JPH11195641A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- JPH11195641A JPH11195641A JP46698A JP46698A JPH11195641A JP H11195641 A JPH11195641 A JP H11195641A JP 46698 A JP46698 A JP 46698A JP 46698 A JP46698 A JP 46698A JP H11195641 A JPH11195641 A JP H11195641A
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- gas
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- deposition
- processing method
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマを用いたエッチング主体の工程とデ
ポジション主体の工程を切り替え、又はそれを繰り返し
行って被処理物のエッチングを行うプラズマ処理方法に
おいて、エッチング側壁の荒れが殆ど発生しないように
する。 【解決手段】 エッチング主体の工程Ｅからデポジショ
ン主体の工程Ｄに切り換える際に、真空容器内に供給す
るガスがエッチングガスとデポジションガスをともに含
む遷移工程Ｔを経由するとともに、デポジション主体の
工程Ｄからエッチング主体の工程Ｅに切り換える際に、
真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジシ
ョンガスをともに含む遷移工程Ｔを経由するようにし、
ガスの切り換えによる不連続性を緩和した。
ポジション主体の工程を切り替え、又はそれを繰り返し
行って被処理物のエッチングを行うプラズマ処理方法に
おいて、エッチング側壁の荒れが殆ど発生しないように
する。 【解決手段】 エッチング主体の工程Ｅからデポジショ
ン主体の工程Ｄに切り換える際に、真空容器内に供給す
るガスがエッチングガスとデポジションガスをともに含
む遷移工程Ｔを経由するとともに、デポジション主体の
工程Ｄからエッチング主体の工程Ｅに切り換える際に、
真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジシ
ョンガスをともに含む遷移工程Ｔを経由するようにし、
ガスの切り換えによる不連続性を緩和した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを用いた
エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り
替え又は何回も繰り返し行って被処理物のエッチングを
行うプラズマ処理方法に関するものである。
エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り
替え又は何回も繰り返し行って被処理物のエッチングを
行うプラズマ処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体に限らず様々な分野でド
ライエッチング技術が使用されているが、近年はアスペ
クト比の高い深い溝あるいは穴の加工に対する応用が盛
んになってきている。こうした加工を、例えばシリコン
エッチングに適用するに際しては、ガス組成、圧力、高
周波電力などの制御パラメータを、エッチング中に複数
回繰り返し変化させるタイムモジュレーションエッチン
グが用いられている。このタイムモジュレーションエッ
チングの特徴は、エッチング中にエッチングガスとデポ
ジションガスを交互に導入することによって、エッチン
グ主体の工程とデポジション主体の工程を所定時間間隔
で切り換えて繰り返し行うことである。
ライエッチング技術が使用されているが、近年はアスペ
クト比の高い深い溝あるいは穴の加工に対する応用が盛
んになってきている。こうした加工を、例えばシリコン
エッチングに適用するに際しては、ガス組成、圧力、高
周波電力などの制御パラメータを、エッチング中に複数
回繰り返し変化させるタイムモジュレーションエッチン
グが用いられている。このタイムモジュレーションエッ
チングの特徴は、エッチング中にエッチングガスとデポ
ジションガスを交互に導入することによって、エッチン
グ主体の工程とデポジション主体の工程を所定時間間隔
で切り換えて繰り返し行うことである。
【０００３】以下、従来のエッチング方法として誘導結
合プラズマ源を用いてタイムモジュレーションエッチン
グを行った例について、図１、及び図４〜図６を参照し
て説明する。
合プラズマ源を用いてタイムモジュレーションエッチン
グを行った例について、図１、及び図４〜図６を参照し
て説明する。
【０００４】図１に誘導結合プラズマ源を用いたエッチ
ング装置の構成を示す。真空容器１の上部に誘電板５を
介して誘導結合コイル４が設置されており、真空容器１
内の電極７上に被処理物としての基板６を載置し、ガス
導入口１４から真空容器１内にガスを導入しつつ、排気
手段としてのターボ分子ポンプ１１にて排気するととも
に圧力コントローラ１０で所定の圧力に制御し、真空容
器１内にプラズマを発生させることにより、電極７上に
載置された基板６、または基板６上の膜がエッチングさ
れる。プラズマ発生には、プラズマ発生用高周波電源２
にて高周波ケーブル１５を通して誘導結合コイル４に高
周波電力を印加するとともに、マッチングコントローラ
３によって誘導結合コイル４のインピーダンスを高周波
ケーブル１５の特性インピーダンスに整合させる。ま
た、電極７にはバイアス用高周波ケーブル１６を通して
マッチングボックス８を介してバイアス用高周波電源９
にて高周波電力を印加できるように構成されている。真
空容器１内には、エッチングガスボンベ１２ａからガス
流量調節器であるマスフローコントローラ１３ａを介し
てエッチングガスが、またデポジションガスボンベ１２
ｂからマスフローコントローラ１３ｂを介してデポジシ
ョンガスが選択的に導入される。
ング装置の構成を示す。真空容器１の上部に誘電板５を
介して誘導結合コイル４が設置されており、真空容器１
内の電極７上に被処理物としての基板６を載置し、ガス
導入口１４から真空容器１内にガスを導入しつつ、排気
手段としてのターボ分子ポンプ１１にて排気するととも
に圧力コントローラ１０で所定の圧力に制御し、真空容
器１内にプラズマを発生させることにより、電極７上に
載置された基板６、または基板６上の膜がエッチングさ
れる。プラズマ発生には、プラズマ発生用高周波電源２
にて高周波ケーブル１５を通して誘導結合コイル４に高
周波電力を印加するとともに、マッチングコントローラ
３によって誘導結合コイル４のインピーダンスを高周波
ケーブル１５の特性インピーダンスに整合させる。ま
た、電極７にはバイアス用高周波ケーブル１６を通して
マッチングボックス８を介してバイアス用高周波電源９
にて高周波電力を印加できるように構成されている。真
空容器１内には、エッチングガスボンベ１２ａからガス
流量調節器であるマスフローコントローラ１３ａを介し
てエッチングガスが、またデポジションガスボンベ１２
ｂからマスフローコントローラ１３ｂを介してデポジシ
ョンガスが選択的に導入される。
【０００５】エッチングガスおよびデポジションガスと
してそれぞれＳＦ6 ガスおよびＣ4Ｆ8 ガスを用いる。
一般的に、ＳＦ6 ガスによるシリコンのエッチングはエ
ッチング速度が速く、ＳｉＯ2 マスクに対する選択性が
よい。しかし、ＳＦ6 ガスのみを用いたエッチングで
は、プラズマ中にフッ素イオンよりもフッ素ラジカルを
多く含んでいるため、電極７に電極印加用高周波電源９
にて高周波電力を印加することによって基板６面に対し
て垂直方向のイオンエネルギーを高めても、ラジカル主
体の等方的なエッチングが起こり、図５に示すように、
ＳｉＯ2 マスク２１直下のエッチング側壁２２にアンダ
ーカットが入ってしまう。２３はエッチング底面であ
る。そこで、図４に示すように、エッチング側壁２２に
ＣＦ系ポリマーを形成するためのＣ4 Ｆ8 ガスを用いた
デポジション主体の工程Ｄと、ＳＦ6ガスを用いたエッ
チング主体の工程Ｅとを、所定時間間隔で切り換えて繰
り返し行うことが考えられた。
してそれぞれＳＦ6 ガスおよびＣ4Ｆ8 ガスを用いる。
一般的に、ＳＦ6 ガスによるシリコンのエッチングはエ
ッチング速度が速く、ＳｉＯ2 マスクに対する選択性が
よい。しかし、ＳＦ6 ガスのみを用いたエッチングで
は、プラズマ中にフッ素イオンよりもフッ素ラジカルを
多く含んでいるため、電極７に電極印加用高周波電源９
にて高周波電力を印加することによって基板６面に対し
て垂直方向のイオンエネルギーを高めても、ラジカル主
体の等方的なエッチングが起こり、図５に示すように、
ＳｉＯ2 マスク２１直下のエッチング側壁２２にアンダ
ーカットが入ってしまう。２３はエッチング底面であ
る。そこで、図４に示すように、エッチング側壁２２に
ＣＦ系ポリマーを形成するためのＣ4 Ｆ8 ガスを用いた
デポジション主体の工程Ｄと、ＳＦ6ガスを用いたエッ
チング主体の工程Ｅとを、所定時間間隔で切り換えて繰
り返し行うことが考えられた。
【０００６】デポジション主体の工程Ｄでは、エッチン
グ側壁２２のみならず、ＳｉＯ2 マスク２１上やエッチ
ング底面２３にもＣＦ系ポリマーが形成されるが、ＣＦ
系ポリマー膜形成後のＳＦ6 ガスを用いたエッチング主
体の工程Ｅでは、基板６面に対して垂直方向のイオンエ
ネルギーが高いため、底面２３のＣＦ系ポリマー膜およ
びシリコンがエッチングされ、側壁２２のエッチングは
殆ど進行しない。このようにして、アスペクト比の高い
シリコン異方性エッチングが実現できる。なお、Ｃ4 Ｆ
8 ガスを用いたデポジション主体の工程においては、電
極７に高周波電力を印加しない。
グ側壁２２のみならず、ＳｉＯ2 マスク２１上やエッチ
ング底面２３にもＣＦ系ポリマーが形成されるが、ＣＦ
系ポリマー膜形成後のＳＦ6 ガスを用いたエッチング主
体の工程Ｅでは、基板６面に対して垂直方向のイオンエ
ネルギーが高いため、底面２３のＣＦ系ポリマー膜およ
びシリコンがエッチングされ、側壁２２のエッチングは
殆ど進行しない。このようにして、アスペクト比の高い
シリコン異方性エッチングが実現できる。なお、Ｃ4 Ｆ
8 ガスを用いたデポジション主体の工程においては、電
極７に高周波電力を印加しない。
【０００７】その他の従来のエッチング方法について、
特公平４−７３２８７号公報に、単結晶シリコン、多結
晶シリコン、アモルファスシリコンなどのシリコンのエ
ッチングにおいて、エッチンクガスとしてＳＦ6 ガス
を、デポジションガスとしてＮ2 ガスを用いるエッチン
グ方法が記載されている。この例では、ＳＦ6 、Ｎ2 の
他に、Ｈｅ、Ｈ2 を添加ガスとして用いており、Ｓ
Ｆ6 、Ｎ2 、Ｈ2 の分圧比は１０：１：０．５とされて
いる。
特公平４−７３２８７号公報に、単結晶シリコン、多結
晶シリコン、アモルファスシリコンなどのシリコンのエ
ッチングにおいて、エッチンクガスとしてＳＦ6 ガス
を、デポジションガスとしてＮ2 ガスを用いるエッチン
グ方法が記載されている。この例では、ＳＦ6 、Ｎ2 の
他に、Ｈｅ、Ｈ2 を添加ガスとして用いており、Ｓ
Ｆ6 、Ｎ2 、Ｈ2 の分圧比は１０：１：０．５とされて
いる。
【０００８】また、特公昭６２−７１３０号公報にエッ
チング主体の工程とデポジション主体の工程の間に不活
性ガスを導入する方法が、また同公報及び特公平２−１
０５４１３号公報にエッチング主体の工程とデポジショ
ン主体の工程の間、及びデポジション主体の工程とエッ
チング主体の工程の間で高周波電力の印加をやめ、プラ
ズマを一旦消滅させ、エッチング主体とデポジション主
体を完全に切り換えた後、再び高周波電力で印加し、プ
ラズマを発生させる方法が述べられている。
チング主体の工程とデポジション主体の工程の間に不活
性ガスを導入する方法が、また同公報及び特公平２−１
０５４１３号公報にエッチング主体の工程とデポジショ
ン主体の工程の間、及びデポジション主体の工程とエッ
チング主体の工程の間で高周波電力の印加をやめ、プラ
ズマを一旦消滅させ、エッチング主体とデポジション主
体を完全に切り換えた後、再び高周波電力で印加し、プ
ラズマを発生させる方法が述べられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
４の従来の方法では、デポジション主体の工程からエッ
チング主体の工程に切り換える際に、一般にマスフロー
コントローラ１３ａ、１３ｂの応答は圧力コントローラ
１０の応答に比べて十分速いために、デポジションガス
の停止により一旦急激に圧力が低下した後、圧力の回復
とエッチングガスの導入が重なることによって圧力が急
激に上昇することになり、真空容器１内の圧力変動が大
きくなり、そのためプラズマのインピーダンスが急激に
変化し、誘導結合コイル４のインピーダンスを高周波ケ
ーブル１５の特性インピーダンスに整合させるためのマ
ッチングコントローラ３が追従できず、プラズマが一旦
消滅した後に再びプラズマを発生することになってしま
