JP2006503425A - 基板に構造を異方性エッチングするためのプラズマ装置及び方法 - Google Patents
基板に構造を異方性エッチングするためのプラズマ装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006503425A JP2006503425A JP2004543938A JP2004543938A JP2006503425A JP 2006503425 A JP2006503425 A JP 2006503425A JP 2004543938 A JP2004543938 A JP 2004543938A JP 2004543938 A JP2004543938 A JP 2004543938A JP 2006503425 A JP2006503425 A JP 2006503425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- passivating
- plasma
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
DE4241045 C1からシリコンの高率プラズマエッチングのため方法が公知であり、この場合交互にエッチングされ、及びエッチングされた構造の側壁にテフロン性のポリマーが堆積され、前記ポリマーは側壁をその後に引き続くエッチング工程の場合にエッチングの攻撃から保護する。エッチングガスとしてはプラズマ中でフルオロラジカルを提供するガス、例えばSF6、NF3又はClF3が使用される。パッシベートガスとしてはプラズマ中でテフロンを形成するモノマーを提供するガス、例えばC4F8又はC3F6が使用される。この方法は、優れた、構造の精確さ及び単純なマスク材料、例えばフォトレジスト又はSiO2に対する選択性で、20μm/分までのエッチング率を可能にする。
本発明による方法及び本発明によるプラズマ装置は殊に基板としてのシリコンの異方性エッチングの場合に、同時に高い断面形状制御及び殊に更に高いマスク選択性で、先行技術に対してより高いエッチング率の利点を有する。
本発明は図面に基づいて、及び以下の記載において詳細に説明される。図1は一番目の実施例の枠内のプラズマ装置の原理を示すスケッチ、及び図2は二番目の実施例の枠内の、改良されたガス供給制御装置を有する図1からの抜粋を示す。
図1はエッチングチャンバー12及びプラズマ供給源19を有するプラズマ装置5を示し、例えばこれはDE10051831 A1から一般に公知である。殊にプラズマ供給源19の下方に、2つの、運転の際に対になって、電流が逆方向に流れるコイル(上のコイル14及び下のコイル13)並びに例えば“スペーサー”又はディスタンスリングによって調整されるドリフトゾーンを有するイオンディスクリミネーターが、プラズマ供給源19の範囲内においてエッチングチャンバー12中で発生させられたプラズマ22の、基板21、例えばシリコンウェハ(これは有利には基板電極20の上にある)に向けた拡散のためにある。基板電極20は更に第1のインピーダンス整合装置11(第1の“マッチングボックス”)を介して基板バイアス発生装置10に接続している。プラズマ供給源19は有利にはコイル18を有する誘導結合プラズマ供給源であり、前記プラズマ供給源19は2番目のインピーダンス整合装置(第2の“マッチングボックス”)を介してコイル発生装置15と接続している。最後にエッチングチャンバーは性能のよい、図1に単に概略のみ示されたポンプ装置31を有し、前記ポンプ装置31によってエッチングチャンバー12は真空にすることが可能である。プラズマ装置5の構造及び運転のための更なる詳細はまず第1にDE10051831 A1が参照される。
Claims (20)
- エッチングチャンバー(12)中に配置された基板(21)に構造を、殊にシリコン基板にエッチングマスクによって定義された構造を、プラズマ(22)を用いて異方性エッチングする際に、少なくとも一時的にエッチングガス及び少なくとも一時的にパッシベートガスを使用する方法において、パッシベートガスはエッチングチャンバー(12)に周期的に供給され、この場合パッシベートガスサイクルは0.05秒〜1秒の時間的な長さを有することを特徴とする、異方性エッチングするための方法。
- それぞれのパッシベートガスサイクルは殊に0.1秒〜0.5秒の同一の時間的な長さを有することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- エッチングガスもまたエッチングチャンバー(12)に周期的に供給され、この場合それぞれのエッチングガスサイクルは1秒〜15秒、殊に2秒〜7秒の時間的な長さを有することを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
- エッチングガス及びパッシベートガスは、別々に、相互に独立して制御されるエッチング工程及びパッシベート工程の間に交互に使用され、この場合パッシベートガスはエッチングチャンバー(12)にパッシベート工程の間だけで少なくとも十分に、及びエッチングガス、殊にSF6は、エッチングチャンバー(12)にエッチング工程の間だけで少なくとも十分に供給されることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- パッシベートガスとしては、C4F8、C3F6、C4F6、C5F8又はC2H2F2のグループから選択されたガス又はこれらのガスの少なくとも1種類を有するガス混合物が使用されることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 別々の、交互に連続するエッチング工程及びパッシベート工程において異方性エッチングが行われ、この場合パッシベートガスによってパッシベート工程の間に、構造の、エッチングマスクによって定義された側面に殊にテフロン性のポリマーが堆積され、前記ポリマーは引き続くエッチング工程の間に少なくとも部分的に再び除去され、及び形成された構造のより深部に再堆積されることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- パッシベート工程の期間はエッチング工程の期間の10分の1〜30分の1に調節されることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 少なくとも活性種1012/cm3を有する高密度プラズマ(22)が発生され、かつ少なくとも一時的にエッチング工程の間に、CWモードにおいて又は時間的な平均値において、殊に1eV〜100eVのイオンエネルギーで、殊に基板(21)のパルスイオン照射が行われることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 個々のパッシベート工程の間にパッシベートガスに関するそのつど使用された量はエッチングの進行とともに連続的に、又は徐々に減少されることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- エッチングチャンバー(12)と、プラズマ供給源(19)と、エッチングチャンバー(12)への、エッチングガスの少なくとも一時的な供給及びパッシベートガスの少なくとも一時的な供給のための手段(17、23、24、25、26、27、28、29、30)とを有し、前記エッチングチャンバー(12)中にはプラズマ装置(5)の運転の場合に基板(21)は殊に基板電極(20)の上に配置されており、かつ前記プラズマ供給源(19)によって基板(21)に作用するプラズマ(22)が発生可能である、基板(21)に構造を、殊にシリコン基板にエッチングマスクによって定義された構造を異方性エッチングするためのプラズマ装置において、手段(17、23、24、25、26、27、28、29、30)は、パッシベートガスがエッチングチャンバー(12)に周期的に供給可能で、この場合パッシベートガスサイクルは0.05秒〜1秒の時間的な長さを有するように構成されていることを特徴とする、プラズマ装置。
- 手段(17、23、24、25、26、27、28、29、30)はエッチングガス及びパッシベートガスが、別々の、相互に独立して制御されるエッチング工程及びパッシベート工程の間に、エッチングチャンバー(12)に交互に供給されるように構成されていて、かつ、エッチングチャンバー(12)の真空化のためのポンプ装置(31)は、エッチングチャンバー(12)はエッチング工程の間に少なくともプラズマ供給源(19)がエッチングガスに作用する範囲内で少なくとも近似的にパッシベートガスを有さず、及びエッチングチャンバー(12)はパッシベート工程の間に少なくともプラズマ供給源(19)がパッシベートガスに作用する範囲内で少なくとも近似的にエッチングガスを有さないように設けられていることを特徴とする、請求項10記載のプラズマ装置。
- パッシベートガス導管(25)及びそれとは異なるエッチングガス導管(26)が設けられていて、前記パッシベートガス導管及びエッチングガス導管はそのつどエッチングチャンバー(12)へと直接開口するか又は、パッシベートガス導管(25)及びそれとは異なるエッチングガス導管(26)が設けられていて、前記パッシベートガス導管及びエッチングガス導管はエッチングチャンバー(12)のすぐ前に、殊に20cmよりも短い距離をおいてエッチングチャンバー(12)へ導く供給導管(23)へ開口することを特徴とする、請求項10又は11記載のプラズマ装置。
- パッシベートガス導管(25)はエッチングチャンバー(12)の前に、又は接続された緩衝タンク(24)及びこの後ろに取り付けられた早く切り替えるパッシベートガス弁(28)を有するパッシベートガス導管(25)の、供給導管(23)への開口前に取り付けられていることを特徴とする、請求項10から12までのいずれか1項記載のプラズマ装置。
- エッチングガス弁(27)を有するエッチングガス導管(26)が取り付けられていて、前記エッチングガス弁によってエッチングチャンバー(12)へのエッチングガスの供給はエッチングチャンバー(12)へのパッシベートガスの供給の殊にすぐ前で中断可能であることを特徴とする、請求項10から13までのいずれか1項記載のプラズマ装置。
- エッチングガス弁(27)及び/又はパッシベートガス弁(28)は、エッチングガス導管(26)及び/又はパッシベートガス導管(25)の、エッチングチャンバー(12)又は供給導管(23)への開口のすぐ前に、殊に20cmよりも短い距離をおいて配置されていることを特徴とする、請求項10から14までのいずれか1項記載のプラズマ装置。
- エッチングガス弁(27)及びパッシベートガス弁(28)は1つの切り替え弁に統一されていて、前記切り替え弁によって選択的にエッチングガス導管(26)又はパッシベートガス導管(25)はエッチングチャンバー(12)と、ガスが通過するように接続可能であることを特徴とする、請求項10から15までのいずれか1項記載のプラズマ装置。
- 緩衝タンクは0.1リットル〜1リットルの体積を有することを特徴とする、請求項13記載のプラズマ装置。
- 殊に誘導結合プラズマ供給源(19)が設けられていて、エッチングチャンバー(12)は少なくともプラズマ供給源(19)の範囲内で5cm〜20cmの内径を有し、従ってプラズマ装置(5)の運転及びプラズマ供給源(19)の給電の場合に、高圧発生装置(15)を介してエッチングチャンバー(12)の内部においてプラズマ供給源(19)の範囲内で又は基板(21)の場所において5ワット/cm2よりも高く、殊に15ワット/cm2よりも高い面積当たりの出力が達成可能であることを特徴とする、請求項10から17までのいずれか1項記載のプラズマ装置。
- プラズマ供給源(19)及び基板(21)の間には、少なくとも1つの、エッチングチャンバー(12)を囲むコイル(13、14)、殊に少なくとも2つの、エッチングチャンバー(12)の外側を囲み、運転の際に対になって、電流が逆方向に流れる上下に配置されたコイル(13、14)が設けられていることを特徴とする、請求項10から18までのいずれか1項記載のプラズマ装置。
- 請求項1から9までのいずれか1項記載の方法が実施可能であることを特徴とする、請求項10から19までのいずれか1項記載のプラズマ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10247913A DE10247913A1 (de) | 2002-10-14 | 2002-10-14 | Plasmaanlage und Verfahren zum anisotropen Einätzen von Strukturen in ein Substrat |
DE10247913.5 | 2002-10-14 | ||
PCT/DE2003/002971 WO2004036627A2 (de) | 2002-10-14 | 2003-09-09 | Plasmaanlage und verfahren zum anisotropen einätzen von strukturen in ein substrat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006503425A true JP2006503425A (ja) | 2006-01-26 |
JP5162079B2 JP5162079B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=32038678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004543938A Expired - Fee Related JP5162079B2 (ja) | 2002-10-14 | 2003-09-09 | 基板に構造を異方性エッチングするためのプラズマ装置及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7855150B2 (ja) |
EP (1) | EP1554747B1 (ja) |
JP (1) | JP5162079B2 (ja) |
DE (2) | DE10247913A1 (ja) |
WO (1) | WO2004036627A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012819A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
JP2008091625A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給機構および処理ガス供給方法ならびにガス処理装置 |
JP2008205183A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2016103658A (ja) * | 2016-02-10 | 2016-06-02 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング装置 |
JP2016528723A (ja) * | 2013-07-02 | 2016-09-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ダイの破壊強度を高め、側壁を平滑化するためのレーザスクライビング及びプラズマエッチング |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7708859B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
KR100745957B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
WO2008007944A1 (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Technische Universiteit Eindhoven | Method and device for treating a substrate by means of a plasma |
EP1936656A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-25 | Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Plasma generator and method for cleaning an object |
DE102008040597A1 (de) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit Rückvolumen |
US8273663B2 (en) * | 2009-11-09 | 2012-09-25 | 3M Innovative Properties Company | Process for anisotropic etching of semiconductors |
KR20120095411A (ko) * | 2009-11-09 | 2012-08-28 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 반도체 식각 방법 |
RU2456702C1 (ru) * | 2011-03-16 | 2012-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум" | Способ плазмохимического травления материалов микроэлектроники |
CN104743503B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-06-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 深硅刻蚀工艺匹配方法、系统和设备 |
RU2691758C1 (ru) * | 2018-08-17 | 2019-06-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН) | Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267226A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
JPH06314660A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成法及びその装置 |
JPH10144654A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-05-29 | Surface Technol Syst Ltd | 半導体基盤の表面処理方法 |
JP2000323454A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-24 | Alcatel | 基板の異方性エッチング方法 |
WO2000079579A2 (de) * | 1999-06-18 | 2000-12-28 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum hochratenätzen eines substrates mit einer plasmaätzanlage und vorrichtung und verfahren zum zünden eines plasmas und hochregeln oder pulsen der plasmaleistung |
JP2001505001A (ja) * | 1997-08-21 | 2001-04-10 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | シリコンの異方性エッチングのための方法 |
JP2001127049A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-05-11 | Alcatel | プラズマ真空基板処理方法およびシステム |
JP2002009058A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
US20020046987A1 (en) * | 2000-10-19 | 2002-04-25 | Klaus Breitschwerdt | Device and method for etching a substrate by using an inductively coupled plasma |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03193880A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマcvdによる高速成膜方法及びその装置 |
EP0552491B1 (en) * | 1992-01-24 | 1998-07-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch process and plasma processing reactor |
DE4241045C1 (de) * | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
DE4317623C2 (de) * | 1993-05-27 | 2003-08-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zum anisotropen Plasmaätzen von Substraten und dessen Verwendung |
DE19539078A1 (de) | 1995-10-20 | 1997-04-24 | Mann & Hummel Filter | Saugrohr |
