JP2001127049A - プラズマ真空基板処理方法およびシステム - Google Patents

プラズマ真空基板処理方法およびシステム

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JP2001127049A JP2000243842A JP2000243842A JP2001127049A JP 2001127049 A JP2001127049 A JP 2001127049A JP 2000243842 A JP2000243842 A JP 2000243842A JP 2000243842 A JP2000243842 A JP 2000243842A JP 2001127049 A JP2001127049 A JP 2001127049A
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vacuum enclosure
plasma
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Michel Puech
ミシエル・ピユーシユ
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Alcatel Lucent SAS
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Alcatel CIT SA
Alcatel SA
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    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空エンクロージャ内の活性ガスの流れを急
速に変化させることができる、プラズマ真空基板処理方
法およびシステムを提供する。 【解決手段】 真空エンクロージャ１内に配置された基
板１６を処理するための方法において、本発明は、制御
されたガス吸気手段３の近傍にある領域２５に、補完流
量の制御ガスを注入することによって、活性ガス供給パ
イプ４を介する活性ガス供給流量の変動の補償を与え
る。これは、圧力制御システムおよびインピーダンスマ
ッチングシステムが、入力活性ガス流量の変動に１秒程
度の時間で応答することができなくなることを避ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板のプラズマ真
空処理（エッチングまたは堆積）に関する。
【０００２】
【従来の技術】文献ＷＯ９４／１４１８７に記載されて
いるエッチング方法などのプラズマ真空基板処理方法
が、当技術分野ですでに知られており、その文献では、
具体的には制御された活性ガス注入手段を介して注入さ
れ、制御されたガス吸気手段を介して排気される活性ガ
スを含んでいる真空エンクロージャ内に基板が配置され
る。活性ガスは、プラズマ発生手段によってイオン化さ
れる。真空エンクロージャ内の基板は、それが接続され
る制御された衝撃発生装置によって生成される衝撃電気
エネルギーを受け取る。
【０００３】エッチングステップ中、イオン化によって
生成された六フッ化硫黄など反応性材料のイオンが、衝
撃エネルギーによって加速され、基板、例えばシリコン
ベース基板のマスクによって覆われていない領域に衝突
する。活性イオンは、基板の材料と結合して、ガス吸気
手段によって排気されるガス状物質を形成する。
【０００４】１つの問題は、適切に定められた外形を示
すエッチングを得ること、すなわちキャビティが、でき
るだけ整った、かつ基板の表面に垂直な側壁を有するこ
とである。
【０００５】このために、文献ＷＯ９４／１４１８７
は、エッチングステップと保護層生成ステップとを交互
に続けることによって、エッチングを行うことを教示し
ている。保護層生成ステップ中、真空エンクロージャ
は、トリフルオロメタン（ＣＨＦ ３）など第１のタイプ
の活性ガスを含み、キャビティの底部および側面を含め
た基板の表面全体にわたって重合層を生成する。エッチ
ングステップ中、真空エンクロージャは、六フッ化硫黄