う。このときに生じるイオンの散乱により、側壁２２の
ＣＦ系ポリマー膜もエッチングされ、図６に示すよう
に、０．４μｍ以上の荒れが発生してしまう。
４の従来の方法では、デポジション主体の工程からエッ
チング主体の工程に切り換える際に、一般にマスフロー
コントローラ１３ａ、１３ｂの応答は圧力コントローラ
１０の応答に比べて十分速いために、デポジションガス
の停止により一旦急激に圧力が低下した後、圧力の回復
とエッチングガスの導入が重なることによって圧力が急
激に上昇することになり、真空容器１内の圧力変動が大
きくなり、そのためプラズマのインピーダンスが急激に
変化し、誘導結合コイル４のインピーダンスを高周波ケ
ーブル１５の特性インピーダンスに整合させるためのマ
ッチングコントローラ３が追従できず、プラズマが一旦
消滅した後に再びプラズマを発生することになってしま
う。このときに生じるイオンの散乱により、側壁２２の
ＣＦ系ポリマー膜もエッチングされ、図６に示すよう
に、０．４μｍ以上の荒れが発生してしまう。
【００１０】また、特公平４−７３２８７号公報に記載
されている方法では、ＳＦ6 、Ｎ2、Ｈｅ、Ｈ2 の混合
系を用いており、エッチングを阻害する添加ガスが含ま
れているのでエッチング速度が遅く、またＳＦ6 の分圧
が大きいので、図６と同様の荒れが発生してしまう。ま
た、特公昭６２−７１３０号公報に記載されている方法
では、不活性ガスを混入して全圧を大きくしているが、
エッチンクガスを安定的に供給できないため、図６と同
様の荒れの発生は避けられない。また、特公平２−１０
５４１３号公報に記載されている方法では、プラズマを
一旦消滅させ、エッチング主体とデポジション主体を完
全に切り換えた後、再び高周波電力を印加し、プラズマ
を発生させるため、プラズマ発生時のイオンの散乱によ
り、図６と同様の荒れが発生してしまう。
されている方法では、ＳＦ6 、Ｎ2、Ｈｅ、Ｈ2 の混合
系を用いており、エッチングを阻害する添加ガスが含ま
れているのでエッチング速度が遅く、またＳＦ6 の分圧
が大きいので、図６と同様の荒れが発生してしまう。ま
た、特公昭６２−７１３０号公報に記載されている方法
では、不活性ガスを混入して全圧を大きくしているが、
エッチンクガスを安定的に供給できないため、図６と同
様の荒れの発生は避けられない。また、特公平２−１０
５４１３号公報に記載されている方法では、プラズマを
一旦消滅させ、エッチング主体とデポジション主体を完
全に切り換えた後、再び高周波電力を印加し、プラズマ
を発生させるため、プラズマ発生時のイオンの散乱によ
り、図６と同様の荒れが発生してしまう。
【００１１】本発明は、プラズマを用いたエッチング主
体の工程とデポジション主体の工程を切り替え又は繰り
返し行って被処理物のエッチングを行う際にエッチング
側壁の荒れが殆ど発生せず、また確実にエッチングする
ことができるプラズマ処理方法を提供することを目的と
している。
体の工程とデポジション主体の工程を切り替え又は繰り
返し行って被処理物のエッチングを行う際にエッチング
側壁の荒れが殆ど発生せず、また確実にエッチングする
ことができるプラズマ処理方法を提供することを目的と
している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明のプラズ
マ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容
器内の電極に載置された被処理物をエッチングするに際
して、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチング
ガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給
するガスの主成分がデポジションガスであるデポジショ
ン主体の工程を所定時間間隔で切り換えるプラズマ処理
方法であって、エッチング主体の工程からデポジション
主体の工程に切り換える際、またはデポジション主体の
工程からエッチング主体の工程に切り換える際に、真空
容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジション
ガスをともに含む遷移工程を経由するものである。
マ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容
器内の電極に載置された被処理物をエッチングするに際
して、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチング
ガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給
するガスの主成分がデポジションガスであるデポジショ
ン主体の工程を所定時間間隔で切り換えるプラズマ処理
方法であって、エッチング主体の工程からデポジション
主体の工程に切り換える際、またはデポジション主体の
工程からエッチング主体の工程に切り換える際に、真空
容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジション
ガスをともに含む遷移工程を経由するものである。
【００１３】また、エッチング主体の工程とデポジショ
ン主体の工程を所定時間間隔で切り換えて繰り返し行う
プラズマ処理方法においては、エッチング主体の工程か
らデポジション主体の工程に切り換える際に、真空容器
内に供給するガスがエッチングガスとデポジションガス
をともに含む遷移工程を経由するとともに、デポジショ
ン主体の工程からエッチング主体の工程に切り換える際
に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポ
ジションガスをともに含む遷移工程を経由するものであ
る。
ン主体の工程を所定時間間隔で切り換えて繰り返し行う
プラズマ処理方法においては、エッチング主体の工程か
らデポジション主体の工程に切り換える際に、真空容器
内に供給するガスがエッチングガスとデポジションガス
をともに含む遷移工程を経由するとともに、デポジショ
ン主体の工程からエッチング主体の工程に切り換える際
に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポ
ジションガスをともに含む遷移工程を経由するものであ
る。
【００１４】また、第２発明のプラズマ処理方法は、真
空容器内に供給するガスの主成分がエッチングガスであ
るエッチング主体の工程と、真空容器内に供給するガス
の主成分がデポジションガスであるデポジション主体の
