JP4447469B2 - プラズマ発生装置、オゾン発生装置、基板処理装置、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プラズマ発生装置、オゾン発生装置、及び基板処理装置に係り、特に、大気圧下で非定常放電を起こしてプラズマ及びオゾンを発生するのに適した装置に関する。

基板処理装置は、半導体基板又はガラス基板などの基板に成膜したり、膜を改質したりするなどの処理を行う装置である。この成膜、改質などの処理にオゾンが利用されることが多い。このオゾンを発生する方式として、最も一般的なものが無声放電を用いた方式がある。
大気圧下の放電では、通常、非定常放電（非アーク放電、非熱プラズマ）を用いる。非定常放電を用いるのは、大気圧における放電破壊（点弧）が、グロー放電からアーク放電を経て装置の熱的破壊まで進展する恐れがあるので、定常放電が困難であことに由来する。無声放電は、誘電体を挿入した電極間に電圧を印加する際に、大気放電下で観察される放電現象であり、誘電体の挿入により非定常放電となる。この放電を利用してオゾンを発生する。この無声放電を利用したオゾン発生装置は、具体的には、第２１図に示すように、一対の平行平板電極１、１のうちいずれか一方（第２１図（ａ））、または両方（第２１図（ｂ））に誘電体２を設け、電極１、１間に交流高電圧を印加することにより、大気圧下の電極間１、１で間欠的にプラズマ放電させる。この放電雰囲気中に酸素Ｏ_２もしくは乾燥空気を流して、プラズマの高エネルギー電子を利用してオゾンＯ_３を生成し、混合ガス（Ｏ_２＋Ｏ_３）を取り出すものである。
また、オゾンを発生するために、無声放電の一種である沿面放電を用いる場合もある。沿面放電は、第２２図に示すように、誘電体３を挟んで一方に面電極となる誘電電極４、もう一方に線電極となる放電電極５を設ける。この両電極４、５間に交流高圧電源６から交流高電圧を印加すると、放電電極５と誘電体３の間で放電する。この放電雰囲気７中に酸素Ｏ_２もしくは乾燥空気を供給することでオゾンＯ_３を発生させることができる。
上述した無声放電方式は、電源としては１０〜１００００Ｈｚの高電圧ＡＣ電源でよく、放電部も電極間に誘電体を挿入したり、誘電体に電極を埋め込んだりするという簡単な構造で良いため、オゾン発生装置に専ら利用されている。
この無声放電に関連する従来技術としては、例えば特許文献１に記載の技術が知られている。これは、電極対間に、導電体の全面に絶縁体を被覆して形成した粒状体を充填し、粒状体中の導電体が小さい電極を構成し、絶縁体が誘電体バリアを構成する。誘電体バリア放電により、粒状体と粒状体との間隙でガスがプラズマ化する。粒状体の間隙が小さいため、酸素や窒素などの放電開始電圧の大きいガスであっても、極めて小さい印加電力で均質なグロー放電を発生させることができ、プラズマ及びオゾンを発生することができる。
特許文献１：特開平８−３２１３９７号公報

しかしながら、上述した特許文献１に記載の無声放電を利用したオゾン発生装置は、導電体の全面に絶縁体を被覆して電極間に充填しなければならないため、構造が複雑である。また、誘電体バリア放電であって、放電電流（プラズマ密度）は誘電体の小さな静電容量により制限されるので、小さな印加電圧で安定に放電させることはできても、放電エネルギー密度を大きくすることはできない。したがって、高効率でプラズマを生成することも、高効率でオゾンを発生することもできない。また、上記したような電極間に導電体で被覆された誘電体を充填する構成であるため、取り扱いも容易でない。
なお、無声放電に代えて短パルス放電やＲＦ放電方式を採用することも考えられるが、短パルス放電は、１０〜１０００ｐｕｌｓ／ｓの高電圧短パルス発生器が必要となるので、電源が高価となり、しかも高度なパルス圧縮技術を必要とする。また、ＲＦ放電は、無声放電の高周波化したものであり、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）を必要とするうえ、放電電流を制限する容量を放電電極（以下、電極部ともいう）が兼ねているため、放電電極形状に制約され、多様な形状のプラズマ源を形成することができない。また、短パルス放電及びＲＦ放電に共通して言えることは、装置が大型化し、プラズマ源の大面積化が困難である点である。
本発明の課題は、放電電流制限用の容量を放電電極と切り離すことによって、上述したような従来技術の問題点を解決して、簡単な構造でありながら、プラズマを高効率に発生することが可能なプラズマ発生装置及び基板処理装置を提供することにある。また、本発明の課題は、オゾンを高効率に発生することが可能なオゾン発生装置及び基板処理装置を提供することにある。また、本発明の課題は、取り扱いが容易なプラズマ発生装置、オゾン発生装置、及び基板処理装置を提供することにある。
第１の発明は、複数の電極からなる電極部と、この電極部と直列に接続され電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電極部と電荷蓄積部間に交流電圧を印加する交流電源とを有し、この交流電源により前記電極部と電荷蓄積部間に交流電圧を印加することにより、電極部の複数の電極間に間欠的に放電を生じさせてプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ発生装置である。
電極部に印加される交流電圧が放電開始電圧を越えると、電極間は短絡状態と同様になり、電極部は放電を開始してプラズマを発生するが、電極部と直列に電荷蓄積部が接続されているので、その放電は、電荷蓄積部への電荷を蓄積する時間だけ成立し、電荷蓄積が完了すると停止する。これにより電極間に誘電体を挿入しなくても、電荷蓄積部によって放電電流が制限され、間欠放電を生じさせることになる。
電極間は、短絡状態となって大電流放電を起こすので、無声放電と比べて放電エネルギー密度が大きくなり、大気圧下でもプラズマを高効率に形成できる。
また、電極部の複数の電極間に生じる放電は自己消弧放電となって間欠的となり、アーク放電となる前に消弧するので電極部へのダメージを低減することができる。
また、放電電流は、電極部に直列接続した電荷蓄積部によって制限されるので、電荷蓄積部を独立して持たず放電電流が電極部によって制限されるものと異なり、電極部の電極形状の制約がなくなる。
なお、放電により発熱する電極部を構成する複数の電極は、放熱性に優れる金属電極が好ましい。また、電荷蓄積部は電荷を蓄積し、蓄積した電荷を放電するだけでよいため、簡易なコンデンサで構成することができる。また、電源は安価な交流電源で構成することができる。
第２の発明は、複数の電極からなる電極部と、この電極部と直列に接続され電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電極部と電荷蓄積部間に交流電圧を印加する交流電源とを有し、この交流電源により前記電極部と電荷蓄積部間に交流電圧を印加することにより、電極部の複数の電極間に間欠的に放電を生じさせ、この放電雰囲気中に酸素原子を含むガスを供給することによりオゾンを発生させることを特徴とするオゾン発生装置である。
第２の発明は、第１の発明にて生じさせたプラズマを用いてオゾンを発生するようにしたものであり、オゾンを高効率に発生することができる。
第３の発明は、第１の電極と、第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、第１の電極と対向する第３の電極と、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、この電源により第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせてプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ発生装置である。第２の電極と第３の電極間には交流電圧を印加するのが好ましい。
第１の電極の周囲に絶縁体又は誘電体を設け、その周囲に第２の電極を設けることで、第３の電極と対になる電極部の第１の電極をユニット化しているので、電極部の取り扱いが容易になる。また、装置をコンパクト化できる。
また、第２の電極と第３の電極電間に電圧が印加されることにより、第１の電極と第３の電極間に生じる電圧が放電開始電圧を越えると、第１の電極と第３の電極間は短絡状態となって大電流放電を起こし、プラズマを高効率に形成できる。
第４の発明は、第３の発明において、前記絶縁体または誘電体を介在させた第１の電極と第２の電極により電荷を蓄積する電荷蓄積部が形成されることを特徴とするプラズマ発生装置である。第１の電極と第２の電極との間に絶縁体または誘電体を介在させて電荷蓄積部を構成するので、ユニット構造を簡素化できる。
第５の発明は、第３の発明において、前記第２の電極と第３の電極間に交流電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間にパルス放電を生じさせ間欠的にプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ発生装置である。パルス放電を生じさせるので、プラズマ発生の際、電極部へのダメージをより低減することが可能になる。
第６の発明は、第３の発明において、前記プラズマは大気圧下で発生させることを特徴とするプラズマ発生装置である。プラズマを大気圧下で発生させても、電極ユニットを構成する第１の電極と第２の電極との間に絶縁体又は誘電体が介在しているので、第１の電極と第３の電極間に生じる放電がグロー放電からアーク放電を経て装置の熱的破壊まで進展することを防止できる。
第７の発明は、第３の発明において、前記電極ユニットは複数設けられることを特徴とするプラズマ発生装置である。電極ユニットを複数設けて、各電極ユニットを構成する第１の電極を第３の電極と対向させることで、電極部を多極化することができる。電極部を多極化することによって、任意形状のプラズマ源を形成することができる。また、放電回路を低インピーダンス化できるので、高プラズマ密度で大面積のプラズマ源を実現できる。
第８の発明は、第３の発明において、前記電極ユニットは第３の電極の周囲に複数設けられることを特徴とするプラズマ発生装置である。電極ユニットを複数設けて多極化しても、複数の電極ユニットを第３の電極の周囲に設けるので、装置をコンパクト化できる。
第９の発明は、第３の発明において、、前記第３の電極の第１の電極と対向する部分に凸部又は凹部又は開孔を設けたことを特徴とするプラズマ発生装置である。対向する部分に凸部又は凹部又は開孔を設けると、対向する部分に電荷が集中して放電が容易になり、プラズマをより高効率に形成できる。
第１０の発明は、第３の発明において、前記第１の電極を棒状としたことを特徴とするプラズマ発生装置である。電極を棒状として電荷の集中をはかるようにしたので、第１の電極と第３の電極間の放電が容易になり、プラズマをより高効率に形成できる。
第１１の発明は、第３の発明において、前記第１の電極を筒状としたことを特徴とするプラズマ発生装置である。第１の電極を筒状とすることにより、第１の電極の筒内を通して、プラズマを生成する原料ガスを供給したり、プラズマによって生成されたガスを取り出したりすることができる。
第１２の発明は、第３の発明において、前記絶縁体または誘電体、または／および第２の電極を筒状としたことを特徴とするプラズマ発生装置である。絶縁体または誘電体、または／および第２の電極を筒状とすると、電極ユニットを筒で覆う多重構造にできるので、装置をよりコンパクト化できる。
第１３の発明は、第３の発明において、少なくとも前記第１の電極または／および第３の電極を金属製としたことを特徴とするプラズマ発生装置である。電極を金属製とすると、第１の電極と第３の電極間の放電により生じた熱を逃すことが容易になる。
第１４の発明は、第３の発明において、前記前記第１の電極または／および第３の電極を冷媒にて冷却するよう構成したことを特徴とするプラズマ発生装置である。電極を冷却すると、放電によって発生する熱を効率良く逃がすことできる。
第１５の発明は、第１の電極と、第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、第１の電極と対向する第３の電極と、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、この電源により第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせ、この放電雰囲気中に酸素原子を含むガスを供給することによりオゾンを発生させることを特徴とする基板処理装置である。電極ユニットを用いるので装置の組み立てが容易になり、オゾンを高効率に発生できるコンパクトな装置が得られる。
第１６の発明は、基板を処理する処理室と、プラズマを発生させるプラズマ発生装置とを有し、プラズマ発生装置により発生させたプラズマに処理ガスを晒すことにより得た反応物を用いて基板を処理する基板処理装置において、前記プラズマ発生装置は、第１の電極と、第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、第１の電極と対向する第３の電極と、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせプラズマを発生させるよう構成されることを特徴とする基板処理装置である。電極ユニットを用いるので装置の組み立てが容易になり、プラズマを高効率に発生して基板の処理を改善できるコンパクトな装置が得られる。
第１７の発明は、基板を処理する処理室と、オゾンを発生させるオゾン発生装置とを有し、オゾン発生装置により発生させたオゾンを用いて基板を処理する基板処理装置において、前記オゾン発生装置は、第１の電極と、第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、第１の電極と対向する第３の電極と、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせ、この放電雰囲気中に酸素原子を含むガスを供給することによりオゾンを発生させるよう構成されることを特徴とする基板処理装置である。電極ユニットを用いるので装置の組み立てが容易になり、オゾンを高効率に発生して基板の処理を改善できるコンパクトな装置が得られる。
第１８の発明は、第１の電極と、第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、第１の電極と対向する第３の電極とを有し、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせプラズマを発生させる工程と、このプラズマに処理ガスを晒すことにより得た反応物を用いて基板を処理する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。電極ユニットを用いてプラズマを高効率に発生させて基板の処理を改善し、高品質の半導体デバイスを製造できる。
第１９の発明は、第１８の発明において、前記プラズマ発生工程では、前記第２の電極と第３の電極間に交流電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間にパルス放電を生じさせ間欠的にプラズマを発生させることを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。パルス放電によりプラズマを発生させるので、プラズマ発生の際、電極部へのダメージをより低減することができる。
第２０の発明は、第１８の発明において、前記基板を処理する工程では、放電を生じさせた雰囲気中に酸素原子を含むガスを晒すことにより得たオゾンを用いて基板を処理することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。オゾンを高効率に発生させて基板の処理を改善し、高品質の半導体デバイスを製造できる。