など第２のタイプの活性ガスを含み、キャビティの底部
に選択的に当たる方向性衝撃を生成するように、基板に
向けて加速されたイオンを発生し、それが側面に当たる
ことなく、基板の材料をキャビティの底部から選択的に
除去する。
【０００６】しかし、エッチングステップが、側面の重
合保護層の下端縁部に関してキャビティの底部を下げ、
その結果、側面の下端に、重合材料の層によって保護さ
れない領域が現れることは明らかである。活性イオン衝
撃は、キャビティの底部を切り下げ、キャビティを広げ
る傾向があり、キャビティの側面の整然さに影響を及ぼ
す。
【０００７】この現象を避けるために、短いエッチング
ステップと短い保護層生成ステップとを、高速で交互に
繰り返して使用する必要がある。
【０００８】他の問題は、エッチングおよび保護層生成
に関して性能を最適化することである。
【０００９】ほとんどのプラズマ真空処理方法（エッチ
ングまたは堆積）では、エッチングまたは堆積性能を最
適化するために変更することができる主なパラメータ
は、様々なガスの流量、作動圧力、プラズマを生成する
ためにプラズマに結合される電磁パワー、基板が衝撃を
受けるエネルギーである。
【００１０】堆積またはエッチングの速度と同様に、マ
スクに関する選択性、エッチングプロファイルの整然
さ、堆積される層の整合性、エッチングまたは堆積性能
は、プラズマに結合されるパワー、作動圧力、および基
板衝撃エネルギーに関する気相放電の条件に依存する。
【００１１】概して、堆積またはエッチング方法を最適
化するために、様々なガスの流量、プラズマに結合され
る電磁パワー、および基板衝撃エネルギーが、処理全体
にわたって正確な、かつ一定の値に最適化される。
【００１２】例えば、パターンがシリコンウェハにプラ
ズマエッチングされる場合、活性ガス流量が、適切に定
められ、かつ一定の値に設定され、プラズマに結合され
る電磁パワーが正確な値に合わされ、それと同様に作動
圧力の値およびバイアス電圧が正確な値に合わされて、
基板がイオンによって衝撃を受けるエネルギーを決定す
る。上の値は、処理ステップを通して一定に保たれる。
特にガス流量は正確な値に設定され、圧力は、圧力調整
器システムを使用して所定の値に維持される。圧力調整
器システムは一般に、作動圧力に従動する調整器バルブ
の少なくとも１つの下流側ポンプを含むポンプシステム
であり、それにより制御されたガス吸気手段を構成す
る。したがって、必要なガス流量とは関係なく、圧力調
整器バルブが設定され、それにより反応チャンバの必要
な作動圧力を得る。
【００１３】上の制御されたガス吸気手段は、ガス流量
がゆっくりと変動する場合には、正常に動作して、圧力
を調整する。しかし、文献ＷＯ９４／１４１８７による
エッチング方法では、十分に整然としたキャビティ側面
を達成するために、十分に高い周波数でエッチングステ
ップと保護層生成ステップとを交互に繰り返すことによ
って、エッチングステップだけでなく保護層生成ステッ
プも最適化する必要がある場合に生じる可能性がある変
動など、ガス流量の高速の変動に効率良く追従すること
ができないことは明らかである。例えば、交互の段階
が、約３秒の期間のエッチング段階と、約１秒の期間の
保護層生成段階とを含むことが有益である場合がある。
エッチングステップ中のガス流量が、保護層生成ステッ
プ中のガス流量と異なる場合、制御された調整バルブの
機械的慣性が、この速さで変動を追従することができな
い。
【００１４】制御された調整器バルブの機械的慣性は、
２つの連続する短い処理ステップを最適化するために、
２つの連続する異なる値にガス圧力を急速に設定するこ
とも可能でない。
【００１５】他の問題は、真空エンクロージャ内部のガ
ス圧力が、２つの連続するステップ間で変化する場合、
これが、基板に接続された制御された衝撃エネルギー発
生装置によって見られるプラズマのインピーダンスの変
動を生み、そのため処理の整然さを保証するように、衝
撃エネルギーを効率良く制御することがもはや可能でな
くなる。
【００１６】制御された衝撃エネルギー発生装置は一般
に、エネルギー源のインピーダンスをプラズマのインピ
