JP2008010692A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポリシリコンのドライエッチング時に、メインエッチング後のオーバーエッチングとして、側壁保護効果が高いオーバーエッチングを実施後に、スソ取り効果が高いオーバーエッチングを実施する。
【選択図】図5
Description
UHFプラズマエッチング装置の事例である。エッチング処理に利用されるガスはシャワープレート1から導入され、所定の圧力に調圧される。次に、UHF帯高周波電源(図示省略)により発振された周波数450MHzの高周波は同軸ケーブル2,同軸導波管3を介してエッチングチャンバに導入される。前記高周波によって生じる電界でプラズマ4が生成され、ソレノイドコイル5による磁場との相互作用によって、電子サイクロトロン共鳴(ECR:Electron Cyclotron Resonance)を生じ、これによりプラズマの生成密度の空間分布が制御される。
13はエッチングされたが、スソ引き部12は、小さくなったものの残る結果となった。また、酸素流量を2〜3%、臭化水素流量,アルゴン流量を44〜54%、高周波電源9出力を23〜27Wの範囲で変化させても、図3と同様の結果となった。
10…ポリシリコン、11…酸化膜、12…スソ引き部、13…エッチング残り部、14…レジストマスク、15…サイドエッチ。
Claims (3)
- 半導体製造方法において多用されるポリシリコンのドライエッチング方法において、メインエッチング後のオーバーエッチングとして、側壁保護効果が高いオーバーエッチングを実施後に、スソ取り効果が高いオーバーエッチングを実施することを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項1記載のドライエッチング方法において、前記オーバーエッチングは、下地酸化膜の突き抜けを防止しながらスソ引きとサイドエッチの無い形状を得ることを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項1及び2記載のドライエッチング方法において、前記オーバーエッチングは、アルゴン,酸素,臭化水素からなるガスを使用することを特徴とするドライエッチング方法。
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JP2010118371A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ドライエッチング装置のクリーニング方法、ドライエッチング時間の決定方法、及びドライエッチング方法 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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A977 | Report on retrieval |
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