第２１の発明は、第１８の発明において、前記処理とは、基板または基板上に形成された薄膜の表面改質を行う処理であることを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。プラズマを高効率に発生させることができるので、優れた表面改質を行うことができる。
第２２の発明は、第１８の発明において、前記処理とは、基板上にＣＶＤ膜を形成する処理であることを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。プラズマを高効率に発生させることができるので、優れたＣＶＤ膜形成を行うことができる。
第２３の発明は、第１８の発明において、前記処理とは、基板上に形成された膜をエッチングする処理であることを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。プラズマを高効率に発生させることができるので、優れた膜エッチングを行うことができる。
第２４の発明は、第１８の発明において、前記処理とは、基板を洗浄する処理であることを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。プラズマを高効率に発生させることができるので、優れた基板洗浄を行うことができる。
第２５の発明は、基板にガスを供給して基板を処理する工程と、第１の電極と、第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、第１の電極と対向する第３の電極とを有し、第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせプラズマを発生させる工程と、このプラズマを用いて基板処理の際に生じる排気ガスを分解する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。プラズマを高効率に発生させることができるので、優れた排気ガス分解を行うことができる。
第２６の発明は、複数の電極からなる電極部と、この電極部と直列に接続され電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電極部及び電荷蓄積部に設けられた交流電源に接続される端子とを備えた放電器であって、前記端子を介して前記電極部と電荷蓄積部間に交流電圧を印加することにより、電極部の複数の電極間に間欠的に放電を生じさせてプラズマを発生させるためのプラズマ放電器である。第１の電極の周囲に絶縁体又は誘電体を設け、その周囲に第２の電極を設けることで、第３のの電極と対になる電極部の第１の電極をユニット化しているので、電極部の取り扱いが容易になる。また、第２の電極と第３の電極電間に交流電圧が印加されることにより、第１の電極と第３の電極間に生じる交流電圧が放電開始電圧を越えると、第１の電極と第３の電極間は短絡状態となって大電流放電を起こし、プラズマを高効率に形成できる。
第２７の発明は、第１の電極と、第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなるプラズマ発生用の電極ユニットである。電極ユニットを構成する第１の電極を第３の電極に対向させて、第３の電極と第２の電極間に電圧を印加すると、第１の電極と第３の電極間に放電が生じてプラズマを発生させることができる。プラズマを発生させる第３の電極以外の部品がユニット化されているので、取り扱いが容易になる。
第２８の発明は、複数の電極からなる電極部と、この電極部と直列に接続され電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部と、前記電極部と複数の電荷蓄積部間とで形成される複数の直列接続部を並列に接続した回路に対して交流電圧を印加する交流電源とを有し、この交流電源により前記電極部と複数の電荷蓄積部間とで形成される複数の直列接続部を並列に接続した回路に対して交流電圧を印加することにより、電極部の複数の電極間に間欠的に放電を生じさせてプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ発生装置である。

第１図は、実施の形態によるプラズマ発生装置の等価回路図である。
第２図は、実施の形態による印加電圧とプラズマ注入電力の関係を示す図である。
第３図は、実施の形態による容量結合電極の構成図であって、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は斜視図である。
第４図は、実施の形態による容量結合電極を複数並べた多極化の構成例を示す図である。
第５図は、実施の形態による容量結合電極を複数並べた多極化プラズマ発生装置の全体構成図である。
第６図は、実施の形態による多極化配列例の平面図である。
第７図は、実施の形態による多極化配列例の平面図である。
第８図は、実施の形態による多極化配列例の断面図である
第９図は、実施の形態による対向電極と浮遊電極とから構成される電極部の説明図であり、（ａ）は対向電極の背面図、（ｂ）は電極部の側面図である。
第１０図は、実施の形態によるガス導入法を示す説明図である。
第１１図は、実施の形態によるガス導入法を示す説明図である。
第１２図は、実施の形態によるガス導入法を示す説明図である。
第１３図は、実施の形態によるガス導入法を示す説明図である。
第１４図は、実施の形態による縦型拡散装置の反応炉の構成図である。
第１５図は、実施の形態による縦型ＣＶＤ装置の反応炉の構成図である。
第１６図は、実施の形態によるＣＶＤ枚葉装置の反応炉の構成である。
第１７図は、実施の形態による洗浄装置の構成図である。
第１８図は、実施の形態による枚葉式のエッチング装置の構成図である。
第１９図は、オゾンを用いたエッチング（アッシング）原理図である。
第２０図は、実施の形態による排ガス処理装置を備えるＣＶＤ枚葉装置例の構成である。
第２１図は、従来例の無声放電方式の原理図である。
第２２図は、従来例の沿面放電の原理図である。
第２３図は、実施の形態の変形例による容量結合電極を複数並べた多極化の構成例を示す図である。
第２４図は、第４図の多極化プラズマ発生装置の等価回路図である。
１０ 電極部
１１、１２ 電極
１３ 消弧コンデンサ（電荷蓄積部）
１５ 交流電源
２０ 電極ユニット
２１ 第１の電極
２２ 絶縁体
２３ 第２の電極
３４ 対向電極（第３の電極）

以下に本発明の実施の形態を説明する。
第１図はプラズマ発生装置の原理を説明する等価回路図を示す。
プラズマ発生装置は、対向する２つの電極１１、１２から構成される電極部１０と、この電極部１０と直列に接続され電荷を蓄積する電荷蓄積部としての消弧コンデンサ１３（容量Ｃ）と、電極部１０及び消弧コンデンサ１３の直列回路の両端に接続される端子１４、１４と、端子１４、１４を介して電極部１０と消弧コンデンサ１３間に交流電圧を印加する交流電源１５と、この交流電源１５と並列に接続され電源電圧を安定化して電源を補助する電源補助用コンデンサ１６（容量Ｃ_０）とを有する。２つの電極１１、１２は例えば金属電極で構成される。金属としては銅やステンレス等を用いることができる。金属電極１１、１２間には誘電体は存在しない。金属電極１１、１２間には大気が存在してコンデンサ（容量Ｃ_ｇ）を構成し、金属電極１１、１２間で放電を起こすようになっている。交流電源１５は高電圧ＡＣ電源で構成され、そのＡＣ電圧は、放電ギャップＧの大きさによっても異なるが、例えば数ｋＶ程度以上、ＡＣ周波数は５０〜１００００Ｈｚである。交流電源１５により電極部１０と消弧コンデンサ１３間に交流電圧を印加することにより、電極部１０の電極１１、１２間に間欠的に放電が生じてプラズマを発生する。
間欠放電が生じる原理を、印加電圧とプラズマ注入電力（放電電流に対応する）を示す第２図を用いて説明する。第２図（ａ）の縦軸は電極１１、１２間に供給される高電圧ＡＣ電源１５からの印加電圧、（ｂ）の縦軸は電極１１、１２間に注入されるプラズマ注入電力Ｐをそれぞれ示す。横軸は共に時間を示す。印加電圧Ｖ_ｓが電極１１、１２間の放電開始電圧±Ｖ_ｄよりも小さい場合はプラズマ注入電力Ｐはゼロを維持する。放電開始電圧±Ｖ_ｄを越えると、放電開始と共に電極１１、１２間は短絡状態と同様になり、大電流が流れる。その電流により消弧コンデンサ１３への電荷の蓄積が開始される。この消弧コンデンサ１３がフルチャージされると、電流はそれ以上流れなくなり、放電が停止する。つまり、消弧コンデンサ１３への電荷蓄積時間だけ放電が成立する間欠放電となる。
電極１１、１２からなる電極部１０とそれに直列に接続した消弧コンデンサ１３とからなる放電回路では、電極１１、１２間の放電破壊（点弧）後、消弧コンデンサ１３の電圧が上昇し、充電完了とともに速やかに消弧する自己消弧放電を行うことができる。これにより交番電圧を印加すると、半サイクル毎に短パルス放電を繰り返すことになる。放電回路抵抗がゼロであれば、電極１１、１２間に注入される電力は、消弧コンデンサ１３の充電エネルギーと等しくなる。したがって、消弧コンデンサ１３に蓄積される電荷蓄積機能を高くすれば、電極１１、１２間に注入される電力を大きくでき、放電エネルギー密度を高めることができる。
上述したように、大気圧下におかれる放電回路の電極を、電極部１０と消弧コンデンサ１３との直列回路で構成したので、交流電圧を印加するだけで、グロー放電からアーク放電へ切り替わる前に消弧する自己消弧放電となり、電極部１０へのダメージが少ない。また、電極１１、１２間に誘電体が存在せず、放電開始時に電極１１、１２間は短絡状態となり、素速い大電流放電を実現できるため、無声放電よりも放電エネルギー密度が大きく、大気圧下でプラズマを高効率に形成できる。
また、電極部１０に接続された消弧コンデンサ１３の静電容量によって放電電流が制限され、プラズマ源となる電極部１０はその制約から解放されるので、放電電流制限用の静電容量を決定するために電極１１、１２の形状が制約されるということがなくなる。したがって、放電電流を制限する静電容量が電極形状によって決定されるＲＦ放電方式と比べて、プラズマ源の設計自由度を高くすることができる。
また、上述した電極部１０の電極１１、１２間に間欠的に放電を生じさせる放電回路を組込んだ装置において、放電雰囲気中に酸素原子Ｏ_２を含むガスを供給することによりオゾンＯ_３を発生させるオゾン発生装置を構成することができる。
このように、上述した自己消弧放電方式は、電極部１０と消弧コンデンサ１３とを直列接続するようにして構成しているが、その具体的な構成は、電極部１０の電極と消弧コンデンサ１３とを別体としてもよいが、電極部１０の電極と消弧コンデンサ１３とを一体化して構成することも可能である。
第３図は、そのような電極部１０を構成する一方の電極１２と消弧コンデンサ１３とを一体化して構成した電極ユニットの構成図を示す。ここで電極ユニットを容量結合電極（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）という。容量結合電極２０は、浮遊電極２１、絶縁体２２、及び接地電極２３から構成された容量Ｃが、浮遊電極２１に結合されているという意味である。第３図（ａ）は容量結合電極２０の縦断面図、（ｂ）は斜視図である。容量結合電極２０は、第１の電極としての浮遊電極２１と、浮遊電極２１の周囲に設けられた絶縁体２２と、絶縁体２２の周囲に設けられた第２の電極としての接地電極２３とから構成される。具体的には、中心部に、放電回路全体から電気的に浮いた状態となる金属製で棒状をした浮遊電極２１を芯材として配置し、これを取り囲む形で筒状に絶縁体２２を巻き、更に絶縁体２２の外側を金属製で筒状の接地電極２３で巻いた構成である。絶縁体２２は誘電体としてもよく、また電解液を含む紙や布などで構成してもよい。浮遊電極２１が電極部１０を構成する一方の電極となり、浮遊電極２１、絶縁体２２、及び接地電極２３から構成された容量Ｃをもつコンデンサが、前述した消弧コンデンサ１３となる。このように電極部を構成する一方の電極と消弧コンデンサとを一体化して構成したので、コンパクトな容量結合電極２０を作成することができる。
容量結合電極の具体例を示すと、所定の長さを有するφ２ｍｍの銅棒に、誘電体としてシリコーン熱収縮チューブを巻き付け、その上に銅箔を巻く。１００ｋＨｚで消弧コンデンサ容量は２０ｐＦである。なお、誘電体としてシリコーン熱収縮チューブの他に、テフロン熱収縮チューブを用いてもよい。
この容量結合電極２０を用いて、プラズマ発生装置、オゾン発生装置、プラズマ／オゾン発生装置を具備する基板処理装置を構成することができ、さらに上記プラズマ発生装置を用いて基板処理を行う半導体デバイスの製造方法を実施できる。
上述した容量結合電極２０は、これを複数本並べて多極化することができる。一般的に容量結合電極２０を単体で使用することはなく、容量結合電極２０を複数本並列にならべてプラズマ発生装置が構成される。
第４図は、そのような多極化したプラズマ発生装置の基本構成例を示す。その概要は、放電によって放電電極に熱が発生するため、この熱を逃がすために各浮遊電極２１と、これに共通の対向電極３４とは冷媒３６に接している。特に、このプラズマ発生装置を利用して酸素Ｏ_２からオゾンＯ_３を生成する場合、電極３４、２１を冷却することは、生成したオゾンを熱分解せずにすむため、特に有効となる。なお、第４図では基本構成例としているため、装置全体の外形が省かれている。以下詳述する。
プラズマ発生装置は、中間部に絶縁ブロック３１、上部に上部冷媒用ジャケット３２、下部に下部冷媒用ジャケット３３をそれぞれ有する。絶縁ブロック３１には、上述した構成の容量結合電極２０が複数本、起立して取り付けられる。絶縁ブロック３１は、金属製の共通接地電極３５で覆われ、その共通接地電極３５で複数の容量結合電極２０の接地電極２３が並列接続される。また、絶縁ブロック３１はＰＦＣ（パーフルオロカーボン）などの絶縁体で構成され、その下部に冷媒３６で満たされた下部冷媒用ジャケット３３が設けられる。複数の容量結合電極２０は、容量結合電極２０を構成する各浮遊電極２１の一端２１ａが絶縁ブロック３１の上面より、共通の対向電極３４との間に形成される放電空間３７に突出し、他端２１ｂが下部冷媒用ジャケット３３の冷媒３６に接触するように、絶縁ブロック３１に埋め込まれる。浮遊電極２１は下部冷媒用ジャケット３３内の冷媒３６で冷却されるようになっている。絶縁ブロック３１の上面より突出した各浮遊電極２１の一端２１ａは面一になるように高さ調整される。対向電極３４と絶縁体ブロック３１との間に形成されて、内部に複数の浮遊電極２１が面一に突出している放電空間３７は直状に形成される。上部冷媒用ジャケット３２は、内部が冷媒３６で満たされている。上部冷媒用ジャケット３２は、突出した浮遊電極２１の一端２１ａと対向して配置される。上部冷媒用ジャケット３２の全面が金属製の対向電極３４で構成され、対向電極３４は、上部冷媒用ジャケット３２内の冷媒で冷却されるようになっている。
対向電極３４と接地電極２３との間に高電圧ＡＣ電源１５が接続され、この高電圧ＡＣ電源１５に並行に電源補助用コンデンサ１６が接続される。高電圧ＡＣ電圧を安定して印加するために、電源補助用コンデンサ１６の容量Ｃ_０は、容量結合電極２０の消弧コンデンサ容量をＣ_ｉとし、ΣＣ_ｉを並列接続した消弧コンデンサ容量の総和としたとき、次のようにするとよい。

高電圧ＡＣ電源１５により対向電極３４及び接地電極２３間に高電圧ＡＣ電圧を印加することにより、対向電極３４と浮遊電極２１との間の各放電ギャップＧに放電を生じさせて、プラズマを発生させる。このとき対向電極３４及び浮遊電極２１に熱が発生するが、発熱する電極３４、２１は、冷媒３６と接触させることにより冷却される。対向電極３４及び浮遊電極２１を金属製とすると、冷却による除熱が容易となる。
第２４図は第４図の多極化プラズマ発生装置の等価回路図である。プラズマ発生装置は、対向する１つの共通電極１１と、複数の個別電極１２（１２ａ〜１２ｅ）から構成される電極部１０と、この電極部１０を構成する複数の個別電極１２と直列に接続され電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部としての消弧コンデンサ１３（１３ａ〜１３ｅ）（容量Ｃ）と、電極部１０及び消弧コンデンサ１３の直列接続部を並列に接続した回路の両端に接続される端子１４、１４と、端子１４、１４を介して電極部１０と消弧コンデンサ１３間に交流電圧を印加する交流電源１５と、この交流電源１５と並列に接続され電源電圧を安定化して電源を補助する電源補助用コンデンサ１６（容量Ｃ０）とを有する。一つの共通電極１１及び複数の個別電極１２は例えば金属電極で構成される。金属としては銅やステンレス等を用いることができる。金属電極１１、１２間には誘電体は存在しない。金属電極１１、１２間には大気が存在してコンデンサ（容量Ｃｇ）を構成し、金属電極１１、１２間で放電を起こすようになっている。交流電源１５は高電圧ＡＣ電源で構成され、そのＡＣ電圧は、放電ギャップＧの大きさによっても異なるが、例えば数ｋＶ程度以上、ＡＣ周波数は５０〜１００００Ｈｚである。交流電源１５により電極部１０と消弧コンデンサ１３間に交流電圧を印加することにより、電極部１０の複数の電極１１、１２間に間欠的に放電が生じてプラズマを発生する。
第５図に上述した多極化プラズマ発生装置を、オゾン発生装置に適用した具体的な構成図を示す。
オゾン発生装置は、前述した上下部冷媒用ジャケット３２、３３及び絶縁ブロック３１を収容する容器３０を有する。対向電極３４は、上部冷媒用ジャケット３２の全面ではなく、浮遊電極２１との対向面のみに共通に設けられて、容器３０から取り出されて容器３０外に設けた高電圧ＡＣ電源用の一方の端子３８に接続される。また、共通接地電極３５も、絶縁ブロック３１の周囲ではなく、絶縁ブロック３１の内部で、各容量結合電極２０の接地電極２３を並列接続する形で設けられ、容器３０から取り出されて容器３０外に設けた高電圧ＡＣ電源用の他方の端子３９に接続される。容器３０には、直線状の放電空間３７に通じるＯ_２を供給する供給口４１と、オゾンを排出する排出口４２とが設けられる。また、上部冷媒用ジャケット３２に冷媒供給口４３が設けられ、下部の冷媒用ジャケット３３に冷媒排出口４４が設けられ、上部冷媒用ジャケット３２及び下部冷媒用ジャケット３３を容器３０の外でコイル状の冷媒配管４５により接続することにより、純水等の冷媒３６を循環させるようになっている。
共通の対向電極３４に接続された端子３８と、容量結合電極２０の接地電極２３に共通接地電極３５を介して接続された端子３９間に高電圧ＡＣ電源を接続し、各浮遊電極２１と対向電極３４間で放電を起こさせる。端子３８、３９間に電圧をかけていくと、第２図で説明したように放電開始電圧で電極３４、２１間に放電が起こる。しかし、この放電は容量結合電極２０に取り付けられている消弧コンデンサへの充電が完了すると共に終了する。第５図の様に多極化されている場合、放電は各々の電極３４、２１間で相前後して発生し、一定の時間経過後消弧する。放電ギャップＧ間にバラツキがあるためである。供給口４１から酸素Ｏ_２または乾燥空気を放電空間３７に供給すると、放電空間３７で酸素Ｏ_２は効率よくオゾン混合ガス（Ｏ_２＋Ｏ_３）に変えられて、容器３０の排出口４２から排出される。この実施の形態によれば、容量結合電極２０を多数用いて多極化することで、大面積プラズマ源を実現できる。また、容量結合電極２０を並列接続するので、放電回路を低インピーダンス化でき、高密度大面積プラズマ源を実現できる。したがって、オゾンを高効率で発生できる。
また、この実施の形態によれば、突出して配置した浮遊電極２１と、これに対向する対向電極３４の対向部とで構成される複数の点状配列電極部を直線状あるいは面状に展開している。無声放電やＲＦ放電では、並行平板電極間に一箇所でも歪みや曲りが生じて電荷の集中しやすり狭い場所があると、そこに電荷が集中して放電が偏り、プラズマが不均一になるのが避けられなかった。これに対して、実施の形態では、むしろ逆に、各容量結合電極単位で対向電極の対向部との点状電極部に電荷を集中させて放電を偏らせ、そこでプラズマを高効率で生成し、多極化して直線状あるいは面状に配列することにより、トータルで均一なプラズマを形成している。したがって、無声放電やＲＦ放電のように並行平板電極を要求されず、共通の対向電極３４にたとえ歪みや曲りが生じても、各電極部で大電流放電を確保できるため、高密度大面積プラズマ源を実現できる。
なお、冷媒３６は、冷媒の介在により電極３４、２１間を短絡させないように純水などの絶縁性の高い物質を利用するか、冷媒３６と電極３４、冷媒３６と浮遊電極２１との間に絶縁体などを介在させてて、電極３４、２１に直接冷媒３６を触れないようにするなどの工夫が必要となる。図示例ではそれぞれの冷媒用ジャケット３２及び３３と接する電極３４、２１を結ぶ冷媒配管４５をコイル状にすることで、冷媒にリアクタンス成分を持たせ、高周波的に絶縁性を持たせようとしている。また、オゾンを生成するための原料ガスは酸素Ｏ_２が支配的になるが、酸素Ｏ_２が１００％である必要はなく、乾燥した空気、あるいは酸素Ｏ_２にプラズマ安定化のためにＡｒやＮ_２などの不活性ガスを含ませてもよい。
ところで、複数の容量結合電極２０の並べ方には、第４図及び第５図に示されているように、ガスの流れる方向に沿って、複数の容量結合電極２０を起立させ、頭の高さを揃えて直線的に並べる方法もある。しかし、この並べ方に限定されない。例えば、更に面的な広がりを持たせて配列したり、複数の容量結合電極２０を倒して同一平面上に配列することも考えられる。そのような種々の配列の具体例を第６図〜第８図に示す。
第６図は、面的な広がりを持たせた容量結合電極配列の平面図である。起立させた容量結合電極２０を縦横揃えて碁盤目状に並べている。これによれば放電領域を面状に拡大することができ、より高密度大面積プラズマ源を実現できる。
第７図も、面的な広がりを持たせた容量結合電極配列の平面図であるが、起立させた複数の容量結合電極２０を横一列に複数列並べ、各列の容量結合電極２０間の隙間を埋めるように、隙間に対応する相隣る列の容量結合電極２０の位置をずらしたものである。一の容量結合電極２０部を擦り抜けても、必ずガスは他の容量結合電極２０部を通過することになるので、より高密度大面積プラズマ源を実現できる。
第８図は、同一平面状に配列した容量結合電極配列の平面図である。なお、この場合、容量結合電極２０の面的配列に止まらず、容量結合電極２０を積層することで立体的配列に拡張することも可能である。
容量結合電極２０をその軸方向を径方向に保持する筒状容器５０を有する。筒状容器５０の中央部に円形の内側冷媒用ジャケット５２、その外側に同心状に輪形の絶縁ブロック５１、その外側に同心状に輪形の外側冷媒用ジャケット５３がそれぞれ配設される。輪形の絶縁ブロック５１には、円形の内側冷媒用ジャケット５２を中心として、複数本の容量結合電極２０が放射状に配置されている。また、内側冷媒用ジャケット５２の外周に筒状の共通対向電極５４が設けられて、高電圧ＡＣ電源用の一端子３８に接続される。輪形の絶縁ブロック５１の内部には、各容量結合電極２０を構成する接地電極２３を並列接続した共通接地電極５５が設けられて、高電圧ＡＣ電源用の他端子３９に接続される。共通対向電極５４は内側冷媒用ジャケット５２によって、また容量結合電極２０の浮遊電極２１は外側冷媒用ジャケット５３によってそれぞれ冷却される。
なお、各電極５４、５５から高電圧ＡＣ電源用の端子３８、３９への接続ラインは、便宜上、図面に描かれているが、実際には図面には描かれていない容器端部に設けたガスの導入口側もしくは導出口側に接続配置することになる。上記共通対向電極５４と絶縁ブロック５１との間に形成され、浮遊電極２１の一端２１ａが突出しているガスの通る放電空間５７は輪形ないし、奥行のある筒形をしている。オゾン発生装置として使用する場合、供給される酸素Ｏ_２は、第８図の紙面に対して垂直方向に放電空間５７を通過することになる。本実施例では、第５図の構成と単に容量結合電極２０の並び方が異なるだけ、動作その他は第５図と同じである。
本実施例による容量結合電極の配列例は、複数の容量結合電極を放射状配列することによって、プラズマ発生装置ないしオゾン発生装置を、ガス供給配管と同じ円筒状に形成することができるので、装置をコンパクト化するうえで重要であると考えられる。
なお、容量結合電極２０の配置方法としては、上述した放射状の他に、螺旋状や層状に配列することも可能である。また、共通対向電極５４は、これを内部から冷却しない場合は、筒状ではなく、中実の棒状としてもよい。この場合、棒状の共通対向電極５４の端部を冷媒に接触させて、棒状共通対向電極５４を外部から冷却するとよい。また、この実施例の場合でも、紙面に現われている容量結合電極２０を、第６図又は第７図に示すように立体的に配列することも可能である。また、図示する容量結合電極２０を棒状とはせずに、紙面と垂直方向に延びる平板状にして、容器５０を筒状にすることも可能である。また、容量結合電極２０は、棒状のままとして、これを立体的配列とせず、同一面に一重配列とすることにより、容器５０を奥行のない偏平な構成としてもよい。
上述した実施の形態では、浮遊電極２１と対向して配置した共通の対向電極、３４、５４を、いずれも対向部のみならず対向電極全面を平坦な面で構成したが、平坦面に限定されない。例えば、対向部を凹条または凸状に形成したり、あるいは開孔を設けたりしてもよい。
第９図は、そのような凹凸部を持つ対向電極６４の例を示したものである。第９図（ａ）は対向電極６４を浮遊電極２１側からながめた背面図、第９図（ｂ）は対向電極６４の断面図と浮遊電極２１を横からながめた側面図である。対向電極６４の浮遊電極２１に最も近い対向部に、共通の対向電極６４を貫通する開孔６５や、半球状の球面状突起６６、棒状突起６７、中央部が凹んだリング状突起６８を設けたりすることができる。凹凸など何もない平坦面からの放電は起こりにくいが、対向部に意図的に上述した開孔６５や突起６６〜６８を作成し、この部分から放電させることで、開孔６５や突起６６〜６８に電荷を集中させることができ、対向電極６４側からの放電が容易になる。したがって、プラズマを一層高効率で生成できる。
上述した実施の形態では、放電空間３７へのガスの導入方向が直線状ないし一方向に流れる場合について説明した。しかし、容量結合電極２０の浮遊電極２１を筒状として浮遊電極２１内にガスの流路を形成したり、あるいは前述したように対向電極６４に電荷集中用の開孔６５を設けたりした場合には、ガスの導入方向に変化を持たせて、非直線上にガスを流れるようにすることも可能である。第１０図ないし第１３図はそのようなガスの導入方向の変形例を示したものである。なお、これらの図において、容量結合電極２０は、便宜上、多極化配列のうちの一つを抜き出して描いてある。
第１０図は、浮遊電極２４を筒状に形成して内部に流路２５を持たせ、浮遊電極２４を通してオゾンＯ_３などの反応物としての生成ガスを取り出すようにしたものである。基本的な構成は第５図と同じであり、異なる点は、上述したように浮遊電極２４を筒状に形成した点である。また、容量結合電極２０を構成する反対側の浮遊電極２４の下端２４ｂを下部冷媒用ジャケット３３を貫通するように延在させ、浮遊電極２４の上端に形成されている放電空間３７とは別に、延在先に生成ガスを流す下部空間７１を形成した点である。この下部空間７１は、絶縁ブロック３１とで下部冷媒用ジャケット３３を形成する第２の絶縁ブロック７２で容器下壁３０ｂを囲むことによって形成する。
放電ギャップＧを含む浮遊電極２４上の放電空間３７に原料ガスである酸素Ｏ_２を導入し、放電ギャップＧで生成ガスであるオゾンＯ_３を生成し、生成されたオゾンＯ_３を筒状浮遊電極２４を通して浮遊電極２４下の下部空間７１に流し、装置から取り出す。この場合は、多極配列のとき、原料ガスである酸素の一部がオゾンＯ_３とともに導出されてしまうので、酸素Ｏ_２がプラズマに触れる回数が減るけれども、その代わりに、生成オゾンＯ_３は速やかに導出されるので、生成オゾンＯ_３が異物や熱によって分解を起こす可能性が低減する。
第１１図は、構成は第１０図と同じであるが、筒状浮遊電極２４を通して原料ガスである酸素Ｏ_２を供給するようにしている点で異なる。浮遊電極２４下の下部空間７１に原料ガスを流して、浮遊電極２４を通して放電空間３７に導入する。放電ギャップＧを含む浮遊電極２４上の放電空間３７には生成ガスＯ_３が流れる。この場合は、原料ガスである酸素Ｏ_２の大半が電極３４、２４間に導入されるので、酸素Ｏ_２がプラズマに触れる回数が増えるけれども、その代わりに、生成オゾンＯ_３は異物や熱による分解をひき起こす可能性も高まる。
第１２図は、対向電極３４の対向部に開孔６５を設けて、対向電極３４を通して原料を放電空間３７に供給するようにしている。
基本的な構成は第５図と同じであり、異なる点は、上述したように対向電極３４に電荷を集中させる開孔６５を設けて、この開孔６５を、原料ガスを放電空間３７に導入する流路とに兼用にした点である。開孔６５から原料ガスを放電空間３７に導入するために、容器３０の上壁３０ａと容量結合電極２０を設けた絶縁ブロック３１との間の空間に、下面が対向電極３４となる冷媒用ジャケット３２を設け、冷媒用ジャケット３２と上壁３０ａとの間に上部空間７３を形成し、冷媒用ジャケット３２と絶縁ブロック３１との間に放電空間３７を形成する。
対向電極３４側から原料ガスを供給する場合、上部空間７３に原料ガスである酸素Ｏ_２を導入し、対向電極３４に設けた開孔６５を介して放電空間３７に供給する。第１１図に示す実施例と同様に、原料ガスのプラズマに触れる回数が増える代わりに、生成オゾンＯ_３の熱や異物による分解も起こりやすい。
第１３図は、構成は第１２図と同じであるが、対向電極３４の対向部に開孔６５を設けて、対向電極３４側へ生成ガスを排出するようにしている点で異なる。対向電極３４側へ生成ガスを排出する場合、開孔６５を介して上部空間７３から生成ガスであるオゾンＯ_３を含む混合ガス（Ｏ_２＋Ｏ）を排出する。第１０図に示す実施例と同様に、原料ガスのプラズマに触れる回数が減る代わりに、生成オゾンＯ_３の熱や異物による分解も起こりにくい。
上述したプラズマ発生装置は、いずれもコンパクトであり、構成（設計）の自由度が高いため、拡散装置、縦型ＣＶＤ装置、枚葉ＣＶＤ装置、洗浄装置、エッチング装置（アッシング装置）、排ガス処理装置など種々の装置に容易に取り付けることができる。次に、そのような適用例について説明する。
第１４図は、オゾン酸化を行う縦型拡散装置の反応炉８０の構成例を示す。反応炉８０は、複数の基板Ｗを積載したボート９０が挿入されて挿入口がシールキャップ９１によって密閉される反応管８１と、反応管８１の外周に設けられて基板Ｗを加熱するヒータ８２と、反応管８１にガスを供給するガス供給管８３と、反応管８１内の雰囲気を排気する排気管８４とを備える。反応管８１に通じるガス供給管８３に実施例のオゾン発生装置１００が設けられる。
ガス供給管８３から酸素Ｏ_２がオゾン発生装置１００に供給されると、プラズマ雰囲気に曝されてオゾンＯ_３が生成され、オゾン発生装置１００から排出される。排出されたオゾンＯ_３は反応管８１内に供給されて、反応管８１内で加熱された基板Ｗの表面をオゾン酸化して、排気管８４から排気される。オゾン酸化の終了した基板Ｗはボート９０とともに反応管８１より引き出される。
オゾン発生装置１００は、コンパクトなため、反応管８１の近傍に設置することができる。オゾンＯ_３は、ガス供給管８３内でも自己分解が起き、酸素Ｏ_２に変化してしまうが、反応管８１の近傍にオゾン発生装置１００を設置することができると、オゾンＯ_３の供給段階でのオゾン消費を極力減らすことができる。また、オゾン発生装置１００の構成の自由度が高いため、例えばＨ_２Ｏガスを生成する外部燃焼装置（いわゆる外燃ＢＯＸ）のような形で、オゾン発生装置１００を直接反応管８１に取り付けることも可能となる。本装置では、実施例のオゾン発生装置を用いているので、複数の基板を有効にオゾン酸化することができる。
第１５図は、縦型ＣＶＤ装置の反応炉８０の構成例を示す。基本的構成は第１４図と同じである。異なる点は、ガス供給管８３に、原料ガス供給ライン８５と酸素供給ライン８６とから構成された混合ガス供給系８９が接続されている点である。原料ガス供給ライン８５に流れる原料ガスは、酸素供給ライン８６に流れるオゾンＯ_３と合流して反応管８１内に供給されるように構成されている。なお、合流部近くの原料ガス供給ライン８５及び酸素供給ライン８６にそれぞれ逆止弁８７、８８が設けられている。