ーダンスにマッチングさせるためのインピーダンスアダ
プタに結合されている。
【００１７】インピーダンスアダプタは、プラズマのイ
ンピーダンスの遅い変動に追従することができ、そのた
めに、コンデンサ極板を互いに機械的に動かすことによ
って静電容量が変化する可変コンデンサを備える。しか
し、上の種類のデバイスは、高速のインピーダンス変
動、すなわち１Ｈｚ程度の周波数で生じる変動に追従す
ることができない。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明に
よって取り組まれる問題は、基板のイオン衝撃を制御し
調整するための手段に影響することなく、真空エンクロ
ージャ内の活性ガスの流れを、基板の真空処理のために
急速に変化させることができる方法およびシステムを考
案することである。
【００１９】本発明の他の目的は、圧力調整器バルブを
採用する従来の制御されたガス吸気手段を使用し、しか
し活性ガス流量を急速に変化させることを可能にする、
真空エンクロージャ内での制御された圧力を得るための
手段を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上述およびその他の目的
を達成するために、本発明のプラズマ真空基板処理方法
では、制御された活性ガス注入手段を介して注入され、
制御されたガス吸気手段を介して排気される活性ガスを
含んでいる真空エンクロージャ内に、基板が配置され、
活性ガスはプラズマ発生手段によってイオン化され、基
板は、制御された衝撃エネルギー発生装置によって生成
された電気衝撃エネルギーを受け取り、さらにこの方法
は、制御されたガス吸気手段の真空エンクロージャ内の
ガス圧力を調整する能力よりも大きい変動率での、注入
される活性ガスの流れの少なくとも１回の変動シーケン
スを含み、制御された衝撃エネルギー発生装置によって
見られるプラズマのインピーダンスが、活性ガス注入流
れ変動シーケンス中に、補助補償手段によってほぼ一定
のレベルに維持される。
【００２１】本発明の有利な実施形態では、制御された
衝撃エネルギー発生装置によって見られるプラズマのイ
ンピーダンスが、真空エンクロージャ内に注入されるガ
スの総流量をほぼ一定に維持するような、真空エンクロ
ージャへの少なくとも一種類の受動制御ガスの制御され
た注入によって、ほぼ一定に維持される。
【００２２】イオン化されるのを防ぐために、受動制御
ガスは、制御されたガス吸気手段に近接する領域で真空
エンクロージャ内に注入されることが好ましい。
【００２３】第１の適用例では、この方法は、第１の注
入流量で活性ガスを注入するステップと、第１の注入流
量とは異なる第２の注入流量で活性ガスを注入するステ
ップとの連続を含み、ステップの少なくともいくつか
が、制御されたガス吸気手段の反応時間よりも短い。
【００２４】基板に伝達される衝撃パワーは、ステップ
ごとに異なる場合がある。
【００２５】この方法は、基板、例えばシリコンベース
基板のエッチングに適用することができる。この場合、
第１の活性ガスが、第１の時間期間中第１の流量でのＳ
Ｆ６であるエッチングステップと、第２の活性ガスが、
第２の時間期間中第２の流量でのＣ４Ｆ８であり、窒素
やアルゴンなど補完流量の受動制御ガスを同時に注入す
る保護層生成ステップとの、交互の短いステップの連続
を使用するのが有利である。
【００２６】そうではなく、この方法を、基板上に堆積
物を堆積するために適用することもできる。
【００２７】上のような方法を実施するための本発明の
プラズマ真空基板処理システムは、真空エンクロージャ
と、真空エンクロージャ内にガスを注入するための制御
された活性ガス注入手段と、真空エンクロージャ外にガ
スを吸気するための制御されたガス吸気手段と、真空エ
ンクロージャにおけるプラズマ発生手段と、真空エンク
ロージャ内で基板を支持するための基板支持手段と、基
板支持手段上に配置された基板に、適切なレベルの衝撃
エネルギーを伝達するように構成された制御された衝撃
エネルギー発生装置と、ガス進入流量が変動する場合
に、制御された衝撃エネルギー発生装置によって見られ
るプラズマのインピーダンスをほぼ一定に維持するた
め、およびガス吸気流量をほぼ一定に維持するための補
助補償手段とを備える。
【００２８】有利な実施形態では、補助補償手段が、真
空エンクロージャ内への少なくとも一種類の受動制御ガ
スの制御された注入を行うための手段を含む。
【００２９】制御された受動制御ガスの注入手段は、制
御されたガス吸気手段の近傍にある真空エンクロージャ
の領域内に、受動制御ガスを注入するように構成されて
いることが好ましい。
【００３０】システムは、真空エンクロージャ内に注入
されるガスの総流量をほぼ一定に維持するために、制御
された受動制御ガスの注入手段を制御するための制御手
段を含むことが有利である。
【００３１】本発明の他の目的、特徴および利点は、添
付の概略図面を参照して行う、本発明の特定の実施形態
についての以下の説明から明らかになる。
【００３２】
【発明の実施の形態】図１に示される実施形態では、プ
ラズマ真空基板処理システムは、真空エンクロージャ１
と、真空エンクロージャ１内にガスを注入するための制
御された活性ガス注入手段２と、真空エンクロージャ１
外にガスを吸気するための制御されたガス吸気手段３と
を含む。
【００３３】制御された活性ガス注入手段２は、真空エ
ンクロージャ１の頂部５に接続され、第１の活性ガス供
給機構６からの第１の活性ガスＧ１と、第２の活性ガス
供給機構７からの第２の活性ガスＧ２とを受け取る活性
ガス供給パイプ４を含み、各活性ガス供給機構は、それ
ぞれ流量計８、９に結合されている。
【００３４】また、真空エンクロージャ１の頂部５は、
励磁インピーダンスアダプタ１２を介して励磁巻線１３
に接続された高周波励磁発生装置１１を含むプラズマ発
生手段１０を含む。プラズマ発生手段１０は、真空エン
クロージャ１の頂部内でガスをイオン化して、プラズマ
を形成する。
【００３５】真空エンクロージャ１の底部１４内にある
基板支持機構１５は、処理される基板１６を支持する。
基板１６は、プラズマを含む頂部５に面している。基板
支持機構１５は、衝撃インピーダンスアダプタ１８を介
して、制御された衝撃エネルギー発生装置１７に電気的
に接続される。
【００３６】制御されたガス吸気手段３は、吸気口が、
圧力制御されたバルブ２０を介して真空エンクロージャ
１の底部１４に接続されている、ガスポンピング手段１
９を含む。圧力制御されたバルブ２０は、真空エンクロ
ージャ１内部の圧力を検知するよう構成された圧力ゲー
ジ１２１から情報を受け取る、図示しない制御デバイス
によって制御される。
【００３７】本発明のシステムはさらに、活性ガス供給
パイプ４を介して供給されるガスの進入流量に変動があ
る場合に、制御された衝撃エネルギー発生装置１７によ
って見られるプラズマのインピーダンスを一定に維持す
るため、および圧力制御されたバルブ２０を介して吸気
されるガスのほぼ一定の流量を維持するための補助補償
手段を含む。
【００３８】示される実施形態では、補助補償手段は、
制御された制御ガス注入手段２１を含む。制御された制
御ガス注入手段２１は、制御ガス供給機構２２と、制御
流量計２３と、例えば制御されたガス吸気手段３の近傍
の真空エンクロージャの領域２５に、制御ガスＧ３を注
入するための補助パイプ２４とを含む。
【００３９】流量計８、９、および２３はそれぞれ、活
性ガスＧ１、Ｇ２、および制御ガスＧ３の入力流量を監
視し、このために図面に示されない制御手段によって制
御される。
【００４０】本発明によれば、活性ガス供給パイプ４を
介して入る活性ガスの流量に変動がある場合に、真空エ
ンクロージャ１に注入されるガスの総流量をほぼ一定の
レベルに維持するように、制御手段が、制御ガス注入手
段、すなわち流量計２３を制御するように構成されてい
ることが好ましい。
【００４１】図２は、本発明による調整の一例を示す。
曲線２６は、活性ガス供給パイプ４における第１の活性
ガスＧ１の流量Ｄ１のタイミング図であり、例えば時間
ｔ０からｔ１までの一定の最大流量ステップＤ１、それ
に続く時間ｔ１からｔ２までの最小流量ステップＤ’
１、場合によるとゼロ流量ステップ、その後の時間ｔ２
からｔ３までの最大流量ステップＤ１などを連続して備