US5683548A (en) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Inductively coupled plasma reactor and process |
EP1357584A3 (en) * | 1996-08-01 | 2005-01-12 | Surface Technology Systems Plc | Method of surface treatment of semiconductor substrates |
DE19706682C2 (de) * | 1997-02-20 | 1999-01-14 | Bosch Gmbh Robert | Anisotropes fluorbasiertes Plasmaätzverfahren für Silizium |
US6919168B2 (en) * | 1998-01-13 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Masking methods and etching sequences for patterning electrodes of high density RAM capacitors |
US6071822A (en) * | 1998-06-08 | 2000-06-06 | Plasma-Therm, Inc. | Etching process for producing substantially undercut free silicon on insulator structures |
DE19826382C2 (de) * | 1998-06-12 | 2002-02-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
JP2000009037A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-11 | Fujitsu Ltd | 排気装置及び排気方法 |
US6635335B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Etching methods and apparatus and substrate assemblies produced therewith |
DE19933841A1 (de) | 1999-07-20 | 2001-02-01 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas |
DE10051831A1 (de) * | 1999-07-20 | 2002-05-02 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas |
DE19933842A1 (de) | 1999-07-20 | 2001-02-01 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas |
US6890863B1 (en) * | 2000-04-27 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Etchant and method of use |
US6712983B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-03-30 | Memsic, Inc. | Method of etching a deep trench in a substrate and method of fabricating on-chip devices and micro-machined structures using the same |
US6846745B1 (en) * | 2001-08-03 | 2005-01-25 | Novellus Systems, Inc. | High-density plasma process for filling high aspect ratio structures |
JP2003246023A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-02 | Toray Ind Inc | 積層ポリエステルフィルムおよびその製造方法 |
-
2002
- 2002-10-14 DE DE10247913A patent/DE10247913A1/de not_active Ceased
-
2003
- 2003-09-09 EP EP03753277A patent/EP1554747B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-09 WO PCT/DE2003/002971 patent/WO2004036627A2/de active IP Right Grant
- 2003-09-09 JP JP2004543938A patent/JP5162079B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-09 DE DE50304886T patent/DE50304886D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-09 US US10/530,612 patent/US7855150B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267226A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
JPH06314660A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成法及びその装置 |
JPH10144654A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-05-29 | Surface Technol Syst Ltd | 半導体基盤の表面処理方法 |
JP2001505001A (ja) * | 1997-08-21 | 2001-04-10 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | シリコンの異方性エッチングのための方法 |
JP2000323454A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-24 | Alcatel | 基板の異方性エッチング方法 |
WO2000079579A2 (de) * | 1999-06-18 | 2000-12-28 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum hochratenätzen eines substrates mit einer plasmaätzanlage und vorrichtung und verfahren zum zünden eines plasmas und hochregeln oder pulsen der plasmaleistung |
