JPH0955299A

JPH0955299A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH0955299A
Application number: JP7206315A
Authority: JP
Inventors: Yukinobu Hikosaka; 幸信彦坂
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-08-11
Filing date: 1995-08-11
Publication date: 1997-02-25

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、アンテナから放射された高周波電力
によりプラズマを生成し、そのプラズマを用いてエッチ
ング又は成膜を行うプラズマ処理装置に関し、プラズマ
生成時にプラズマ生成室の仕切壁に反応ガスによる反応
生成物が堆積するのを抑制し、さらにプラズマ生成室の
仕切壁のエッチングを抑制して仕切壁の耐久性を向上さ
せる。【解決手段】仕切壁が絶縁物により形成されたプラズマ
生成室１１と、プラズマ生成室１１の外側に配置された
高周波電力を放出するアンテナ１６と、プラズマ生成室
１１の仕切壁１２を加熱する加熱手段と、アンテナ１６
からの高周波電力によりプラズマ生成室１１内に生成さ
れたプラズマにより被処理体２７をエッチングし、或い
は基板上に成膜する、プラズマ生成室１１に接続された
反応室１９とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関し、より詳しくは、アンテナから放射された高周波
電力によりプラズマを生成し、そのプラズマを用いてエ
ッチング又は成膜を行うプラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プラズマ生成室の外側にアンテナ
を配置し、アンテナから放射された高周波電力によりプ
ラズマを生成し、そのプラズマを用いてエッチングを行
うドライエッチング装置が知られている。上記のドライ
エッチング装置は、図１２に示すように、エッチング処
理が行われる反応室１にプラズマ生成室２が接続されて
いる。プラズマ生成室２内部を外部から隔てている石英
からなる仕切壁３の周囲にはＲＦアンテナ４が巻かれて
いる。エッチングされるウエハ５は反応室１内部に置か
れる。

【０００３】そして、高周波電源６により、高周波電流
がＲＦアンテナ４に印加される。このとき、軸方向（図
のＺ方向）に変動磁場ｄＢｚ／ｄｔを生じ、この変動磁
場ｄＢｚ／ｄｔが相互誘導により円周方向（図のθ方
向）に沿って電界Ｅθを発生させ、プラズマ中の電子を
加速させる。加速電子の衝突により、プラズマ生成室２
内の反応ガス粒子が高いエネルギを得てプラズマ生成室
２内に高密度プラズマが生成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このド
ライエッチング装置では、プラズマ生成室２内のイオン
密度が高くなることから、多量のイオンが仕切壁３に照
射されてその仕切壁３の石英は２００℃以上の高温にな
る。この場合、フッ素等を含む反応ガスを用いると、化
学反応による石英のエッチングが促進されて多量の不純
物（ＣＯ，ＳｉＦ ₄等）が生成されてしまう。

【０００５】また、ＲＦアンテナ４に高周波電流が流れ
ると円周方向の電界Ｅθの他に半径方向（図のｒ方向）
の静電界Ｅｒが生じる。この静電界ＥｒはＲＦアンテナ
４に近いほど大きくなる。プラズマ中の正イオンは静電
界Ｅｒにより加速され、石英にスパッタしたり、エッチ
ング性反応ガスを用いたときには石英がＲＩＥ（反応性
イオンエッチング）によりエッチングされたりする。

【０００６】その結果、仕切壁３の耐久性が低下した
り、仕切壁３の石英のエッチングにより生じた反応生成
物がパーティクルとなってウエハ５表面に付着し、以後
の半導体プロセスにおいて深刻な影響を与えたりすると
いう問題がある。また、仕切壁３の内壁に付着した反応
生成物を除去してプラズマ生成室２内を清浄に保つた
め、クリーニングする時期の間隔が短くなり、スループ
ットが低下するという問題がある。

【０００７】成膜用反応ガスのプラズマを用いた成膜装
置においても仕切壁の内壁への反応生成物の付着という
問題が生じる。本発明は、上記の従来例の問題点に鑑み
て創作されたものであり、プラズマ生成時にプラズマ生
成室の仕切壁に反応ガスによる反応生成物が堆積するの
を抑制し、さらにプラズマ生成室の仕切壁のエッチング
を抑制して仕切壁の耐久性を向上させることができるプ
ラズマ処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、仕
切壁が絶縁物により形成されたプラズマ生成室と、前記
プラズマ生成室の外側に配置された高周波電力を放出す
るアンテナと、前記プラズマ生成室の仕切壁を加熱する
加熱手段と、前記アンテナからの高周波電力により前記
プラズマ生成室内に生成されたプラズマにより被処理体
をエッチングし、或いは基板上に成膜する、前記プラズ
マ生成室に接続された反応室とを有することを特徴とす
るプラズマ処理装置によって達成され、第２に、前記加
熱手段は、少なくとも前記仕切壁の内部に形成された空
洞部と該空洞部を通流する流動性を有する加熱媒体とか
ら構成されることを特徴とする第１の発明に記載のプラ
ズマ処理装置によって達成され、第３に、前記アンテナ
と前記プラズマ生成室との間に静電シールドが介在する
ことを特徴とする第１又は第２の発明に記載のプラズマ
処理装置によって達成され、第４に、前記プラズマ処理
装置はエッチング装置であることを特徴とする第１乃至
第３の発明のいずれかに記載のプラズマ処理装置によっ
て達成され、第５に、前記仕切壁の材料はフッ素系の反
応ガスに化学的反応によりエッチングされない材料であ
ることを特徴とする第１乃至第４の発明のいずれかに記
載のプラズマ処理装置によって達成され、第６に、前記
仕切壁の材料はアルミナであることを特徴とする第５の
発明に記載のプラズマ処理装置によって達成され、第７
に、前記プラズマ処理装置は成膜装置であることを特徴
とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載のプラズマ
処理装置によって達成される。

【０００９】以下に、上記の解決手段に基づく作用につ
いて説明する。本発明によれば、プラズマ生成室の仕切
壁を加熱する加熱手段を有しているので、エッチングの
際或いは成膜の際、仕切壁の温度を上げておくことによ
り反応ガスによる反応生成物が仕切壁の内壁に堆積する
のを抑制することができる。このとき、仕切壁がフッ素
系の反応ガスにエッチングされない材料で形成されるこ
とにより、仕切壁が加熱されている場合でも、仕切壁が
エッチングされるのを防止することができる。

【００１０】また、アンテナとプラズマ生成室との間に
静電シールドが介在し、プラズマ生成室をアンテナから
遮蔽しているので、アンテナが発生する静電界からプラ
ズマ生成室内を静電的に遮蔽することができ、従って、
プラズマ粒子がアンテナの方に引き寄せられるのを防止
することができる。これにより、仕切壁が加熱されてい
る場合でも、プラズマ粒子による仕切壁のエッチングを
抑制することができる。

【００１１】

【実施の形態】

（１）第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置の説明図１は第１の実施の形態に係るドライエッチング装置の
側面図である。図１において、１１は石英からなる仕切
壁１２により外部と隔てられたプラズマ生成室で、仕切
壁１２の内部には流動性を有する加熱媒体が通流する通
流路（空洞部）１３が形成されている。通流路１３と通
流路１３を循環する加熱媒体とは仕切壁１２を所定の温
度に加熱する加熱手段を構成する。加熱媒体として、例
えばパーフルオロポリエーテルが用いられる。通流路１
３には加熱媒体を導く配管１４が接続され、加熱媒体が
通流路１３内及び配管１４内を循環する。また、配管１
４の途中には温度制御装置１５が取り付けられ、加熱媒
体の温度を所定の値に保持する。

【００１２】１６は仕切壁１２の外周に二巻き巻かれた
ＲＦアンテナで、ＲＦアンテナ１６にはインピーダンス
マッチング回路１７を介して高周波電源１８が接続され
ている。高周波電源１７は周波数13.56 ＭＨｚの高周波
電力を供給する。ＲＦアンテナ１６に高周波電流が流れ
ることによりＲＦアンテナ１６から円周方向（θ方向）
に電界Ｅθが発生する。この電界Ｅθにより電子を介し
て反応ガスがエネルギを授受し、プラズマ化される。

【００１３】１９はプラズマ生成室１１に接続されたエ
ッチング室（反応室）で、エッチングされるウエハ２７
を載せる基板保持具２０が備えられている。基板保持具
２０にはウエハ２７を冷却するための、例えば水等の冷
却媒体による冷却手段が内蔵されている。また、基板保
持具２０にはインピーダンスマッチング回路２１を介し
て高周波電源２２が接続されている。高周波電源２２は
周波数４００ｋＨｚの高周波電圧を供給し、ウエハ２７
を負電圧にバイアスする。また、エッチング室１９には
流量調節バルブ２４を介して反応ガス導入口２３が形成
されるとともに、不図示の排気装置と接続される排気口
２５が排気量調節バルブ２６を介して設けられている。
排気装置によりエッチング室１９内及びこれにつながる
プラズマ生成室１１内が排気され、減圧される。

【００１４】上記第１の実施の形態のドライエッチング
装置によれば、プラズマ生成室１１の仕切壁１２を加熱
する加熱手段を有しているので、エッチングの際或いは
成膜の際、仕切壁１２の内壁を加熱しておくことより反
応ガスによる反応生成物が仕切壁１２の内壁に堆積する
のを抑制することができる。また、加熱媒体として液体
を用いているので、仕切壁面を加熱する場合、ヒータ等
と比べて接触面の面積を大きくとれるので、仕切壁への
均一な熱エネルギの授受を行うことができ、加熱温度の
均一性がよい。

【００１５】なお、上記では、仕切壁１２の材料として
石英が用いられているが、エッチング用の反応ガスとし
てフッ素系の反応ガスを用いる場合など、その反応ガス
に化学反応によるエッチングを受けないアルミナを仕切
壁１２の材料として用いることが望ましい。これによ
り、仕切壁１２が加熱されている場合でも、仕切壁１２
のエッチングを抑制することができる。

【００１６】次に、第１の形態に係るドライエッチング
装置を用い、シリコン酸化膜をエッチングしてビアホー
ルを形成する方法について図２（ａ），（ｂ）を参照し
ながら説明する。但し、仕切壁１２の加熱により仕切壁
１２の内壁への反応生成物の堆積が抑制されるが、同時
にフッ素系のエッチングガスによる仕切壁１２の内壁の
エッチングが促進されるので、これを抑制するために仕
切壁１２の材料としてアルミナを用いた。

【００１７】まず、図２（ａ）に示すように、シリコン
基板３１上に熱酸化膜３２を形成する。続いて、熱酸化
膜３２上にＡｌ膜を形成した後、パターニングして配線
層３３を形成する。次いで、例えばＣＶＤ法により、配
線層３３を被覆して膜厚約１μｍのシリコン酸化膜３４
を形成する。次に、配線層３３上方に直径約０．５μｍ
の開口３６を有するレジストマスク３５をそのシリコン
酸化膜３４上に形成する。以上がエッチングの対象とな
るウエハ２７を構成する。

【００１８】次いで、冷却された基板保持具２０上にウ
エハ２７を載置した後、プラズマ生成室１１内とエッチ
ング室１８内を排気する。同時に、仕切壁１２の加熱媒
体の通流路１３及び配管１４にパーフルオロポリエーテ
ル（流動性を有する加熱媒体）を流す。温度制御装置１
５によりパーフルオロポリエーテルの温度を制御し、そ
の温度を所定の温度に保つ。この形態では堆積速度やエ
ッチング速度を調査するため、加熱媒体の温度を種々変
えた。

【００１９】続いて、反応ガスの流量調節バルブ２４か
らプラズマ生成室１１に流量８０sccmのC₄F₈ガスと流量
８０sccmのH₂ガスとの混合ガスを導入した後、排気量調
節バルブ２６を調整してプラズマ生成室１１内の圧力を
１０mTorr にする。次に、周波数13.56 ＭＨｚ，ＲＦ電
力２．５ｋＷの高周波電力をＲＦアンテナ１６に印加す
ると、プラズマ生成室１１内には誘導結合型プラズマが
発生する。

【００２０】次いで、基板保持具２０には周波数４００
ｋＨｚ，電圧−５００Ｖになるように高周波電圧を印加
する。このプラズマ粒子は下流のエッチング室１９に流
れる。図２（ｂ）に示すように、ウエハ２７上に形成さ
れたシリコン酸化膜３４はレジストマスク３５の開口３
６を通してこのプラズマに曝されてエッチングされはじ
める。所定時間の経過の後、シリコン酸化膜３４にビア
ホール３７が形成される。なお、ビアホール３７を確実
に形成するため、２００％のオーバエッチングをしてい
る。

【００２１】以上の工程において、実験のため、加熱媒
体の温度を種々変えて反応生成物の仕切壁１２の内壁へ
の反応生成物の堆積速度や仕切壁１２の内壁のエッチン
グ速度を調査した。図７に、加熱媒体の温度を変えたと
きの仕切壁１２の内壁に堆積する反応生成物の堆積速度
の調査結果を示す。加熱媒体の温度を高くするほど、仕
切壁１２の内壁に膜が堆積しにくくなる。本実施例では
加熱媒体の温度を１００℃とすることで、加熱しない
（温度２０℃）場合に比べて堆積速度を１／２０以下に
抑制することができる。

【００２２】図９に、加熱媒体の温度を変えたときの仕
切壁１２の内壁のエッチング速度の調査結果を示す。ま
た、比較のため、図８に、仕切壁１２の内壁の材料とし
て石英を用いたもののエッチング速度の調査結果を示
す。それらの結果によれば、石英を用いた場合、加熱媒
体の温度を高くするほど、仕切壁１２の内壁のエッチン
グ速度が上昇してしまう。本実施例では、加熱媒体の温
度を１００℃とすることで、加熱しない（温度２０℃）
場合に比べて仕切壁１２の内壁のエッチング速度が１．
５倍に上昇した。これに対して、アルミナを用いた場
合、エッチング速度は２０ｎｍ／分となり、石英の場合
に比べて１／１０以下に低下した。

【００２３】このように、加熱により促進される仕切壁
１２の内壁のエッチングを抑えつつ、仕切壁１２の内壁
を加熱することで反応生成物による膜の堆積を抑制する
ことができる。なお、上記では仕切壁１２の材料として
アルミナを用いているが、フッ素系のエッチングガスを
用いないエッチング装置や成膜装置に適用された場合に
は仕切壁１２の材料として石英を用いても何ら問題はな
い。

【００２４】また、プラズマ化されたフッ素系の反応ガ
スによるエッチングを抑制するために、以下に説明する
静電シールド２８を備えた第２の実施の形態に示すドラ
イエッチング装置を用いてもよい。（２）第２の実施の形態に係るドライエッチング装置の
説明第１の実施の形態では、アルミナを用いることにより、
仕切壁１２の内壁のエッチングを一層抑制することがで
きるものの、図３に示すように、エッチングされたアル
ミナ３９が形成中のビアホール３７内に堆積してビアホ
ール３７内に残るシリコン酸化膜３８のエッチングが妨
げられることがある。このため、ビアホール３７内に突
起状のシリコン酸化膜３８が残ってしまう。これを解決
するため、アルミナからなる仕切壁１２に加え、静電シ
ールド２８を備えた第２の実施の形態に示すドライエッ
チング装置を用いることが好ましい。

【００２５】図４は第２の実施の形態に係るドライエッ
チング装置の側面図である。図中、図１と同じ符号で示
すものは図１と同じものを示す。図１に示す装置と異な
るところは、接地された静電シールド２８が仕切壁１２
内部の通流路１３に配設されていることである。このよ
うな静電シールドについては平０６−０４６０９１号公
報に開示されている。なお、静電シールド２８を設置す
べき場所は仕切壁１２内部の通流路に限られるものでは
なく、ＲＦアンテナ１６とプラズマ生成室１１の間に介
在し、ＲＦアンテナ１６からプラズマ生成室１１が遮蔽
されるように置かれていればよい。

【００２６】以下に、静電シールド２８の構成について
図１０を参照しながら説明する。静電シールド２８は長
さ（ａ）が１０ｃｍ、幅（ｂ）が２ｃｍの短冊状の銅板
が、幅（ｄ）２ｍｍの間隔でプラズマ生成室１１の周囲
に円周方向に沿って並べられ、各銅板は互いにつながっ
ている。その静電シールド２８はＲＦアンテナ１６とプ
ラズマ生成室１１の間に介在し、ＲＦアンテナ１６から
プラズマ生成室１１を遮蔽している。

【００２７】次に、この静電シールド２８を用いた静電
遮蔽について図１１を参照しながら説明する。図１１は
静電シールド２８を備えたドライエッチング装置の上面
図である。図１１に示すように、静電シールド２８を配
置して、高周波電流をＲＦアンテナ１６に流すことで、
ＲＦアンテナ１６上に負の静電荷が誘起されるが、静電
シールド２８は接地してあるのでその内側表面には電荷
が誘起されない。よって、静電シールド２８よりも内側
のプラズマ生成室１１側では半径方向（ｒ方向）の静電
界Ｅｒは発生しない。

【００２８】また、静電シールド２８の各銅板の間には
円周方向（θ方向）に幅ｄの間隔で間隙が形成されてい
る。仮に、各銅板間に幅ｄの間隙が形成されておらず、
その間隙に銅板が存在して全ての銅板がつながって、静
電シールド２８が一枚の銅板で形成されている場合、円
周方向の電界Ｅθを打ち消す方向に電流Ｉθ_Aが流れて
しまい、プラズマを効率的に生成することができなくな
る。なお、銅板間の間隔ｄは狭いほどよいが、２ｍｍ程
度でもプラズマの生成効率を落とすことはない。

【００２９】以上のように、第２の実施の形態によれ
ば、ＲＦアンテナ１６とプラズマ生成室１１との間に静
電シールド２８が介在し、ＲＦアンテナ１６からプラズ
マ生成室１１を遮蔽しているので、ＲＦアンテナ１６か
ら生じた静電界からプラズマ生成室１１内を静電的に遮
蔽することができ、従って、プラズマ粒子がＲＦアンテ
ナ１６の方に引き寄せられるのを防止することができ
る。これにより、仕切壁１２が加熱されている場合で
も、プラズマ粒子による仕切壁１２のエッチングを抑制
することができる。

【００３０】以下に、第２の実施の形態に示すドライエ
ッチング装置を用いてシリコン酸化膜を選択的にエッチ
ングし、ビアホールを形成する方法について説明する。
ドライエッチング装置の仕切壁１２の材料はアルミナで
形成され、静電シールド２８は仕切壁１２の内部に形成
された加熱媒体の通流路１３内であって、プラズマ生成
室１１をＲＦアンテナ１６から遮蔽するように設けら
れ、接地されている。

【００３１】この装置を用いて第１の実施の形態と同様
にシリコン酸化膜３４ａにビアホール３７ａを形成し
た。形成工程を図５（ａ），（ｂ）に示すが、それは第
１の実施の形態と同様なので、説明は省略する。図５
（ａ），（ｂ）中、符号３１ａはシリコン基板、３２ａ
は熱酸化膜、３３ａは配線層、３４ａはシリコン酸化
膜、３５ａは配線層３３ａの上方に開口３６ａが形成さ
れたレジストマスク、３７ａはドライエッチングにより
シリコン酸化膜３４ａに形成されたビアホールである。

【００３２】形成されたビアホール３７ａの拡大断面図
を図６に示す。図６に示すように、アルミナ粒子の飛散
が減ってビアホール３７ａ内にエッチング残渣が残らな
くなった。これは、静電シールド２８により、仕切壁１
２の内壁に衝突するプラズマイオンそのものが低減した
ので、仕切壁１２の内壁のエッチングが大幅に抑制され
たためである。調査によれば、第１の形態のときと同じ
プラズマ生成条件でエッチングを行ったとき、仕切壁１
２の内壁のエッチング速度は２ｎｍ／分以下となった。

【００３３】以上のような第２の形態によれば、ＲＦア
ンテナ１６とプラズマ生成室１１との間に静電シールド
２８が介在し、プラズマ生成室１１をＲＦアンテナ１６
から遮蔽しているので、ＲＦアンテナ１６が発生する静
電界からプラズマ生成室１１内を静電的に遮蔽すること
ができ、従って、プラズマ粒子がＲＦアンテナ１６の方
に引き寄せられるのを防止することができる。これによ
り、仕切壁１２が加熱されている場合でも、プラズマ粒
子による仕切壁１２のエッチングを抑制することができ
る。

【００３４】なお、本発明は上記の第１及び第２の実施
の形態の装置に限らず種々の変形が可能である。上記の
実施の形態では、プラズマ誘導結合型プラズマ（プラズ
マ密度：１０¹¹〜１０¹²cm^-3）を発生させる装置に適用
しているが、さらにプラズマ密度の高い（１０¹²〜１０
¹³cm^-3）ヘリコン波プラズマを発生させる装置に適用す
ることも可能である。

【００３５】また、本発明のプラズマ処理装置をドライ
エッチング装置に適用しているが、プラズマＣＶＤ装
置，Ｘ線発生装置，電子ビーム発生装置，イオンビーム
発生装置を備えたエッチング装置や成膜装置及びその他
の装置にも適用することができる。また、加熱手段は、
仕切壁１２の内部に形成された通流路１３と、通流路１
３内を循環する加熱媒体により構成されるが、これに限
られるものではなく、ヒータその他の加熱手段を用いて
もよい。

【００３６】更に、加熱媒体としてパーフルオロポリエ
ーテルを用いているが、フロリナートその他の流動性を
有する加熱媒体を用いることも可能である。また、液体
に限らず、気体を用いてもよい。この場合にも、液体を
用いた場合と同様に、仕切壁１２を均一に加熱すること
が可能である。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、本発明に係るプラズマ処
理装置によれば、プラズマ生成室の仕切壁を加熱する加
熱手段を有しているので、エッチングの際或いは成膜の
際、仕切壁の温度を上げておくことにより反応ガスによ
る反応生成物が仕切壁の内壁に堆積するのを抑制するこ
とができる。

【００３８】このとき、仕切壁がフッ素系の反応ガスに
化学反応によりエッチングされない材料で形成されてい
るので、仕切壁が加熱されている場合でも、仕切壁がエ
ッチングされるのを防止することができる。また、アン
テナとプラズマ生成室との間に静電シールドが介在し、
プラズマ生成室をアンテナから遮蔽しているので、アン
テナが発生する静電界からプラズマ生成室内を静電的に
遮蔽することができ、従って、プラズマ粒子がアンテナ
の方に引き寄せられるのを防止することができる。これ
により、仕切壁が加熱されている場合でも、プラズマ粒
子による仕切壁のエッチングを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係るドライエッチング装置
の側面図である。

【図２】第１の実施の形態に係るドライエッチング装置
を用いてシリコン酸化膜にビアホールを形成する方法に
ついて示す断面図である。

【図３】図２（ａ），（ｂ）により形成されたビアホー
ルの拡大断面図である。

【図４】第２の実施の形態に係るドライエッチング装置
の側面図である。

【図５】第２の実施の形態に係るドライエッチング装置
を用いてシリコン酸化膜にビアホールを形成する方法に
ついて示す断面図である。

【図６】図５（ａ），（ｂ）により形成されたビアホー
ルの拡大断面図である。

【図７】上記実施の形態に係るドライエッチング装置の
仕切壁に堆積する反応生成物の堆積速度と仕切壁の加熱
温度の相関について示す特性図である。

【図８】上記実施の形態に係るドライエッチング装置の
石英からなる仕切壁のエッチング速度と仕切壁の加熱温
度の相関について示す特性図である。

【図９】上記実施の形態に係るドライエッチング装置の
アルミナからなる仕切壁のエッチング速度と仕切壁の加
熱温度の相関について示す特性図である。

【図１０】第２の実施の形態に係るドライエッチング装
置に用いられた静電シールドの斜視図である。

【図１１】第２の実施の形態に係るドライエッチング装
置に用いられた静電シールドの作用効果について示す上
面図である。

【図１２】従来例に係るドライエッチング装置の構成に
ついて示す側面図である。

【符号の説明】

１１プラズマ生成室、１２仕切壁、１３通流路、１４配管、１５温度制御装置、１６ＲＦアンテナ、１７，２１インピーダンスマッチング回路、１８，２２高周波電源、１９エッチング室（反応室）、２０基板保持具、２３反応ガス導入口、２４流量調整バルブ、２５排気口、２６排気量調整バルブ、２７ウエハ、２８静電シールド、３１，３１ａシリコン基板、３２，３２ａ熱酸化膜、３３，３３ａ配線層、３４，３４ａ，３８シリコン酸化膜、３５，３５ａレジストマスク、３６，３６ａ開口、３７，３７ａビアホール、３９アルミナ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】仕切壁が絶縁物により形成されたプラズ
マ生成室と、前記プラズマ生成室の外側に配置された高周波電力を放
出するアンテナと、前記プラズマ生成室の仕切壁を加熱する加熱手段と、前記アンテナからの高周波電力により前記プラズマ生成
室内に生成されたプラズマにより被処理体をエッチング
し、或いは基板上に成膜する、前記プラズマ生成室に接
続された反応室とを有することを特徴とするプラズマ処
理装置。
【請求項２】前記加熱手段は、少なくとも前記仕切壁
の内部に形成された空洞部と該空洞部を通流する流動性
を有する加熱媒体とから構成されることを特徴とする請
求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記アンテナと前記プラズマ生成室との
間に静電シールドが介在することを特徴とする請求項１
又は請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】前記プラズマ処理装置はエッチング装置
であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
かに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記仕切壁の材料はフッ素系の反応ガス
に化学的反応によりエッチングされない材料であること
を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の
プラズマ処理装置。
【請求項６】前記仕切壁の材料はアルミナであること
を特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】前記プラズマ処理装置は成膜装置である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載のプラズマ処理装置。