える。曲線２７は、第２の活性ガスＧ２の流量Ｄ２のタ
イミング図であり、図中で流量は、時間ｔ０とｔ１の間
では、ゼロである場合がある最小Ｄ’２をとり、時間ｔ
１とｔ２の間ではＤ２に等しい最大をとる。次いで再
び、時間ｔ２とｔ３の間で最小Ｄ’２をとり、以下同様
に続く。
【００４２】時間ｔ０とｔ１の間のステップは、例えば
エッチングステップに対応し、時間ｔ１とｔ２の間のス
テップは、例えば保護層生成ステップに対応する。
【００４３】時間ｔ１とｔ２の間の流量Ｄ２＋Ｄ’１
が、時間ｔ０とｔ１の間の流量Ｄ１＋Ｄ’２よりも小さ
いことに留意されたい。したがって、活性ガス総流量
は、時間ｔ０とｔ１の間でＤ１＋Ｄ’２よりも大きい値
をとり、時間ｔ１とｔ２の間でＤ２＋Ｄ’１よりも小さ
い値をとる。
【００４４】本発明によれば、時間ｔ１とｔ２の間で、
曲線２８によって示されるように、受動制御ガスＧ３
が、（Ｄ１＋Ｄ’２）−（Ｄ２＋Ｄ’１）にほぼ等しい
流量Ｄ３で制御された制御ガス注入手段２１を介して注
入される。
【００４５】補完受動制御ガスＧ３により、使用される
交互の活性ガスＧ１とＧ２の流量とは無関係に、真空エ
ンクロージャ１に入るガス総流量が、ほぼ一定に維持さ
れる。その結果、真空エンクロージャ１内部のガス圧力
がほぼ一定になり、同様にプラズマのインピーダンスも
ほぼ一定になる。したがって、衝撃インピーダンスアダ
プタ１８が正常に動作して、制御された衝撃エネルギー
を基板１６に伝え、圧力制御されたバルブ２０が正常に
動作して、真空エンクロージャ１の内部の圧力をゆっく
りと制御する。
【００４６】制御されたガス吸気手段３の近傍の真空エ
ンクロージャ１の領域２５に、受動制御ガスＧ３を供給
することによって、制御ガスは、プラズマ内でイオン化
されるのを防止され、そのため基板１６の現行処理の結
果にある程度寄与する。
【００４７】したがって、本発明は、１秒程度の時間期
間内で活性ガス流量変動に応答する、プラズマ真空堆積
またはエッチングシステムにおいて使用される圧力制御
およびインピーダンスマッチングシステムの能力が無い
ことを克服する。
【００４８】その結果、図１に示されるように、本発明
のシステムを使用して、連続する処理ステップ中に異な
るガス流量Ｇ１とＧ２を選択し、各ステップを最適化す
ることができる。
【００４９】本発明のプラズマ真空基板処理方法では、
真空エンクロージャ１内のガス圧力を調整するために、
全活性ガス注入流れが、少なくともある時間に制御され
たガス吸気手段３の能力よりも大きい率で突然変化す
る。そのような活性ガス注入流れ変動は、例えば図２に
おける時間ｔ１、ｔ２、またはｔ３で生じる。制御され
た制御ガス注入装置手段２１からなる補助補償手段は、
制御された衝撃エネルギー発生装置１７およびその衝撃
インピーダンスアダプタ１８によって見られるプラズマ
のインピーダンスをほぼ一定に維持する。
【００５０】制御された衝撃エネルギー発生装置１７に
よって見られるプラズマのインピーダンスは、真空エン
クロージャ１内への少なくとも一種類の受動制御ガスＧ
３の制御された注入を行うことによって、ほぼ一定に維
持されて、真空エンクロージャ１内部でほぼ一定のガス
圧力を維持する。
【００５１】本発明の方法の一適用例は、例えば基板１
６をエッチングすることにある。シリコンベース基板１
６をエッチングする際、第１の活性ガスＧ１が、第１の
時間期間Ｔ１＝ｔ１−ｔ０中第１の流量Ｄ１での六フッ
化硫黄ＳＦ６であるエッチングステップと、第２の活性
ガスＧ２が、第２の時間期間Ｔ２＝ｔ２−ｔ１中第２の
流量Ｄ２でのＣ４Ｆ８であり、窒素やアルゴンなど補完
流量Ｄ３＝Ｄ１−Ｄ２の受動制御ガスＧ３の注入をとも
なう保護層生成ステップとを、交互に含む短いステップ
の連続を使用することが可能である。例えば、Ｄ１＝３
００ＳｃｃｍのＳＦ６、３秒間であり、Ｄ２＝２００Ｓ
ｃｃｍのＣ４Ｆ８、１秒間である。Ｄ３＝１００Ｓｃｃ
ｍであり、流量Ｄ２と同時である。
【００５２】当然、本発明では、処理すべき基板の性質
および処理のタイプに応じて、他の活性ガス、他の受動
ガス、他の期間およびガス流量パラメータを選択するこ
とができる。
【００５３】本発明によるシステムの速い適応性によ
り、活性ガス流量が異なる連続処理ステップを迅速に交
互に繰り返すことが可能である。また、同じ活性ガスの
流量を迅速に変化させることも可能である。
【００５４】本発明は、エッチングにも堆積にも等しく
適用できる。
【００５５】図３および４は、本発明による方法のエッ
チングへの一適用例を示す。
【００５６】図３は、保護層を生成するステップを示
す。マスク１１６によって部分的に覆われた基板１６
は、マスク１１６によって覆われていない領域にキャビ
ティ２１６をすでに組み込んでいる。保護層を生成する
ステップ中、パッシベーションガスが、水平表面だけで
なく、キャビティ２１６の底部４１６および側面５１６
を含めた上面全体にわたって保護層３１６を生成する。
【００５７】図４に示されるエッチングステップ中、キ
ャビティ２１６の底部４１６に向かう方向への方向性イ
オン衝撃が、次第に底部４１６を下げる。保護層３１６
は側面５１６に依然として存在する。しかし、底部４１
６の高さが下がった結果、側面５１６の下端部６１６
は、保護層３１６がない。そのため、短いエッチングス
テップ（図４）と短い保護層生成ステップ（図３）を交
互に繰り返し、それにより十分に高い周波数、例えば１
Ｈｚ程度の周波数で動作するようにする必要がある。
【００５８】本発明は、例示的に説明した実施形態に限
定されず、当業者に明らかな変形例および一般化を含
む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ真空基板処理システムの第１
の実施形態を示す図である。
【図２】本発明のプラズマ真空基板処理方法の一実施形
態において、真空チャンバに供給される様々なガスの流
量の変動を示すタイミング図である。
【図３】本発明の方法の、基板のエッチングへの適用を
示す基板の横断面図である。
【図４】本発明の方法の、基板のエッチングへの適用を
示す基板の横断面図である。
【符号の説明】
１ 真空エンクロージャ ２ 制御された活性ガス注入手段 ３ 制御されたガス吸気手段 ４ 活性ガス供給パイプ ５ 頂部 ６、７ 活性ガス供給機構 ８、９ 流量計 １０ プラズマ発生手段 １１ 高周波励磁発生装置 １２ 励磁インピーダンスアダプタ １３ 励磁巻線 １４ 底部 １５ 基板支持機構 １６ 基板 １７、１８ 制御された衝撃エネルギー発生装置 １９ ガスポンピング手段 ２０ 圧力制御されたバルブ ２１ 補助補償手段 ２２ 制御ガス供給機構 ２３ 制御流量計 ２４ 補助パイプ １２１ 圧力ゲージ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマ真空基板処理方法であって、 制御された活性ガス注入手段（２）を介して注入され、
    制御されたガス吸気手段（３）を介して排気される活性
    ガスを含んでいる真空エンクロージャ（１）内に基板
    （１６）が配置され、活性ガスはプラズマ発生手段（１
    ０）によってイオン化され、基板（１６）は、制御され
    た衝撃エネルギー発生装置（１７、１８）によって生成
    される電気衝撃エネルギーを受け取り、 制御されたガス吸気手段（３）の真空エンクロージャ
    （１）内のガス圧力を調整する能力よりも大きい変動率
    での、注入される活性ガスの流れの少なくとも１回の変
    動シーケンスを含み、 制御された衝撃エネルギー発生装置（１７、１８）によ
    って見られるプラズマのインピーダンスが、活性ガス注
    入流れ変動シーケンス中に、補助補償手段（２１）によ
    ってほぼ一定に維持されることを特徴とするプラズマ真
    空基板処理方法。
  2. 【請求項２】 制御された衝撃エネルギー発生装置（１
    ７、１８）によって見られるプラズマのインピーダンス
    が、真空エンクロージャ（１）内に注入されるガスの総
    流量をほぼ一定に維持するような、真空エンクロージャ
    （１）への少なくとも一種類の受動制御ガス（Ｇ３）の
    制御された注入によって、ほぼ一定に維持されることを
