JPH07321054A - プラズマｃｖｄ装置とそのクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置とそのクリーニング方法Info
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- JPH07321054A JPH07321054A JP11537094A JP11537094A JPH07321054A JP H07321054 A JPH07321054 A JP H07321054A JP 11537094 A JP11537094 A JP 11537094A JP 11537094 A JP11537094 A JP 11537094A JP H07321054 A JPH07321054 A JP H07321054A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置のクリーニング時に上部電極及びそのガ
ス分散孔への生成物の付着，成長を防止できるプラズマ
ＣＶＤ装置を得ること。 【構成】 真空容器１内のガス導入口３に位置して導入
ガスを分散するガス分散孔９ｂを有しかつ高周波電圧の
印加電極を形成する上部電極９と、該上部電極９と対向
してウエハが載置できるよう平行配置されグランドに接
地してなる下部電極５とを備え、両電極間にプラズマを
発生させるプラズマＣＶＤ装置において、上部電極９は
その内部に絶縁部材１０からなる冷却流路９ａを備えて
いる。
ス分散孔への生成物の付着，成長を防止できるプラズマ
ＣＶＤ装置を得ること。 【構成】 真空容器１内のガス導入口３に位置して導入
ガスを分散するガス分散孔９ｂを有しかつ高周波電圧の
印加電極を形成する上部電極９と、該上部電極９と対向
してウエハが載置できるよう平行配置されグランドに接
地してなる下部電極５とを備え、両電極間にプラズマを
発生させるプラズマＣＶＤ装置において、上部電極９は
その内部に絶縁部材１０からなる冷却流路９ａを備えて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はプラズマＣＶＤ装置に
関するもので、特にそのクリーニングにおける装置およ
び方法の改良に関するものである。
関するもので、特にそのクリーニングにおける装置およ
び方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のＣＶＤ装置の構成を示す断
面側面図である。図において、１は真空排気系２と上方
にガス導入口３を有する真空容器、４は真空容器１内上
部のガス導入口に位置して設けられたアルミニュームな
どの導電材でなる上部電極で、導入されたガスが均等分
散されるよう多数の細孔でなるガス分散孔４ａを有して
形成されている。５は上部電極４と対向し平行配置され
アルミニュームなどの導電材でなる下部電極で、ウエハ
を載置するとともにグランド電極でもある。６は上部電
極４に高周波電圧を印加する高周波電源、７は真空容器
１の下方側に設けられた加熱用ランプである。
面側面図である。図において、１は真空排気系２と上方
にガス導入口３を有する真空容器、４は真空容器１内上
部のガス導入口に位置して設けられたアルミニュームな
どの導電材でなる上部電極で、導入されたガスが均等分
散されるよう多数の細孔でなるガス分散孔４ａを有して
形成されている。５は上部電極４と対向し平行配置され
アルミニュームなどの導電材でなる下部電極で、ウエハ
を載置するとともにグランド電極でもある。６は上部電
極４に高周波電圧を印加する高周波電源、７は真空容器
１の下方側に設けられた加熱用ランプである。
【０００３】次に動作について説明する。成膜時には、
下部電極５上に成膜対象であるシリコンなどの材料から
なるウエハを載置する。そして、ガス導入口３から導入
したガスを上部電極４のガス分散孔４ａにて分散させな
がら真空容器１内に散布する。次に高周波電源６より高
周波電圧を印加し、上部電極４と下部電極５間にプラズ
マを発生させ、下部電極５上のウエハに成膜を行う。こ
のとき、真空容器１内は真空排気系２により３０ｍｔｏ
ｒｒから１０ｔｏｒｒ程度の圧力に一定に保たれる。ま
た、導入するガスとしてはシリコン酸化膜の場合テトラ
エトキシシラン（ＴＥＯＳ）と酸素（Ｏ2）またはシラ
ン（ＳｉＨ4）と酸素（Ｏ2）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等
であり、シリコン窒化膜の場合、シラン（ＳｉＨ4）と
アンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）を導入する。ガス分
散板である上部電極４には、導入する混合ガスの均一化
や、成膜する膜厚および膜質の均一性を向上させるた
め、数百から数千の孔が開いている。また、ウエハを載
置する下部電極５はランプ７により３００℃〜４５０℃
の温度で加熱されウエハの成膜反応を促進している。
下部電極５上に成膜対象であるシリコンなどの材料から
なるウエハを載置する。そして、ガス導入口３から導入
したガスを上部電極４のガス分散孔４ａにて分散させな
がら真空容器１内に散布する。次に高周波電源６より高
周波電圧を印加し、上部電極４と下部電極５間にプラズ
マを発生させ、下部電極５上のウエハに成膜を行う。こ
のとき、真空容器１内は真空排気系２により３０ｍｔｏ
ｒｒから１０ｔｏｒｒ程度の圧力に一定に保たれる。ま
た、導入するガスとしてはシリコン酸化膜の場合テトラ
エトキシシラン（ＴＥＯＳ）と酸素（Ｏ2）またはシラ
ン（ＳｉＨ4）と酸素（Ｏ2）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等
であり、シリコン窒化膜の場合、シラン（ＳｉＨ4）と
アンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）を導入する。ガス分
散板である上部電極４には、導入する混合ガスの均一化
や、成膜する膜厚および膜質の均一性を向上させるた
め、数百から数千の孔が開いている。また、ウエハを載
置する下部電極５はランプ７により３００℃〜４５０℃
の温度で加熱されウエハの成膜反応を促進している。
【０００４】通常、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜等
を成膜するプラズマＣＶＤ装置では、成膜時には成膜対
象であるウエハ以外の部分にも生成物が付着する。ここ
でも同様で、成膜時には下部電極５上のウエハ以外、例
えば、下部電極５の周辺や上部電極４の周辺、真空容器
１内の側壁、真空排気系２といったところにも膜が付着
する。これらの膜はそれ自身の持つ応力で剥がれ落ち、
発塵の原因となるので真空容器１内のクリーニングを行
う必要がある。図３に示すプラズマＣＶＤ装置の場合、
ガス導入口３より三フッ化窒素（ＮＦ3）やフロン１１
６（Ｃ2Ｆ6）あるいはこれらのガスと酸素（Ｏ2）、亜
酸化窒素（Ｎ2Ｏ）との混合ガスを、成膜時と同様に上
部電極４にてガス分散させながら真空容器１内に導入
し、高周波電源６により高周波電圧を印加し、上部電極
４と下部電極５間にプラズマを発生させて各部に付着し
た膜をエッチング除去のクリーニングする。このとき、
下部電極５は反応を促進させるため３００〜４５０℃に
ランプ７により加熱され、また、当然のことながらウエ
ハは取り除いてある。真空容器１内の圧力は真空排気系
２により３０ｍｔｏｒｒから１０ｔｏｒｒ程度の圧力に
一定に保たれている。
を成膜するプラズマＣＶＤ装置では、成膜時には成膜対
象であるウエハ以外の部分にも生成物が付着する。ここ
でも同様で、成膜時には下部電極５上のウエハ以外、例
えば、下部電極５の周辺や上部電極４の周辺、真空容器
１内の側壁、真空排気系２といったところにも膜が付着
する。これらの膜はそれ自身の持つ応力で剥がれ落ち、
発塵の原因となるので真空容器１内のクリーニングを行
う必要がある。図３に示すプラズマＣＶＤ装置の場合、
ガス導入口３より三フッ化窒素（ＮＦ3）やフロン１１
６（Ｃ2Ｆ6）あるいはこれらのガスと酸素（Ｏ2）、亜
酸化窒素（Ｎ2Ｏ）との混合ガスを、成膜時と同様に上
部電極４にてガス分散させながら真空容器１内に導入
し、高周波電源６により高周波電圧を印加し、上部電極
４と下部電極５間にプラズマを発生させて各部に付着し
た膜をエッチング除去のクリーニングする。このとき、
下部電極５は反応を促進させるため３００〜４５０℃に
ランプ７により加熱され、また、当然のことながらウエ
ハは取り除いてある。真空容器１内の圧力は真空排気系
２により３０ｍｔｏｒｒから１０ｔｏｒｒ程度の圧力に
一定に保たれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
た従来のプラズマＣＶＤ装置においては、クリーニング
時に、上部電極４にスパッタリング効果により生成物が
発生、成長するという問題点があった。図４は、従来の
プラズマＣＶＤ装置のクリーニングにおける問題点を示
した図で、図３の従来例構成のプラズマＣＶＤ装置の両
電極４，５の部分を拡大した説明用の断面図である。即
ち、クリーニング時、上部電極４と下部電極５の間でプ
ラズマ放電を行うが、例えばクリーニングに用いる三フ
ッ化窒素（ＮＦ3）や、フロン１１６（Ｃ2Ｆ6）などの
ガスは分解，イオン化しそのフッ素イオン（Ｆ+）等は
下部電極５にアタックする。これにより、下部電極５が
例えばアルミニウム（Ａｌ）などで構成されている場合
はスパッタリング効果でＡｌ原子がプラズマ気相中に飛
び出してしまう。このとき上部電極５はプラズマの反応
熱により約１００〜４００℃程度に温度上昇してしまう
ため、スパッタリング効果によるＡｌやＮＦ3が、プラ
ズマにより分解してできたフッ素イオン（Ｆ+）、窒素
イオン（Ｎ+）あるいは混合ガスとして使用する酸素等
と反応して上部電極４表面に生成物８を形成してしま
う。特に、ガス分散孔４ａ内及びガス出口に形成された
生成物８は成膜時のガスのウエハ表面への供給を阻害す
る要因となり、成膜速度の低下、成膜厚、膜質の均一性
悪化、さらには発塵などの成膜性能の低下を引き起こ
す。
た従来のプラズマＣＶＤ装置においては、クリーニング
時に、上部電極４にスパッタリング効果により生成物が
発生、成長するという問題点があった。図４は、従来の
プラズマＣＶＤ装置のクリーニングにおける問題点を示
した図で、図３の従来例構成のプラズマＣＶＤ装置の両
電極４，５の部分を拡大した説明用の断面図である。即
ち、クリーニング時、上部電極４と下部電極５の間でプ
ラズマ放電を行うが、例えばクリーニングに用いる三フ
ッ化窒素（ＮＦ3）や、フロン１１６（Ｃ2Ｆ6）などの
ガスは分解，イオン化しそのフッ素イオン（Ｆ+）等は
下部電極５にアタックする。これにより、下部電極５が
例えばアルミニウム（Ａｌ）などで構成されている場合
はスパッタリング効果でＡｌ原子がプラズマ気相中に飛
び出してしまう。このとき上部電極５はプラズマの反応
熱により約１００〜４００℃程度に温度上昇してしまう
ため、スパッタリング効果によるＡｌやＮＦ3が、プラ
ズマにより分解してできたフッ素イオン（Ｆ+）、窒素
イオン（Ｎ+）あるいは混合ガスとして使用する酸素等
と反応して上部電極４表面に生成物８を形成してしま
う。特に、ガス分散孔４ａ内及びガス出口に形成された
生成物８は成膜時のガスのウエハ表面への供給を阻害す
る要因となり、成膜速度の低下、成膜厚、膜質の均一性
悪化、さらには発塵などの成膜性能の低下を引き起こ
す。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、クリーニング時に上部電極及
びそのガス分散孔への生成物の付着，成長を防止できる
プラズマＣＶＤ装置を得ることを目的としており、さら
にこの装置に適したクリーニング方法を提供することを
目的とする。
るためになされたもので、クリーニング時に上部電極及
びそのガス分散孔への生成物の付着，成長を防止できる
プラズマＣＶＤ装置を得ることを目的としており、さら
にこの装置に適したクリーニング方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
のプラズマＣＶＤ装置は、真空容器内のガス導入口に位
置して導入ガスを分散するガス分散孔を有しかつ高周波
電圧の印加電極を形成する上部電極と、該上部電極と対
向してウエハが載置できるよう平行配置されグランドに
接地してなる下部電極とを備え、両電極間にプラズマを
発生させるプラズマＣＶＤ装置において、上部電極はそ
の内部に絶縁部材からなる冷却流路を設けたものであ
る。
のプラズマＣＶＤ装置は、真空容器内のガス導入口に位
置して導入ガスを分散するガス分散孔を有しかつ高周波
電圧の印加電極を形成する上部電極と、該上部電極と対
向してウエハが載置できるよう平行配置されグランドに
接地してなる下部電極とを備え、両電極間にプラズマを
発生させるプラズマＣＶＤ装置において、上部電極はそ
の内部に絶縁部材からなる冷却流路を設けたものであ
る。
【０００８】また、請求項２のプラズマＣＶＤ装置は、
請求項１において、冷却流路を流れる冷媒の熱交換器を
設けたものである。
請求項１において、冷却流路を流れる冷媒の熱交換器を
設けたものである。
【０００９】また、請求項３のプラズマＣＶＤ装置のク
リーニング方法は、ウエハが載置されていない真空容器
内にガス導入口より所定ガスを導入するとともに上部電
極内の冷却流路に冷媒を流通して上部電極を冷却しなが
ら上部電極より高周波電圧を印加し上部電極および下部
電極間にプラズマ放電を発生させて真空容器内のクリー
ニングをするようにしたものである。
リーニング方法は、ウエハが載置されていない真空容器
内にガス導入口より所定ガスを導入するとともに上部電
極内の冷却流路に冷媒を流通して上部電極を冷却しなが
ら上部電極より高周波電圧を印加し上部電極および下部
電極間にプラズマ放電を発生させて真空容器内のクリー
ニングをするようにしたものである。
【００１０】
【作用】この発明におけるプラズマＣＶＤ装置は、上部
電極の内部に設けられた冷却流路を流れる冷媒によっ
て、クリーニング時における上部電極の温度上昇が抑止
され、上部電極及びそのガス分散孔部への生成物の形
成，成長が防がれるとともに絶縁部材がプラズマ放電時
ガス分散孔内での微小放電や高周波電圧の勾配発生を防
止しプラズマ放電の安定化を図る。
電極の内部に設けられた冷却流路を流れる冷媒によっ
て、クリーニング時における上部電極の温度上昇が抑止
され、上部電極及びそのガス分散孔部への生成物の形
成，成長が防がれるとともに絶縁部材がプラズマ放電時
ガス分散孔内での微小放電や高周波電圧の勾配発生を防
止しプラズマ放電の安定化を図る。
【００１１】また、冷却流路と熱交換器で冷媒の循環系
としたので上部電極が効率良く冷却される。
としたので上部電極が効率良く冷却される。
【００１２】さらに、このプラズマＣＶＤ装置のクリー
ニング方法によれば、成膜時の成膜速度の低下や膜厚，
膜質の均一性が確保できるクリーニングを可能にする。
ニング方法によれば、成膜時の成膜速度の低下や膜厚，
膜質の均一性が確保できるクリーニングを可能にする。
【００１３】
実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明
する。図１はこの発明のプラズマＣＶＤ装置における構
成を示す断面側面図である。図において、１〜３，５〜
７は従来と同様でありその説明は省略する。９は真空容
器１内上部のガス導入口に位置して設けられたアルミニ
ュームなど導電材でなる上部電極で、その内部に冷媒を
通す環状の冷却流路９ａがセラミック等の絶縁部材１０
を介して一体に形成されている。また、上部電極９には
ガス導入口に対向する近傍に導入されたガスが均等分散
されるよう多数の細孔でなるガス分散孔９ｂが設けられ
ている。１１は上部電極９の冷却流路９ａと連通し液体
冷媒を循環，保温するための熱交換器である。
する。図１はこの発明のプラズマＣＶＤ装置における構
成を示す断面側面図である。図において、１〜３，５〜
７は従来と同様でありその説明は省略する。９は真空容
器１内上部のガス導入口に位置して設けられたアルミニ
ュームなど導電材でなる上部電極で、その内部に冷媒を
通す環状の冷却流路９ａがセラミック等の絶縁部材１０
を介して一体に形成されている。また、上部電極９には
ガス導入口に対向する近傍に導入されたガスが均等分散
されるよう多数の細孔でなるガス分散孔９ｂが設けられ
ている。１１は上部電極９の冷却流路９ａと連通し液体
冷媒を循環，保温するための熱交換器である。
【００１４】次に動作について説明する。前述した従来
例同様に下部電極５上にシリコン等のウエハを載せ、シ
リコン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜するが、このとき
前述したように下部電極５周辺や上部電極９周辺，真空
容器１内の側壁，真空排気系２等にも膜が付着する。こ
れを除去するために真空容器１内のクリーニングを行
う。これもまた、前述した従来例と同様にガス導入口３
より三フッ化窒素（ＮＦ3）やフロン１１６（Ｃ2Ｆ6）
あるいはこれらのガスと酸素（Ｏ2），亜酸化窒素（Ｎ2
Ｏ）との混合ガスを上部電極９のガス分散孔９ｂで分散
させながら真空容器１内に導入し、高周波電源４により
上部電極４に高周波電圧を印加し上部電極４のガスが分
散される部分と下部電極５間でプラズマ放電を行う。こ
のプラズマ放電により各部に付着した膜をエッチング除
去しクリーニングがなされるが、このとき上部電極９の
冷却流路９ａには熱交換器１１によって２０〜５０℃程
度に保温された水やエチレングリコール等の液体冷媒を
循環させているので、従来技術のように、プラズマの反
応熱により上部電極９が温度上昇してしまうことはな
い。従って、上部電極４表面での反応、即ち、前述した
従来例のようにスパッタリング効果によるＡｌやＮＦ3
がプラズマにより分解してできたフッ素イオン
（Ｆ+），窒素イオン（Ｎ+）あるいは混合ガスとして使
用する酸素等は、上部電極９の表面が低温であるので活
性な反応をしない。よって、上部電極９、特にガス分散
をするガス分散孔９ｂに生成物が反応付着することはな
い。
例同様に下部電極５上にシリコン等のウエハを載せ、シ
リコン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜するが、このとき
前述したように下部電極５周辺や上部電極９周辺，真空
容器１内の側壁，真空排気系２等にも膜が付着する。こ
れを除去するために真空容器１内のクリーニングを行
う。これもまた、前述した従来例と同様にガス導入口３
より三フッ化窒素（ＮＦ3）やフロン１１６（Ｃ2Ｆ6）
あるいはこれらのガスと酸素（Ｏ2），亜酸化窒素（Ｎ2
Ｏ）との混合ガスを上部電極９のガス分散孔９ｂで分散
させながら真空容器１内に導入し、高周波電源４により
上部電極４に高周波電圧を印加し上部電極４のガスが分
散される部分と下部電極５間でプラズマ放電を行う。こ
のプラズマ放電により各部に付着した膜をエッチング除
去しクリーニングがなされるが、このとき上部電極９の
冷却流路９ａには熱交換器１１によって２０〜５０℃程
度に保温された水やエチレングリコール等の液体冷媒を
循環させているので、従来技術のように、プラズマの反
応熱により上部電極９が温度上昇してしまうことはな
い。従って、上部電極４表面での反応、即ち、前述した
従来例のようにスパッタリング効果によるＡｌやＮＦ3
がプラズマにより分解してできたフッ素イオン
（Ｆ+），窒素イオン（Ｎ+）あるいは混合ガスとして使
用する酸素等は、上部電極９の表面が低温であるので活
性な反応をしない。よって、上部電極９、特にガス分散
をするガス分散孔９ｂに生成物が反応付着することはな
い。
【００１５】上部電極９に設けられている冷却流路９ａ
はセラミック等の絶縁部材１０で形成されているが、こ
れは導電材料を用いた場合、プラズマ放電時にガスを分
散する細孔９ｂ内での微小放電（マイクロアーキング）
や、冷媒の流れに沿って起きる高周波電圧の勾配発生が
生ずるためであり、マイクロアーキングや高周波電圧勾
配が発生してプラズマの放電を不安定なものにすること
を防止している。なお、この構成では冷媒は熱交換器と
冷却流路を循環させるものを示したが、所定温度の水な
どを流通させるようにしても良い。
はセラミック等の絶縁部材１０で形成されているが、こ
れは導電材料を用いた場合、プラズマ放電時にガスを分
散する細孔９ｂ内での微小放電（マイクロアーキング）
や、冷媒の流れに沿って起きる高周波電圧の勾配発生が
生ずるためであり、マイクロアーキングや高周波電圧勾
配が発生してプラズマの放電を不安定なものにすること
を防止している。なお、この構成では冷媒は熱交換器と
冷却流路を循環させるものを示したが、所定温度の水な
どを流通させるようにしても良い。
【００１６】実施例２．上記実施例１では、上部電極９
の冷却用冷媒として水やエチレングリコールのような液
体冷媒を使う場合について説明したが、図２に示すよう
に上部電極９の冷却用冷媒として、アルゴン（Ａｒ），
ヘリウム（Ｈｅ），窒素（Ｎ2），エセノン（Ｘｅ），
ネオン（Ｎｅ）等のガスを用いたガス冷媒としても実施
例１と同様な効果が得られる。
の冷却用冷媒として水やエチレングリコールのような液
体冷媒を使う場合について説明したが、図２に示すよう
に上部電極９の冷却用冷媒として、アルゴン（Ａｒ），
ヘリウム（Ｈｅ），窒素（Ｎ2），エセノン（Ｘｅ），
ネオン（Ｎｅ）等のガスを用いたガス冷媒としても実施
例１と同様な効果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、真空容器内のガス導入口に位置して導入ガスを分
散するガス分散孔を有しかつ高周波電圧の印加電極を形
成する上部電極と、該上部電極と対向してウエハが載置
できるよう平行配置されグランドに接地してなる下部電
極とを備え、両電極間にプラズマを発生させるプラズマ
ＣＶＤ装置において、上部電極はその内部に絶縁部材か
らなる冷却流路を設けたので、クリーニング時上部電極
の温度上昇が抑制されて上部電極及びそのガス分散孔へ
の生成物の付着，成長を防止でき、成膜時に成膜性能の
低下をしないプラズマＣＶＤ装置が得られる効果があ
る。
れば、真空容器内のガス導入口に位置して導入ガスを分
散するガス分散孔を有しかつ高周波電圧の印加電極を形
成する上部電極と、該上部電極と対向してウエハが載置
できるよう平行配置されグランドに接地してなる下部電
極とを備え、両電極間にプラズマを発生させるプラズマ
ＣＶＤ装置において、上部電極はその内部に絶縁部材か
らなる冷却流路を設けたので、クリーニング時上部電極
の温度上昇が抑制されて上部電極及びそのガス分散孔へ
の生成物の付着，成長を防止でき、成膜時に成膜性能の
低下をしないプラズマＣＶＤ装置が得られる効果があ
る。
【００１８】また、請求項２によれば、請求項１におい
て、冷却流路を流れる冷媒の熱交換器を設けたので、効
率良く上部電極が冷却される。
て、冷却流路を流れる冷媒の熱交換器を設けたので、効
率良く上部電極が冷却される。
【００１９】また、請求項３によれば、ウエハが載置さ
れていない真空容器内にガス導入口より所定ガスを導入
するとともに上部電極内の冷却流路に冷媒を流通し、上
部電極を冷却しながら上部電極に高周波電圧を印加し上
部電極および下部電極間にプラズマ放電を発生させて真
空容器内のクリーニングをするようにしたので、成膜時
の成膜速度の低下や膜厚，膜質の均一性が確保できるプ
ラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法が得られる効果が
ある。
れていない真空容器内にガス導入口より所定ガスを導入
するとともに上部電極内の冷却流路に冷媒を流通し、上
部電極を冷却しながら上部電極に高周波電圧を印加し上
部電極および下部電極間にプラズマ放電を発生させて真
空容器内のクリーニングをするようにしたので、成膜時
の成膜速度の低下や膜厚，膜質の均一性が確保できるプ
ラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法が得られる効果が
ある。
【図１】 この発明の実施例１におけるプラズマＣＶＤ
装置の構成を示す断面側面図である。
装置の構成を示す断面側面図である。
【図２】 この発明の実施例２におけるプラズマＣＶＤ
装置の構成を示す断面側面図である。
装置の構成を示す断面側面図である。
【図３】 従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面
側面図である。
側面図である。
【図４】 図３における電極を部分拡大した動作説明用
の断面図である。
の断面図である。
１ 真空容器、２ 排気系、３ ガス導入口、５ 下部
電極、９ 上部電極、９ａ 冷却流路、９ｂ ガス分散
孔、１０ 絶縁部材、１１ 熱交換器。
電極、９ 上部電極、９ａ 冷却流路、９ｂ ガス分散
孔、１０ 絶縁部材、１１ 熱交換器。
Claims (3)
- 【請求項１】 真空容器内のガス導入口に位置して導入
ガスを分散するガス分散孔を有しかつ高周波電圧の印加
電極を形成する上部電極と、該上部電極と対向してウエ
ハが載置できるよう平行配置されグランドに接地してな
る下部電極とを備え、上記両電極間にプラズマを発生さ
せるプラズマＣＶＤ装置において、 上記上部電極はその内部に絶縁部材からなる冷却流路を
備えていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 冷却流路を流れる冷媒の熱交換器を備え
たことを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項３】 ウエハが載置されていない真空容器内に
ガス導入口より所定ガスを導入するとともに上部電極内
の冷却流路に冷媒を流通して上記上部電極を冷却しなが
ら上記上部電極に高周波電圧を印加して上部電極および
下部電極間にプラズマ放電を発生させて上記真空容器内
のクリーニングをするようにしたことを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11537094A JPH07321054A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | プラズマｃｖｄ装置とそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11537094A JPH07321054A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | プラズマｃｖｄ装置とそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321054A true JPH07321054A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14660852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11537094A Pending JPH07321054A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | プラズマｃｖｄ装置とそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321054A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001508923A (ja) * | 1997-01-17 | 2001-07-03 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 容量結合ｒｆプラズマ反応室 |
| WO2010001890A1 (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置 |
| JP2015503248A (ja) * | 2012-01-10 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 冷却式シャワーヘッド及びそれを具備する基板処理装置 |
-
1994
- 1994-05-27 JP JP11537094A patent/JPH07321054A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001508923A (ja) * | 1997-01-17 | 2001-07-03 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 容量結合ｒｆプラズマ反応室 |
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| JP2010016225A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置 |
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| JP2015503248A (ja) * | 2012-01-10 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 冷却式シャワーヘッド及びそれを具備する基板処理装置 |
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