ＣＶＤの酸化剤としてオゾンガスを使用するために、酸素供給ライン８６に実施例のオゾン発生装置１００が取り付けられる。この場合でも、第１４図で説明したとおり、反応管８１の近傍にオゾン発生装置１００を配置しても構わないし、他のガスと同様に、メンテナンス性の見地から、反応炉８０へ電力等を供給するユーティリティ側に設置しても構わない。本装置では、実施例のオゾン発生装置を用いているので、複数の基板にＣＶＤ膜を有効に形成することができる。
オゾンＯ_３を利用して基板Ｗを処理する本装置は、もっとも典型的な例として、ＣＶＤ法によるＴＥＯＳとオゾンＯ_３とを用いたＳｉＯ_２膜の形成に使用される。また、これ以外にＡｌ（ＣＨ_３）_３とオゾンＯ_３とを交互に供給して１原子層づつ成膜していくＡＬＤ法によるＡｌ_２Ｏ_３膜などの形成にも使用される。また、これら以外の処理例として、基板Ｗ上に形成したＴａ_２Ｏ_５膜やＺｒＯ_２膜やＨｆＯ_２膜などのＨｉｇｈ−ｋ（高誘電体）膜や、電極材料として使われるＲｕＯ_２膜などの膜をオゾンを用いて改質（膜中からＣ、Ｈ等を酸化力で抜き取る）する場合にも使用される。
第１６図は、ＣＶＤ枚葉装置の反応炉の構成例を示す。混合ガス供給系８９の構造は、第１５図と同様であり、異なる点は、反応炉１１０がホットウォールバッチ式ではなく、コールドウォール枚葉式である点である。反応炉１１０は、炉を構成する反応室１１１内に、ヒータを有するサセプタ１１２上に基板Ｗが加熱可能に載置され、サセプタ１１２上のシャワープレート１１３から、混合ガス供給系８９から導入される混合ガスが基板Ｗ上に供給され、排気口１１４から排気されるようになっている。本装置では、実施例のオゾン発生装置を用いているので、枚葉基板にＣＶＤ膜を有効に形成することができる。
第１７図は、オゾン用いた洗浄装置の構成例を示す。給水ライン１２２からフィルタ１２３に導入した水を充填剤１２４を通して濾過する。一方、酸素供給ライン１２１から導入した酸素Ｏ_２を実施例のオゾン発生装置１００を通してオゾンＯ_３を発生させる。このオゾンＯ_３をフィルタ１２３に導入することで、充填剤１２４で濾過された水にオゾンＯ_３を溶解させてオゾン水を作成し、これを反応管や反応室、配管などの被洗浄対象１２０に供給して、汚れを除去する。本装置では、実施例のオゾン発生装置を用いているので洗浄効果を向上できる。
第１８図は、枚葉式のエッチング装置の構成例を示す。基本構成は第１６図と同様であり、異なる点は、原料ガス供給ラインと逆止弁を取り去った点で、オゾン発生装置１００からオゾンＯ_３を反応室１１１内の基板Ｗに供給することにより、基板Ｗ表面をエッチングする。エッチング例としてはアッシングがある。アッシングの原理を第１９図に示す。ヒータを有するサセプタ１１２上に基板Ｗを載置して、加熱する。基板Ｗの表面には、酸化膜Ｑを介してレジスト膜Ｒが形成されている。この基板Ｗ上のレジスト膜ＲをオゾンＯ_３を用いて除去する。オゾンＯ_３を熱によって分解し、酸素Ｏ_２と原子状酸素Ｏ^＊に分かれる。この原子状酸素Ｏ^＊は活性が高いため、レジスト膜Ｒを炭酸ガスＣＯ_２と水Ｈ_２Ｏとに分解する。また、オゾンＯ_３は分解して酸素Ｏ_２になるため、特別な除害装置などを必要としないメリットがある。本装置では、実施例のオゾン発生装置を用いているのでエッチング効果を向上できる。
第２０図は、プラズマを利用した排ガス処理装置を備えるＣＶＤ枚葉装置例の構成図である。原料ガス供給ライン８５から反応室１１１内にＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）やＴＲＩＥＳ（Ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）が供給され、これらの未反応ガスが排気口１１４から排出される。この排気口１１４に接続した排気管１１５に実施例のプラズマ発生装置１００を設ける。ポンプ１１６で反応室１１１内を真空引きして、プラズマ発生装置１００に未反応ガスを通過させることにより、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）やＴＲＩＥＳ（Ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）の未反応ガスをプラズマで分解し、安全な形で排出させる。安全な形としてはＳｉ粉末又は、これを酸化したＳｉＯ_２である。これによってポンプ１１６へのダメージを軽減することができ、ポンプ寿命を伸ばすことができる。本装置では、実施例のプラズマ発生装置を用いているので排ガス処理効果を向上できる。
（実施の形態の効果）
実施の形態によれば、電極間に誘電体が挿入されていないので、放電エネルギー密度が高く、大気圧下で高効率なプラズマを発生できる。電極間に誘電体が介在する無声放電よりも一放電当たりの放電エネルギー密度は１０〜１０００倍とすることが可能である。また、電極部に消弧コンデンサを直列接続ししたので、グロー放電からアーク放電へ切り替わる前に消弧する間欠放電となるので、電極部に誘電体が挿入されていなくても、電極部のダメージを低減できる。したがって、装置へのダメージが少なく、スパッタリングによる汚染も発生しない。
また、実施の形態によれば、金属電極の一方をユニット化した容量結合電極で構成し、これを用いて多極化プラズマ源を形成できるので、設計の自由度が高い。容量結合電極の配列により、例えば、第４図〜第８図のような多様な形状をもつ高効率大面積のプラズマ源を形成することができる。
また、共通対向電極と多極化した容量結合電極との間でそれぞれ個別に放電させるので、平行平板電極のように放電を空間に一様に発生させることが難しくなるというような不具合がなくなり、大きな空間でも放電を一様に発生させることが容易となる。したがって、大面積高密度プラズマの発生が容易で、オゾン発生効率を高めることができる。特に、容量結合電極同士間の絶縁破壊を避けるように容量結合電極を配置すると、容量結合電極同志間の放電（横方向の放電）を防止できるので、放電が偏ることなく、より均一なプラズマを得ることができる。
また、放電電極を金属電極とし、金属電極を冷媒で冷却するようにしたので、電極の除熱が容易であり、オゾンを低温で生成することができ、したがって生成したオゾンの熱による再分解を有効に阻止することができる。本方式を利用したオゾン発生器では、１．０ｇＯ_３／Ｗ・ｈｒの効率でオゾンを生成することができた。これは従来の無声放電の効率０．２２ｇＯ_３／Ｗ・ｈｒの約５倍と高効率である。このときの本方式のオゾン発生器の条件は、放電ギャップ１．０ｍｍ、容量結合電極は、銅棒（φ２ｍｍ）にシリコーン熱収縮チューブを介して銅箔を巻きつけて構成し、消弧コンデンサ容量は２０ｐＦ（ａｔ １００ｋＨｚ）である。また、電極数は２０個、Ｏ_２流量は１０ｓｌｍ、高電圧ＡＣ電圧は５０Ｈｚ、１０ｋＶ_ｐｐである。
（変形例）
上述した実施の形態では、対向電極と容量結合電極間に交流電圧を印加するようにしたが、直流電流を印加するようにしてもよい。第２３図は、そのような場合の変形例を示し、（ａ）はプラズマ発生装置全体の概略構成図、（ｂ）は１極のプラズマ注入電力図、（ｃ）は１極の等価回路図をそれぞれ示す。
第２３図（ａ）に示すように、複数の容量結合電極２０を、各浮遊電極２１の一端が対向電極３４と対向するように配列して、装置を多極化する。複数の容量結合電極２０の各接地電極２３を接地するが、これと同様に、各浮遊電極２１の他端を放電用抵抗Ｒを介して接地する。これにより消弧コンデンサ１３と放電用抵抗Ｒとが並列接続されて、消弧コンデンサ容量Ｃに蓄積される蓄積電荷が放電用抵抗Ｒを介して放電する放電回路が形成される（第２３図（ｃ））。対向電極３４と接地間に直流高圧電源ＤＣを接続して直流高電圧を印加する。直流高圧電源ＤＣには電源補助用コンデンサＣ_０が並列接続される。
