JPS63239948A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS63239948A JPS63239948A JP7308287A JP7308287A JPS63239948A JP S63239948 A JPS63239948 A JP S63239948A JP 7308287 A JP7308287 A JP 7308287A JP 7308287 A JP7308287 A JP 7308287A JP S63239948 A JPS63239948 A JP S63239948A
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- plasma
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 44
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はドライエツチング装置、特に反応性イオン流も
しくはプラズマ流エツチング装置に関するものである。
しくはプラズマ流エツチング装置に関するものである。
［従来の技術］
従来の反応性イオン流もしくはプラズマ流エツチング装
置は、単一のプラズマ発生源もしくはイオン発生源とエ
ツチング室から形成される。
置は、単一のプラズマ発生源もしくはイオン発生源とエ
ツチング室から形成される。
［発明が解決しようとする問題点］
イオン流もしくはプラズマ流エツチング装置は、動作圧
力範囲が１０−５〜１Ｏ−２Ｔｏｒｒと低く、エツチン
グ時に生じる反応生成物のプラズマによる再分解。
力範囲が１０−５〜１Ｏ−２Ｔｏｒｒと低く、エツチン
グ時に生じる反応生成物のプラズマによる再分解。
再付着物の影響が少ない。このため、汚染の少ないクリ
ーンエツチングが可能と考えられている。
ーンエツチングが可能と考えられている。
しかしながら、被エツチング物の側壁に付着物が生じな
いため、エツチング時にアンダーカットが発生しやすい
という欠点がある。上記の問題点を解決する手段として
は、次の２つが考えられる。
いため、エツチング時にアンダーカットが発生しやすい
という欠点がある。上記の問題点を解決する手段として
は、次の２つが考えられる。
まず、エツチングガスに付着物を生じさせるようなガス
を混合導入し、エツチングと付着を共合させることによ
り異方性を実現する方法がおる。また、エツチングを行
う時間と付着物の堆積を行う時間をそれぞれ設け、くり
かえすことにより異方性エツチングを達成する方法があ
る。いずれの場合も、エツチングまたは付着物の堆積を
独立にまたは同時に制御できないという欠点がおる。
を混合導入し、エツチングと付着を共合させることによ
り異方性を実現する方法がおる。また、エツチングを行
う時間と付着物の堆積を行う時間をそれぞれ設け、くり
かえすことにより異方性エツチングを達成する方法があ
る。いずれの場合も、エツチングまたは付着物の堆積を
独立にまたは同時に制御できないという欠点がおる。
本発明の目的は前記問題点を解消したドライエツチング
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来の単一のイオン源もしくはプラズマ源を有
したイオン流もしくはプラズマ流エツチング装置に対し
、本発明は導入ガス別に対応して独立にプラズマ状態を
制御可能な複数個のプラズマ源もしくはイオン源を用い
ることにより、個々のガス種に対応したプラズマ状態の
制御を行うという独創的内容を有する。
したイオン流もしくはプラズマ流エツチング装置に対し
、本発明は導入ガス別に対応して独立にプラズマ状態を
制御可能な複数個のプラズマ源もしくはイオン源を用い
ることにより、個々のガス種に対応したプラズマ状態の
制御を行うという独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は励起したエツチングガスを生成するイオン発生
源もしくはプラズマ発生源と、前記イオン発生源もしく
はプラズマ発生源より励起したエツチングガスをもって
被エツチング物にエツチングを行うエツチング室と、こ
れらを高真空に排気する排気装置からなるイオン流もし
くはプラズマ流方式のドライエツチング装置において、
異なるガス源を個別に備え、別個独立にプラズマ状態を
制御可能な複数個のイオン発生源もしくはプラズマ発生
源を装備したことを特徴とするドライエツチング装置で
おる。
源もしくはプラズマ発生源と、前記イオン発生源もしく
はプラズマ発生源より励起したエツチングガスをもって
被エツチング物にエツチングを行うエツチング室と、こ
れらを高真空に排気する排気装置からなるイオン流もし
くはプラズマ流方式のドライエツチング装置において、
異なるガス源を個別に備え、別個独立にプラズマ状態を
制御可能な複数個のイオン発生源もしくはプラズマ発生
源を装備したことを特徴とするドライエツチング装置で
おる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例としての２個のプラズマ源を
有するプラズマ流エツチング装置の構成図でおる。
有するプラズマ流エツチング装置の構成図でおる。
第１図において、本実施例に係る装置は、励起したエツ
チングガスを生成するプラズマ発生源１０１．１０２と
、該プラズマ発生源１０１ 、１０２より励起したエツ
チングガスをもって被エツチング物１０５ａにエツチン
グを行うエツチング室１０６と、これらを高真空に排気
する真空排気装置１０７とを有し、各プラズマ発生源１
０１，１０２は異なるガス源１０８ａ、 １０８ｂ、
？イクロ波電源１０９ａ、 １０９ｂ、 ？グネット１
０３、１０４を別個独立に備えている。
チングガスを生成するプラズマ発生源１０１．１０２と
、該プラズマ発生源１０１ 、１０２より励起したエツ
チングガスをもって被エツチング物１０５ａにエツチン
グを行うエツチング室１０６と、これらを高真空に排気
する真空排気装置１０７とを有し、各プラズマ発生源１
０１，１０２は異なるガス源１０８ａ、 １０８ｂ、
？イクロ波電源１０９ａ、 １０９ｂ、 ？グネット１
０３、１０４を別個独立に備えている。
次に、２個のマイクロ波励起型ＥＣＲプラズマ源を有す
る第１図に示すプラズマ流エツチング装置における実施
例について説明する。
る第１図に示すプラズマ流エツチング装置における実施
例について説明する。
（実施例１）
まず、ＰＯＩｙ Ｓｉのエツチングを行った場合の実施
例について説明する。一方のプラズマ源１０１にはガス
源１０８ａよりＰｏ１ｙ Ｓｉのエツチングガスでおる
塩素を導入する。このとき、マイクロ波電源１０９ａか
ら２００Ｗのマイクロ波が入力される。その中心磁場は
ＥＣＲ条件を満たす。ざらにもう一方のプラズマ源１０
２にはガス源１０８ｂよりデポジション膜を形成するア
ンモニアを導入する。このとき、マイクロ波電源１０９
ｂからｉｏｏｗのマイクロ波が入力される。ぞの中心磁
場はＥＣＲ条件を満たす。
例について説明する。一方のプラズマ源１０１にはガス
源１０８ａよりＰｏ１ｙ Ｓｉのエツチングガスでおる
塩素を導入する。このとき、マイクロ波電源１０９ａか
ら２００Ｗのマイクロ波が入力される。その中心磁場は
ＥＣＲ条件を満たす。ざらにもう一方のプラズマ源１０
２にはガス源１０８ｂよりデポジション膜を形成するア
ンモニアを導入する。このとき、マイクロ波電源１０９
ｂからｉｏｏｗのマイクロ波が入力される。ぞの中心磁
場はＥＣＲ条件を満たす。
塩素、アンモニアの流量は、それぞれ、１１０５ＣＣ。
５ｓｃｃｍとし、エツチングガス圧力３ ｍＴＯｒｒに
おいて塩素によるエツチングとアンモニアによるデポジ
ションを共合させることにより、レジストマスクを用い
たＰｏ１ｙ Ｓｉの異方性エツチングが可能である。こ
こでｐｏｌｙ Ｓｉのエッチレートとしては３０００人
／ｍｉｎが、またＰＲとの選択比としては１５程度が得
られる。この条件において、サブミクロンパターンのエ
ツチングがアンダーカットｏ、 １珈以下で可能である
。
おいて塩素によるエツチングとアンモニアによるデポジ
ションを共合させることにより、レジストマスクを用い
たＰｏ１ｙ Ｓｉの異方性エツチングが可能である。こ
こでｐｏｌｙ Ｓｉのエッチレートとしては３０００人
／ｍｉｎが、またＰＲとの選択比としては１５程度が得
られる。この条件において、サブミクロンパターンのエ
ツチングがアンダーカットｏ、 １珈以下で可能である
。
（実施例２）
次に、Ｓｉ基板トレンチエツチングを行った場合の実施
例について説明する。一方のプラズマ源１０１にはガス
源１０８ａよりＳｉのエツチングガスで必る塩素を導入
する。このときのマイクロ波電力は４００Ｗが入力され
中心磁場はＥＣＲ条件を満たす。
例について説明する。一方のプラズマ源１０１にはガス
源１０８ａよりＳｉのエツチングガスで必る塩素を導入
する。このときのマイクロ波電力は４００Ｗが入力され
中心磁場はＥＣＲ条件を満たす。
ざらにもう一方のプラズマ源１０１にはガス源１０８ｂ
より酸化膜を形成する酸素を導入する。このときマイク
ロ波電力はｉｏｏｗが入力され中心磁場はＥＣＲ条件を
満たす。塩素および酸素の流量は、１５ｓｃｃｍ、 １
０１０５ｃとし、エツチングガス圧力１ ｍＴＯｒｒに
おいてエツチングマスクとしてはシリコン酸化膜を用い
、サブミクロン幅の深さ５卯程度のトレンチエツチング
が可能でおる。
より酸化膜を形成する酸素を導入する。このときマイク
ロ波電力はｉｏｏｗが入力され中心磁場はＥＣＲ条件を
満たす。塩素および酸素の流量は、１５ｓｃｃｍ、 １
０１０５ｃとし、エツチングガス圧力１ ｍＴＯｒｒに
おいてエツチングマスクとしてはシリコン酸化膜を用い
、サブミクロン幅の深さ５卯程度のトレンチエツチング
が可能でおる。
このとき、Ｓｉのエッチレートとしては４０００人／ｍ
ｉｎが、また、マスクでおるシリコン酸化膜との選択比
は１５が得られる。
ｉｎが、また、マスクでおるシリコン酸化膜との選択比
は１５が得られる。
次に第２図を参照して、本発明の複数個のイオ電源もし
くはプラズマ流を有したイオン流もしくはプラズマ流方
式のドライエツチング装置において、２つのプラズマ源
を有したプラズマ流方式のドライエツチング装置の応用
例について説明する。
くはプラズマ流を有したイオン流もしくはプラズマ流方
式のドライエツチング装置において、２つのプラズマ源
を有したプラズマ流方式のドライエツチング装置の応用
例について説明する。
まず、第１図に示した２つのプラズマ源を有したプラズ
マ流方式のドライエツチング装置にプラズマの混合領域
２０８を設けることが可能である。
マ流方式のドライエツチング装置にプラズマの混合領域
２０８を設けることが可能である。
この混合領域２０８を設けることにより、均一性が向上
する。次に引き出し電極２０７を設けることが可能でお
る。この引き出し電極２０７には直流電源２１０を接続
し、イオンの被エツチング物への入射エネルギーを制御
する。これにより、エツチング特性の制御が可能となる
。また、第２図に示すようなＲＦ電源２０９を基板ホル
ダー１０５に接続することが可能である。このＲＦ電源
２０９より高周波を入力し、異方性を高めることができ
る。
する。次に引き出し電極２０７を設けることが可能でお
る。この引き出し電極２０７には直流電源２１０を接続
し、イオンの被エツチング物への入射エネルギーを制御
する。これにより、エツチング特性の制御が可能となる
。また、第２図に示すようなＲＦ電源２０９を基板ホル
ダー１０５に接続することが可能である。このＲＦ電源
２０９より高周波を入力し、異方性を高めることができ
る。
尚、実施例ではプラズマ源を２個用いたが、これに限ら
れるものではない。また、プラズマ源に代えてイオン発
生源を用いてもよい。
れるものではない。また、プラズマ源に代えてイオン発
生源を用いてもよい。
［発明の効果］
このように、本発明によれば反応性イオン流もしくはプ
ラズマ流エツチング装置において、プラズマ状態を制御
可能な複数個のプラズマ源又はイオン源を装備するため
、微細加工を容易に行うことができる効果を有するもの
でおる。
ラズマ流エツチング装置において、プラズマ状態を制御
可能な複数個のプラズマ源又はイオン源を装備するため
、微細加工を容易に行うことができる効果を有するもの
でおる。
第１図は本発明をプラズマ流エツチング装置に適用した
