JPH0574736A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0574736A JPH0574736A JP23315491A JP23315491A JPH0574736A JP H0574736 A JPH0574736 A JP H0574736A JP 23315491 A JP23315491 A JP 23315491A JP 23315491 A JP23315491 A JP 23315491A JP H0574736 A JPH0574736 A JP H0574736A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- substrate
- chlorine
- stoppage
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングガス供給停止後の残留エッチャン
トによるガスエッチングを無くし速やかなエッチング停
止を行う。 【構成】 ＩｎＰ基板５を塩素による反応性イオンビー
ムエッチングを停止する際に、エッチャントガスの供給
停止と同時に基板直上部に取り付けたエッチング停止ガ
ス導入ノズルより化学反応性の低いＡｒ２０ｓｃｃｍを
基板に直接吹き付けると、基板近傍で残留塩素は瞬時に
十分薄められるのでガスエッチングは起こらず速やかに
エッチングが停止できる。またＡｒの替わりに水素を用
いると水素が残留塩素と爆発的に反応するのでこれも基
板近傍の残留塩素が瞬時に薄められ、エッチングが停止
される。
トによるガスエッチングを無くし速やかなエッチング停
止を行う。 【構成】 ＩｎＰ基板５を塩素による反応性イオンビー
ムエッチングを停止する際に、エッチャントガスの供給
停止と同時に基板直上部に取り付けたエッチング停止ガ
ス導入ノズルより化学反応性の低いＡｒ２０ｓｃｃｍを
基板に直接吹き付けると、基板近傍で残留塩素は瞬時に
十分薄められるのでガスエッチングは起こらず速やかに
エッチングが停止できる。またＡｒの替わりに水素を用
いると水素が残留塩素と爆発的に反応するのでこれも基
板近傍の残留塩素が瞬時に薄められ、エッチングが停止
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反応性ガスを用いたドラ
イエッチング方法に関する。
イエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応性ガスを用いたドライエッチング方
法には、ガスエッチング、反応性イオンエッチンク（Ｒ
ＩＥ）反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）など
がある。これらのエッチング方法は、化学反応性ガスに
より蒸気圧の高い生成物を作ることでエッチング速度や
平滑性を増している。これらの方法ではエッチングを停
止させる時には反応性ガスの供給を止めて排気を行う。
ドライエッチング方法については、応用物理５４巻１１
号（１９８５年）ｐｐ１１３６−１１５３参照。
法には、ガスエッチング、反応性イオンエッチンク（Ｒ
ＩＥ）反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）など
がある。これらのエッチング方法は、化学反応性ガスに
より蒸気圧の高い生成物を作ることでエッチング速度や
平滑性を増している。これらの方法ではエッチングを停
止させる時には反応性ガスの供給を止めて排気を行う。
ドライエッチング方法については、応用物理５４巻１１
号（１９８５年）ｐｐ１１３６−１１５３参照。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のエッチング停止
法ではエッチング停止後にエッチャント濃度が十分に薄
くなるまでに時間がかかる。また供給を止めても装置内
やガス導入管などに残留している反応性ガスが少しずつ
出てしまう。ガスエッチング速度が速い領域ではこのエ
ッチング停止後の残留ガスによるエッチングは無視でき
なくなり、エッチング深さの制御性を悪くするとともに
側壁のサイドエッチを起こしてしまう問題がある。
法ではエッチング停止後にエッチャント濃度が十分に薄
くなるまでに時間がかかる。また供給を止めても装置内
やガス導入管などに残留している反応性ガスが少しずつ
出てしまう。ガスエッチング速度が速い領域ではこのエ
ッチング停止後の残留ガスによるエッチングは無視でき
なくなり、エッチング深さの制御性を悪くするとともに
側壁のサイドエッチを起こしてしまう問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法では反応性ガス供給停止と同時に基板との反応性
の低いガス、またはエッチャントガスと素早く反応し基
板との反応性の低いガスを形成するガスを、基板に直接
吹き付けることでエッチングを停止させる工程を有する
ことを特徴とする。
グ方法では反応性ガス供給停止と同時に基板との反応性
の低いガス、またはエッチャントガスと素早く反応し基
板との反応性の低いガスを形成するガスを、基板に直接
吹き付けることでエッチングを停止させる工程を有する
ことを特徴とする。
【０００５】
【作用】基板との反応性の低いガスを、ガス供給停止時
に直接基板に大量に吹き付ければ基板近傍の残留反応性
ガスをガスエッチングの起こらない濃度まで瞬時に希釈
できるので、エッチング停止が瞬時にできエッチング深
さ、形状に及ぼす残留ガスの影響を軽減できる。
に直接基板に大量に吹き付ければ基板近傍の残留反応性
ガスをガスエッチングの起こらない濃度まで瞬時に希釈
できるので、エッチング停止が瞬時にできエッチング深
さ、形状に及ぼす残留ガスの影響を軽減できる。
【０００６】同様にエッチャントガスと素早く反応し基
板との反応性の低いガスを形成するガスを、ガス供給停
止時に基板近傍に導入すると、残留エッチャントと素早
く反応し、基板近傍のエッチャント濃度を瞬時に減ら
せ、速やかなエッチング停止ができる。
板との反応性の低いガスを形成するガスを、ガス供給停
止時に基板近傍に導入すると、残留エッチャントと素早
く反応し、基板近傍のエッチャント濃度を瞬時に減ら
せ、速やかなエッチング停止ができる。
【０００７】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明のドライエッチン
グ方法を説明する。
グ方法を説明する。
【０００８】図１は通常のＲＩＢＥ装置にエッチング停
止ガス導入ノズル８を取り付けたドライエッチング装置
である。プラズマ室２で塩素プラズマをたてて、引出し
電極３に５００Ｖの電圧をかけ塩素イオンビーム７を形
成しＩｎＰ基板５に照射する。中性反応種である塩素分
子、塩素ラジカル拡散によってプラズマ室２よりエッチ
ング室４、ＩｎＰ基板５へと到達する。塩素ガス供給停
止と同時にエッチング停止ガス導入ノズル８からＡｒガ
ス２０ｓｃｃｍをＩｎＰ基板５に直接吹き付けると基板
近傍の塩素が瞬時に希釈されてガスエッチングが起こら
ない濃度になるので、速やかなエッチング停止が可能と
なる。
止ガス導入ノズル８を取り付けたドライエッチング装置
である。プラズマ室２で塩素プラズマをたてて、引出し
電極３に５００Ｖの電圧をかけ塩素イオンビーム７を形
成しＩｎＰ基板５に照射する。中性反応種である塩素分
子、塩素ラジカル拡散によってプラズマ室２よりエッチ
ング室４、ＩｎＰ基板５へと到達する。塩素ガス供給停
止と同時にエッチング停止ガス導入ノズル８からＡｒガ
ス２０ｓｃｃｍをＩｎＰ基板５に直接吹き付けると基板
近傍の塩素が瞬時に希釈されてガスエッチングが起こら
ない濃度になるので、速やかなエッチング停止が可能と
なる。
【０００９】また、上記と同じＩｎＰのＲＩＢＥに於て
塩素ガス供給停止時に、エッチング停止ガス導入ノズル
から１０ｓｃｃｍの水素をＩｎＰ基板５の近傍に吹き付
けると、残留塩素と水素が爆発的に反応するので基板に
到達する塩素が瞬時に十分減少しエッチングが停止す
る。しかも塩素と水素の反応生成物である塩酸では、基
板温度２３０℃においてガスエッチングは起きないので
塩酸ガスによる希釈効果も加わり、より一層速やかなエ
ッチング停止が可能となる。
塩素ガス供給停止時に、エッチング停止ガス導入ノズル
から１０ｓｃｃｍの水素をＩｎＰ基板５の近傍に吹き付
けると、残留塩素と水素が爆発的に反応するので基板に
到達する塩素が瞬時に十分減少しエッチングが停止す
る。しかも塩素と水素の反応生成物である塩酸では、基
板温度２３０℃においてガスエッチングは起きないので
塩酸ガスによる希釈効果も加わり、より一層速やかなエ
ッチング停止が可能となる。
【００１０】上記基板はＩｎＰに限定されず反応性エッ
チングされるものなら他のものでもかまわない。エッチ
ャントガスも塩素に限らずエッチングに使用されるガス
なら他の物でもかまわない。エッチング方式もＲＩＢＥ
に限らずドライエッチングであれば他の方式でもかまわ
ない。エッチング停止ガスもＡｒ、水素に限らず基板と
の反応性の低いガス、またはエッチャントガスと素早く
反応し基板との反応性の低いガスを形成するガスであれ
ば他の物でもかまわない。
チングされるものなら他のものでもかまわない。エッチ
ャントガスも塩素に限らずエッチングに使用されるガス
なら他の物でもかまわない。エッチング方式もＲＩＢＥ
に限らずドライエッチングであれば他の方式でもかまわ
ない。エッチング停止ガスもＡｒ、水素に限らず基板と
の反応性の低いガス、またはエッチャントガスと素早く
反応し基板との反応性の低いガスを形成するガスであれ
ば他の物でもかまわない。
【００１１】
【発明の効果】以上のように基板との反応性の低いガ
ス、またはエッチャントガスと素早く反応し基板との反
応性の低いガスを形成するガスをエッチャントガス供給
停止と同時に基板に吹き付けることで速やかなエッチン
グ停止が実現される。
ス、またはエッチャントガスと素早く反応し基板との反
応性の低いガスを形成するガスをエッチャントガス供給
停止と同時に基板に吹き付けることで速やかなエッチン
グ停止が実現される。
【図１】本発明を説明するためのドライエッチング装置
の概略図である。
の概略図である。
１ 反応性ガス導入管 ２ プラズマ室 ３ 引出し電極 ４ エッチング室 ５ ＩｎＰ基板 ６ 基板ヒーター ７ 塩素イオンビーム ８ エッチング停止ガス導入ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 化学反応性ガスを用いるドライエッチン
グ方法に於てエッチング工程終了時に反応性ガス供給停
止と同時に、基板との反応性の低いガスを基板に直接吹
き付けエッチングを停止される工程を有することを特徴
とするドライエッチング方法 - 【請求項２】 化学反応性ガスを用いるドライエッチン
グ方法に於てエッチング工程終了時に反応性ガス供給停
止と同時に、エッチャントガスと素早く反応し基板との
反応性の低いガスを形成するガスを、基板に直接吹き付
けエッチングを停止させる工程を有することを特徴とす
るドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23315491A JPH0574736A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23315491A JPH0574736A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574736A true JPH0574736A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16950567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23315491A Pending JPH0574736A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574736A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104624A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
| JPH0348421A (ja) * | 1989-04-18 | 1991-03-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23315491A patent/JPH0574736A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104624A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
| JPH0348421A (ja) * | 1989-04-18 | 1991-03-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980317 |