JP2696891B2 - プラズマプロセス装置 - Google Patents
プラズマプロセス装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴
（Electron Cyclotron Resonance,ECR）励起により発生
させたプラズマを利用する高集積半導体素子等の製造装
置、例えばCVD（Chemical Vapor Deposition）装置、エ
ッチング装置、その他スパッタリング装置等として用い
られるプラズマプロセス装置に関する。
（Electron Cyclotron Resonance,ECR）励起により発生
させたプラズマを利用する高集積半導体素子等の製造装
置、例えばCVD（Chemical Vapor Deposition）装置、エ
ッチング装置、その他スパッタリング装置等として用い
られるプラズマプロセス装置に関する。
マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴励起によ
りプラズマを発生させる装置は低ガス圧で活性度の高い
プラズマを生成でき、イオンエネルギの広範囲な選択が
可能であり、また大きなイオン電流がとれ、イオン流の
指向性、均一性に優れるなどの利点があり、高集積半導
体素子の製造に欠かせないものとしてその研究，開発が
進められている。
りプラズマを発生させる装置は低ガス圧で活性度の高い
プラズマを生成でき、イオンエネルギの広範囲な選択が
可能であり、また大きなイオン電流がとれ、イオン流の
指向性、均一性に優れるなどの利点があり、高集積半導
体素子の製造に欠かせないものとしてその研究，開発が
進められている。
第２図はCVD装置として構成した従来におけるマイク
ロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴を利用するプラズ
マ装置の縦断面図であり、31はプラズマ生成室を示して
いる。プラズマ生成室31は周囲壁を２重構造にして冷却
水の通流路31aを備え、また一側壁中央には石英ガラス
板31bにて封止したマイクロ波導入口31cを、更に他側壁
中央には前記マイクロ波導入口31cと対向する位置に円
形のプラズマ引出窓31dを夫々備えている。前記マイク
ロ波導入口31cには他端を図示しない高周波発振器に接
続した導波管32の一端が接続され、またプラズマ引出窓
31dに臨ませて反応室33を配設し、更に周囲にはプラズ
マ生成室31及びこれに接続した導波管32の一端部にわた
ってこれらを囲繞する態様でこれらと同心状に励磁コイ
ル34を配設してある。
ロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴を利用するプラズ
マ装置の縦断面図であり、31はプラズマ生成室を示して
いる。プラズマ生成室31は周囲壁を２重構造にして冷却
水の通流路31aを備え、また一側壁中央には石英ガラス
板31bにて封止したマイクロ波導入口31cを、更に他側壁
中央には前記マイクロ波導入口31cと対向する位置に円
形のプラズマ引出窓31dを夫々備えている。前記マイク
ロ波導入口31cには他端を図示しない高周波発振器に接
続した導波管32の一端が接続され、またプラズマ引出窓
31dに臨ませて反応室33を配設し、更に周囲にはプラズ
マ生成室31及びこれに接続した導波管32の一端部にわた
ってこれらを囲繞する態様でこれらと同心状に励磁コイ
ル34を配設してある。
反応室33内にはウェーハ等の試料Ｓを装着する試料台
35が前記プラズマ引出窓31dと対向させて配設され、そ
の前面には円板形をなす試料Ｓがそのまま、又は静電吸
着等の手段にて着脱可能に装着されるようになってい
る。試料台35内には冷却用の冷却水通流路（図示せず）
が、また試料Ｓの装着位置には試料Ｓの静電吸着及び／
又はバイアス印加用電極35bが夫々埋設されており、通
流路には冷却水供給管35aが、また電極35bには直流電源
（図示せず）及び整合器37を介在させてRF（ラジオ周波
数）電源38が接続せしめられている。
35が前記プラズマ引出窓31dと対向させて配設され、そ
の前面には円板形をなす試料Ｓがそのまま、又は静電吸
着等の手段にて着脱可能に装着されるようになってい
る。試料台35内には冷却用の冷却水通流路（図示せず）
が、また試料Ｓの装着位置には試料Ｓの静電吸着及び／
又はバイアス印加用電極35bが夫々埋設されており、通
流路には冷却水供給管35aが、また電極35bには直流電源
（図示せず）及び整合器37を介在させてRF（ラジオ周波
数）電源38が接続せしめられている。
前記試料台35の後面側に位置する反応室33の後壁には
図示しない排気装置に連なる排気口33aが開口されてい
る。31g,33gは原料ガス供給系、31h,31iは冷却水の供給
系，排水系である。
図示しない排気装置に連なる排気口33aが開口されてい
る。31g,33gは原料ガス供給系、31h,31iは冷却水の供給
系，排水系である。
而してこのようなCVD装置にあっては、所要の真空度
に設定したプラズマ生成室31,反応室33内に原料ガス供
給系31gから原料ガスを供給し、励磁コイル34にて励磁
を形成しつつプラズマ生成室31内にマイクロ波を導入
し、プラズマ生成室31を空洞共振器として原料ガスを共
鳴励起し、プラズマを生成させ、生成させたプラズマを
励磁コイル34にて形成される反応室33側に向かうに従い
磁束密度が低下する発散磁界によって反応室33内の試料
台35上の試料Ｓ周辺に投射せしめ、原料ガス供給系33g
から供給される原料ガスを分解し、試料Ｓ表面に成膜を
行うようになっている（特開昭57−133636号）。
に設定したプラズマ生成室31,反応室33内に原料ガス供
給系31gから原料ガスを供給し、励磁コイル34にて励磁
を形成しつつプラズマ生成室31内にマイクロ波を導入
し、プラズマ生成室31を空洞共振器として原料ガスを共
鳴励起し、プラズマを生成させ、生成させたプラズマを
励磁コイル34にて形成される反応室33側に向かうに従い
磁束密度が低下する発散磁界によって反応室33内の試料
台35上の試料Ｓ周辺に投射せしめ、原料ガス供給系33g
から供給される原料ガスを分解し、試料Ｓ表面に成膜を
行うようになっている（特開昭57−133636号）。
ところで上述した如きプラズマプロセス装置では一般
にプラズマ生成室31の周囲壁は電気的に接地電位に設定
されており、またその周囲壁は水にて冷却する構成が採
られている。このプラズマ生成室31内で高密度プラズマ
を発生せしめプラズマ引出窓31dよりプラズマ流として
取出し反応室33内で成膜又はエッチング処理を行ったと
きプラズマ生成室31の周壁内面の各部にも副次反応物の
堆積が生じるのを避けることが出来ない。
にプラズマ生成室31の周囲壁は電気的に接地電位に設定
されており、またその周囲壁は水にて冷却する構成が採
られている。このプラズマ生成室31内で高密度プラズマ
を発生せしめプラズマ引出窓31dよりプラズマ流として
取出し反応室33内で成膜又はエッチング処理を行ったと
きプラズマ生成室31の周壁内面の各部にも副次反応物の
堆積が生じるのを避けることが出来ない。
例えばSiH4とN2又はNH3のガスとを原料ガスに用いて
試料Ｓ表面に窒化ケイ素の膜を堆積させた場合、反応室
33の周壁内面及びプラズマ生成室31の内壁には反応生成
物である窒化ケイ素、或いは余剰のSiH4の分解による粉
末状のケイ素を堆積する。従ってこのような成膜処理を
反復してゆくと堆積層が厚くなり、一定以上になると壁
面から剥離し始め、プラズマ生成室31内に急激なガス流
が生じる、又はプラズマが発生すると剥離が進行し、剥
離した薄片等が以後の成膜時に試料Ｓ面に付着し、欠陥
を発生させる原因となる。
試料Ｓ表面に窒化ケイ素の膜を堆積させた場合、反応室
33の周壁内面及びプラズマ生成室31の内壁には反応生成
物である窒化ケイ素、或いは余剰のSiH4の分解による粉
末状のケイ素を堆積する。従ってこのような成膜処理を
反復してゆくと堆積層が厚くなり、一定以上になると壁
面から剥離し始め、プラズマ生成室31内に急激なガス流
が生じる、又はプラズマが発生すると剥離が進行し、剥
離した薄片等が以後の成膜時に試料Ｓ面に付着し、欠陥
を発生させる原因となる。
また、フォトレジストをマスクとしてCF4ガスプラズ
マにて酸化ケイ素膜，窒化ケイ素膜をエッチングすると
きはCF4ガスから電離分解したフッ化炭素原子,CFnがフ
ォトレジストと結合し、有機樹脂膜が周壁内面に堆積
し、この堆積物が残留ガスの吸着，又は汚染の発生源と
なり、エッチングの再現性を低下させる等の欠点があっ
た。
マにて酸化ケイ素膜，窒化ケイ素膜をエッチングすると
きはCF4ガスから電離分解したフッ化炭素原子,CFnがフ
ォトレジストと結合し、有機樹脂膜が周壁内面に堆積
し、この堆積物が残留ガスの吸着，又は汚染の発生源と
なり、エッチングの再現性を低下させる等の欠点があっ
た。
この対策として従来にあっては一定の処理量毎に定期
的にプラズマ生成室31の周壁内面を機械的手段によって
クリーニングする方法、又はプラズマ生成室31周壁内面
に防着板を取り付けておき、これを交換すると共にクリ
ーニングする方法、更にはCF4,O2等のガスプラズマによ
ってプラズマ生成室31の周壁内面又は防着板の付着物を
エッチング除去する方法等が試みられてきた。
的にプラズマ生成室31の周壁内面を機械的手段によって
クリーニングする方法、又はプラズマ生成室31周壁内面
に防着板を取り付けておき、これを交換すると共にクリ
ーニングする方法、更にはCF4,O2等のガスプラズマによ
ってプラズマ生成室31の周壁内面又は防着板の付着物を
エッチング除去する方法等が試みられてきた。
しかし単純にクリーニングする方法、又は防着板の交
換とクリーニングを併用する方法では付着物が極めて微
細な粒子状となるため、いずれも完全な付着物の除去は
難しく、しかも比較的長時間にわたって装置の稼動を停
止する必要があり、この間プラズマ生成室31及び反応室
33を大気中に曝すこととなるため、再現性が悪化する等
生産効率の向上を図るうえでの大きな障害となってい
た。
換とクリーニングを併用する方法では付着物が極めて微
細な粒子状となるため、いずれも完全な付着物の除去は
難しく、しかも比較的長時間にわたって装置の稼動を停
止する必要があり、この間プラズマ生成室31及び反応室
33を大気中に曝すこととなるため、再現性が悪化する等
生産効率の向上を図るうえでの大きな障害となってい
た。
更にエッチング除去する方法はプラズマ生成室自体が
電気的に接地されているために十分な効果が得られてい
ないのが現状である。一方エッチングすべきプラズマ生
成室31の内壁又は防着板が金属で構成されている場合、
エネルギーをもつプラズマイオンに照射されることによ
ってそれ自身がエッチングされ金属汚染を誘発すること
も考えられる。
電気的に接地されているために十分な効果が得られてい
ないのが現状である。一方エッチングすべきプラズマ生
成室31の内壁又は防着板が金属で構成されている場合、
エネルギーをもつプラズマイオンに照射されることによ
ってそれ自身がエッチングされ金属汚染を誘発すること
も考えられる。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、そ
の目的とするところはガスプラズマ放電によるエッチン
グ作用を利用してプラズマ生成室内の堆積物の除去を自
動的に、しかも効率的に行い得るようにしたプラズマプ
ロセス装置を提供するにある。
の目的とするところはガスプラズマ放電によるエッチン
グ作用を利用してプラズマ生成室内の堆積物の除去を自
動的に、しかも効率的に行い得るようにしたプラズマプ
ロセス装置を提供するにある。
本発明にあっては、電子サイクロトロン共鳴励起によ
りプラズマを発生させるプラズマ生成室と、発生したプ
ラズマを引出窓を通じて導入し、前記引出窓に面して配
置した試料に処理を施す試料室とを備えたプラズマプロ
セス装置において、前記プラズマ生成室内にこれと電気
的に絶縁され、該プラズマ生成室の内周壁を覆って配設
される絶縁性材料で被覆された導電性保護壁と、該導電
性保護壁に対し、前記試料に処理を施す場合には接地電
位を、また導電性保護壁をクリーニングする場合には他
の電位を選択的に印加させる手段とを設けたことを特徴
とする。
りプラズマを発生させるプラズマ生成室と、発生したプ
ラズマを引出窓を通じて導入し、前記引出窓に面して配
置した試料に処理を施す試料室とを備えたプラズマプロ
セス装置において、前記プラズマ生成室内にこれと電気
的に絶縁され、該プラズマ生成室の内周壁を覆って配設
される絶縁性材料で被覆された導電性保護壁と、該導電
性保護壁に対し、前記試料に処理を施す場合には接地電
位を、また導電性保護壁をクリーニングする場合には他
の電位を選択的に印加させる手段とを設けたことを特徴
とする。
本発明にあっては、これによって試料に対する処理の
場合には接地電位に設定することでプラズマ流に対する
影響を抑制し、またクリーニングの場合にはプラズマ生
成室内で発生されたプラズマをプラズマ生成室の周壁内
面に分散投射せしめて周壁内面の堆積物をエッチング除
去する。
場合には接地電位に設定することでプラズマ流に対する
影響を抑制し、またクリーニングの場合にはプラズマ生
成室内で発生されたプラズマをプラズマ生成室の周壁内
面に分散投射せしめて周壁内面の堆積物をエッチング除
去する。
以下本発明をCVD装置として構成した実施例につき図
面に基づき具体的に説明する。第１図は本発明に係るプ
ラズマ装置（以下本発明装置という）の縦断面図であ
り、図中１はプラズマ生成室、２は導波管、３は試料Ｓ
に対し成膜を施す試料室たる反応室、４は励磁コイルを
示している。
面に基づき具体的に説明する。第１図は本発明に係るプ
ラズマ装置（以下本発明装置という）の縦断面図であ
り、図中１はプラズマ生成室、２は導波管、３は試料Ｓ
に対し成膜を施す試料室たる反応室、４は励磁コイルを
示している。
プラズマ生成室１はステンレス鋼製であって、マイク
ロ波に対して空洞共振器を構成するよう形成されてお
り、また周囲壁を２重構造として水冷ジャケット1aを備
える中空円筒形をなし、一側壁中央には石英板1bで閉鎖
されたマイクロ波導入口1cを備え、また他側壁中央には
前記マイクロ波導入口1cと対向する位置にプラズマの引
出窓1dを備えている。前記マイクロ波導入口1cには導波
管２の一端部が接続され、またプラズマ引出窓1dにはこ
れに臨ませて反応室３が配設され、更に周囲にはプラズ
マ生成室１及びこれに連結された導波管２の一端部にわ
たってこれらと同心状に励磁コイル４が周設せしめられ
ている。
ロ波に対して空洞共振器を構成するよう形成されてお
り、また周囲壁を２重構造として水冷ジャケット1aを備
える中空円筒形をなし、一側壁中央には石英板1bで閉鎖
されたマイクロ波導入口1cを備え、また他側壁中央には
前記マイクロ波導入口1cと対向する位置にプラズマの引
出窓1dを備えている。前記マイクロ波導入口1cには導波
管２の一端部が接続され、またプラズマ引出窓1dにはこ
れに臨ませて反応室３が配設され、更に周囲にはプラズ
マ生成室１及びこれに連結された導波管２の一端部にわ
たってこれらと同心状に励磁コイル４が周設せしめられ
ている。
導波管２はその他端部は図示しない高周波発振器に接
続され、高周波発振器で発せられたマイクロ波をマイク
ロ波導入口1cを経てプラズマ生成室１内に導入するよう
にしてある。
続され、高周波発振器で発せられたマイクロ波をマイク
ロ波導入口1cを経てプラズマ生成室１内に導入するよう
にしてある。
励磁コイル４は図示しない直流電源に接続されてお
り、直流電流の通流によって、プラズマ生成室１内にマ
イクロ波の導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を
形成すると共に、反応室３側に向けて磁束密度が低くな
る発散磁界を形成し、プラズマ生成室１内に生成された
プラズマを反応室３内に導入せしめるようになってい
る。
り、直流電流の通流によって、プラズマ生成室１内にマ
イクロ波の導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を
形成すると共に、反応室３側に向けて磁束密度が低くな
る発散磁界を形成し、プラズマ生成室１内に生成された
プラズマを反応室３内に導入せしめるようになってい
る。
反応室３は中空の直方体形に形成され、プラズマ引出
窓1dと対向する側壁には図示しない排気装置に連なる排
気口3aを開口してあり、また反応室３の内部には前記プ
ラズマ引出窓1dと対向させて試料台５が配設され、この
試料台５と前面に前記プラズマ引出窓1dと対向させて試
料Ｓが着脱可能に装着されている。試料台５内には冷却
用の冷却水通流路及び試料Ｓに静電吸着および／又はバ
イアス印加するための電極5bが埋設されており、通流路
には冷却水供給管5aが、また電極5bには直流電源（図示
せず）及び整合器７を介在させてRF（ラジオ高周波）電
源８が接続されている。
窓1dと対向する側壁には図示しない排気装置に連なる排
気口3aを開口してあり、また反応室３の内部には前記プ
ラズマ引出窓1dと対向させて試料台５が配設され、この
試料台５と前面に前記プラズマ引出窓1dと対向させて試
料Ｓが着脱可能に装着されている。試料台５内には冷却
用の冷却水通流路及び試料Ｓに静電吸着および／又はバ
イアス印加するための電極5bが埋設されており、通流路
には冷却水供給管5aが、また電極5bには直流電源（図示
せず）及び整合器７を介在させてRF（ラジオ高周波）電
源８が接続されている。
そしてプラズマ生成室１の内側にはプラズマ引出窓1d
を除く周囲壁の内面を多くべくこれとの間に所要の間隙
を隔てて電気的に絶縁状態に維持して絶縁性材料で被覆
された導電性の保護壁6,6が配設されている。保護壁6,6
は例えばステンレス鋼板等にて形成されており、少なく
ともプラズマに曝される内面は溶射法によって絶縁性材
料である酸化アルミニウムのセラミック層6a,6aが形成
され、前記保護壁6,6を被覆している。各保護壁6,6は切
替スイッチSW1,SW2、整合器９を介在させてRF電源10に
接続されている。
を除く周囲壁の内面を多くべくこれとの間に所要の間隙
を隔てて電気的に絶縁状態に維持して絶縁性材料で被覆
された導電性の保護壁6,6が配設されている。保護壁6,6
は例えばステンレス鋼板等にて形成されており、少なく
ともプラズマに曝される内面は溶射法によって絶縁性材
料である酸化アルミニウムのセラミック層6a,6aが形成
され、前記保護壁6,6を被覆している。各保護壁6,6は切
替スイッチSW1,SW2、整合器９を介在させてRF電源10に
接続されている。
切替スイッチSW1,SW2はその切替片を夫々整合器９を
介してRF電源10に接続する位置と、接地する位置とに選
択的に切替え得るよう形成されており、成膜中は接地側
に、また壁面の堆積膜を除去するときはRF電源10側に接
続されるようになっている。
介してRF電源10に接続する位置と、接地する位置とに選
択的に切替え得るよう形成されており、成膜中は接地側
に、また壁面の堆積膜を除去するときはRF電源10側に接
続されるようになっている。
なお切替スイッチSW1,SW2は保護壁6,6に対し接地電位
と、他の負電位（RF電源10,高周波電源に接続した場合
もエッチングのためのプラズマが発生すると保護壁は自
動的に負電位となる：セルフバイアス）に設定される場
合を示したが、特にこれに限るものではなく、例えば接
地電位以外の複数の負電位に選択設定し得る構成として
もよい。
と、他の負電位（RF電源10,高周波電源に接続した場合
もエッチングのためのプラズマが発生すると保護壁は自
動的に負電位となる：セルフバイアス）に設定される場
合を示したが、特にこれに限るものではなく、例えば接
地電位以外の複数の負電位に選択設定し得る構成として
もよい。
また電源としてはRF電源10にのみ限るものではなく、
例えば高周波電源又は直流電源でもよい。直流電源を用
いるときはその負極側を保護壁と接続する。
例えば高周波電源又は直流電源でもよい。直流電源を用
いるときはその負極側を保護壁と接続する。
その他1g,3gはガス供給系、1h,1iは夫々冷却水の供給
系，排水系を示している。
系，排水系を示している。
而してこのような本発明装置にあっては反応室３内の
試料台５に試料Ｓを装着し、プラズマ生成室1,反応室３
内を所要の真空度に設定した後、ガス供給系1g,3gを通
じてプラズマ生成室1,反応室３内に原料ガスを供給し、
励磁コイル４に直流電流を通流すると共に、導波管2,マ
イクロ波導入口1cを通じてマイクロ波をプラズマ生成室
１内に導入する。プラズマ生成室１内に導入されたマイ
クロ波はプラズマ空洞共振器として機能するプラズマ生
成室１内で共振状態となり、原料ガスを分解し、共鳴励
起して、プラズマを生成せしめる。生成されたプラズマ
は励磁コイル４にて形成される発散磁界によって反応室
３内に導入され、RF電源８にて所定バイアスを印加維持
された試料Ｓ表面への成膜を行うようになっている。
試料台５に試料Ｓを装着し、プラズマ生成室1,反応室３
内を所要の真空度に設定した後、ガス供給系1g,3gを通
じてプラズマ生成室1,反応室３内に原料ガスを供給し、
励磁コイル４に直流電流を通流すると共に、導波管2,マ
イクロ波導入口1cを通じてマイクロ波をプラズマ生成室
１内に導入する。プラズマ生成室１内に導入されたマイ
クロ波はプラズマ空洞共振器として機能するプラズマ生
成室１内で共振状態となり、原料ガスを分解し、共鳴励
起して、プラズマを生成せしめる。生成されたプラズマ
は励磁コイル４にて形成される発散磁界によって反応室
３内に導入され、RF電源８にて所定バイアスを印加維持
された試料Ｓ表面への成膜を行うようになっている。
なおこのときはプラズマ生成室１の周囲壁は接地電位
に、また保護壁6,6は切替スイッチSW1,SW2によって同様
に接地電位に夫々設定しておく。
に、また保護壁6,6は切替スイッチSW1,SW2によって同様
に接地電位に夫々設定しておく。
これによりプラズマ生成室１内のプラズマによって保
護壁6,6が浮遊電位となって成膜イオン流に影響を与え
るのを防止し得る。
護壁6,6が浮遊電位となって成膜イオン流に影響を与え
るのを防止し得る。
稼動時間が所定値に達すると、成膜作業を一時中止し
て各切替スイッチSW1,SW2を夫々接地側からRF電源10側
に切替え、またガス供給系1gからエッチング用の10％O2
添加CF4ガスを供給する。これによってプラズマ生成室
１でプラズマが生成せしめられると自動的に各保護壁6,
6及び試料台５は負電位に設定され（セルフバイア
ス）、プラズマ放電は四周に分散され、保護壁６表面に
堆積した膜をエッチング除去し、除去されたイオン，ガ
ス等は排気口3aを通じて排出される。
て各切替スイッチSW1,SW2を夫々接地側からRF電源10側
に切替え、またガス供給系1gからエッチング用の10％O2
添加CF4ガスを供給する。これによってプラズマ生成室
１でプラズマが生成せしめられると自動的に各保護壁6,
6及び試料台５は負電位に設定され（セルフバイア
ス）、プラズマ放電は四周に分散され、保護壁６表面に
堆積した膜をエッチング除去し、除去されたイオン，ガ
ス等は排気口3aを通じて排出される。
第１図に示す如き装置でガス供給系1gからN2ガスを10
SCCMの割合で、またガス供給系3gからSiH4を8SCCMの割
合で供給し、プラズマ生成室1,反応室３内の真空度を0.
7mTorr、マイクロ波パワーを200Wとして試料表面に窒化
ケイ素膜をのべ膜厚で約１μｍ堆積させたところ、保護
壁6,6の内面のセラミック層6a,6aには最大約0.4μｍの
厚さに膜の付着がみられた。またこの時点でのウエハ上
での0.3μｍ以上のパーティスクの付着は10個/cm2であ
った。
SCCMの割合で、またガス供給系3gからSiH4を8SCCMの割
合で供給し、プラズマ生成室1,反応室３内の真空度を0.
7mTorr、マイクロ波パワーを200Wとして試料表面に窒化
ケイ素膜をのべ膜厚で約１μｍ堆積させたところ、保護
壁6,6の内面のセラミック層6a,6aには最大約0.4μｍの
厚さに膜の付着がみられた。またこの時点でのウエハ上
での0.3μｍ以上のパーティスクの付着は10個/cm2であ
った。
次いで切替スイッチSW1,SW2を夫々高周波電源10側に
印加し、10％O2添加CF4ガスをプラズマ生成室１内に40S
CCMの割合で導入し、真空度を0.5mTorr、RFパワーを200
Wとしてプラズマを発生させエッチングを行った。この
直後でのパーティクルは１個/cm2以下となり、約10分間
のエッチングで付着膜が除去されたことが確認でき、ま
た保護壁6,6は被覆した酸化アルミニウムのセラミック
層6a,6aの表面を露出させることができた。その結果ク
リーニングに要する時間は従来の1/10に短縮し得た。
印加し、10％O2添加CF4ガスをプラズマ生成室１内に40S
CCMの割合で導入し、真空度を0.5mTorr、RFパワーを200
Wとしてプラズマを発生させエッチングを行った。この
直後でのパーティクルは１個/cm2以下となり、約10分間
のエッチングで付着膜が除去されたことが確認でき、ま
た保護壁6,6は被覆した酸化アルミニウムのセラミック
層6a,6aの表面を露出させることができた。その結果ク
リーニングに要する時間は従来の1/10に短縮し得た。
なお上述の実施例は本発明装置をCVD装置に適用した
構成を示したが、何らこれに限るものではなく、例えば
エッチング装置、スパッタリング装置等にも適用し得る
ことは勿論である。
構成を示したが、何らこれに限るものではなく、例えば
エッチング装置、スパッタリング装置等にも適用し得る
ことは勿論である。
以上の如く本発明にあっては、プラズマ生成室内にこ
れを覆う態様でこれと電気的に絶縁状態を維持した絶縁
性材料の被覆をもつ導電性の保護壁を設け、試料に対す
る処理の場合には接地電位に、またクリーニングの場合
には他の電位に選択的に設定し得るようにしたから、金
属汚染を防止出来ることは勿論、試料に対する処理の場
合には接地電位の状態となってプラズマ流に対する影響
が抑制され、またプラズマ生成室の浄化工程を自動的
に、しかも高真空を維持した状態で効率的に行うことが
出来て生産効率が高いなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
れを覆う態様でこれと電気的に絶縁状態を維持した絶縁
性材料の被覆をもつ導電性の保護壁を設け、試料に対す
る処理の場合には接地電位に、またクリーニングの場合
には他の電位に選択的に設定し得るようにしたから、金
属汚染を防止出来ることは勿論、試料に対する処理の場
合には接地電位の状態となってプラズマ流に対する影響
が抑制され、またプラズマ生成室の浄化工程を自動的
に、しかも高真空を維持した状態で効率的に行うことが
出来て生産効率が高いなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
第１図は本発明装置の縦断面図、第２図は従来装置の縦
断面図である。 １……プラズマ生成室、２……導波管、３……反応室 ４……励磁コイル、５……試料台、６……保護壁 6a……セラミック層、７……整合器、８……RF電源 ９……整合器、10……RF電源、Ｓ……試料 SW1,SW2……切替スイッチ
断面図である。 １……プラズマ生成室、２……導波管、３……反応室 ４……励磁コイル、５……試料台、６……保護壁 6a……セラミック層、７……整合器、８……RF電源 ９……整合器、10……RF電源、Ｓ……試料 SW1,SW2……切替スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズ
マを発生させるプラズマ生成室と、発生したプラズマを
引出窓を通じて導入し、前記引出窓に面して配置した試
料に処理を施す試料室とを備えたプラズマプロセス装置
において、 前記プラズマ生成室内にこれと電気的に絶縁され、該プ
ラズマ生成室の内周壁を覆って配設される絶縁性材料で
被覆された導電性保護壁と、該導電性保護壁に対し、前
記試料に処理を施す場合には接地電位を、また導電性保
護壁をクリーニングする場合には他の電位を選択的に印
加させる手段とを設けたことを特徴とするプラズマプロ
セス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058590A JP2696891B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | プラズマプロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058590A JP2696891B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | プラズマプロセス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231320A JPH01231320A (ja) | 1989-09-14 |
| JP2696891B2 true JP2696891B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=13088698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63058590A Expired - Fee Related JP2696891B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | プラズマプロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2696891B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2598336B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1997-04-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| JP3227522B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2001-11-12 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59225525A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 |
| JPS60223126A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6218030A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Canon Inc | イオンビ−ムエツチング装置 |
| JPS63253628A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP63058590A patent/JP2696891B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01231320A (ja) | 1989-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |