JP2015534261A - トレンチ側壁の平滑化のためのシリコンエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、半導体処理の分野に関し、特に、トレンチ側壁の平滑化のためのシリコンエッチング方法に関する。
より高い性能と増加した機能を備えたより小型でより軽量な電子機器の需要は、スルーシリコンビア(TSV)によって設計された三次元(3D)集積回路(IC)の採用を推進している。TSVは、半導体ウェハの層を通過する電気的な接続である。スルーシリコンビアへの関心の高まりにもかかわらず、TSVの採用は、例えば、高コストと大量生産に関連する課題のために鈍化してきた。そのような課題の1つは、滑らかな側壁を有するTSVトレンチを作成することを含む。滑らかな側壁を有するトレンチは、一般的に、より堅牢(ロバスト)であり、誘電体及び金属などの材料で効果的に充填することができる。対照的に、粗い側壁(例えば、スカラップ化された側壁)を有するトレンチは、歩留まりの減少と長期的なデバイスの信頼性の問題につながる、効果的でない充填をもたらす可能性がある。残念なことに、TSVエッチングの既存の方法は、粗い側壁を有するトレンチを作成し、及び/又は大量生産には実用的ではない。TSVの採用に影響を与える他の要因は、プラズマエッチングを実行するコストを含み、これは、例えば、全体的なシリコンエッチング速度に影響される。
Kn=λ/d
ここで、dは、特徴寸法であり、λは平均自由行程である。グラフ1000に示されるように、スカラップの無いトレンチは、全体的な処理時間への影響を最小限に抑えて達成することができ、こうしてTSVの大量生産のための費用対効果の高いエッチング解決策を提供することができる。一実施形態によれば、スカラップの無いトレンチを生成するのに必要な追加の時間は、10μm×100μmのサイズのTSV構造上に30nmのスカラップを有するプロファイルよりも約10〜15%多い。
Claims (15)
- プラズマエッチングを介して半導体ウェハ内に形成されたトレンチの側壁を平滑化する方法であって、
処理チャンバ内の台座によって半導体ウェハを支持する工程と、
処理チャンバ内にフッ素ガス及び第2ガスを導入する工程と、
フッ素ガス及び第2ガスからプラズマを生成するために処理チャンバに電力を供給する工程であって、第2ガスから生成されたプラズマは、トレンチの側壁上に保護層を形成するためのものである工程と、
保護層を有するトレンチの側壁を平滑化するためにフッ素ガスから生成されたプラズマによって半導体ウェハを指向性エッチングする工程を含む方法。 - 処理チャンバ内に第2ガスを導入する工程は、処理チャンバ内に酸素ガスを導入する工程を含み、酸素ガスからのプラズマは、トレンチの側壁上にシリコン酸化物層を形成するためのものである請求項1記載の方法。
- 半導体ウェハは、マスク層を含み、
処理チャンバ内に第2ガスを導入する工程は、重合ガスを導入する工程を含み、重合ガスからのプラズマは、トレンチの側壁上にポリマー層を形成するためのものである請求項1記載の方法。 - 処理チャンバ内に重合ガスを導入する工程は、フッ化炭素ガスを導入する工程を含む請求項3記載の方法。
- トレンチの側壁上に保護層を形成するためのフッ化炭素ガスは、CHF3、C2F6、C3F8、又はC4F8を含む請求項4記載の方法。
- 処理チャンバに電力を供給する工程は、プラズマ源にRF電源を印加する工程と、複数のRF電力パルスによって半導体ウェハにバイアスを掛ける工程を含む請求項1記載の方法。
- RF電源を印加する工程は、プラズマ源に500〜3000ワットの範囲内の電力を印加する工程を含み、半導体ウェハにバイアスを掛ける工程は、各々が50〜1000ワットの第2範囲内の複数の電力パルスによって半導体ウェハにバイアスを掛ける工程を含む請求項6記載の方法。
- トレンチの側壁はスカラップを含み、フッ素ガスから生成されたプラズマによって半導体ウェハを指向性エッチングする工程は、保護層を有するトレンチの側壁からスカラップを除去する工程を含む請求項1記載の方法。
- 半導体ウェハ内に形成されたトレンチは、スルーシリコンビア(TSV)トレンチを含む請求項8記載の方法。
- 半導体ウェハ内でプラズマエッチングを介して形成されたトレンチの側壁を平滑化するためのプラズマエッチングシステムであって、
プラズマエッチングチャンバと、
プラズマエッチングチャンバ内で半導体ウェハを支持するための台座と、
プラズマエッチングチャンバ内にフッ素ガス及び第2ガスを導入するための1以上のガス源と、
フッ素ガス及び第2ガスからプラズマを生成するためにプラズマエッチングチャンバに電力を供給するための電源であって、第2ガスから生成されたプラズマは、半導体ウェハ内のトレンチの側壁上に保護層を形成するためのものである電源を含み、
プラズマエッチングチャンバは、保護層を有するトレンチの側壁を平滑化するために、フッ素ガスから生成されたプラズマによって半導体ウェハを指向性エッチングするためのものであるプラズマエッチングシステム。 - 1以上のガス源によってプラズマエッチングチャンバ内に導入される第2ガスは、酸素ガスを含み、酸素ガスからのプラズマは、トレンチの側壁上にシリコン酸化物層を形成するためのものである請求項10記載のシステム。
- 1以上のガス源によってプラズマエッチングチャンバ内に導入される第2ガスは、重合ガスを含み、重合ガスからのプラズマは、トレンチの側壁上にポリマー層を形成するためのものである請求項10記載のシステム。
- 滑らかな側壁を有するトレンチを生成するための半導体ウェハをエッチングする方法であって、
フッ素ガスを含む1以上の第1処理ガスによって半導体ウェハをプラズマエッチングする工程と、
フッ素ガス及び重合ガスを含む1以上の第2処理ガスによって堆積の実行と半導体ウェハのプラズマエッチングを同時に行う工程と、
重合ガスを含む1以上の第3処理ガスによって堆積を実行する工程を含む方法。 - 滑らかな側壁を有する半導体ウェハ内のトレンチを生成するために、1以上の第1処理ガスによるプラズマエッチングと、1以上の第2処理ガスによる同時の堆積及びプラズマエッチングと、1以上の第3処理ガスによる堆積とを反復的に実行する工程を含む請求項13記載の方法。
- 堆積とプラズマエッチングを同時に実行するためのフッ素ガスと混合された重合ガスは、CHF3、C2F6、C3F8、又はC4F8を含む請求項13記載の方法。
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