JP2895909B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマ処理方法に関する。
（従来の技術） プラズマエッチング装置のようなプラズマ処理装置
は、プラズマ処理容器内に上部電極及び下部電極を対向
配置している。そして、下部電極を載置台としてその上
に被処理体を支持するようになっている。そして、プラ
ズマ処理容器内にエッチングガスを導入すると共に、上
部電極，下部電極間にRFパワーを印加し、エッチングガ
スのプラズマを誘起している。そして、このプラズマ中
で生成されたラジカルによる化学的反応エッチングと、
プラズマ中で生成されたイオンを電極間の電界に沿って
加速した加速イオンによる物理的エッチングとによっ
て、被処理体をエッチング処理していた。
は、プラズマ処理容器内に上部電極及び下部電極を対向
配置している。そして、下部電極を載置台としてその上
に被処理体を支持するようになっている。そして、プラ
ズマ処理容器内にエッチングガスを導入すると共に、上
部電極，下部電極間にRFパワーを印加し、エッチングガ
スのプラズマを誘起している。そして、このプラズマ中
で生成されたラジカルによる化学的反応エッチングと、
プラズマ中で生成されたイオンを電極間の電界に沿って
加速した加速イオンによる物理的エッチングとによっ
て、被処理体をエッチング処理していた。
この場合、良好なエッチング特性を確保するために、
被処理体を支持する下部電極を例えば冷媒の循環によっ
て冷却して、被処理体の温度を一定温度に保持してい
た。
被処理体を支持する下部電極を例えば冷媒の循環によっ
て冷却して、被処理体の温度を一定温度に保持してい
た。
また、プラズマエッチングの処理の終了した後は、次
の処理体のプラズマ処理が開始されるまでの間に亘っ
て、プラズマ処理容器内を真空引きする。そして、一定
の真空状態を保って次のプロセスの開始時まで待機する
ようにしていた。
の処理体のプラズマ処理が開始されるまでの間に亘っ
て、プラズマ処理容器内を真空引きする。そして、一定
の真空状態を保って次のプロセスの開始時まで待機する
ようにしていた。
このようなプラズマエッチング装置は、エッチングガ
スをプラズマ状態とする。そして、エッチングガスは分
解され反応生成物（デポジション）が生成される。この
場合、プラズマエッチング処理が終了した後の真空引き
開始直後に、プラズマ処理容器内には真空引きによる気
体の流れが生じる。そして、反応生成物はこの流れに沿
って排気される。
スをプラズマ状態とする。そして、エッチングガスは分
解され反応生成物（デポジション）が生成される。この
場合、プラズマエッチング処理が終了した後の真空引き
開始直後に、プラズマ処理容器内には真空引きによる気
体の流れが生じる。そして、反応生成物はこの流れに沿
って排気される。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、プラズマ処理容器内の真空状態が一定
値になると、プラズマ処理容器内の気体の流れがなくな
る。この結果、生成された反応生成物は、プラズマ処理
容器内に浮遊した状態となる。
値になると、プラズマ処理容器内の気体の流れがなくな
る。この結果、生成された反応生成物は、プラズマ処理
容器内に浮遊した状態となる。
このプラズマ処理容器内に浮遊している反応生成物
は、処理容器内の冷却された箇所で重合、固化し、その
部分に吸着する。特に、プラズマ処理が終了し、かつ処
理の終了した被処理体が下部電極から取り除かれ後に
は、下部電極が上述したように冷媒等によって所定温度
に冷却されている。このため、プラズマ処理容器内に浮
遊している反応生成物の多くが下部電極上の被処理体載
置面に付着してしまう。
は、処理容器内の冷却された箇所で重合、固化し、その
部分に吸着する。特に、プラズマ処理が終了し、かつ処
理の終了した被処理体が下部電極から取り除かれ後に
は、下部電極が上述したように冷媒等によって所定温度
に冷却されている。このため、プラズマ処理容器内に浮
遊している反応生成物の多くが下部電極上の被処理体載
置面に付着してしまう。
このように、下部電極上に反応生成物が付着した状態
で、次の被処理体をこの上に載置してプラズマエッチン
グ処理を実施すると、次のような問題が生じる。すなわ
ち、下部電極上に付着する反応生成物は、被処理体の載
置面に凹凸を生じさせる。このため、載置される被処理
体とその上方に対向配置された上部電極との対向間隔が
被処理体の各位置によって相違する。この結果、エッチ
ングレートのようなエッチング特性が、被処理体の面内
で不均一になってしまう。
で、次の被処理体をこの上に載置してプラズマエッチン
グ処理を実施すると、次のような問題が生じる。すなわ