工程を所定時間間隔で切り換えて繰り返し行うプラズマ
処理方法であって、真空容器内の電極に被処理物を載置
した後、最初のデポジション主体の工程を行う前に、エ
ッチング主体の工程を行うものである。
空容器内に供給するガスの主成分がエッチングガスであ
るエッチング主体の工程と、真空容器内に供給するガス
の主成分がデポジションガスであるデポジション主体の
工程を所定時間間隔で切り換えて繰り返し行うプラズマ
処理方法であって、真空容器内の電極に被処理物を載置
した後、最初のデポジション主体の工程を行う前に、エ
ッチング主体の工程を行うものである。
【００１５】第１発明及び第２発明のプラズマ処理方法
において、エッチング主体の工程においてエッチングガ
スの占める割合を９０％以上とし、デポジション主体の
工程においてデポジションガスの占める割合が９０％以
上とするのが望ましい。
において、エッチング主体の工程においてエッチングガ
スの占める割合を９０％以上とし、デポジション主体の
工程においてデポジションガスの占める割合が９０％以
上とするのが望ましい。
【００１６】また、エッチング主体の工程を１０秒以上
連続して行わず、デポジション主体の工程を１０秒以上
連続して行わず、遷移工程は０．５〜２秒間連続して行
うことが望ましい。
連続して行わず、デポジション主体の工程を１０秒以上
連続して行わず、遷移工程は０．５〜２秒間連続して行
うことが望ましい。
【００１７】また、エッチング主体の工程から遷移工程
を経由してデポジション主体の工程に切り換えるまでの
間の真空容器内の圧力変動を±１０％以下とし、デポジ
ション主体の工程から遷移工程を経由してエッチング主
体の工程に切り換えるまでの間の真空容器内の圧力変動
が±１０％以下とするのが望ましい。
を経由してデポジション主体の工程に切り換えるまでの
間の真空容器内の圧力変動を±１０％以下とし、デポジ
ション主体の工程から遷移工程を経由してエッチング主
体の工程に切り換えるまでの間の真空容器内の圧力変動
が±１０％以下とするのが望ましい。
【００１８】また、エッチングガスは、ＳＦ6 、Ｎ
Ｆ3 、Ｃｌ2 のうち少なくとも１つを含むガス、デポジ
ションガスは、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化
炭素ガス、またはＣＨＦ3 、ＣＨ2 Ｆ2 等の水素・炭素
・フッ素を含むガスのうち少なくとも１つを含むガスを
用いることができる。
Ｆ3 、Ｃｌ2 のうち少なくとも１つを含むガス、デポジ
ションガスは、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化
炭素ガス、またはＣＨＦ3 、ＣＨ2 Ｆ2 等の水素・炭素
・フッ素を含むガスのうち少なくとも１つを含むガスを
用いることができる。
【００１９】また、エッチング主体の工程において、電
極に高周波電力を印加し、デポジション主体の工程にお
いて、電極に高周波電力を印加しないことが望ましい。
極に高周波電力を印加し、デポジション主体の工程にお
いて、電極に高周波電力を印加しないことが望ましい。
【００２０】また、電子サイクロトロン共鳴方式プラズ
マ源、ヘリコン波方式プラズマ源、誘導結合方式プラズ
マ源、アンテナ方式プラズマ源を利用してプラズマを発
生させ、真空容器内のガス圧力を０．１〜１０Ｐａとす
るのが望ましい。
マ源、ヘリコン波方式プラズマ源、誘導結合方式プラズ
マ源、アンテナ方式プラズマ源を利用してプラズマを発
生させ、真空容器内のガス圧力を０．１〜１０Ｐａとす
るのが望ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理方法
をシリコンのエッチングに適用した一実施形態につい
て、図１〜図３を参照して説明する。なお、本実施形態
で用いるエッチンク装置の構成及び動作は、図１を参照
した従来例の説明と重複するので、その説明を援用し、
ここでは説明を省略する。なお、本実施形態でもエッチ
ングガスはＳＦ6 、デポジションガスはＣ4 Ｆ8 を用い
た。
をシリコンのエッチングに適用した一実施形態につい
て、図１〜図３を参照して説明する。なお、本実施形態
で用いるエッチンク装置の構成及び動作は、図１を参照
した従来例の説明と重複するので、その説明を援用し、
ここでは説明を省略する。なお、本実施形態でもエッチ
ングガスはＳＦ6 、デポジションガスはＣ4 Ｆ8 を用い
た。
【００２２】図２に本実施形態におけるプラズマ処理方
法のタイムチャートを示す。図２から分かるように、真
空容器１内に供給するガスの主成分がエッチングガスで
あるエッチング主体の工程Ｅと、真空容器１内に供給す
るガスの主成分がデポジションガスであるデポジション
主体の工程Ｄを所定時間間隔で切り換えて繰り返し行う
に際して、エッチング主体の工程Ｅからデポジション主
体の工程Ｄに切り換える際に、真空容器１内に供給する
ガスがエッチングガスとデポジションガスをともに含む
遷移工程Ｔを経由するとともに、デポジション主体の工
程Ｄからエッチング主体の工程Ｅに切り換える際に、真
空容器１内に供給するガスがエッチングガスとデポジシ
ョンガスをともに含む遷移工程Ｔを経由するようにして
いる。また、真空容器１内の電極７上に被処理物の基板
６を載置した後、最初のデポジション主体の工程Ｄを行
う前に、エッチング主体の工程Ｅを行っている。
法のタイムチャートを示す。図２から分かるように、真
空容器１内に供給するガスの主成分がエッチングガスで
あるエッチング主体の工程Ｅと、真空容器１内に供給す
るガスの主成分がデポジションガスであるデポジション
主体の工程Ｄを所定時間間隔で切り換えて繰り返し行う
に際して、エッチング主体の工程Ｅからデポジション主
体の工程Ｄに切り換える際に、真空容器１内に供給する
ガスがエッチングガスとデポジションガスをともに含む
遷移工程Ｔを経由するとともに、デポジション主体の工
程Ｄからエッチング主体の工程Ｅに切り換える際に、真
空容器１内に供給するガスがエッチングガスとデポジシ
ョンガスをともに含む遷移工程Ｔを経由するようにして
いる。また、真空容器１内の電極７上に被処理物の基板
６を載置した後、最初のデポジション主体の工程Ｄを行
う前に、エッチング主体の工程Ｅを行っている。
【００２３】エッチング主体の工程Ｅでは、真空容器１
内にＳＦ6 ガスを５０ｓｃｃｍ導入し、真空容器１内の
圧力を２．０Ｐａに設定し、高周波電力を誘導結合コイ
ル４に８００Ｗ、電極７に４０Ｗ印加した。また、各々
のエッチング主体の工程Ｅは、１回当たり４秒間連続し
て行った。
内にＳＦ6 ガスを５０ｓｃｃｍ導入し、真空容器１内の
圧力を２．０Ｐａに設定し、高周波電力を誘導結合コイ
ル４に８００Ｗ、電極７に４０Ｗ印加した。また、各々
のエッチング主体の工程Ｅは、１回当たり４秒間連続し
て行った。
【００２４】デポジション主体の工程Ｄでは、真空容器
１内にＣ4 Ｆ8 ガスを５０ｓｃｃｍ導入し、真空容器１
内の圧力を２．０Ｐａに設定し、高周波電力を誘導結合
コイル４に８００Ｗ印加し、電極７には高周波電力を印
加しなかった。また、各々のデポジション主体の工程Ｄ
は、１回当たり４秒間連続して行った。
１内にＣ4 Ｆ8 ガスを５０ｓｃｃｍ導入し、真空容器１
内の圧力を２．０Ｐａに設定し、高周波電力を誘導結合
コイル４に８００Ｗ印加し、電極７には高周波電力を印
加しなかった。また、各々のデポジション主体の工程Ｄ
は、１回当たり４秒間連続して行った。
【００２５】遷移工程Ｔでは、マスフローコントローラ
１３ａ、１３ｂを制御することにより真空容器１内にＳ
Ｆ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスを合計で略５０ｓｃｃｍとなる
ように導入し、真空容器１内の圧力を２．０Ｐａに設定
し、高周波電力を誘導結合コイル４に８００Ｗ、電極７
に４０Ｗ印加した。また、各々の遷移工程は、１回当た
り１秒間連続して行った。
１３ａ、１３ｂを制御することにより真空容器１内にＳ
Ｆ6 ガスとＣ4 Ｆ8 ガスを合計で略５０ｓｃｃｍとなる
ように導入し、真空容器１内の圧力を２．０Ｐａに設定
し、高周波電力を誘導結合コイル４に８００Ｗ、電極７
に４０Ｗ印加した。また、各々の遷移工程は、１回当た
り１秒間連続して行った。
【００２６】エッチング主体の工程Ｅからデポジション
主体の工程Ｄに切り換える際に、従来はマスフローコン
トローラ１３ａ、１３ｂの応答が圧力コントローラ１０
の応答に比べて十分速いために真空容器１内の圧力が大
きく変動したが、本実施形態ではエッチング主体の工程
Ｅからデポジション主体の工程Ｄに切り換える遷移工程
Ｔのはじめには、マスフローコントローラ１３ｂにてＣ
4 Ｆ8 ガスの導入を開始するとともにマスフローコント
ローラ１３ａにてＳＦ6 ガスの流量を絞って合計流量を
ほぼ一定に維持するようにしているため、真空容器１内
の圧力はわずかに変動するだけであり、その後Ｃ4 Ｆ8
ガスの流量を増加させる一方でＳＦ6 ガスの流量を減少
させ、遷移工程Ｔの終わりには、ＳＦ6 ガスの導入を停
止してもＣ4 Ｆ8 ガスの流量が多くなっているため、真
空容器１内の圧力はわずかに変動するだけである。
主体の工程Ｄに切り換える際に、従来はマスフローコン
トローラ１３ａ、１３ｂの応答が圧力コントローラ１０
の応答に比べて十分速いために真空容器１内の圧力が大
きく変動したが、本実施形態ではエッチング主体の工程
Ｅからデポジション主体の工程Ｄに切り換える遷移工程
Ｔのはじめには、マスフローコントローラ１３ｂにてＣ
4 Ｆ8 ガスの導入を開始するとともにマスフローコント
ローラ１３ａにてＳＦ6 ガスの流量を絞って合計流量を
ほぼ一定に維持するようにしているため、真空容器１内
の圧力はわずかに変動するだけであり、その後Ｃ4 Ｆ8
ガスの流量を増加させる一方でＳＦ6 ガスの流量を減少
させ、遷移工程Ｔの終わりには、ＳＦ6 ガスの導入を停
止してもＣ4 Ｆ8 ガスの流量が多くなっているため、真
空容器１内の圧力はわずかに変動するだけである。
【００２７】同様に、デポジション主体の工程Ｄからエ
ッチング主体の工程Ｅに切り換える際に経由する遷移工
程Ｔにおいても同様にマスフローコントローラ１３ａ、
１３ｂが制御されて真空容器１内の圧力はわずかに変動
するだけである。こうした遷移工程Ｔの前後における真
空容器１内の圧力の変動幅は±１０％以下であり、プラ
ズマのインピーダンスが急激に変化することはなく、プ
ラズマが消滅してしまうこともない。
ッチング主体の工程Ｅに切り換える際に経由する遷移工
程Ｔにおいても同様にマスフローコントローラ１３ａ、
１３ｂが制御されて真空容器１内の圧力はわずかに変動
するだけである。こうした遷移工程Ｔの前後における真
空容器１内の圧力の変動幅は±１０％以下であり、プラ
ズマのインピーダンスが急激に変化することはなく、プ
ラズマが消滅してしまうこともない。
【００２８】図３にエッチング形状を示す。エッチング
側壁２２の荒れがほとんど無く、従来方法に比べて格段
に滑らかなエッチングが行えることが分かる。
側壁２２の荒れがほとんど無く、従来方法に比べて格段
に滑らかなエッチングが行えることが分かる。
【００２９】また、本実施形態では真空容器１内の電極
７に被処理物の基板６を載置した後、最初のデポジショ
ン主体の工程Ｄを行う前に、先にエッチング主体の工程
Ｅを行っている。もし、逆に先にデポジション主体の工
程Ｄを行うと、シリコンの基板６上のエッチングすべき
部分には自然酸化膜が存在しており、自然酸化膜上にＣ
Ｆ系ポリマー膜が形成されることにより、その後のエッ
チング主体の工程ＥにおいてもＣＦ系ポリマー膜および
自然酸化膜が除去できず、全くエッチングが進行しない
場合があり、注意を要する。従って、本実施形態のよう
に最初のデポジション主体の工程Ｄを行う前に、エッチ
ング主体の工程Ｅを行うことにより確実にエッチングを
行うことができる。なお、遷移工程Ｔを利用しない場合
においても、真空容器１内の電極７に被処理物の基板６
を載置した後、最初のデポジション主体の工程Ｄを行う
前に、エッチング主体の工程Ｅを行うと、エッチング側
壁２２の荒れは発生するとしても、確実にエッチングを
行うことができる。
７に被処理物の基板６を載置した後、最初のデポジショ
ン主体の工程Ｄを行う前に、先にエッチング主体の工程
Ｅを行っている。もし、逆に先にデポジション主体の工
程Ｄを行うと、シリコンの基板６上のエッチングすべき
部分には自然酸化膜が存在しており、自然酸化膜上にＣ
Ｆ系ポリマー膜が形成されることにより、その後のエッ
チング主体の工程ＥにおいてもＣＦ系ポリマー膜および
自然酸化膜が除去できず、全くエッチングが進行しない
場合があり、注意を要する。従って、本実施形態のよう
に最初のデポジション主体の工程Ｄを行う前に、エッチ
ング主体の工程Ｅを行うことにより確実にエッチングを
行うことができる。なお、遷移工程Ｔを利用しない場合
においても、真空容器１内の電極７に被処理物の基板６
を載置した後、最初のデポジション主体の工程Ｄを行う
前に、エッチング主体の工程Ｅを行うと、エッチング側
壁２２の荒れは発生するとしても、確実にエッチングを
行うことができる。
【００３０】以上述べた本実施形態では、エッチング主
体の工程Ｅにおいてエッチングガスの占める割合が１０