場合の説明図、第２図は第１図に示した本発明の詳細な
説明図である。
場合の説明図、第２図は第１図に示した本発明の詳細な
説明図である。
Claims (1)
- （１）励起したエッチングガスを生成するイオン発生源
もしくはプラズマ発生源と、前記イオン発生源もしくは
プラズマ発生源より励起したエッチングガスをもつて被
エッチング物にエッチングを行うエッチング室と、これ
らを高真空に排気する排気装置からなるイオン流もしく
はプラズマ流方式のドライエッチング装置において、異
なるガス源を個別に備え、別個独立にプラズマ状態を制
御可能な複数個のイオン発生源もしくはプラズマ発生源
を装備したことを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308287A JPS63239948A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308287A JPS63239948A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239948A true JPS63239948A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=13508053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7308287A Pending JPS63239948A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63239948A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293824A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH03259516A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-19 | Nec Corp | ドライエッチング方法 |
| EP0480688A2 (en) * | 1990-10-10 | 1992-04-15 | Hughes Aircraft Company | Plasma source arrangement for ion implantation |
| US5218179A (en) * | 1990-10-10 | 1993-06-08 | Hughes Aircraft Company | Plasma source arrangement for ion implantation |
| US5273609A (en) * | 1990-09-12 | 1993-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment |
| US5296272A (en) * | 1990-10-10 | 1994-03-22 | Hughes Aircraft Company | Method of implanting ions from a plasma into an object |
| FR2846471A1 (fr) * | 2002-10-23 | 2004-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Dispositif et procede de gravure anisotrope au plasma d'un substrat, notamment d'un corps en silicium |
| WO2003075323A3 (de) * | 2002-03-05 | 2004-07-15 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und verfahren zum anisotropen plasmaätzen eines substrates |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7308287A patent/JPS63239948A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0480688A2 (en) * | 1990-10-10 | 1992-04-15 | Hughes Aircraft Company | Plasma source arrangement for ion implantation |
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| US5296272A (en) * | 1990-10-10 | 1994-03-22 | Hughes Aircraft Company | Method of implanting ions from a plasma into an object |
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| US7285228B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-10-23 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for anisotropic plasma etching of a substrate, a silicon body in particular |
| FR2846471A1 (fr) * | 2002-10-23 | 2004-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Dispositif et procede de gravure anisotrope au plasma d'un substrat, notamment d'un corps en silicium |
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