しかも、斯かる支柱の周面は、チャンバ
ー（１）内壁との間での放電を防止するため、当該チャ
ンバー内においてセラミックス製の円筒部材（５ｃによ
り被覆されている。

【００２３】また、図４に示す様に、支柱（５１）、
（５１）…の外側の蓋体（１３）の上面には、継電ライ
ン（６０）を構成するアルミニウム合金製の支柱（６
１）がセラミックス製の絶縁支柱（６５）を介して４本
立設される。各電極板（４２）、（４２）…には、互い
に平行な縁部であって上記の電極板（４１）の耳片と重
畳しない位置にグランド用の耳片が２箇所づつ形成され
ており、かつ、これら耳片には支柱（６１）を挿通する
孔がそれぞれ設けられている。各電極板（４２）、（４
２）…は、これらの孔に各支柱（６１）、（６１）…を
挿通することにより積み重ねられる。その場合、各電極
板（４２）、（４２）…の間にはアルミニウム合金製の
カラー（６２）が挿入され、斯かるカラー（６２）が実
質的に上記の継電ライン（６０）を形成する。そして、
最下段の電極板（４２ｇ）は、高周波電源のグランド側
に接続された蓋体（１３）にグランド端子（６）、
（６）…を介して接地される。

【００２４】更に、上記の電極構造においては、高周波
電圧印加側の各電極板（４１）、（４１）…が多孔板に
て構成されているのが好ましい。各電極板（４１）、
（４１）…が多孔板で構成されている場合には、生成さ
れたプラズマ中のラジカルが多数の孔を通じて基板表面
に効率良く作用するため、処理レートを一層高めること
が出来る。

【００２５】また、上記の電極構造において、平行平板
電極（４）、（４）…には、その積み重ね方向の途中に
インピーダンスの変曲点が設けられているのが特に好ま
しい。インピーダンスの変曲点を設けた場合には、平行
平板電極（４）が広面積の場合であっても、更に、数メ
ガヘルツ以上の高周波電圧を印加した場合でも各組の平
行平板電極（４）、（４）…において略同様にプラズマ
を発生させることが出来る。

【００２６】上記インピーダンスの変曲点としては、継
電ライン（５０）の一部を絶縁することにより設けるこ
とが出来、例えば、１〜２本の継電ライン（５０）につ
いて、積み重ね状態の平行平板電極（４）、（４）…の
中の中段の１〜数組の平行平板電極（４）、（４）…に
相当する部分を遮断し、遮断された部分に適当な容量の
コンデンサーを介在させることにより構成することが出
来る。

【００２７】また、インピーダンスの変曲点の他の構成
例としては、上記のコンデンサーに代え、例えば、図３
に示す様に、各継電ライン（５０）、（５０）…につい
て、中段の平行平板電極（４）、（４）…に相当する部
分に石英ガラス製のカラー（５３）を介装し、かつ、１
〜２本の継電ライン（５０）（図３中の左側）につい
て、カラー（５３）を介装した部分のアルミニウム合金
製カラー（５２）を除外したものを挙げることが出来
る。なお、上記１〜２本の継電ライン（５０）（図３の
左側の継電ライン（５０））については、アーク放電を
防止するため、支柱（５１）の外周を石英ガラスの管状
部材（５４）で被覆した上でその外周側に当該継電ライ
ンを構成するアルミニウム製の各カラー（５２）、（５
２）…を積み重ね、更に、これらカラーの外周側を石英
ガラス製のカラー（５３）で被覆して構成してもよい。

【００２８】次に、上記の様に構成された本発明のプラ
ズマ処理装置の作動を説明する。本発明のプラズマ処理
装置において、処理すべき基板は、ロボットフィンガー
等により、平行平板電極（４）、（４）…を構成する電
極板（４１）と（４２）の間に挿入され、上記の基板保
持手段としての各支柱（７０）、（７０）…の切欠へ架
け渡される。その場合、各支柱（７０）、（７０）…
は、それらの切欠へ基板が挿入された際に僅かに上昇し
て基板を支持し、上記ロボットフィンガーが後退した後
に最初の位置へ復帰することにより、基板を電極板（４
２）の表面に当接させる。

【００２９】基板が各平行平板電極（４）、（４）…の
間に保持されると、蓋体（１３）が上昇し、平行平板電
極（４）、（４）…と共に基板はチャンバー（１）内に
装入され且つチャンバー（１）が封止される。次いで、
真空系を作動させ、ガス排出路（３）を通じてチャンバ
ー（１）内を排気し、当該チャンバー内を処理に応じた
所定の真空度まで減圧する。減圧する間はヒーター
（９）、（９）…に通電して基板を予備加熱することが
出来る。

【００３０】次いで、高周波電源を作動させ、各平行平
板電極（４）、（４）…に５〜６０メガヘルツ、アッシ
ング処理の場合には例えば１３．５６メガヘルツの高周
波電圧を印加すると共に、ガス供給路（２）を通じて処
理に必要なガスをチャンバー（１）へ供給する。プラズ
マ用ガスとしては、例えば、ＣＶＤ処理の場合にはモノ
シラン、ジクロルシラン等、エッチング処理の場合には
フッ素、酸素、オゾン等、アッシング処理の場合には酸
素、窒素、水素、アンモニア等の各種材料ガスが使用さ
れる。斯かるプラズマ用ガスは、各平行平板電極
（４）、（４）…の間に生じた電界中でプラズマ化さ
れ、そして、これらの平行平板電極の間に位置させられ
た基板が処理される。

【００３１】その際、上記の特定の給電構造は、最上段
と最下段の各平行平板電極（４）、（４）のインピーダ
ンスを高い値とし、平行平板電極全体で共振回路を構成
させるため、各組の平行平板電極における電離効率を高
め、プラズマの発生を促進する。特に、各電極板（４
１）、（４１）…及び（４２）、（４２）…が複数本の
継電ライン（５０）、（５０）…及び（６０）、（６
０）…で接続されている場合には、それらの各電極板
（４１）、（４２）が比較的広面積であっても電極面全
体に亙って一様にプラズマを発生させることが出来るた
め、基板表面の平面方向における処理レートの均一化を
図ることが出来かつ処理レートを向上させることが出来
る。従って、本発明のプラズマ処理装置は、例えば、Ｌ
ＣＤ用などの広面積の基板を多数枚同時に処理する場合
に好適である。

【００３２】更に、平行平板電極（４）、（４）…の積
み重ね方向の途中にインピーダンスの変曲点を設けた場
合には、各電極板（４１）、（４１）…及び（４２）、
（４２）…が広面積であって、しかも、印加電圧が数メ
ガヘルツを超える高周波の場合でも、平行平板電極
（４）、（４）…の各組において一層高い密度のプラズ
マを発生させることが出来る。すなわち、本発明のプラ
ズマ処理装置では、高い周波数の電圧で処理することが
可能であるため、例えば、アッシング処理を行う場合、
イオンダメージを発生させることがなく、変曲点が存在
しない領域において処理レートを向上させることが出来
る。

【００３３】また、処理中に供給されたプラズマガス
は、ガス排出路（３）を通じて吸引され、定法によって
無害化処理される。上記の様に多数枚の基板が処理され
ると、チャンバー（１）内が通常の大気状態に復帰させ
られた後、蓋体（１３）が下降して平行平板電極
（４）、（４）…と共に処理済みの基板が当該チャンバ
ーの下方に搬出される。そして、処理された基板は、再
び上記のロボットフィンガーによって各平行平板電極
（４）、（４）…の間から取り出される。その場合、各
支柱（７０）、（７０）…は、僅かに上昇して各基板を
持ち上げ、ロボットフィンガーが各組の電極板（４１）
と電極板（４２）の間に挿入された後、再び最初の位置
へ下降することにより、各基板をロボットフィンガーへ
受け渡すことが出来る。

【００３４】上記の様に、本発明のプラズマ処理装置
は、上下方向に間隔を有して積み重ね状態で設けられた
複数組の平行平板電極（４）、（４）…を備え、かつ、
これらの平行平板電極に対して特定の給電構造とされて
いるため、シリコンウエハーのみならず、例えばＬＣＤ
用などの広面積のガラス基板をも多数枚同時にプラズマ
処理することが出来、処理コストを大幅に低減すること
が出来る。

【００３５】また、多数の平行平板電極（４）、（４）
…からなるスタック構造の電極において、特に、各平行
平板電極（４）、（４）…の積み重ね方向の途中にイン
ピーダンスの変曲点を設けた場合には、これら平行平板
電極における共振を一層高めることが出来、各電極板
（４１）、（４２）が広面積であっても数メガヘルツよ
りも高い周波数の電圧で一層良好にプラズマを発生させ
ることが出来る。

【００３６】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明のプラズマ処
理装置によれば、例えばＬＣＤ用などの広面積の基板を
多数枚同時に処理することが出来、処理コストを大幅に
低減することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理の概要を示す一部破断側
面図である。

【図２】図１におけるII−II矢視図であり、本発明のプ
ラズマ処理装置の内部構造を示す平面図である。

【図３】図２におけるIII−III矢視図であり、本発明の
プラズマ処理装置の電極構造を示す側面図である。

【図４】図３における電極の部材構成の一例を示す斜視
図である。

【符号の説明】

１：チャンバー２：ガス供給路３：ガス排出路４：平行平板電極４１：電極板４１ｈ：最上段の電極板４２：電極板４２ｇ：最下段の電極板７：基板保持手段（支柱）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/31 ＣＨ０５Ｈ 1/46 Ｍ 9216−2Ｇ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガス供給路および真空系に接続されたガ
ス排出路を有するチャンバーと、上下方向に間隔を有し
て積み重ね状態で設けられ且つ前記チャンバーに対して
出し入れ可能に構成された複数組の平行平板電極と、前
記各組の平行平板電極の間で基板を水平に保持する基板
保持手段とを備えたプラズマ処理装置であって、前記各
組の平行平板電極は、基板の上方に位置する電極板が高
周波電圧印加側とされ、かつ、基板の下方に位置する電
極板がグランド側とされ、高周波電圧印加側の前記各電
極板は、順次に接続され且つ最上段（又は最下段）の電
極板が高周波電源に接続され、グランド側の前記各電極
板は、順次に接続され且つ最下段（又は最上段）の電極
板が接地されていることを特徴とするプラズマ処理装
置。
【請求項２】高周波電圧印加側の前記各電極板および
グランド側の前記各電極板は、各々、外周に分散配置さ
れた複数本の継電ラインで接続されている請求項１に記
載のプラズマ処理装置。
【請求項３】高周波電圧印加側の前記各電極板が多孔
板にて構成されている請求項１又は２に記載のプラズマ
処理装置。
【請求項４】前記平行平板電極には、その積み重ね方
向の途中にインピーダンスの変曲点が設けられている請
求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記継電ラインの一部を絶縁することに
よりインピーダンスの変曲点が設けられている請求項４
に記載のプラズマ処理装置。