JPS62280372A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 ［産業上の利用分野１ 本発明は半導体製造装置、特にウェハーの大口径化に対
応した高スループツトを実現させるプラズマ気相成長装
置の構造に関する。

［従来の技術］ プラズマ気相成長は低温で薄膜形成が可能で必・するか
ら、半導体集積回路の層間絶縁膜９表面保護膜の形成に
利用されている。プラズマ気相成長装置は大きく分けて
平行平板型とバレル型とに大別される。

（１）平行平板型は第４図に示すように、ウェハー４１
を水平にセットした金属製のサセプター４２と、前記サ
セプター４２と平行に上部に配置した電極板４３との間
に高周波電圧を印加し、ガス導入部４４から放出ざた反
応ガスを分解励起させて薄膜をウェハー４１上に形成さ
せるものである。第４図中、４５は排気口、４６はヒー
タである。

（２）バレル型は第５図に示すように正多角柱状の電極
５２の側面にウェハー５１をそれぞれセットし、前記電
極５２の外側に円筒状電極５３を配置し、その間に高周
波電圧を印加する方式である。

［発明が解決しようとする問題点１ しかしながら、前述した従来方式ではウェハーをセット
するサセプター４２または正多角柱状電極５２の表面積
によりウェハーの処理枚数、すなわちスループットが決
定されるため、ウェハーの大口径化が進むと、スループ
ットが大きく低下する。

また、従来方式で現状のスループットを維持しようとす
れば、装置は大型化するという欠点がある。

本発明の目的はウェハーの大口径化に対応した高スルー
プツトを実現させるプラズマ気相成長装置を提供するこ
とにある。

［問題点を解決するための手段１ 本発明は複数枚の電極板を並設し、隣接する対向電極板
同士を組としてこれを高周波電源にそれぞれ接続したこ
とを特徴とするプラズマ気相成長装置て必る。

［実施例１ 以下、本発明の一実施例を図により説明する。

第１図、第２図、第３図において、処理室１７内に設置
した電極設置板１３の中央にノズル１６を垂直に設け、
ノズル１６の周面にノズル孔１６ａ、　１６ａ・・・を
開口する。ざらに電極設置板１３上にノズル１６を中心
として複数の電極板１２．１２・・・を垂直にかつ放射
状に配列し、隣接する対向電極板１２と１２とを絹とし
て高周波電源１８にそれぞれ接続する。また、処理室１
７内の上部にはけ一夕１４を設置し、電極設置板１３の
まわりには排気口１５．１５・・・を設けておる。

実施例において、隣接する対向電極板の一方にウェハー
１１を立て掛けてセットし、互いに対向する該電極板１
２と１２との間に高周波電源１８により高周波電圧を印
加する。一方、各ウェハー１１をヒータ１４により加熱
する。そして、ノズル１６のノズル孔１６ａより反応ガ
スを吹き出し、組をなす電極板間で反応ガスを分解励起
させて薄膜を各ウェハー１１に形成する。反応後のガス
は排気口１５より排気される。

［発明の効果］ 本発明は以上説明したように複数枚の電極板を相豆に向
き合せに配列し、隣接する対向電極板同士を組として用
いることによりウェハーの処理を行うようにしたので、
各電極板の表裏をそれぞれウェハー処理に用いることが
でき、電極板の設置面積に対するウェハーの設置枚数を
増加することができ、したがってウェハーが大口径化し
てもスループットを低下させることがなく、高スルーブ
ッ１〜を維持でき、しかも装置を小型化できる効果を有
するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ気相成長装置を示す断面図、
第２図は同平面図、第３図は本発明装置にあけるノズル
部分を示す図、第４図は従来の平行平板型プラズマ気相
成長装置の断面図、第５図はバレル型プラズマ気相成長
装置の図でおる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数枚の電極板を並設し、隣接する対向電極板同
   士を組としてこれを高周波電源にそれぞれ接続したこと
   を特徴とするプラズマ気相成長装置。