０％である場合について説明したが、エッチング主体の
工程Ｅにおいてエッチングガスの占める割合が９０％以
上であれば、側壁２２の荒れを生じることなくエッチン
グを行うことができる。また、デポジション主体の工程
Ｄにおいても同様にデポジションガスの占める割合が９
０％以上であれば、所要のＣＦポリマーが堆積してアン
ダーカットを防止して高アスペクト比のエッチングがで
きる。
体の工程Ｅにおいてエッチングガスの占める割合が１０
０％である場合について説明したが、エッチング主体の
工程Ｅにおいてエッチングガスの占める割合が９０％以
上であれば、側壁２２の荒れを生じることなくエッチン
グを行うことができる。また、デポジション主体の工程
Ｄにおいても同様にデポジションガスの占める割合が９
０％以上であれば、所要のＣＦポリマーが堆積してアン
ダーカットを防止して高アスペクト比のエッチングがで
きる。
【００３１】また、上記実施形態ではエッチングガスが
ＳＦ6 である場合について説明したが、エッチングガス
はＳＦ6 に限定されるものではなく、ＳＦ6 、ＮＦ3 、
Ｃｌ2 のうち少なくとも１つを含むガスでもよい。ま
た、上記実施形態ではデポジションガスがＣ4 Ｆ8 であ
る場合について説明したが、デポジションガスはＣ4 Ｆ
8 に限定されるものではなく、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 等のフ
ッ化炭素ガス、またはＣＨＦ3 、ＣＨ2 Ｆ2 等の水素・
炭素・フッ素を含むガスのうち少なくとも１つを含むガ
スでもよい。
ＳＦ6 である場合について説明したが、エッチングガス
はＳＦ6 に限定されるものではなく、ＳＦ6 、ＮＦ3 、
Ｃｌ2 のうち少なくとも１つを含むガスでもよい。ま
た、上記実施形態ではデポジションガスがＣ4 Ｆ8 であ
る場合について説明したが、デポジションガスはＣ4 Ｆ
8 に限定されるものではなく、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 等のフ
ッ化炭素ガス、またはＣＨＦ3 、ＣＨ2 Ｆ2 等の水素・
炭素・フッ素を含むガスのうち少なくとも１つを含むガ
スでもよい。
【００３２】また、上記実施形態ではプラズマを発生さ
せる手段が誘導結合プラズマ源である場合について説明
したが、プラズマ源は誘導結合プラズマ源に限定される
ものではなく、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ
源、ヘリコン波方式プラズマ源、アンテナ方式プラズマ
源等の高密度プラズマ源を用いてもよい。
せる手段が誘導結合プラズマ源である場合について説明
したが、プラズマ源は誘導結合プラズマ源に限定される
ものではなく、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ
源、ヘリコン波方式プラズマ源、アンテナ方式プラズマ
源等の高密度プラズマ源を用いてもよい。
【００３３】また、上記実施形態ではエッチング主体の
工程Ｅを４秒間連続して行う場合について説明したが、
エッチング主体の工程Ｅは１０秒以上連続して行わない
方がよい。また、デポジション主体の工程Ｄも同様に、
１０秒以上連続して行わない方がよい。もし、エッチン
グ主体の工程Ｅを１０秒以上連続して行うと、図５に示
すように、ＳｉＯ2 マスク２１の直下にアンダーカット
が発生するという不都合が生じ、デポジション主体の工
程Ｄを１０秒以上連続して行うと、エッチング面にＣＦ
系ポリマーが多量に堆積し、未エッチングという不都合
が生じる場合がある。
工程Ｅを４秒間連続して行う場合について説明したが、
エッチング主体の工程Ｅは１０秒以上連続して行わない
方がよい。また、デポジション主体の工程Ｄも同様に、
１０秒以上連続して行わない方がよい。もし、エッチン
グ主体の工程Ｅを１０秒以上連続して行うと、図５に示
すように、ＳｉＯ2 マスク２１の直下にアンダーカット
が発生するという不都合が生じ、デポジション主体の工
程Ｄを１０秒以上連続して行うと、エッチング面にＣＦ
系ポリマーが多量に堆積し、未エッチングという不都合
が生じる場合がある。
【００３４】また、上記実施形態では遷移工程Ｔを１秒
間連続して行う場合について説明したが、遷移工程Ｔは
０．５〜２秒間連続して行うことが望ましい。もし、遷
移工程Ｔを０．２秒以上連続して行わないと、図６に示
すようにエッチング側壁２２が荒れるという不都合が生
じ、また遷移工程Ｔを２秒以上連続して行うと、図５に
示すようにＳｉＯ2 マスク２１の直下にアンダーカット
が発生するという不都合が生じる場合がある。
間連続して行う場合について説明したが、遷移工程Ｔは
０．５〜２秒間連続して行うことが望ましい。もし、遷
移工程Ｔを０．２秒以上連続して行わないと、図６に示
すようにエッチング側壁２２が荒れるという不都合が生
じ、また遷移工程Ｔを２秒以上連続して行うと、図５に
示すようにＳｉＯ2 マスク２１の直下にアンダーカット
が発生するという不都合が生じる場合がある。
【００３５】また、上記実施形態では真空容器１内のガ
ス圧力が２Ｐａである場合について説明したが、真空容
器１内のガス圧力は０．１〜１０Ｐａであればよい。
ス圧力が２Ｐａである場合について説明したが、真空容
器１内のガス圧力は０．１〜１０Ｐａであればよい。
【００３６】また、エッチング主体の工程Ｅから遷移工
程Ｔを経由してデポジション主体の工程Ｄに切り換える
までの間の真空容器１内の圧力変動、およびデポジショ
ン主体の工程Ｄから遷移工程Ｔを経由してエッチング主
体の工程Ｅに切り換えるまでの間の真空容器１内の圧力
変動は、±１０％以下であることが望ましい。圧力変動
が±１０％以上であると、図６に示すようにエッチング
側壁２２が荒れるという不都合が生じる。
程Ｔを経由してデポジション主体の工程Ｄに切り換える
までの間の真空容器１内の圧力変動、およびデポジショ
ン主体の工程Ｄから遷移工程Ｔを経由してエッチング主
体の工程Ｅに切り換えるまでの間の真空容器１内の圧力
変動は、±１０％以下であることが望ましい。圧力変動
が±１０％以上であると、図６に示すようにエッチング
側壁２２が荒れるという不都合が生じる。
【００３７】また、エッチング主体の工程Ｅにおいては
電極７に高周波電力を印加することが望ましく、デポジ
ション主体の工程Ｄにおいては電極７に高周波電力を印
加しないことが望ましい。
電極７に高周波電力を印加することが望ましく、デポジ
ション主体の工程Ｄにおいては電極７に高周波電力を印
加しないことが望ましい。
【００３８】また、被処理物の基板６がシリコン基板で