ち、下部電極上に付着する反応生成物は、被処理体の載
置面に凹凸を生じさせる。このため、載置される被処理
体とその上方に対向配置された上部電極との対向間隔が
被処理体の各位置によって相違する。この結果、エッチ
ングレートのようなエッチング特性が、被処理体の面内
で不均一になってしまう。
また、下部電極上の反応生成物が、被処理体の裏面に
も付着してしまう。このため、この被処理体を次の処理
工程で処理する際に、裏面側に付着した反応生成物がパ
ーティクルの原因となり、被処理体の歩留りを低下する
原因となっていた。
も付着してしまう。このため、この被処理体を次の処理
工程で処理する際に、裏面側に付着した反応生成物がパ
ーティクルの原因となり、被処理体の歩留りを低下する
原因となっていた。
本発明の目的は、反応生成物が載置台の表面に付着す
ることを確実に防止して、被処理体全体に均一性な特性
で所定の処理を施すことができるプラズマ処理方法を提
供することにある。
ることを確実に防止して、被処理体全体に均一性な特性
で所定の処理を施すことができるプラズマ処理方法を提
供することにある。
また、本発明の他の目的は、反応生成物が被処理体に
付着することを確実に防止して、被処理体の高歩留りで
所定の処理を施すことができるプラズマ処理方法を提供
することにある。
付着することを確実に防止して、被処理体の高歩留りで
所定の処理を施すことができるプラズマ処理方法を提供
することにある。
〔発明の構成〕 （課題を解決するための手段） すなわち，本発明は，プラズマ処理容器内の載置台上
に被処理体を載置し，この被処理体を温調するために載
置台を冷却し，上記載置台に対抗して配置される上部電
極を介してプラズマ処理ガスを供給してプラズマ処理を
行うにあたり，上記プラズマ処理容器内への上記プラズ
マ処理ガスの供給を停止するととに，上記上部電極を介
して不活性ガスを導入し，さらに，上記不活性ガスを徐
々に増加させながら上記載置台表面に吹き付けることを
特徴とするプラズマ処理方法である。
に被処理体を載置し，この被処理体を温調するために載
置台を冷却し，上記載置台に対抗して配置される上部電
極を介してプラズマ処理ガスを供給してプラズマ処理を
行うにあたり，上記プラズマ処理容器内への上記プラズ
マ処理ガスの供給を停止するととに，上記上部電極を介
して不活性ガスを導入し，さらに，上記不活性ガスを徐
々に増加させながら上記載置台表面に吹き付けることを
特徴とするプラズマ処理方法である。
（作 用） 本発明では，プラズマ処理容器内へのプラズマ処理ガ
スの供給を停止するとともに，上記電極を介して不活性
ガスを導入している。
スの供給を停止するとともに，上記電極を介して不活性
ガスを導入している。
従って，プラズマ処理時以外の少なくともプラズマ処
理ガス残留時期では，このプラズマ処理容器内にて不活
性ガスによる流れ状態を常時確保することができる。特
に、所定温度に冷却されている載置台上方にもこの不活
性ガスの流れを実現することができるので、この不活性
ガスの流れによって反応生成物が載置台に付着するのを
防止することができる。また不活性ガスを載置台表面に
吹き付けるので，この効果はさらに大きくなる。
理ガス残留時期では，このプラズマ処理容器内にて不活
性ガスによる流れ状態を常時確保することができる。特
に、所定温度に冷却されている載置台上方にもこの不活
性ガスの流れを実現することができるので、この不活性
ガスの流れによって反応生成物が載置台に付着するのを
防止することができる。また不活性ガスを載置台表面に
吹き付けるので，この効果はさらに大きくなる。
従って、プラズマ処理に際しては、反応生成物による
凹凸の少ない載置台に被処理体を載置でき、被処理体の
処理特性の面内均一性が向上する。また、被処理体の裏
面側に反応生成物が付着することもないので、パーティ
クルの原因を除去でき、被処理体の歩留りを大幅に向上
することができる。
凹凸の少ない載置台に被処理体を載置でき、被処理体の
処理特性の面内均一性が向上する。また、被処理体の裏
面側に反応生成物が付着することもないので、パーティ
クルの原因を除去でき、被処理体の歩留りを大幅に向上
することができる。
しかも、不活性ガスによって反応生成物を排出してい
るので、次にプロセスが開始される際にその不活性ガス
がたとえプロズマ処理容器内に残留していても、そのプ
ロセスに悪影響を与えることがない。さらに、本発明に
おいては、不活性ガスを導入開始時から所定の供給量で
プラズマ処理容器内に導入するのではなく、徐々に不活
性ガスの供給量を増加させた後、所定の供給量に到達さ
せる構成となっている。従って、不活性ガスの急激な導
入に伴う反応生成物の巻き上げを防止可能であるととも
