JPH11297676A - 電子部品製造装置 - Google Patents
電子部品製造装置Info
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- JPH11297676A JPH11297676A JP11015098A JP11015098A JPH11297676A JP H11297676 A JPH11297676 A JP H11297676A JP 11015098 A JP11015098 A JP 11015098A JP 11015098 A JP11015098 A JP 11015098A JP H11297676 A JPH11297676 A JP H11297676A
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- cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【課題】クリーニングをしてもチャンバ内壁に不要な膜
が残りパーティクルの原因となることを解決し、クリー
ニングを実施するとチャンバ内壁の膜がなくなり全掃周
期を長くできるようにする。 【解決手段】チャンバ１１を、Ａｌ製の内装チャンバ１
２、絶縁物の中間チャンバ１３、Ａｌ製もしくはＳＵＳ
製外装チャンバ１４の３つのチャンバを重ねた多重構造
とする。内装チャンバ１２に導入端子６１を設ける。成
膜時には、内装チャンバ１２をスイッチ６２により外装
チャンバ１４と接続しアースに落とす。クリーニング時
には、スイッチ６２をオープンにして、内装チャンバ１
２をアースから外す。クリーニング用ガスを導入し、Ｉ
ＣＰプラズマを放電させる。この時、内装チャンバ１２
の内壁についた膜をとるため、内装チャンバ１２にＲＦ
電源６４よりＲＦ電力を印加してＲＦバイアスを加え
る。
が残りパーティクルの原因となることを解決し、クリー
ニングを実施するとチャンバ内壁の膜がなくなり全掃周
期を長くできるようにする。 【解決手段】チャンバ１１を、Ａｌ製の内装チャンバ１
２、絶縁物の中間チャンバ１３、Ａｌ製もしくはＳＵＳ
製外装チャンバ１４の３つのチャンバを重ねた多重構造
とする。内装チャンバ１２に導入端子６１を設ける。成
膜時には、内装チャンバ１２をスイッチ６２により外装
チャンバ１４と接続しアースに落とす。クリーニング時
には、スイッチ６２をオープンにして、内装チャンバ１
２をアースから外す。クリーニング用ガスを導入し、Ｉ
ＣＰプラズマを放電させる。この時、内装チャンバ１２
の内壁についた膜をとるため、内装チャンバ１２にＲＦ
電源６４よりＲＦ電力を印加してＲＦバイアスを加え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品製造装置に
関し、特に、プラズマを用いて半導体ウェーハのプロセ
スを行う半導体製造装置に関するものである。
関し、特に、プラズマを用いて半導体ウェーハのプロセ
スを行う半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマプロセスを行う半導体製
造装置の概略図を図２に示す。
造装置の概略図を図２に示す。
【０００３】通常プラズマ装置はＡｌ（アルミニウム）
製のチャンバ１０を持ち、その内に半導体ウェーハ（図
示せず。）を載置する載置台２０が設置されている。平
行平板型のプラズマ装置だと、フタの部分もＡｌで作ら
れるが、本図では高密度プラズマ装置のため、石英もし
くはセラミックス製のベルジャー３１があり、その上に
プラズマを発生、維持するためのコイル（帯状）３２が
置かれている。コイル３２にはマッチングネットワーク
３３を介し、ＲＦ電源３４（１３．５６ＭＨｚ）がつな
がっている。ベルジャー３１とＡｌ製チャンバ１０の間
には、ウェーハの周囲からガスを供給するためのノズル
が設けられている。ベルジャー３１の上には、ウェーハ
の上からガスを均等に供給するガスシャワー板４１が設
置されている。Ａｌ製チャンバ１０はアースに落として
ある。ウェーハ載置台２０は明記していない静電チャッ
ク機構とＨｅ導入機構とを持ち、載置されたウェーハを
固定し冷却を行う。さらにバイアス印加用のＲＦ電源２
２とマッチングネットワーク２１が接続され、スパッタ
