JPH03214723A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH03214723A JPH03214723A JP970190A JP970190A JPH03214723A JP H03214723 A JPH03214723 A JP H03214723A JP 970190 A JP970190 A JP 970190A JP 970190 A JP970190 A JP 970190A JP H03214723 A JPH03214723 A JP H03214723A
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- Japan
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- electrode
- semiconductor substrate
- gas
- film
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 40
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 4
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上に成膜を行なうプラズマＣＶＤ装
置に関する。
置に関する。
従来のプラズマＣＶＤ装置は、第３図に示す様に、真空
処理容器ｌ内に保持電極２人とこれに対向して設けられ
た対向電極１２とを設け、この保持電極２人に半導体基
板３を載せ、この真空処理容器１内に反応ガスをガス導
入口４より導入しながら、放電用電源５により両電極２
Ａ，１２間に電圧を印加して放電を生じさせ、半導体基
板３上に気相成長を行なわせる構造となっていた。尚、
保持電極２Ｎはヒータ６によって加熱され、排気ガスは
排気口７から排出されるように構成されていた。
処理容器ｌ内に保持電極２人とこれに対向して設けられ
た対向電極１２とを設け、この保持電極２人に半導体基
板３を載せ、この真空処理容器１内に反応ガスをガス導
入口４より導入しながら、放電用電源５により両電極２
Ａ，１２間に電圧を印加して放電を生じさせ、半導体基
板３上に気相成長を行なわせる構造となっていた。尚、
保持電極２Ｎはヒータ６によって加熱され、排気ガスは
排気口７から排出されるように構成されていた。
上述した従来のプラズマＣＶＤ装置においては、保持電
極２人に半導体基板３を載置し、電極間に放電を行なわ
せる構造である為、プラズマＣＶＤ工程前の集積回路製
造工程において、半導体基板の裏面に必然的に形成され
る自然酸化膜や拡散炉における熱酸化膜等の薄い絶縁膜
により、半導体基板３と保持電極２人との間におる接触
抵抗を生じる。この接触抵抗は半導体基板各々の裏面状
態により異なる為に、放電中における半導体基板３の電
位は、半導体基板毎に差異を生じる。この電位差による
各半導体基板に集中するプラズマ密度の違いから、成長
膜の膜質が半導体基板により不均一になるという欠点を
生じていた。
極２人に半導体基板３を載置し、電極間に放電を行なわ
せる構造である為、プラズマＣＶＤ工程前の集積回路製
造工程において、半導体基板の裏面に必然的に形成され
る自然酸化膜や拡散炉における熱酸化膜等の薄い絶縁膜
により、半導体基板３と保持電極２人との間におる接触
抵抗を生じる。この接触抵抗は半導体基板各々の裏面状
態により異なる為に、放電中における半導体基板３の電
位は、半導体基板毎に差異を生じる。この電位差による
各半導体基板に集中するプラズマ密度の違いから、成長
膜の膜質が半導体基板により不均一になるという欠点を
生じていた。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、真空処理容器内に設け
られ半導体基板を保持するための保持電極と、この保持
電極に対向して設けられた対向電極とを有し、この真空
処理容器内に反応ガスを導入しながら前記電極対間に放
電を生じさせ、前記半導体基板上に膜形成を行なうプラ
ズマＣＶＤ装置において、前記保持電極の中心部に穴を
設け、表面にエッチングガスの噴出口が設けられた平板
状のガス噴出電極をこの穴内に配設すると共に、このガ
ス噴出電極を前記対向電極方向に移動させるための手段
を設けたものである。
られ半導体基板を保持するための保持電極と、この保持
電極に対向して設けられた対向電極とを有し、この真空
処理容器内に反応ガスを導入しながら前記電極対間に放
電を生じさせ、前記半導体基板上に膜形成を行なうプラ
ズマＣＶＤ装置において、前記保持電極の中心部に穴を
設け、表面にエッチングガスの噴出口が設けられた平板
状のガス噴出電極をこの穴内に配設すると共に、このガ
ス噴出電極を前記対向電極方向に移動させるための手段
を設けたものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において真空処理容器１内には、半導体基板３を
保持する保持電極２と成膜用ガスの噴出口を有する対向
電極ｌ２とが設けられている。そして特に保持電極２の
中心部に設けられた穴の内部には、エッチングガスの噴
出口を有する平板状のガス噴出電極８が設けられている
。なお、５は放電用電源、６はヒーター、７は成膜用ガ
スの排気口、９はエッチングガス導入口、１０はエッチ
ング排気口、１１はガス噴出電極８を対向電極ｌ２方向
に移動させるための、ボールネジとバルスモータ等から
なる駆動部である。
保持する保持電極２と成膜用ガスの噴出口を有する対向
電極ｌ２とが設けられている。そして特に保持電極２の
中心部に設けられた穴の内部には、エッチングガスの噴
出口を有する平板状のガス噴出電極８が設けられている
。なお、５は放電用電源、６はヒーター、７は成膜用ガ
スの排気口、９はエッチングガス導入口、１０はエッチ
ング排気口、１１はガス噴出電極８を対向電極ｌ２方向
に移動させるための、ボールネジとバルスモータ等から
なる駆動部である。
次に、このように構成された第１の実施例で成膜を行な
う場合について説明する。ガス噴出電極８が半導体基板
３の裏面より離れた状態で、例えばＨＦやＨＣ／等のエ
ッチングガスをエッチングガス導入口９ぷり導入し、ガ
ス噴出電極の８の噴出口よりエッチングガスを半導体基
板３の裏面に吹き付けることにより、エッチングガスは
半導体基板３の裏面に形成された薄い絶縁膜をエッチン
グして、エッチングガス排気口１０より排気される。
う場合について説明する。ガス噴出電極８が半導体基板
３の裏面より離れた状態で、例えばＨＦやＨＣ／等のエ
ッチングガスをエッチングガス導入口９ぷり導入し、ガ
ス噴出電極の８の噴出口よりエッチングガスを半導体基
板３の裏面に吹き付けることにより、エッチングガスは
半導体基板３の裏面に形成された薄い絶縁膜をエッチン
グして、エッチングガス排気口１０より排気される。
次に、駆動部１１によりガス噴出電極８を半導体基板３
の裏面のエッチングされた部分に接触させた後に、成膜
用ガス導入口４より成膜用ガスを導入しながら対向電極
ｌ２と、保持電極２及びガス噴出電極８間に放電用電源
５によ９、高電圧を印加し、成膜を行なう。
の裏面のエッチングされた部分に接触させた後に、成膜
用ガス導入口４より成膜用ガスを導入しながら対向電極
ｌ２と、保持電極２及びガス噴出電極８間に放電用電源
５によ９、高電圧を印加し、成膜を行なう。
このように半導体基板３の裏面の絶縁膜をエッチングに
て取り去った部分に、保持電極２と電気的に接続された
ガス噴出電極８を接触させている為に、プラズマＣＶＤ
より前の工程で半導体基板裏面に形成された絶縁膜に影
響を受けることなく、成長膜の膜厚，膜質が半導体基板
によらない均一な膜を成長することが出来る。
て取り去った部分に、保持電極２と電気的に接続された
ガス噴出電極８を接触させている為に、プラズマＣＶＤ
より前の工程で半導体基板裏面に形成された絶縁膜に影
響を受けることなく、成長膜の膜厚，膜質が半導体基板
によらない均一な膜を成長することが出来る。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
本第２の実施例では真空処理・容器１内に複数の対向電
極ｌ２と保持電極２とガス噴出電極８を有しておシ、各
半導体基板３毎に裏面をエッチングー５− 出来る構造となっている。その他は第１の実施例と同様
である。
極ｌ２と保持電極２とガス噴出電極８を有しておシ、各
半導体基板３毎に裏面をエッチングー５− 出来る構造となっている。その他は第１の実施例と同様
である。
本第２の実施例においても第１の実施例キと同様の効果
を得ることが出来る他に、多数の半導体基板を同時に処
理できるという利点がある。
を得ることが出来る他に、多数の半導体基板を同時に処
理できるという利点がある。
以上説明した様に本発明は、半導体基板を載置する保持
電極の中心部に設けた穴内に、半導体基板の裏面にエッ
チングガスを吹き付けるためのガス噴出電極とこのガス
噴出電極を移動させるための手段を設けることにより、
プラズマＣＶＤより前の工程で半導体基板裏面に絶縁膜
が形成されても、その影響を受けることがなくなる。従
って成長膜の膜厚，膜質が半導体基板の裏面の状態に依
存しない均一な膜を成長することが出来、半導体基板の
歩留りを向上させることができる効果を有する。
電極の中心部に設けた穴内に、半導体基板の裏面にエッ
チングガスを吹き付けるためのガス噴出電極とこのガス
噴出電極を移動させるための手段を設けることにより、
プラズマＣＶＤより前の工程で半導体基板裏面に絶縁膜
が形成されても、その影響を受けることがなくなる。従
って成長膜の膜厚，膜質が半導体基板の裏面の状態に依
存しない均一な膜を成長することが出来、半導体基板の
歩留りを向上させることができる効果を有する。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実−６−
施例の断面図、第３図は従来例の断面図である。
ｌ・・・・・・真空処理容器、２，２人・・・・・・保
持電極、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・ガ
ス導入口、５・・・・・・放電用電源、６・・・・・・
ヒーター ７・・・・・・ガス排気口、８・・・・・・
ガス噴出電極、９・・・・・・エッチングガス導入口、
１ ０−゜゜・・゛エッチングガス排気口、１ １ −
−−−−−駆動部、ｌ２・・・・・・対向電極。
持電極、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・ガ
ス導入口、５・・・・・・放電用電源、６・・・・・・
ヒーター ７・・・・・・ガス排気口、８・・・・・・
ガス噴出電極、９・・・・・・エッチングガス導入口、
１ ０−゜゜・・゛エッチングガス排気口、１ １ −
−−−−−駆動部、ｌ２・・・・・・対向電極。
Claims (1)
- 真空処理容器内に設けられ半導体基板を保持するための
保持電極と、この保持電極に対向して設けられた対向電
極とを有し、この真空処理容器内に反応ガスを導入しな
がら前記電極間に放電を生じさせ、前記半導体基板上に
膜形成を行なうプラズマＣＶＤ装置において、前記保持
電極の中心部に穴を設け、表面にエッチングガスの噴出
口が設けられた平板状のガス噴出電極をこの穴内に配設
すると共に、このガス噴出電極を前記対向電極方向に移
動させるための手段を設けたととを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP970190A JPH03214723A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP970190A JPH03214723A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214723A true JPH03214723A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11727537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP970190A Pending JPH03214723A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214723A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100283833B1 (ko) * | 1995-04-05 | 2001-03-02 | 히가시 데쓰로 | 성막처리장치 |
| WO2001022483A1 (fr) * | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Applied Materials Inc. | Dispositif de fabrication de semi-conducteurs et procede pour chauffer une tranche dans ce dispositif |
| KR100809590B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
| JP2008235585A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP970190A patent/JPH03214723A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100283833B1 (ko) * | 1995-04-05 | 2001-03-02 | 히가시 데쓰로 | 성막처리장치 |
| WO2001022483A1 (fr) * | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Applied Materials Inc. | Dispositif de fabrication de semi-conducteurs et procede pour chauffer une tranche dans ce dispositif |
| KR100809590B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
| JP2008235585A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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