ある場合について説明したが、本発明は被処理物がアモ
ルファスシリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン等
のシリコン系の物質である場合に特に有効なエッチング
方法である。
ある場合について説明したが、本発明は被処理物がアモ
ルファスシリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン等
のシリコン系の物質である場合に特に有効なエッチング
方法である。
【００３９】さらに、上記実施形態ではエッチング主体
の工程Ｅとデポジション主体の工程Ｄを複数回繰り返す
例について説明したが、それぞれの工程が１回のみの場
合にも本発明を適用することにより効果を発揮する。
の工程Ｅとデポジション主体の工程Ｄを複数回繰り返す
例について説明したが、それぞれの工程が１回のみの場
合にも本発明を適用することにより効果を発揮する。
【００４０】
【発明の効果】本願の第１発明のプラズマ処理方法によ
れば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気
し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電
極上に載置された被処理物をエッチングするに際して、
エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を所定
時間間隔で切り換え、またはそれを繰り返し行うプラズ
マ処理方法において、エッチング主体の工程からデポジ
ション主体の工程に切り換える際、またはその逆に切り
換える際に、真空容器内に供給するガスがエッチングガ
スとデポジションガスをともに含む遷移工程を経由する
ようにしたことにより、エッチング側壁の荒れがほとん
ど発生しない状態でアスペクト比の高いエッチングを行
うことができる。
れば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気
し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電
極上に載置された被処理物をエッチングするに際して、
エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を所定
時間間隔で切り換え、またはそれを繰り返し行うプラズ
マ処理方法において、エッチング主体の工程からデポジ
ション主体の工程に切り換える際、またはその逆に切り
換える際に、真空容器内に供給するガスがエッチングガ
スとデポジションガスをともに含む遷移工程を経由する
ようにしたことにより、エッチング側壁の荒れがほとん
ど発生しない状態でアスペクト比の高いエッチングを行
うことができる。
【００４１】また、第２発明のプラズマ処理方法によれ
ば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気
し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電
極上に載置された被処理物をエッチングするに際して、
エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を所定
時間間隔で切り換えて繰り返し行うプラズマ処理方法に
おいて、真空容器内の電極に被処理物を載置した後、最
初のデポジション主体の工程を行う前にエッチング主体
の工程を行うようにしたことにより、確実にエッチング
を行うことができる。
ば、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気
し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電
極上に載置された被処理物をエッチングするに際して、
エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を所定
時間間隔で切り換えて繰り返し行うプラズマ処理方法に
おいて、真空容器内の電極に被処理物を載置した後、最
初のデポジション主体の工程を行う前にエッチング主体
の工程を行うようにしたことにより、確実にエッチング
を行うことができる。
【図１】本発明のプラズマ処理方法の一実施形態を適用
する従来例と共通のエッチング装置の概略構成図であ
る。
する従来例と共通のエッチング装置の概略構成図であ
る。
【図２】同実施形態における処理工程のタイムチャート
である。
である。
【図３】同実施形態によるエッチング形状の説明図であ
る。
る。
【図４】従来例における処理工程のタイムチャートであ
る。
る。
【図５】エッチング工程のみによるエッチング形状の説
明図である。
明図である。
【図６】従来例によるエッチング形状の説明図である。
１ 真空容器 ２ プラズマ発生用高周波電源 ４ 誘導結合コイル ６ 基板（被処理物） ７ 電極 ９ 電極印加用高周波電源 １２ａ エッチングガスボンベ １２ｂ デポジションガスボンベ １４ ガス導入口
フロントページの続き (72)発明者 杉山 了一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容
器内の電極に載置された被処理物をエッチングするに際
して、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチング
ガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給
するガスの主成分がデポジションガスであるデポジショ
ン主体の工程を所定時間間隔で切り換えるプラズマ処理
方法であって、エッチング主体の工程からデポジション
主体の工程に切り換える際、またはデポジション主体の
工程からエッチング主体の工程に切り換える際に、真空
容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジション
ガスをともに含む遷移工程を経由することを特徴とする
プラズマ処理方法。 - 【請求項２】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容
器内の電極に載置された被処理物をエッチングするに際
して、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチング
ガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給
するガスの主成分がデポジションガスであるデポジショ
ン主体の工程を所定時間間隔で切り換えて繰り返し行う
プラズマ処理方法であって、エッチング主体の工程から
デポジション主体の工程に切り換える際に、真空容器内
に供給するガスがエッチングガスとデポジションガスを
ともに含む遷移工程を経由するとともに、デポジション
主体の工程からエッチング主体の工程に切り換える際
に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポ
ジションガスをともに含む遷移工程を経由することを特
徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容
器内の電極に載置された被処理物をエッチングするに際
して、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチング
ガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給
するガスの主成分がデポジションガスであるデポジショ
ン主体の工程を所定時間間隔で切り換えて繰り返し行う
プラズマ処理方法であって、真空容器内の電極に被処理
物を載置した後、最初のデポジション主体の工程を行う
前に、エッチング主体の工程を行うことを特徴とするプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項４】 エッチング主体の工程において、エッチ
ンクガスの占める割合が９０％以上であることを特徴と
する請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 デポジション主体の工程において、デポ
ジションガスの占める割合が９０％以上であることを特
徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理方
法。 - 【請求項６】 エッチング主体の工程が１０秒以上連続
して行われないことを特徴とする請求項１〜３の何れか
に記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項７】 デポジション主体の工程が１０秒以上連
続して行われないことを特徴とする請求項１〜３の何れ
かに記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項８】 遷移工程が０．５〜２秒間連続して行わ
れることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処
理方法。 - 【請求項９】 エッチング主体の工程から遷移工程を経
由してデポジション主体の工程に切り換えるまでの間の
真空容器内の圧力変動が±１０％以下であることを特徴
とする請求項１又は２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１０】 デポジション主体の工程から遷移工程
を経由してエッチング主体の工程に切り換えるまでの間
の真空容器内の圧力変動が±１０％以下であることを特
徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１１】 エッチングガスが、ＳＦ6 、ＮＦ3 、
Ｃｌ2 のうち少なくとも１つを含むガスであることを特
徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理方
法。 - 【請求項１２】 デポジションガスが、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化炭素ガス、またはＣＨＦ3 、Ｃ
Ｈ2 Ｆ2 等の水素・炭素・フッ素を含むガスのうち少な
くとも１つを含むガスであることを特徴とする請求項１
〜３の何れかに記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１３】 エッチング主体の工程において、電極
に高周波電力を印加することを特徴とする請求項１〜３
の何れかに記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１４】 デポジション主体の工程において、電
極に高周波電力を印加しないことを特徴とする請求項１
〜３の何れかに記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１５】 電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ
源、ヘリコン波方式プラズマ源、誘導結合方式プラズマ
源、アンテナ方式プラズマ源を利用してプラズマを発生
させることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の
プラズマ処理方法。 - 【請求項１６】 真空容器内のガス圧力が０．１〜１０
Ｐａであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記
載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１７】 被処理物がシリコンであることを特徴
とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP46698A JPH11195641A (ja) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP46698A JPH11195641A (ja) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195641A true JPH11195641A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=11474586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP46698A Pending JPH11195641A (ja) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195641A (ja) |
Cited By (16)
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-
1998
- 1998-01-05 JP JP46698A patent/JPH11195641A/ja active Pending
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