直流高圧電源ＤＣから対向電極３４、浮遊電極２１間に放電開始電圧を越える直流高電圧を加えると、放電開始と共に電極３４、２１間は短絡状態と同様になり、大電流が流れる。これにより対向電極３４と各容量結合電極２０間ではランダムに点弧し各放電ギャップＧにプラズマＰＬが生成される。一方、電流により消弧コンデンサ１３への電荷の蓄積が開始される。この消弧コンデンサ１３がフルチャージされると、電流はそれ以上流れなくなり、放電が停止する。つまり、消弧コンデンサ１３への電荷蓄積時間だけ放電が成立する直流パルス放電となる。消弧コンデンサ容量Ｃに蓄積した電荷は放電用抵抗Ｒによって放電する。この放電により、電極３４、２１間の電圧が増大して再点弧が可能になる。１つの容量結合電極２０の再点弧の周期はτ≒ＣＲである（第２３図（ｂ））。ここでＣＲは蓄積電荷放電の時定数である。
電源に直流電源ＤＣを用いると、プラズマ電位に対して電極の電位を固定できるので、特にイオン種の加減速を必要とするプロセスに適用すると有利である。ただし、この場合、注入電力の１／２は無駄に消費される。すなわち消弧コンデンサ１３に蓄えられた静電エネルギーは放電用抵抗Ｒによってジュール熱になる。
このように自己消弧放型容量結合電極を用いる本発明の方式は、放電時定数回路を設けることにより直流パルス運転が可能であり、これは無声放電方式にはない特徴であり、この点からも設計の自由度が高いものである。

本発明によれば、簡単な構造でありながら、無声放電と比べて放電エネルギー密度が大きく、プラズマを高効率に発生することができる。また放電エネルギー密度が大きいので、オゾンを高効率に発生することができる。したがって、プラズマ発生装置やオゾン発生装置装置の容積を縮小できる。また、放電エネルギー密度が大きくなっても、自己消弧放電となるので、電極部へのダメージを低減できる。また、電極をユニット化すると、取り扱いが容易になる。

Claims (8)

1. 複数の電極からなる電極部と、
   この電極部と直列に接続され電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
   前記電極部と前記電荷蓄積部とで形成される直列接続回路に対して交流電圧を印加して前記電極部の複数の前記電極間に放電を生じさせてプラズマを発生させる交流電源と、を有し、
   前記電荷蓄積部は、前記電極部の複数の前記電極間に生じる放電を間欠させるように構成されている
   ことを特徴とするプラズマ発生装置。
2. 複数の電極からなる電極部と、
   この電極部と直列に接続され電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
   前記電極部と前記電荷蓄積部とで形成される直列接続回路に対して交流電圧を印加して前記電極部の複数の前記電極間に放電を生じさせてプラズマを発生させ、この放電雰囲気中に酸素原子を含むガスが供給されることによりオゾンを発生させる交流電源とを有し、前記電荷蓄積部は、前記電極部の複数の前記電極間に生じる放電を間欠させるように構成されている
   ことを特徴とするオゾン発生装置。
3. 第１の電極と、
   前記第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、
   前記絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、
   前記第１の電極と対向する第３の電極と、前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、
   この電源により前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、前記第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせてプラズマを発生させる
   ことを特徴とするプラズマ発生装置。
4. 第１の電極と、前記第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、前記絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、前記第１の電極と対向する第３の電極と、前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、この電源により前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、前記第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせ、この放電雰囲気中に酸素原子を含むガスを供給することによりオゾンを発生させる
   ことを特徴とする基板処理装置。
5. 基板を処理する処理室と、プラズマを発生させるプラズマ発生装置とを有し、前記プラズマ発生装置により発生させたプラズマに処理ガスを晒すことにより得た反応物を用いて基板を処理する基板処理装置において、
   前記プラズマ発生装置は、
   第１の電極と、前記第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、前記絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、前記第１の電極と対向する第３の電極と、前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、前記第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせプラズマを発生させるよう構成される
   ことを特徴とする基板処理装置。
6. 基板を処理する処理室と、オゾンを発生させるオゾン発生装置とを有し、前記オゾン発生装置により発生させたオゾンを用いて基板を処理する基板処理装置において、
   前記オゾン発生装置は、
   第１の電極と、前記第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、前記絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、前記第１の電極と対向する第３の電極と、前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加する電源とを有し、前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、前記第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせ、この放電雰囲気中に酸素原子を含むガスを供給することによりオゾンを発生させるよう構成される
   ことを特徴とする基板処理装置。
7. 第１の電極と、前記第１の電極の周囲に設けられた絶縁体又は誘電体と、前記絶縁体または誘電体の周囲に設けられた第２の電極とからなる電極ユニットと、前記第１の電極と対向する第３の電極とを有し、前記第２の電極と第３の電極間に電圧を印加することにより、前記第１の電極と第３の電極間に放電を生じさせプラズマを発生させる工程と、
   このプラズマに処理ガスを晒すことにより得た反応物を用いて基板を処理する工程と、
   を有する
   ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
8. 複数の電極からなる電極部と、
   この電極部と直列に接続され電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部と、
   前記電極部と複数の電荷蓄積部間とで形成される複数の直列接続部を並列に接続した回路
   に対して交流電圧を印加して前記電極部の複数の前記電極間に放電を生じさせてプラズマを発生させる交流電源とを有し、
   前記電荷蓄積部は、前記電極部の複数の前記電極間に生じる放電を間欠させるように構成されている
   ことを特徴とするプラズマ発生装置。

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