に、反応生成物が被処理体の被処理面に付着し、損傷が
生じることを防ぐことができる。
るので、次にプロセスが開始される際にその不活性ガス
がたとえプロズマ処理容器内に残留していても、そのプ
ロセスに悪影響を与えることがない。さらに、本発明に
おいては、不活性ガスを導入開始時から所定の供給量で
プラズマ処理容器内に導入するのではなく、徐々に不活
性ガスの供給量を増加させた後、所定の供給量に到達さ
せる構成となっている。従って、不活性ガスの急激な導
入に伴う反応生成物の巻き上げを防止可能であるととも
に、反応生成物が被処理体の被処理面に付着し、損傷が
生じることを防ぐことができる。
（実施例） 以下、本発明方法をプロズマエッチング装置に適用し
た実施例について、図面を参照して説明する。
た実施例について、図面を参照して説明する。
第１図は、本発明方法にて使用するプラズマエッチン
グ装置の概略構成を示す説明図である。このプラズマエ
ッチング装置は、対向して配置された上部電極10及び下
部電極30とを有している。下部電極30上には、被エッチ
ング材である半導体ウエハ42を載置するようになってい
る。そして、上部電極10及び及び下部電極30の間に、RF
電極40によって例えば380kHzのRFパワーを印加するよう
に構成されている。上部電極10に形成された多数の孔か
らエッチングガスを導入し、上部電極10及び下部電極30
の間の領域でプラズマを生成するようになっている。こ
のプラズマによって、ウエハ42をエッチングするように
なっている。上部電極10は、フランジ状に形成された導
電性の熱伝達部材12を有している。この熱伝達部材12に
RF電極40からのケーブルが接続されている。
グ装置の概略構成を示す説明図である。このプラズマエ
ッチング装置は、対向して配置された上部電極10及び下
部電極30とを有している。下部電極30上には、被エッチ
ング材である半導体ウエハ42を載置するようになってい
る。そして、上部電極10及び及び下部電極30の間に、RF
電極40によって例えば380kHzのRFパワーを印加するよう
に構成されている。上部電極10に形成された多数の孔か
らエッチングガスを導入し、上部電極10及び下部電極30
の間の領域でプラズマを生成するようになっている。こ
のプラズマによって、ウエハ42をエッチングするように
なっている。上部電極10は、フランジ状に形成された導
電性の熱伝達部材12を有している。この熱伝達部材12に
RF電極40からのケーブルが接続されている。
また、熱伝導部材12内には、穴が多数設けられた第1,
第２の拡散板14a,14bが、スペーサ16a,16bを介して所定
間隔で平行に配置されている。さらに、熱伝導部材12の
開口部を覆うように、補強板18,アモルファス・カーボ
ン電極20が積層配置されている。なお、アモルファス・
カーボン20の周辺を覆うようにしてシールドリング22が
設けられている。シールドリング22によって、アモルフ
ァス・カーボン電極20が、プラズマと接する開口部の形
状が規制されている。
第２の拡散板14a,14bが、スペーサ16a,16bを介して所定
間隔で平行に配置されている。さらに、熱伝導部材12の
開口部を覆うように、補強板18,アモルファス・カーボ
ン電極20が積層配置されている。なお、アモルファス・
カーボン20の周辺を覆うようにしてシールドリング22が
設けられている。シールドリング22によって、アモルフ
ァス・カーボン電極20が、プラズマと接する開口部の形
状が規制されている。
下部電極30は、円板状に突起した部分の上面部分にウ
エハ42を載置できるようになっている。そして、載置し
たウエハ42の周辺部を下部電極30に固定するために、下
部電極30の周辺にはリング状のクランパー部材32が載置
されている。
エハ42を載置できるようになっている。そして、載置し
たウエハ42の周辺部を下部電極30に固定するために、下
部電極30の周辺にはリング状のクランパー部材32が載置
されている。
なお、下部電極30は載置されている。また、下部電極
30を所定温度に冷却するために、第２図に示すように、
冷却媒体の循環系34が配置されている。つまり、この循
環系34によって冷媒を下部電極30の裏面側に循環するよ
うになっている。
30を所定温度に冷却するために、第２図に示すように、
冷却媒体の循環系34が配置されている。つまり、この循
環系34によって冷媒を下部電極30の裏面側に循環するよ
うになっている。
このような上部電極10及び下部電極30を、それぞれ平
行してチャンバー内に配置することによって、平行平板
型のエッチング載置が構成されている。
行してチャンバー内に配置することによって、平行平板
型のエッチング載置が構成されている。
次に、このプラズマエッチング載置に設けられた制御
系について第２図を参照して説明する。
系について第２図を参照して説明する。
上部電極10および下部電極30を収容したプラズマ処理
容器50の下部には、排気ポート52が設けられている。排
気ポート52には、圧力調整用のA.P.C（Auto Pressure C
ontrol）バルブ54,コンダクタンスバルブ56,ターボ分子
ポンプ（T.M.P）58及びロータリーポンプ（R.P）60がそ
れぞれ接続されている。また、プラズマ処理容器50に隣
接配置されたロードロックチャンバー62にも、バルブ64
を介してロータリーポンプ（R.P）66が接続されてい
る。
容器50の下部には、排気ポート52が設けられている。排
気ポート52には、圧力調整用のA.P.C（Auto Pressure C
ontrol）バルブ54,コンダクタンスバルブ56,ターボ分子
ポンプ（T.M.P）58及びロータリーポンプ（R.P）60がそ
れぞれ接続されている。また、プラズマ処理容器50に隣
接配置されたロードロックチャンバー62にも、バルブ64
を介してロータリーポンプ（R.P）66が接続されてい
る。
また、ガス供給系として、CCl4,He,O2、又、CF4,Ar,C
HF3のエッチングガスを、プラズマ処理容器50内に上部
電極10を介入して導入できるようになっている。そし
て、各々のエッチングガス導入系70による供給流量は、
マスフローコントローラ（M.F.C）72によって制御可能
になっている。
HF3のエッチングガスを、プラズマ処理容器50内に上部
電極10を介入して導入できるようになっている。そし
て、各々のエッチングガス導入系70による供給流量は、
マスフローコントローラ（M.F.C）72によって制御可能
になっている。
また、不活性ガスとして例えばN2を導入するN2導入系
80が設けられている。この途中にもM.F.C82が配置され
ている。このN2ガスは、プロセス時以外の期間にもプラ
ズマ処理容器50内に導入できるようになっている。そし
て、M.F.C82によって、プロセス時のエッチングガスの
供給流量よりも、プロセス時以外のN2ガスの供給流量を
多く（例えば200〜1000SCCM）を設定することにより、
後述する反応生成物の排出動作を効果的に行うようにな
っている。
80が設けられている。この途中にもM.F.C82が配置され
ている。このN2ガスは、プロセス時以外の期間にもプラ
ズマ処理容器50内に導入できるようになっている。そし
て、M.F.C82によって、プロセス時のエッチングガスの
供給流量よりも、プロセス時以外のN2ガスの供給流量を
多く（例えば200〜1000SCCM）を設定することにより、
後述する反応生成物の排出動作を効果的に行うようにな
っている。
なお,N2ガス導入系80の一部は，エッチングガス導入
系70の一部と兼用している。
系70の一部と兼用している。
さらに、本実施例においては、N2ガスの道入乳開始時
には、設定されたN2ガスの供給量よりも少ないN2ガスが
処理容器50内に導入される。そして、N2ガスの導入開始
時から、設定されたN2ガスの供給量に至るまでの間は、
N2ガスの供給量が所定の増加量で緩慢に増加するように
構成されている。従って、処理容器50内にN2ガスが急激
に導入されないため、処理容器50内に残留している反応
生成物を巻き上げて、この反応生成物がウェハ42に付着
するといった問題が生じることはない。
には、設定されたN2ガスの供給量よりも少ないN2ガスが
処理容器50内に導入される。そして、N2ガスの導入開始
時から、設定されたN2ガスの供給量に至るまでの間は、
N2ガスの供給量が所定の増加量で緩慢に増加するように
構成されている。従って、処理容器50内にN2ガスが急激
に導入されないため、処理容器50内に残留している反応
生成物を巻き上げて、この反応生成物がウェハ42に付着
するといった問題が生じることはない。
このように構成されたプラズマエッチングを用いて次
のように、プラズマエッチング方法を実行する。
のように、プラズマエッチング方法を実行する。
まず、上部電極10及び下部電極30の間にRF電源40から
のRFパワーを印加する。そして、エッチングガス導入系
70及び上部電極10を介してプラズマ処理容器50内にエッ
チングガスを導入する。
のRFパワーを印加する。そして、エッチングガス導入系
70及び上部電極10を介してプラズマ処理容器50内にエッ
チングガスを導入する。
これにより、上部，下部電極10,30間にプラズマを誘
起させる。このプラズマ中で生成したラジカルを、ウエ
ハ42表面に付着させて化学的反応を起こしてウエハ42の
エッチングを行うと共に、プラズマ中で分解したイオン
を、平行平板電極間に形成される電界によって加速して
ウエハ42に衝突させ、ウエハ42のエッチングを行う。
起させる。このプラズマ中で生成したラジカルを、ウエ
ハ42表面に付着させて化学的反応を起こしてウエハ42の
エッチングを行うと共に、プラズマ中で分解したイオン
を、平行平板電極間に形成される電界によって加速して
ウエハ42に衝突させ、ウエハ42のエッチングを行う。
このようにして平行平板型のエッチングにより、比較
的サイドエッチングを抑え、異方性エッチングを行うこ
とが可能となる。この結果、微細パターンのエッチング
を実現できる。
的サイドエッチングを抑え、異方性エッチングを行うこ
とが可能となる。この結果、微細パターンのエッチング
を実現できる。
プラズマエッチング処理が終了すると、クランバー部
材32を上昇させ、ウエハ42の挟持状態を解除する。次い
で、下部電極30上の処理済みウエハ42をハイドラー等に
よって支持し、これをロードロックチャンバー62内に移
送する。
材32を上昇させ、ウエハ42の挟持状態を解除する。次い
で、下部電極30上の処理済みウエハ42をハイドラー等に
よって支持し、これをロードロックチャンバー62内に移
送する。
そして、ロードロックチャンバー62内に新たなウエハ
42を、プラズマ処理容器50内に搬送し、下部電極30上に
セッティングし、次のプラズマエッチング処理を行う。
42を、プラズマ処理容器50内に搬送し、下部電極30上に
セッティングし、次のプラズマエッチング処理を行う。
ここで、この実施例では、例えば第３図に示すように
タイムチャートに従って、RF出力によるエッチング処理
（Ｅ）の停止に同期して、プラズマ処理時以外の時
（Ｔ）に、ガス供給系によってエッチングガスの供給
（Ｇ）を不活性ガスであるN2ガスの供給（Ｎ）切り換
え、エッチングガスのプラズマ処理容器50内への導入を
停止すると共に、N2導入系80によりプラズマ処理容器50
内へのN2ガスを導入を行い、かつ、これを排気ポート52
を介して排気するようにしている。
タイムチャートに従って、RF出力によるエッチング処理
（Ｅ）の停止に同期して、プラズマ処理時以外の時
（Ｔ）に、ガス供給系によってエッチングガスの供給
（Ｇ）を不活性ガスであるN2ガスの供給（Ｎ）切り換
え、エッチングガスのプラズマ処理容器50内への導入を
停止すると共に、N2導入系80によりプラズマ処理容器50
内へのN2ガスを導入を行い、かつ、これを排気ポート52
を介して排気するようにしている。
また、本実施例においては、処理容器50内へのN2ガス
の導入開始直後から、所定の供給量でN2ガスを処理容器
50内に導入するのではなく、所定の間隔をもって、徐々
にN2ガスの供給量を増加させていき、所定の供給量を到
達させるように構成されている。従って、N2ガスが急激
に処理容器50内に導入されないため、エッチング処理時
に生じた反応生成物が巻き上がって、ウェハ42に付着
し、損傷を与えるなどといった問題が生じることはな
い。
の導入開始直後から、所定の供給量でN2ガスを処理容器
50内に導入するのではなく、所定の間隔をもって、徐々
にN2ガスの供給量を増加させていき、所定の供給量を到
達させるように構成されている。従って、N2ガスが急激
に処理容器50内に導入されないため、エッチング処理時
に生じた反応生成物が巻き上がって、ウェハ42に付着
し、損傷を与えるなどといった問題が生じることはな
い。
このようにN2ガスをプラズマ処理容器50内に導入し、
かつ、排気を続けることによって、プラズマ処理容器50
内にN2ガスの流れを実現することができる。
かつ、排気を続けることによって、プラズマ処理容器50
内にN2ガスの流れを実現することができる。
この場合、プラズマエッチング工程ではプラズマによ
ってエッチングガスが分解されるため、反応生成物が生
成されてプラズマ処理容器50内に残留している。この反
応生成物は、プラズマ処理容器50内の温度が最も低い箇
所に付着し易くなっている。
ってエッチングガスが分解されるため、反応生成物が生
成されてプラズマ処理容器50内に残留している。この反
応生成物は、プラズマ処理容器50内の温度が最も低い箇
所に付着し易くなっている。
ウエハ42が除去された後では、プラズマ処理容器50内
の温度の最も低い部分は、冷媒によって冷却されている
下部電極30の表面である。しかしながら、プラズマ処理
時以外の時にも、プラズマ処理容器50内のN2ガスの流れ
を絶えず確保している。このため、プラズマ処理容器50
内に浮遊している反応生成物を、このN2ガスの流れに載
せて排気ポート52より排出することができる。
の温度の最も低い部分は、冷媒によって冷却されている
下部電極30の表面である。しかしながら、プラズマ処理
時以外の時にも、プラズマ処理容器50内のN2ガスの流れ
を絶えず確保している。このため、プラズマ処理容器50
内に浮遊している反応生成物を、このN2ガスの流れに載
せて排気ポート52より排出することができる。
しかも、下部電極30の表面と対向する上方位置からN2
ガスを導入し、下部電極30表面にN2ガスを吹き付ける。
このため、このN2ガスの流れが、下部電極30の表面を保
護する保護膜として作用する。この結果、反応生成物が
下部電極30の表面に付着するのを確実に防止することが
できる。
ガスを導入し、下部電極30表面にN2ガスを吹き付ける。
このため、このN2ガスの流れが、下部電極30の表面を保
護する保護膜として作用する。この結果、反応生成物が
下部電極30の表面に付着するのを確実に防止することが
できる。
また、反応生成物を下部電極30表面に付着させない手
段としては、プラズマ処理容器50内に、下部電極30の表
面温度よりも低い箇所を確保するものでも良い。すなわ
ち、例えばプラズマ処理容器50の壁面を冷却すること
で、この部分に反応生成物を付着させて、結果的に下部
電極30表面に付着する反応生成物の量を少なくするよう
にしてもよい。
段としては、プラズマ処理容器50内に、下部電極30の表
面温度よりも低い箇所を確保するものでも良い。すなわ
ち、例えばプラズマ処理容器50の壁面を冷却すること
で、この部分に反応生成物を付着させて、結果的に下部
電極30表面に付着する反応生成物の量を少なくするよう
にしてもよい。
しかしながら、エッチング処理は、反応生成物が多く
発生する他の膜付け工程と異なり、なるべくクリーンな
環境でのエッチングを行うことが好ましい。つまり、こ
の実施例の方法のようにN2ガスによって反応生成物を排
出する方が優れている。さらに、下部電極30以外の箇所
に反応生成物を付着させた場合には、プラズマ処理容器
50の洗浄を頻度が増すが、この本実施例の方法では、下
部電極30以外の箇所にも反応生成物を付着しないので、
プラズマ処理容器50のメイテナンス管理を容易にでき
る。
発生する他の膜付け工程と異なり、なるべくクリーンな
環境でのエッチングを行うことが好ましい。つまり、こ
の実施例の方法のようにN2ガスによって反応生成物を排
出する方が優れている。さらに、下部電極30以外の箇所
に反応生成物を付着させた場合には、プラズマ処理容器
50の洗浄を頻度が増すが、この本実施例の方法では、下
部電極30以外の箇所にも反応生成物を付着しないので、
プラズマ処理容器50のメイテナンス管理を容易にでき
る。
このように本発明では、プラズマ処理時以外の少なく
ともプラズマ処理ガス残留期間に、プラズマ処理容器に
不活性ガスを導入している。つまり、プラズマ処理時以
外の期間には、プラズマ処理容器内に不活性ガスによる
流れ状態を常時確保することができる。特に、所定温度
に冷却されている載置台上方にも、この不活性ガスの流
れを作ることができる。この不活性ガスの流れによっ
て、反応生成物が載置台に付着するのを防止することが
できる。また，不活性ガスを載置台表面に吹き付けるの
で，この効果をさらに高めることができる。
ともプラズマ処理ガス残留期間に、プラズマ処理容器に
不活性ガスを導入している。つまり、プラズマ処理時以
外の期間には、プラズマ処理容器内に不活性ガスによる
流れ状態を常時確保することができる。特に、所定温度
に冷却されている載置台上方にも、この不活性ガスの流
れを作ることができる。この不活性ガスの流れによっ
て、反応生成物が載置台に付着するのを防止することが
できる。また，不活性ガスを載置台表面に吹き付けるの
で，この効果をさらに高めることができる。
これらの結果、プラズマ処理の際に、反応生成物によ
る凹凸の少ない載置台に被処理体を載置することがで
き、被処理体表面体での処理特性を均一なものとするこ
とができる。また、被処理体の裏面側に反応生成物が付
着するのも防止できる。このため、パーティクルの発生
原因を除去して、被処理体の処理歩留りを大幅に向上す
ることができる。
る凹凸の少ない載置台に被処理体を載置することがで
き、被処理体表面体での処理特性を均一なものとするこ
とができる。また、被処理体の裏面側に反応生成物が付
着するのも防止できる。このため、パーティクルの発生
原因を除去して、被処理体の処理歩留りを大幅に向上す
ることができる。
しかも、不活性ガスによって、反応生成物を常時排出
するようにしている。このため、プラズマ処理容器内に
残留する不活性ガスが、次のプロセス開始の際に、悪影
響を与えることはない。
するようにしている。このため、プラズマ処理容器内に
残留する不活性ガスが、次のプロセス開始の際に、悪影
響を与えることはない。
さらに、処理容器内へ不活性ガスを導入する際には、
所定の間隔をもって、徐々に不活性ガスの供給量を増加
させていき、その後に所定の供給量で不活性ガスを導入
するように構成されている。従って、処理容器内に不活
性ガスが急激に導入されないため、処理容器内に残留し
ている反応生成物が巻き上がり、この反応生成物が被処
理体に付着するといった問題が生じることはない。
所定の間隔をもって、徐々に不活性ガスの供給量を増加
させていき、その後に所定の供給量で不活性ガスを導入
するように構成されている。従って、処理容器内に不活
性ガスが急激に導入されないため、処理容器内に残留し
ている反応生成物が巻き上がり、この反応生成物が被処
理体に付着するといった問題が生じることはない。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
く、要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
また、本発明は、被処理体を載置する載置台を冷却し
てプラズマ処理を行うプラズマエッチング以外のプラズ
マ処理にも同様に適用でき、例えばプラズマCVD等でも
好適なものである。
てプラズマ処理を行うプラズマエッチング以外のプラズ
マ処理にも同様に適用でき、例えばプラズマCVD等でも
好適なものである。
また、不活性ガスとしては、N2以外のガスを採用でき
ることは勿論である。
ることは勿論である。
以上説明したように、本発明によればプラズマ処理時
以外の期間の少なくとも処理ガスの残留している期間
に、プラズマ処理容器内に不活性ガスを導入することに
より、プラズマ処理容器内の反応生成物が温度の低い部
分に付着することを防止できる。
以外の期間の少なくとも処理ガスの残留している期間
に、プラズマ処理容器内に不活性ガスを導入することに
より、プラズマ処理容器内の反応生成物が温度の低い部
分に付着することを防止できる。
この結果、被処理体の処理特性の面内均一性が向上で
きる。また、被処理体の裏面に反応生成物が付着するこ
とがないので、パーティクルの発生を抑制して、処理の
歩留まりを向上することができる。
きる。また、被処理体の裏面に反応生成物が付着するこ
とがないので、パーティクルの発生を抑制して、処理の
歩留まりを向上することができる。
しかも、不活性ガスを用いているので、次のプロセス
に悪影響を与えることがない。
に悪影響を与えることがない。
さらに、本発明は、不活性ガスの導入開始時から所定
の供給量で処理容器内に導入するのではなく、徐々に不
活性ガスの供給量を増加させていき、所定の供給量に到
達させる構成となっている。従って、不活性ガスの急激
な導入に伴う反応生成物の巻き上げを防止することがで
き、その結果、反応生成物が被処理体の被処理面に付着
して、損傷を与えるなどといった問題が生じることはな
い。
の供給量で処理容器内に導入するのではなく、徐々に不
活性ガスの供給量を増加させていき、所定の供給量に到
達させる構成となっている。従って、不活性ガスの急激
な導入に伴う反応生成物の巻き上げを防止することがで
き、その結果、反応生成物が被処理体の被処理面に付着
して、損傷を与えるなどといった問題が生じることはな
い。
第１図は本発明方法の実施例を説明するためのプラズマ
エッチング装置の処理容器内構成説明図、第２図は第１
図を用いたエッチング装置の構成図、第３図は第１図及
び第２図のガス供給操作を説明するための波形図であ
る。 30……載置台
エッチング装置の処理容器内構成説明図、第２図は第１
図を用いたエッチング装置の構成図、第３図は第１図及
び第２図のガス供給操作を説明するための波形図であ
る。 30……載置台
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ (56)参考文献 特開 昭62−235736（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−196538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−234324（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−43880（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/302 H01L 21/3065 H01L 21/461
Claims (1)
- 【請求項１】プラズマ処理容器内の載置台上に被処理体
を載置し，この被処理体を温調するために載置台を冷却
し，上記載置台に対向して配置される上記電極を介して
プラズマ処理ガスを供給してプラズマ処理を行うにあた
り， 上記プラズマ処理容器内への上記プラズマ処理ガスの供
給を停止するとともに，上記上部電極を介して不活性ガ
スを導入し， さらに，上記不活性ガスを徐々に増加させながら上記載
置台表面に吹き付けることを特徴とするプラズマ処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10253690A JP2895909B2 (ja) | 1989-04-18 | 1990-04-18 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9906889 | 1989-04-18 | ||
| JP1-99068 | 1989-04-18 | ||
| JP10253690A JP2895909B2 (ja) | 1989-04-18 | 1990-04-18 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348421A JPH0348421A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2895909B2 true JP2895909B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=26440224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10253690A Expired - Lifetime JP2895909B2 (ja) | 1989-04-18 | 1990-04-18 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2895909B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574736A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Corp | ドライエツチング方法 |
| JP3451410B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2003-09-29 | 富士通株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP3171161B2 (ja) | 1998-03-20 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| KR100273473B1 (ko) * | 1999-04-06 | 2000-11-15 | 이경수 | 박막 형성 방법 |
| KR100624030B1 (ko) * | 1999-06-19 | 2006-09-19 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 화학 증착 반응기 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
| JP4726369B2 (ja) * | 1999-06-19 | 2011-07-20 | エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 | 化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法 |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7976898B2 (en) | 2006-09-20 | 2011-07-12 | Asm Genitech Korea Ltd. | Atomic layer deposition apparatus |
| US8282735B2 (en) | 2007-11-27 | 2012-10-09 | Asm Genitech Korea Ltd. | Atomic layer deposition apparatus |
| JP7018801B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法 |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10253690A patent/JP2895909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348421A (ja) | 1991-03-01 |
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