デポ（成膜中に物理的スパッタを同時に行い膜質改質を
行う）を行う時に使用する。
製のチャンバ１０を持ち、その内に半導体ウェーハ（図
示せず。）を載置する載置台２０が設置されている。平
行平板型のプラズマ装置だと、フタの部分もＡｌで作ら
れるが、本図では高密度プラズマ装置のため、石英もし
くはセラミックス製のベルジャー３１があり、その上に
プラズマを発生、維持するためのコイル（帯状）３２が
置かれている。コイル３２にはマッチングネットワーク
３３を介し、ＲＦ電源３４（１３．５６ＭＨｚ）がつな
がっている。ベルジャー３１とＡｌ製チャンバ１０の間
には、ウェーハの周囲からガスを供給するためのノズル
が設けられている。ベルジャー３１の上には、ウェーハ
の上からガスを均等に供給するガスシャワー板４１が設
置されている。Ａｌ製チャンバ１０はアースに落として
ある。ウェーハ載置台２０は明記していない静電チャッ
ク機構とＨｅ導入機構とを持ち、載置されたウェーハを
固定し冷却を行う。さらにバイアス印加用のＲＦ電源２
２とマッチングネットワーク２１が接続され、スパッタ
デポ（成膜中に物理的スパッタを同時に行い膜質改質を
行う）を行う時に使用する。
【０００４】反応室内は、ターボ分子ポンプ５１と補助
ポンプ５２により、１０-4Ｐａオーダーまで真空排気さ
れる。
ポンプ５２により、１０-4Ｐａオーダーまで真空排気さ
れる。
【０００５】この反応室で成膜した場合、ウェーハ上だ
けでなく、ベルジャー３１の内側、ウェーハ載置台２０
の側面、Ａｌ製チャンバ１０の内壁にも膜が付着する。
ウェーハ上以外に付いた膜はパーティクル等の原因にな
るため、ある一定以上の厚さになる前にプラズマクリー
ニング等を行い除去する必要がある。しかし、Ａｌ製チ
ャンバ１０の内壁は、プラズマから遠いこともあり、非
常にとれにくく、膜が残り易いという大きな問題があ
る。
けでなく、ベルジャー３１の内側、ウェーハ載置台２０
の側面、Ａｌ製チャンバ１０の内壁にも膜が付着する。
ウェーハ上以外に付いた膜はパーティクル等の原因にな
るため、ある一定以上の厚さになる前にプラズマクリー
ニング等を行い除去する必要がある。しかし、Ａｌ製チ
ャンバ１０の内壁は、プラズマから遠いこともあり、非
常にとれにくく、膜が残り易いという大きな問題があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点のチャンバ内壁に不要な膜がクリーニング
をしても残りパーティクルの原因となることを解決し、
クリーニングを実施すると、チャンバ内壁の膜がなくな
り全掃周期を長くできる電子部品製造装置を提供するこ
とにある。
技術の問題点のチャンバ内壁に不要な膜がクリーニング
をしても残りパーティクルの原因となることを解決し、
クリーニングを実施すると、チャンバ内壁の膜がなくな
り全掃周期を長くできる電子部品製造装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、反応室
を構成する容器の少なくとも一部の構造を、導電性の外
部容器と、導電性の内部容器と、前記外部容器と前記内
部容器との間を絶縁する絶縁手段とを備える構造とする
と共に、前記内部容器に直流バイアスまたは高周波バイ
アスを印加可能なバイアス印加手段を設けたことを特徴
とする電子部品製造装置が提供される。
を構成する容器の少なくとも一部の構造を、導電性の外
部容器と、導電性の内部容器と、前記外部容器と前記内
部容器との間を絶縁する絶縁手段とを備える構造とする
と共に、前記内部容器に直流バイアスまたは高周波バイ
アスを印加可能なバイアス印加手段を設けたことを特徴
とする電子部品製造装置が提供される。
【０００８】好ましくは、上記バイアス印加手段が高周
波（ＲＦ）バイアスを印加可能なバイアス印加手段であ
る。
波（ＲＦ）バイアスを印加可能なバイアス印加手段であ
る。
【０００９】また、好ましくは、外部容器と内部容器と
の間を絶縁する絶縁手段として、絶縁体を用いる。さら
に好ましくは、絶縁手段として絶縁体からなる容器を用
い、この場合には、上記容器の一部は導電性の内部容
器、絶縁体からなる容器、導電性の外部容器の多重構造
となる。
の間を絶縁する絶縁手段として、絶縁体を用いる。さら
に好ましくは、絶縁手段として絶縁体からなる容器を用
い、この場合には、上記容器の一部は導電性の内部容
器、絶縁体からなる容器、導電性の外部容器の多重構造
となる。
【００１０】また、好ましくは、外部容器と内部容器と
の間の電気的導通または絶縁を切り換える切り換え手段
を設け、さらに好ましくは、この切り換え手段と上記バ
イアス印加手段とを並列に接続し、外部容器と内部容器
とが直流的に導通されている場合には、上記バイアス印
加手段からＲＦバイアスが印加されないようにする。
の間の電気的導通または絶縁を切り換える切り換え手段
を設け、さらに好ましくは、この切り換え手段と上記バ
イアス印加手段とを並列に接続し、外部容器と内部容器
とが直流的に導通されている場合には、上記バイアス印
加手段からＲＦバイアスが印加されないようにする。
【００１１】また、好ましくは、上記電子部品製造装置
のクリーニングを行う際には、クリーニングガスにＡｒ
を添加することにより、放電の安定と、スパッタ効果に
よるクリーニング効果アップ、クリーニング時間短縮を
実現する。
のクリーニングを行う際には、クリーニングガスにＡｒ
を添加することにより、放電の安定と、スパッタ効果に
よるクリーニング効果アップ、クリーニング時間短縮を
実現する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態のプラズマ
プロセスを行う半導体製造装置の概略断面図を図１に示
す。
プロセスを行う半導体製造装置の概略断面図を図１に示
す。
【００１３】本装置のチャンバ１１は、内装チャンバ１
２、中間チャンバ１３、外装チャンバ１４の３つのチャ
ンバを重ねた多重構造となっており、特に中間チャンバ
１３が絶縁物（テフロン、ポリイミド、石英、セラミッ
クス等）で作られている。内装チャンバ１２はプラズマ
にさらされることから、汚染源とならない様に、Ａｌ
製、特に不純物の少ないＡｌ（１０００番台）で製作す
る。
２、中間チャンバ１３、外装チャンバ１４の３つのチャ
ンバを重ねた多重構造となっており、特に中間チャンバ
１３が絶縁物（テフロン、ポリイミド、石英、セラミッ
クス等）で作られている。内装チャンバ１２はプラズマ
にさらされることから、汚染源とならない様に、Ａｌ
製、特に不純物の少ないＡｌ（１０００番台）で製作す
る。
【００１４】内装チャンバ１２は電極として使用するの
で導入端子６１を設ける。
で導入端子６１を設ける。
【００１５】外装チャンバは、Ａｌ製もしくはＳＵＳ製
で作る。外装チャンバはプラズマにさらされないのでＳ
ＵＳを使用することができる。
で作る。外装チャンバはプラズマにさらされないのでＳ
ＵＳを使用することができる。
【００１６】チャンバ１１の中には半導体ウェーハを載
せる載置台２０が設置され、載置台２０は図示しない静
電チャック機構と、Ｈｅ冷却機構とを有す。この２つの
機構により載置台２０にのったウェーハの固定とウェー
ハの冷却を行う。
せる載置台２０が設置され、載置台２０は図示しない静
電チャック機構と、Ｈｅ冷却機構とを有す。この２つの
機構により載置台２０にのったウェーハの固定とウェー
ハの冷却を行う。
【００１７】チャンバ１１の上には石英もしくはセラミ
クス製のベルジャー３１があり、その上にプラズマを発
生させ、維持するためのコイル（帯状）３２が置かれて
いる。コイル３２にはマッチングネットワーク３３を介
しＲＦ電源３４（１３．５６ＭＨｚ）がつながってい
る。
クス製のベルジャー３１があり、その上にプラズマを発
生させ、維持するためのコイル（帯状）３２が置かれて
いる。コイル３２にはマッチングネットワーク３３を介
しＲＦ電源３４（１３．５６ＭＨｚ）がつながってい
る。
【００１８】ベルジャー３１と多重構造チャンバ１１の
間には、ウェーハの周囲からガスを供給するためのノズ
ル７０が設けられている。なお、このノズル７０はＳｉ
Ｈ4と、Ｏ2 ガスが別々に流れる様に別系統となってお
り、ノズルから吹き出す前に反応することなく、反応室
内でまざるようになっている。
間には、ウェーハの周囲からガスを供給するためのノズ
ル７０が設けられている。なお、このノズル７０はＳｉ
Ｈ4と、Ｏ2 ガスが別々に流れる様に別系統となってお
り、ノズルから吹き出す前に反応することなく、反応室
内でまざるようになっている。
【００１９】ベルジャー３１の上には、ウェーハの上か
らガスを均等に供給するためのガスシャワー板４１が設
置され、ＳｉＨ4 とＯ2 ガスをシャワー板内で混ざらな
いようにして流している。
らガスを均等に供給するためのガスシャワー板４１が設
置され、ＳｉＨ4 とＯ2 ガスをシャワー板内で混ざらな
いようにして流している。
【００２０】ウェーハ載置台２０は明記していない静電
チャック機構と、Ｈｅ導入機構を持ち、載置されたウェ
ーハを固定し、冷却を行う。さらにバイアス印加用のＲ
Ｆ電源２２と、マッチングネットワーク２１が接続さ
れ、スパッタデポ時に使用する。
チャック機構と、Ｈｅ導入機構を持ち、載置されたウェ
ーハを固定し、冷却を行う。さらにバイアス印加用のＲ
Ｆ電源２２と、マッチングネットワーク２１が接続さ
れ、スパッタデポ時に使用する。
【００２１】反応室内は下部に取り付けたターボ分子ポ
ンプ５１と補助ポンプ５２とで１０-4Ｐａオーダーまで
真空排気される。
ンプ５１と補助ポンプ５２とで１０-4Ｐａオーダーまで
真空排気される。
【００２２】成膜及びクリーニングをこの反応室で行う
と次の様になる。
と次の様になる。
【００２３】反応室は真空排気されている。図に示して
いないロードロック室から、これも図に示していないゲ
ートバルブを通してウェーハが搬送され、これまた図に
示されていないペデスタル機構により、載置台上にウェ
ーハが設置される。その後、ゲートバルブは閉じ、チャ
ンバ内にガスが導入される。この時のガスは成膜用では
なく、加熱用であるのでＡｒまたはＮ2 を用いる。ガス
導入後、ＩＣＰプラズマを放電させ、ウェーハを加熱す
る。６０〜９０秒後、図示しない静電チャック機構によ
り、ウェーハは載置され、ウェーハ裏面にＨｅが導入さ
れウェーハが冷却される。同時に成膜ガスとスパッタ用
のガス（不活性であるＡｒガスが適している）を導入
し、スパッタデポを行い、ウェーハ上にカバレッジの良
い膜が成膜される。この時スパッタ効果を上げるために
載置台２０にＲＦバイアス電圧を印加する。
いないロードロック室から、これも図に示していないゲ
ートバルブを通してウェーハが搬送され、これまた図に
示されていないペデスタル機構により、載置台上にウェ
ーハが設置される。その後、ゲートバルブは閉じ、チャ
ンバ内にガスが導入される。この時のガスは成膜用では
なく、加熱用であるのでＡｒまたはＮ2 を用いる。ガス
導入後、ＩＣＰプラズマを放電させ、ウェーハを加熱す
る。６０〜９０秒後、図示しない静電チャック機構によ
り、ウェーハは載置され、ウェーハ裏面にＨｅが導入さ
れウェーハが冷却される。同時に成膜ガスとスパッタ用
のガス（不活性であるＡｒガスが適している）を導入
し、スパッタデポを行い、ウェーハ上にカバレッジの良
い膜が成膜される。この時スパッタ効果を上げるために
載置台２０にＲＦバイアス電圧を印加する。
【００２４】これによりウェーハ上に成膜されるが、ウ
ェーハ上だけでなくベルジャー３１、載置台２０の周
辺、多重構造チャンバ１１の内壁にも膜が成膜される。
ェーハ上だけでなくベルジャー３１、載置台２０の周
辺、多重構造チャンバ１１の内壁にも膜が成膜される。
【００２５】このとき、多重構造チャンバ１１の内装チ
ャンバ１２はスイッチ６２により外装チャンバ１４と接
続されているので、アースに落ちており、内装チャンバ
１２につながるＲＦ電源６４にはこのスイッチ６２を用
いてインターロック機構をもたせ、内装チャンバ１２が
アース時にはＲＦが印加されないようにする。なお、Ｒ
Ｆ電源６４と内装チャンバ１２との間にはマッチングネ
ットワーク６３が接続されている。
ャンバ１２はスイッチ６２により外装チャンバ１４と接
続されているので、アースに落ちており、内装チャンバ
１２につながるＲＦ電源６４にはこのスイッチ６２を用
いてインターロック機構をもたせ、内装チャンバ１２が
アース時にはＲＦが印加されないようにする。なお、Ｒ
Ｆ電源６４と内装チャンバ１２との間にはマッチングネ
ットワーク６３が接続されている。
【００２６】クリーニング時には、スイッチ６２をオー
プンにして、内装チャンバ１２をアースから外す。クリ
ーニング用ガスを導入し、ＩＣＰプラズマを放電させ
る。このとき、ガスにはＣ2Ｆ6またはＣＦ4 、他のクリ
ーニング用のガスと、Ｏ2 等を用い、スパッタ効果によ
りエッチングスピードを上げるためＡｒを添加する。こ
の時圧力は１〜数十Ｐａ程度でクリーニングを実施す
る。そして、載置台２０周辺の膜をとるため、載置台２
０にＲＦ電源２２よりＲＦバイアスを印加し、さらに内
装チャンバ１２の内壁についた膜をとるため、内装チャ
ンバにもＲＦ電源６４よりＲＦ電力を印加し、ＲＦバイ
アスを加える。載置台２０上面の損傷を防止するため、
ダミーウェーハを載置台２０にのせておく。
プンにして、内装チャンバ１２をアースから外す。クリ
ーニング用ガスを導入し、ＩＣＰプラズマを放電させ
る。このとき、ガスにはＣ2Ｆ6またはＣＦ4 、他のクリ
ーニング用のガスと、Ｏ2 等を用い、スパッタ効果によ
りエッチングスピードを上げるためＡｒを添加する。こ
の時圧力は１〜数十Ｐａ程度でクリーニングを実施す
る。そして、載置台２０周辺の膜をとるため、載置台２
０にＲＦ電源２２よりＲＦバイアスを印加し、さらに内
装チャンバ１２の内壁についた膜をとるため、内装チャ
ンバにもＲＦ電源６４よりＲＦ電力を印加し、ＲＦバイ
アスを加える。載置台２０上面の損傷を防止するため、
ダミーウェーハを載置台２０にのせておく。
【００２７】これにより、内装チャンバ１２の内壁に付
いた膜を確実に速く除去することができ、チャンバの全
掃周期を長くすることができる。
いた膜を確実に速く除去することができ、チャンバの全
掃周期を長くすることができる。
【００２８】なお、多重構造チャンバ１１の真空、封止
については、図１では中間チャンバ１３を用いて行って
いるが、強度上の問題がなければ外装チャンバ１４また
は内装チャンバ１２のどちらで行ってもかまわない。し
かし、内装チャンバ１２はＲＦとの切り換えスイッチ以
外でアースに落ちることのないようにする。
については、図１では中間チャンバ１３を用いて行って
いるが、強度上の問題がなければ外装チャンバ１４また
は内装チャンバ１２のどちらで行ってもかまわない。し
かし、内装チャンバ１２はＲＦとの切り換えスイッチ以
外でアースに落ちることのないようにする。
【００２９】また、多重構造チャンバ１１を、導電性の
内装チャンバ１２、絶縁物からなる中間チャンバ１３お
よび導電性の外装チャンバ１４の３槽構造としているの
は、中間チャンバ１３の絶縁物により高周波印加時に内
装チャンバ１２とアース電位の外装チャンバ１４との間
の放電を防止するためであり、また導電性の外装チャン
バ１４はシールドのために使用している。
内装チャンバ１２、絶縁物からなる中間チャンバ１３お
よび導電性の外装チャンバ１４の３槽構造としているの
は、中間チャンバ１３の絶縁物により高周波印加時に内
装チャンバ１２とアース電位の外装チャンバ１４との間
の放電を防止するためであり、また導電性の外装チャン
バ１４はシールドのために使用している。
【００３０】
【発明の効果】この発明を実施することにより次の効果
が得られる。
が得られる。
【００３１】チャンバ内壁に付着した膜を確実に除去す
ることができ、全掃周期の間隔が長くなり、装置の稼働
率が上がる。その結果、生産性向上につながる。
ることができ、全掃周期の間隔が長くなり、装置の稼働
率が上がる。その結果、生産性向上につながる。
【図１】本発明の一実施の形態の半導体製造装置を説明
するための概略断面図である。
するための概略断面図である。
【図２】従来の半導体製造装置を説明するための概略断
面図である。
面図である。
１１…多重構造チャンバ １２…内装チャンバ １３…中間チャンバ １４…外装チャンバ ２０…ウェーハ載置台 ２１、３３、６３…マッチングネットワーク ２２、３４、６４…ＲＦ電源 ３１…ベルジャー ３２…コイル（帯状） ４１…ガスシャワー板 ５１…ターボ分子ポンプ ５２…補助ポンプ ６１…導入端子 ６２…スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】反応室を構成する容器の少なくとも一部の
構造を、導電性の外部容器と、導電性の内部容器と、前
記外部容器と前記内部容器との間を絶縁する絶縁手段と
を備える構造とすると共に、前記内部容器に直流バイア
スまたは高周波バイアスを印加可能なバイアス印加手段
を設けたことを特徴とする電子部品製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11015098A JPH11297676A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 電子部品製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11015098A JPH11297676A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 電子部品製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297676A true JPH11297676A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14528328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11015098A Withdrawn JPH11297676A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 電子部品製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297676A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267121B1 (en) * | 1999-02-11 | 2001-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process to season and determine condition of a high density plasma etcher |
| WO2001075926A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un ecran a plasma |
| WO2004100246A1 (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Tadahiro Ohmi | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| CN100347334C (zh) * | 2002-08-20 | 2007-11-07 | 显像制造服务株式会社 | 具有射频电源供应单元的双频式真空沉积设备 |
-
1998
- 1998-04-06 JP JP11015098A patent/JPH11297676A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267121B1 (en) * | 1999-02-11 | 2001-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process to season and determine condition of a high density plasma etcher |
| WO2001075926A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un ecran a plasma |
| US7070471B2 (en) | 2000-03-31 | 2006-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Production method for plasma display panel |
| CN100336157C (zh) * | 2000-03-31 | 2007-09-05 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体显示面板的制造方法 |
| KR100798986B1 (ko) | 2000-03-31 | 2008-01-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 |
| CN100347334C (zh) * | 2002-08-20 | 2007-11-07 | 显像制造服务株式会社 | 具有射频电源供应单元的双频式真空沉积设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |