JP2010199374A - 接点デバイスの製造方法及び接点デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】検出感度が高く良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供すること。
【解決手段】導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを共に用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことにより、スキャロッピングなどの凹凸のない平滑な接点を形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイス等に用いられる接点デバイスの製造方法及び接点デバイスに関する。

近年、エレクトロニクス機器の小型化、薄型化、軽量化が求められ、微細加工技術によって製造できるＭＥＭＳデバイスが注目を集めている。このようなＭＥＭＳデバイスとして、導電性シリコン部材からエッチングによって形成される加速度センサがある（例えば、特許文献１参照）。

かかる加速度センサは、基板上に立設され、円柱状の中空部を有する固定電極と、固定電極の中空部内の基板上に立設されるアンカー部と、アンカー部と固定電極との間にアンカー部及び固定電極のそれぞれに対して所定の間隔をとって配置される円筒形の可動電極と、可動電極をアンカー部に揺動可能に支持する４本の梁と、固定電極と可動電極との間の導通を検出する検出回路とを備えて構成される。

所定値以上の加速度が作用した場合、４本の梁によって揺動可能に支持された可動電極が固定電極の中空部内で変位し、可動電極の外壁と固定電極の中空部の内壁とが接触する。この際に、固定電極と可動電極とが導通し、この固定電極と可動電極との導通を検出回路で検出することにより、加速度を検出する。加速度の検出感度は、固定電極と可動電極との間に形成される接点間の抵抗によって変化し、接点間の抵抗を低減することにより、検出感度を向上させることができる。

ところで、特許文献１記載の加速度センサは、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などの導電性シリコン部材より、Ｄｅｅｐ ＲＩＥ(深堀反応性イオンエッチング)等のドライエッチングによって一体形成される。通常ドライエッチングはエッチングが等方性に進行するため、所望のエッチング方向にエッチングが進行すると共に、所望のエッチング方向の側面方向にもエッチングが進行する。このため、ドライエッチングによって深堀する際には、エッチングガスを用いるエッチング工程とエッチングによって形成された側壁保護のためデポジションガスを用いる側壁保護膜形成工程とを交互に繰り返すＢｏｓｃｈプロセスと呼ばれるエッチング技術が広く用いられている。このＢｏｓｃｈプロセスを用いることにより、側面方向へのエッチングが抑制され、所望のエッチング方向への数１０μｍ〜数１００μｍの深堀をすることができる。

特開平１１−７２５０６号公報

しかしながら、Ｂｏｓｃｈプロセスを用いた場合、等方性に進行するエッチング工程と側壁保護膜形成工程とを交互に繰り返すため、図６のＲ４に示すように、エッチングによって生成した断面（以下、エッチング断面とする）に波紋状の凹凸（以下、スキャロッピングとする）が生じる。このため、Ｂｏｓｃｈプロセスによって特許文献１記載の加速度センサを形成した場合、エッチングによって形成された固定電極の内壁と可動電極の外壁とが平滑にならない。その結果、固定電極と可動電極との間の接触面積が低下して接点抵抗が増大し、検出感度が制限される問題があった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、検出感度が高く、良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供することを目的とする。

本発明の接点デバイスの製造方法は、導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことを特徴とする。

この方法によれば、スキャロッピングが抑制された平滑なエッチング断面を形成することができるので、エッチングによって形成された可動部材と固定部材との間の接点抵抗を低減することができる。

本発明は、上記接点デバイスの製造方法において、前記エッチング工程では、エッチング速度を調整するアッシングガスを用いることを特徴とする。

この方法によれば、エッチングガスとデポジションガスの組成以外にアッシングガスを添加することによってもエッチングの速度を調整できるので、エッチング対象の導電部材に応じてエッチング速度を任意に調整することができる。

本発明は、上記接点デバイスの製造方法において、エッチングにより形成した可動部材及び固定部材のそれぞれのエッチング断面に接点抵抗を低減する導電膜を形成することを特徴とする。

この方法によれば、スキャロッピングのないエッチング断面に導電膜を形成できるので、導電膜を均一に形成することができ、エッチングによって形成された可動部材と固定部材と間の接点抵抗を更に低減できる。

本発明の接点デバイスは、導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを有する接点デバイスにおいて、少なくとも前記固定部材または前記可動部材の一方は、壁面の一部に凹凸のある凹凸領域と凹凸領域外の壁面の一部の平滑面を有し、前記平滑面で前記固定部材と前記可動部材とが接することがあることを特徴とする。

この構成によれば、少なくとも固定部材または可動部材の一方の平滑面とこの平滑面に接した可動部材または固定部材との間に接点または接触面を形成できるので、エッチングによって形成された可動部材と固定部材と間の接点抵抗を低減することができ、高い検出感度を有する接点デバイスを提供することができる。

本発明は、上記接点デバイスにおいて、前記可動部材及び前記固定部材の少なくとも一方に接点抵抗を低減する導電膜が形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、可動部材と固定部材との間の接点が導電膜を介して形成されるので、可動部材と固定部材との間の接点抵抗を低減することができ、更に検出感度を向上させることができる。

本発明は、上記接点デバイスにおいて、前記導電膜が前記平滑面にかかって形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、平滑面に導電膜を形成できるので、導電膜を均一に形成することができ、エッチングによって形成された可動部材と固定部材との間の接点抵抗を特に低減できる。

本発明によれば、検出感度が高く、良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供することができる。

本発明の実施の形態に係る傾斜センサを示す図である。 本発明の実施の形態に係るエッチング断面を示す図である。 （ａ）本実施の形態に係る傾斜センサの製造工程における第１基板に第２基板を接合した状態の平面図であり、（ｂ）、（ｃ）本発明の実施の形態に係る傾斜センサの第１基板の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態に係る傾斜センサの第２基板の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態に係る傾斜センサの第３基板の製造工程を示す図である。 従来技術のエッチング断面を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
尚、以下の説明では、本実施の形態に係る接点デバイスの製造方法を適用する接点デバイスとして傾斜センサを例に説明する。図１（ａ）は、本実施の形態に係る傾斜センサの平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩＡ−ＩＡ間の断面図を示している。尚、図１（ａ）については、構成を説明するために、第３基板を透視して第１基板を図示している。

図１（ａ）、（ｂ）に示す傾斜センサは、枠体１１ａと、接点部材である複数の固定接点柱１１ｂと、可動部材１１ｃと、枠体１１ａに対して可動部材１１ｃを揺動可能に支持する梁１１ｄとを有する第１基板１１を備えて構成される。本実施の形態においては、第１基板１１に導電性シリコンを使ったＳＯＩ基板を用いている。梁１１ｄは、一定以上の傾斜があるときには、可動部材１１ｃをいずれかの固定接点柱１１ｂに接触するように支持し、傾斜のないときに、可動部材１１ｃを基準位置（いずれの固定接点柱１１ｂにも接触しない位置）に戻すように、可動部材１１ｃを枠体１１ａに揺動可能に支持している。本実施の形態においては、固定接点柱１１ｂ、可動部材１１ｃ及び梁１１ｄは、枠体１１ａの内側に位置し、梁１１ｄが固定接点柱１１ｂの外側に位置している。

図１（ｂ）に示すように、第１基板１１の一方の主面（図１（ｂ）中の下側）には、第２基板１２が接合されている。本実施の形態においては、第２基板１２に導電性を持つシリコン基板を用いている。固定接点柱１１ｂは、第２基板１２を基材としてこの基材上に立設されるように設けられている。第２基板１２において、第１基板１１の枠体１１ａの内側の領域であって固定接点柱１１ｂを立設する以外の領域には、凹部１２ａが設けられており、可動部材１１ｃが揺動した際に、可動部材１１ｃが第２基板１２に接触しないように構成されている。

図１（ｂ）に示すように、第１基板１１の他方の主面（図１（ｂ）中の上側）には、第３基板１３が接合されている。本実施の形態においては、第３基板１３にガラス基板を用いている。第３基板１３における第１基板１１との接合領域には、金属層１３ｂが形成されている。一方、第１基板１１における第３基板１３との接合領域（枠体１１ａ、固定接点柱１１ｂ）にも、金属層１１ｅが形成されている。第１基板１１と第３基板１３とは金属層１１ｅ、１３ｂ同士を当接して接合する。第３基板１３において、第１基板１１の枠体１１ａの内側の領域であって固定接点柱１１ｂを立設する領域以外の領域には、凹部１３ｃが設けられており、可動部材１１ｃが揺動した際に、可動部材１１ｃが第３基板１３に接触しないように構成されている。

第３基板１３には、導電性部材１３ａが埋設されており、第３基板１３の両主面で露出している。本実施の形態においては、導電性部材１３ａとしてシリコン製部材を用いている。第３基板１３の第１基板１１側の主面において、導電性部材１３ａと電気的に接続するように導電部１３ｅが形成されている。この導電部１３ｅは、固定接点柱１１ｂと電気的に接続されている。また、第３基板１３の第１基板１１側の主面の反対側の主面（外界側の主面）において、導電性部材１３ａと電気的に接続するように導電部１３ｄが形成されている。この導電部１３ｄは、制御部１４と電気的に接続されている。すなわち、本実施の形態においては、導電性の固定接点柱１１ｂが金属層１１ｅ、１３ｂ、導電部１３ｅ、導電性部材１３ａ及び導電部１３ｄを介して制御部１４に電気的に接続されている。

以上のように構成された傾斜センサが傾斜を検出した場合、可動部材１１ｃが揺動して可動部材１１ｃが２つの固定接点柱１１ｂに接触する。この時、可動部材１１ｃに接触した２つの固定接点柱１１ｂと可動部材１１ｃとの間に接点が形成され、可動部材１１ｃを介して２つの導電部１３ｄが導通状態となる。この２つの導電部１３ｄの導通状態を制御部１４で検出することにより、傾斜の状態を検出することができる。尚、本実施の形態においては、可動部材１１ｃと固定接点柱１１ｂとの間に形成された接点抵抗が小さい程検出感度が高くなる。

以上、傾斜センサの構成を説明した。次に上記傾斜センサの製造方法について説明する。本実施の形態においては、導電性シリコン部材からエッチングによって各部材を一体形成する。このエッチング工程の際に、Ｂｏｓｃｈプロセス等の公知のエッチング条件（以下、「エッチング条件Ａ」という）と接点形成のための特別なエッチング条件（以下、「エッチング条件Ｂ」という）とを組み合わせて用いる。エッチング条件Ｂは、上述した可動部材１１ｃと固定接点柱１１ｂの接点部分の形成に用いられ、エッチング断面の一部または全てを平滑に形成することができる。以下、良好な接点形成のためのエッチング条件Ｂについて説明する。

本発明者等は、ＳＦ６等のエッチングガス、Ｃ４Ｆ８などのデポジションガス及びアッシングガスとしてのＯ２を共に用いることにより、所望のエッチング方向へのエッチングとエッチングによって形成された側壁保護とを同時に行うことができることを発見した。このような、デポジションを並行して進行させるエッチング条件Ｂを用いることにより、スキャロッピングのない平滑なエッチング断面を形成することができ、良好な接点を形成することができる。

図２（ａ）は、接点形成のためのエッチング条件Ｂによって形成した固定接点柱１１ｂ及び可動部材１１ｃのエッチング断面を模式的に示した図である（尚、図２は、エッチング工程の途中の段階を示し、固定接点柱１１ｂと可動部材１１ｃとは完全に切断されていない）。図中のＲ１の区間は、エッチング条件Ｂを用いて形成したエッチング断面の形状を示している。図中に示すように、接点形成にエッチング条件Ｂを用いることにより、側壁方向へのエッチングを抑制できるので、側壁を平滑に形成することができる。

一方、図中のＲ２の区間は、エッチング条件を切り替えてエッチング条件Ａによって形成されたエッチングの断面形状を示している。図中に示すように、エッチング条件Ａを用いた場合、側壁に凹凸、つまりスキャロッピングが生じる。

尚、図２（ａ）の例では、エッチング工程の初期にデポジション並列進行型のエッチング条件Ｂを用い、その後、エッチングのみのエッチング条件Ａでエッチング断面を形成した例を示したが、デポジション並列型のエッチング条件Ｂは、エッチング工程のいずれのタイミングで用いてもよい。エッチング開始直後にエッチング条件Ｂを用いることにより、エッチング断面の入口面から平滑化することができる。また、エッチング途中からエッチング条件Ｂを用いることにより、エッチング断面の中間部分を平滑化することもできる。以上のように、本実施の形態においては、エッチング条件Ｂをエッチング工程の任意のタイミングで用いることにより、各部材の所望の位置に凹凸のない良好な接点を形成することができる。

エッチング条件Ｂに用いるエッチングガスとしては、ＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４など、エッチング条件Ａと同様のエッチングガスを用いることができる。用いるエッチングガスの反応性により、エッチングの速度を制御することができる。例えば、反応性の高いＳＦ６を用いることにより、エッチングの速度を速くすることができる。また、反応性が異なるＣＨＦ３、ＣＦ４等を使い分けることにより、エッチング速度を微調整することができる。本実施の形態においては、ＳＦ６を用いたが、エッチング対象の部材に応じ、単独及び複数のエッチングガスを混合して用いることができる。

エッチング条件Ｂに用いるデポジションガスとしては、Ｃ４Ｆ８、Ｃ３Ｆ８など公知のデポジションガスを用いることができる。これらのデポジションガスの組成と種類を変更することにより、エッチング速度と側壁保護膜の形成速度を調整することができる。例えば、側壁保護膜の形成速度の速いＣ４Ｆ８を用いることにより、側壁がエッチングされにくくすることができる。また、Ｃ４Ｆ８より側壁保護膜の形成速度の遅いＣ３Ｆ８を用いることにより、エッチング速度を促進することができる。本実施の形態においては、Ｃ４Ｈ８を用いたが、エッチング対象の部材に応じ、単独及び複数のデポジションガスを混合して用いることができる。

また、エッチング条件Ｂに用いるアッシングガスとしてのＯ２の割合を調整することにより、エッチングの速度を調整することができる。例えば、アッシングガスの割合を増やすことにより、エッチング速度を促進することができる。アッシングガスの割合を増やした場合、各部材のマスクに用いるレジストも共にエッチングにより削られるが、エッチングの方がより早く進行する。このため、表面のレジスト層を厚く形成し、アッシングガスを増やすことによりエッチングの速度を改善することができる。また、アッシングガスの割合を低減することにより、レジスト層の損失を抑制してエッチングを行うことができる。

また、エッチング条件Ｂにおいては、エッチングガス、デポジションガス及びアッシングガスの割合を変更することにより、エッチングの速度と、側壁保護膜の形成速度を調整することができる。例えば、エッチングガス及び／又はアッシングガスの割合を増やした場合、側壁保護膜の形成速度に対してエッチング速度を促進することができ、デポジションガスの割合を増やした場合は、エッチング速度に対して側壁保護膜の形成速度を促進することができる。

更に、エッチング条件Ｂにおいては、エッチング速度と側壁保護膜の形成速度を調整することにより、エッチング対象部位のエッチング前の主面とエッチング後に形成されたエッチング断面との間のなす角（以下エッチング角度とする）を任意に調整することができる。例えば、側壁保護膜の形成速度に対してエッチング速度を促進した場合、エッチング角度が大きくなり、エッチング速度に対して側壁保護膜の形成速度を促進した場合、エッチング角度は小さくなる。本実施の形態においては、エッチング速度と側壁保護膜の形成速度を調整することにより、図２（ａ）に示すようにエッチング角度が垂直になるように調整している。

尚、エッチング条件Ｂにおいて、エッチング時の温度、圧力等については、特殊な条件は必要とせず、エッチング条件Ａと同様の条件を用いることができる。また、エッチング条件Ａと同様、エッチング時の温度、圧力等を調整することにより、エッチング速度とエッチング角度を任意に調整することができる。

また、エッチング条件Ｂでは、エッチングガスとデポジションガスを同時に用いる例について説明したが、本実施の形態においては、エッチングと側壁保護工程が共に行える条件であれば、ガスの流量、供給条件等は特に制限されない。例えば、エッチングガスとデポジションガスとを共に任意の流量に制御して用いても良いし、エッチングガスとデポジションガスを任意の比率で混合して用いても良い。また、エッチングガスの流量を一定にしてエッチングを行い、デポジションガスを任意のタイミング及び流量によって順次供給する等種々の条件を用いることができる。

尚、本実施の形態においては、接点抵抗の低減のため、エッチング工程後、エッチング断面に導電性の膜を形成することも出来る。図２（ｂ）は、エッチング工程後に導電膜１１ｆを形成した模式図を示している。エッチング断面が平滑であるＲ１の区間では、導電膜１１ｆが均一に形成されている。一方、エッチング断面がエッチング条件Ａによって形成されたＲ２の区間において、スキャロッピング部Ｒ３（波紋状の凹凸部の影になる部位）では、導電膜１１ｆの形成が阻害されるため、均一に導電膜が形成されない。尚、エッチング工程後の導電膜の形成は、スパッタリング、ＣＶＤ等公知の条件を用いることができる。

以上のように、本実施の形態においては、接点形成のエッチング条件Ｂを用いることにより、エッチング断面を平滑に形成できるので、固定接点柱１１ｂと可動部材１１ｃとの接点間の接触面積を拡大でき、接点抵抗を低減することができる。また、エッチング断面を平滑に形成することにより、導電膜１１ｆも均一に形成できるので、更に接点抵抗が低減された接点デバイスを形成することができる。尚、導電膜１１ｆは、エッチング断面の固定接点柱１１ｂ側または可動部材１１ｃ側の少なくとも一方に形成されることにより、接点抵抗を低減することができる。また、導電膜１１ｆは、エッチング条件Ｂによって形成された平滑なエッチング断面から凹凸部に亘って形成されることが接点抵抗低減の観点から好ましい。

次に本実施の形態に係る傾斜センサの製造工程を説明する。図３（ａ）は、本実施の形態に係る傾斜センサの第１基板１１に第２基板１２を接合し、梁１１ｄを形成した状態の平面図である。以下、同図におけるＩＢ−ＩＢ間の断面を例に傾斜センサの製造工程について、図３〜図５を参照して説明する。

まず、図３（ｂ）に示すように、第１基板１１として、活性層２１ｃ、絶縁層２１ｂ及びベース層２１ａを有するＳＯＩ基板を準備する。次いで、図３（ｃ）に示すように、第１基板１１の枠体１１ａ、固定接点柱１１ｂ及び可動部材１１ｃを設けるために、ベース層２１ａをフォトリソグラフィ及びエッチングにより加工してそれぞれ凹部２１ｄを形成する。

次に、第２基板１２を作製する工程について説明する。図４（ａ）に示すように、シリコン基板を準備する。次いで、図４（ｂ）に示すように、可動部材１１ｃなどの接触を防止するために、シリコン基板を加工して凹部１２ａを形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、得られた第２基板１２を、凹部１２ａがベース層２１ａと対向するようにして、第１基板１１に接合し、第１基板１１の第２基板１２の反対側の主面に金属層１１ｅを形成する。次いで、梁１１ｄを設けるために、活性層２１ｃ及び絶縁層２１ｂをフォトリソグラフィ及びエッチングにより加工する。以上のようにして、傾斜センサの第１基板１１に第２基板１２を接合し、梁１１ｄを形成する。

次に、第３基板１３を作製する工程について説明する。図５（ａ）に示すように、シリコン基板２２の一方の主面にフォトリソグラフィ及びエッチングにより導電性部材１３ａとなる突出部２２ａを形成する。次いで、シリコン基板２２の突出部２２ａ上に第３基板１３を載せ、図５（ｂ）に示すように、加熱しながら押圧して第３基板１３に突出部２２ａを埋め込むようにして両基板を接合する。その後、図５（ｃ）に示すように、得られた複合体の両主面を研磨して、導電性部材１３ａを両主面で露出させ、一方の主面側に、可動部材１１ｃなどの接触を防止するために、複合体を加工して凹部１３ｆを形成する。図５（ｄ）に示すように、複合体の一方の主面側（凹部１３ｆ側）に導電部１３ｅを形成する。具体的には、複合体の一方の主面上にスパッタリングにより金属材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする。一方、複合体の他方の主面側に導電部１３ｄを形成する。具体的には、複合体の一方の主面上にスパッタリングにより金属材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする

最後に、前記複合体の第１基板１１側に第３基板１３を接合する。この場合、導電部１３ｅが第１基板１１に対向するようにして複合体と第３基板１３とを接合する。このとき、陽極接合あるいは拡散接合により接合することが好ましい。このようにして、図１（ａ），（ｂ）に示す傾斜センサを得ることができる。

本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。上記実施の形態においては、また、上記実施の形態で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。

本発明は、傾斜センサ、力学量センサ等、各種接点デバイスに適用可能である。

１１ 第１基板
１１ａ 枠体
１１ｂ 固定接点柱
１１ｃ 可動部材
１１ｄ 梁
１１ｅ １３ｂ 金属層
１１ｆ 導電膜
１２ａ、１３ｃ、１３ｆ、２１ｄ 凹部
１２ 第２基板
１３ 第３基板
１３ａ 導電性部材
１３ｄ、１３ｅ 導電部
１４ 制御部
２１ａ ベース層
２１ｂ 絶縁層
２１ｃ 活性層
２２ シリコン基板

Claims (6)

1. 導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことを特徴とする接点デバイスの製造方法。
2. 前記エッチング工程では、エッチング速度を調整するアッシングガスを用いることを特徴とする請求項１記載の接点デバイスの製造方法。
3. エッチングにより形成した可動部材及び固定部材のそれぞれのエッチング断面に接点抵抗を低減する導電膜を形成することを特徴とする請求項１または請求項２記載の接点デバイスの製造方法。
4. 導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを有する接点デバイスにおいて、少なくとも前記固定部材または前記可動部材の一方は、壁面の一部に凹凸のある凹凸領域と、凹凸領域外の壁面の一部の平滑面を有し、前記平滑面で前記固定部材と前記可動部材とが接することがあることを特徴とする接点デバイス。
5. 前記可動部材及び前記固定部材の少なくとも一方に接点抵抗を低減する導電膜が形成されていることを特徴とする請求項４記載の接点デバイス。
6. 前記導電膜が前記平滑面にかかって形成されていることを特徴とする請求項４または請求項５記載の接点デバイス。
   

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