    特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 イオン化されるのを防ぐために、受動制
    御ガス（Ｇ３）が、制御されたガス吸気手段（３）に近
    接する領域（２５）で真空エンクロージャ（１）内に注
    入されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 第１の注入流量（Ｄ１）で活性ガスを注
    入するステップと、第１の注入流量（Ｄ１）とは異なる
    第２の注入流量（Ｄ２）で活性ガスを注入するステップ
    との連続を含み、前記ステップの少なくともいくつか
    が、制御されたガス吸気手段（３）の反応時間よりも短
    いことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】 基板（１６）に伝達される衝撃パワー
    が、ステップごとに異なることを特徴とする請求項４に
    記載の方法。
  6. 【請求項６】 基板（１６）のエッチングに適用される
    ことを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載
    の方法。
  7. 【請求項７】 シリコンベース基板（１６）をエッチン
    グするために、第１の活性ガス（Ｇ１）が、第１の時間
    期間（Ｔ１）中第１の流量（Ｄ１）でのＳＦ ６であるエ
    ッチングステップと、第２の活性ガス（Ｇ２）が、第２
    の時間期間（Ｔ２）中第２の流量（Ｄ２）でのＣ４Ｆ８
    であり、窒素やアルゴンなど補完流量（Ｄ３＝Ｄ１−Ｄ
    ２）の受動制御ガス（Ｇ３）を同時に注入する保護層生
    成ステップとを含む、交互の短いステップの連続が使用
    されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 基板（１６）上に堆積物を堆積するため
    に適用されることを特徴とする請求項１から５のいずれ
    か一項に記載の方法。
  9. 【請求項９】 プラズマ真空基板（１６）処理システム
    であって、 真空エンクロージャ（１）と、 真空エンクロージャ（１）内にガスを注入するための制
    御された活性ガス注入手段（２）と、 真空エンクロージャ（１）外にガスを吸気するための制
    御されたガス吸気手段（３）と、 真空エンクロージャ（１）内のプラズマ発生手段（１
    ０）と、 真空エンクロージャ（１）内で基板（１６）を支持する
    ための基板支持手段（１５）と、 基板支持手段（１５）上に配置された基板（１６）に、
    適切なレベルの衝撃エネルギーを伝達するように構成さ
    れた制御された衝撃エネルギー発生装置（１７）とを含
    み、 さらに、ガス進入流量の変動がある場合に、制御された
    衝撃エネルギー発生装置（１７）によって見られるプラ
    ズマのインピーダンスをほぼ一定に維持するため、およ
    びガス吸気流量をほぼ一定に維持するための補助補償手
    段（２１）を含むことを特徴とするプラズマ真空基板
    （１６）処理システム。
  10. 【請求項１０】 補助補償手段が、真空エンクロージャ
    （１）への少なくとも一種類の受動制御ガスの制御され
    た注入を行うための手段（２１）を含むことを特徴とす
    る請求項９に記載のシステム。
  11. 【請求項１１】 制御された受動制御ガスの注入手段
    （２１）が、制御されたガス吸気手段（３）の近傍にあ
    る真空エンクロージャ（１）の領域（２５）に、受動制
    御ガスを注入するように構成された請求項１０に記載の
    システム。
  12. 【請求項１２】 真空エンクロージャ（１）に注入され
    るガスの総流量をほぼ一定に維持するために、制御され
    た受動制御ガスの注入手段（２１）を制御するための制
    御手段を含むことを特徴とする請求項９から１１のいず
    れか一項に記載のシステム。
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