JP2001127049A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-05-11 | Alcatel | プラズマ真空基板処理方法およびシステム |
JP2002009058A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
US20020046987A1 (en) * | 2000-10-19 | 2002-04-25 | Klaus Breitschwerdt | Device and method for etching a substrate by using an inductively coupled plasma |
WO2002033728A1 (de) * | 2000-10-19 | 2002-04-25 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum ätzen eines substrates mittels eines induktiv gekoppelten plasmas |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012819A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
JP2008091625A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給機構および処理ガス供給方法ならびにガス処理装置 |
JP2008205183A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2016528723A (ja) * | 2013-07-02 | 2016-09-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ダイの破壊強度を高め、側壁を平滑化するためのレーザスクライビング及びプラズマエッチング |
JP2016103658A (ja) * | 2016-02-10 | 2016-06-02 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060141794A1 (en) | 2006-06-29 |
JP5162079B2 (ja) | 2013-03-13 |
US7855150B2 (en) | 2010-12-21 |
DE10247913A1 (de) | 2004-04-22 |
WO2004036627A3 (de) | 2004-07-22 |
EP1554747A2 (de) | 2005-07-20 |
WO2004036627A2 (de) | 2004-04-29 |
DE50304886D1 (de) | 2006-10-12 |
EP1554747B1 (de) | 2006-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5162079B2 (ja) | 基板に構造を異方性エッチングするためのプラズマ装置及び方法 | |
CN102768933B (zh) | 用于蚀刻的方法 | |
TWI578381B (zh) | 用於蝕刻基板之方法 | |
TWI538045B (zh) | 基材蝕刻系統與製程之方法及設備 | |
US9070633B2 (en) | Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive coupled plasma reactor | |
TWI389192B (zh) | 具快速氣體切換能力之氣體分佈系統 | |
US6924235B2 (en) | Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discrete gas switching method | |
US20100308014A1 (en) | Method and apparatus for etching | |
JP2018536981A (ja) | 原子レベル分解能及びプラズマ処理制御のための方法 | |
JP2015088751A (ja) | 低減されたトリミングレートで炭素含有膜をトリミングする方法 | |
KR20140068055A (ko) | 이중 챔버 구성의 펄스형 플라즈마 챔버 | |
TW201448033A (zh) | 實現反應氣體快速切換的等離子體反應室及其方法 | |
WO2022192063A1 (en) | Isotropic silicon nitride removal | |
KR100801614B1 (ko) | Hemt 소자의 게이트 리세스 식각 방법 | |
JP5119622B2 (ja) | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 | |
JP7542451B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100360177B1 (ko) | 반도체 소자의 에칭 공정 제어 방법 | |
Summanwar et al. | Etching Burried Oxide at the Bottom of High Aspect Ratio Structures | |
KR20030039080A (ko) | 실리콘 및 화합물 반도체의 이온빔 식각장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090618 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090916 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090928 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091016 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100802 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100928 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20101203 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120202 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120207 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20120221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120222 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120626 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120928 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |