JPH031825B2 - - Google Patents
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- JPH031825B2 JPH031825B2 JP56105468A JP10546881A JPH031825B2 JP H031825 B2 JPH031825 B2 JP H031825B2 JP 56105468 A JP56105468 A JP 56105468A JP 10546881 A JP10546881 A JP 10546881A JP H031825 B2 JPH031825 B2 JP H031825B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、単結晶シリコン、あるいは、ゲート
材料である多結晶シリコンの酸化シリコン
（SiO2）に対する選択エツチングに関するもので
ある。
材料である多結晶シリコンの酸化シリコン
（SiO2）に対する選択エツチングに関するもので
ある。
近年集積回路は微細化の一途をたどり、最近で
は最小寸法が１〜2μｍの超LSIも試作されるに至
つている。この微細加工には、通常平行平板型電
極を有する反応容器に、反応性のガスを導入し被
エツチング材料載置の電極（陰極）に高周波電力
（例えば13.56MHz）を印加することによりグロー
放電を発生させ、電子とイオンの易動度の差によ
り生じる陰極（高周波電力印加の電極）面上の負
電位により、前期グロー放電中の正イオンを加速
して被エツチング物に衝突させ、物理／化学的な
反応を利用した反応性イオンエツチング法
（Reactive Ion Etching；RIE）が用いられてい
る。
は最小寸法が１〜2μｍの超LSIも試作されるに至
つている。この微細加工には、通常平行平板型電
極を有する反応容器に、反応性のガスを導入し被
エツチング材料載置の電極（陰極）に高周波電力
（例えば13.56MHz）を印加することによりグロー
放電を発生させ、電子とイオンの易動度の差によ
り生じる陰極（高周波電力印加の電極）面上の負
電位により、前期グロー放電中の正イオンを加速
して被エツチング物に衝突させ、物理／化学的な
反応を利用した反応性イオンエツチング法
（Reactive Ion Etching；RIE）が用いられてい
る。
第１図は、実際にエツチングに用いられる平行
平板型電極を有するプラズマエツチング装置の概
略図を示すものである。同図において、ガス導入
口５より導入されたエツチングガスは、整合回路
９を介して印加される高周波電力１０により放
電、解離され、プラズマを形成する。そして、上
記した様に、陰極１には負の直流電圧が発生し、
プラズマ中の正イオンはこの電界により加速され
て被エツチング物３に衝突し、エツチングを行う
ものである。一方、陰極１の対向電極２は、反応
容器４と１体化して陽極を形成し、この陽極上の
電位は、プラズマから見て高々20〜30ev程度の
降下電圧しか発生せず、イオン衝撃の効果は、陰
極１上に比較してかなり小さいと考えられる。以
上説明した様に、RIEにおいてはプラズマ中の正
イオン衝撃による指向性を積極的に利用している
ためにアンダカツトなく、垂直なエツチング壁を
もつた微細加工が達成されることになる。しかし
ながら塩素（Cl2）を含むガスによる高濃度不純
物添加の多結晶Sj等のエツチングでは次の様な問
題が生じる。すなわち、第２図ａはレジスト１１
をマスクにして、Ｐ−ドープ多結晶Siを、例えば
CBrF3／Cl2ガスによりエツチングした時のエツ
チング形状を示したものであり、SiO2１５と多
結晶Si１２の界面において、１４示した様なえぐ
れが発生し、さらにオーバエツチングを行うとエ
ツチング壁は逆テーパ状１３にエツチングが進行
することが知られている。IBMのMogab等によ
れば、CF4／Cl2等の混合ガスによる多結晶Siの
エツチングにおいて、主エツチング種は、表面に
吸着し、イオン衝撃によりエネルギを与えられCl
原子であると言われており、かつ、このClとＰ、
As等の不純物を高濃度に添加した多結晶Siの反
応性は極めて大きく、従つて、下地SiO2までエ
ツチングが進行した後、表面に帯在するＣは、表
面拡散により多結晶Siエツヂに達し、この部分を
選択的にエツチングしていくために、同図ａ−１
４に示した様なエグレが発生するものと考えられ
ている。（Ｃ、Ｊ、Mogab他、Ｊ、Vac、Sci、
Tehnol、17(3)、721（1980））また、同図ｂに示し
た様に、レジスト１１と多結晶Si１２の間に熱酸
化膜１７が挿入されている場合には、多結晶Si１
２と前記熱酸化膜１７の界面にもエグレ１８が生
じる。これは、多結晶Siを酸化した時、Ｐの濃度
分布がパイルアツプ現象により、バルグ内に比較
して界面付近が高濃度になつているために、エグ
レが入りやすいものと考えられる。
平板型電極を有するプラズマエツチング装置の概
略図を示すものである。同図において、ガス導入
口５より導入されたエツチングガスは、整合回路
９を介して印加される高周波電力１０により放
電、解離され、プラズマを形成する。そして、上
記した様に、陰極１には負の直流電圧が発生し、
プラズマ中の正イオンはこの電界により加速され
て被エツチング物３に衝突し、エツチングを行う
ものである。一方、陰極１の対向電極２は、反応
容器４と１体化して陽極を形成し、この陽極上の
電位は、プラズマから見て高々20〜30ev程度の
降下電圧しか発生せず、イオン衝撃の効果は、陰
極１上に比較してかなり小さいと考えられる。以
上説明した様に、RIEにおいてはプラズマ中の正
イオン衝撃による指向性を積極的に利用している
ためにアンダカツトなく、垂直なエツチング壁を
もつた微細加工が達成されることになる。しかし
ながら塩素（Cl2）を含むガスによる高濃度不純
物添加の多結晶Sj等のエツチングでは次の様な問
題が生じる。すなわち、第２図ａはレジスト１１
をマスクにして、Ｐ−ドープ多結晶Siを、例えば
CBrF3／Cl2ガスによりエツチングした時のエツ
チング形状を示したものであり、SiO2１５と多
結晶Si１２の界面において、１４示した様なえぐ
れが発生し、さらにオーバエツチングを行うとエ
ツチング壁は逆テーパ状１３にエツチングが進行
することが知られている。IBMのMogab等によ
れば、CF4／Cl2等の混合ガスによる多結晶Siの
エツチングにおいて、主エツチング種は、表面に
吸着し、イオン衝撃によりエネルギを与えられCl
原子であると言われており、かつ、このClとＰ、
As等の不純物を高濃度に添加した多結晶Siの反
応性は極めて大きく、従つて、下地SiO2までエ
ツチングが進行した後、表面に帯在するＣは、表
面拡散により多結晶Siエツヂに達し、この部分を
選択的にエツチングしていくために、同図ａ−１
４に示した様なエグレが発生するものと考えられ
ている。（Ｃ、Ｊ、Mogab他、Ｊ、Vac、Sci、
Tehnol、17(3)、721（1980））また、同図ｂに示し
た様に、レジスト１１と多結晶Si１２の間に熱酸
化膜１７が挿入されている場合には、多結晶Si１
２と前記熱酸化膜１７の界面にもエグレ１８が生
じる。これは、多結晶Siを酸化した時、Ｐの濃度
分布がパイルアツプ現象により、バルグ内に比較
して界面付近が高濃度になつているために、エグ
レが入りやすいものと考えられる。
以上説明したエグレは、動作圧力を下げること
により改善されるが、１方、圧力の低下ととも
に、前記陰極面上の直流電圧も大きくなるため、
SiO2のエツチング速度も大きくなり、従つて、
多結晶Si／SiO2比の低下をまねき、事実上使用
できないのが現状である。この様にCHF3＋Cl2、
CF4＋Cl2では特異なえぐれが生じ、えぐれを改
善しようとして圧力を下げると選択比が低下する
という問題があつた。
により改善されるが、１方、圧力の低下ととも
に、前記陰極面上の直流電圧も大きくなるため、
SiO2のエツチング速度も大きくなり、従つて、
多結晶Si／SiO2比の低下をまねき、事実上使用
できないのが現状である。この様にCHF3＋Cl2、
CF4＋Cl2では特異なえぐれが生じ、えぐれを改
善しようとして圧力を下げると選択比が低下する
という問題があつた。
一方、SF6＋Cl＋Ar等の不活性ガスを用いて多
結晶Siのエツチングを行なう方法が最近提案され
た（特開昭55−119177）。このガスの組み合わせ
により、高い選択比（＞40）が得られるが、多結
晶Siのエツチング速度は著しく遅く、実用には向
かない。又、前記特異なえぐれについても何ら言
及されていない。
結晶Siのエツチングを行なう方法が最近提案され
た（特開昭55−119177）。このガスの組み合わせ
により、高い選択比（＞40）が得られるが、多結
晶Siのエツチング速度は著しく遅く、実用には向
かない。又、前記特異なえぐれについても何ら言
及されていない。
本発明は高速かつ選択性良く、しかもエグレが
発生しないドライエツチング方法を提供するもの
であり、陰極表面を炭素板又は炭化水素系の有機
膜で覆い六沸化イオウ（SF6）と塩素（Cl2）の
混合ガスのみからガスプラズマを発生させる事に
よつて上記目的が達成される事を見い出したもの
である。
発生しないドライエツチング方法を提供するもの
であり、陰極表面を炭素板又は炭化水素系の有機
膜で覆い六沸化イオウ（SF6）と塩素（Cl2）の
混合ガスのみからガスプラズマを発生させる事に
よつて上記目的が達成される事を見い出したもの
である。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第３図、第４図は夫々SF6のみを用いた時の
RF電力、及び圧力に対する単結晶シリコン(a)、
Ｐ−ドープ多結晶シリコン(b)、SiO2(c)のエツチ
ング速度及び多結晶シリコン／SiO2比(d)を示す
ものである。SF6単体の場合、RF電力の増加と
ともに、各材料のエツチング速度は次第に増加す
るが選択比としては逆に小さくなつていく。第３
図は0.05Torrの条件であり、シリコンのエツチ
ング速度5000Å／minで選択比は10以下である。
また、圧力の増加に対して、多結晶Si、単結晶Si
のエツチング速度は0.05Torr付近で最大値とな
り、その後一旦低下した後、急速に上昇しはじめ
る。この急上昇の領域はいわゆるプラズマエツチ
ング領域と考えられる。一方、SiO2のエツチン
グ速度は、圧力の上昇とともに小さくなり従つ
て、選択比は圧力の上昇とともに急速に大きくな
る。しかしながら、SF6単体の場合には、いずれ
の領域においてもオーバエツチングに対して必ず
アンダーカツトが生じ実際には使用できないこと
が判明した。
る。第３図、第４図は夫々SF6のみを用いた時の
RF電力、及び圧力に対する単結晶シリコン(a)、
Ｐ−ドープ多結晶シリコン(b)、SiO2(c)のエツチ
ング速度及び多結晶シリコン／SiO2比(d)を示す
ものである。SF6単体の場合、RF電力の増加と
ともに、各材料のエツチング速度は次第に増加す
るが選択比としては逆に小さくなつていく。第３
図は0.05Torrの条件であり、シリコンのエツチ
ング速度5000Å／minで選択比は10以下である。
また、圧力の増加に対して、多結晶Si、単結晶Si
のエツチング速度は0.05Torr付近で最大値とな
り、その後一旦低下した後、急速に上昇しはじめ
る。この急上昇の領域はいわゆるプラズマエツチ
ング領域と考えられる。一方、SiO2のエツチン
グ速度は、圧力の上昇とともに小さくなり従つ
て、選択比は圧力の上昇とともに急速に大きくな
る。しかしながら、SF6単体の場合には、いずれ
の領域においてもオーバエツチングに対して必ず
アンダーカツトが生じ実際には使用できないこと
が判明した。
これに対して、第５図は、SF6のガス圧をまず
例えば0.02Torrとし、所定のガス圧比（PCl2／
PSF6）として例えば２を得たい場合は、Cl2のガ
ス圧を0.04Torrとする。次にガス圧比を保ちつ
つ、反応容器４全体のガス圧が0.05Torrとなる
様に排気系８を調整し、この操作をガス圧比を変
化させる毎に繰り返した結果得られたエツチング
特性を示したものである。RF電力は200Wであ
る。第３図、第４図と同様、陰極１は炭素(C)の薄
板１で覆つてある。これは炭化水素系の有機膜、
例えばポリエステルでも良い。第５図で、Cl2添
加に対して、Si及びSiO2のエツチング速度(a)(c)
は次第に減少し続けるのに対して、多結晶Siのエ
ツチング速度(b)はCl2添加に対して完全に飽和す
るという結果が得られた。また、同図より明らか
な様に多結晶Siのエツチング速度は、Cl2添加に
もかかわらず約3500Å／minという値が得られ、
SiO2の選択比は、例えば、圧力比（Cl2の分圧／
SF6の分圧）が2.0の点で40倍以上という非常に高
い値が得られた。また、圧力比0.25、0.5、1.0、
2.0の各々の点でのSEM観察結果（第６図ａは
SF6のみ、ｂはCl2／SF60.25、Ｃは0.5以上）から
第５図において多結晶Siのエツチング速度が飽和
する領域、すなわち、Cl2／SF6圧力比0.5では、
オーバエツチングに対して、マスク下のアンダカ
ツトは全く入らず、かつ、前記エグレも全く発生
しないことが解つた。
例えば0.02Torrとし、所定のガス圧比（PCl2／
PSF6）として例えば２を得たい場合は、Cl2のガ
ス圧を0.04Torrとする。次にガス圧比を保ちつ
つ、反応容器４全体のガス圧が0.05Torrとなる
様に排気系８を調整し、この操作をガス圧比を変
化させる毎に繰り返した結果得られたエツチング
特性を示したものである。RF電力は200Wであ
る。第３図、第４図と同様、陰極１は炭素(C)の薄
板１で覆つてある。これは炭化水素系の有機膜、
例えばポリエステルでも良い。第５図で、Cl2添
加に対して、Si及びSiO2のエツチング速度(a)(c)
は次第に減少し続けるのに対して、多結晶Siのエ
ツチング速度(b)はCl2添加に対して完全に飽和す
るという結果が得られた。また、同図より明らか
な様に多結晶Siのエツチング速度は、Cl2添加に
もかかわらず約3500Å／minという値が得られ、
SiO2の選択比は、例えば、圧力比（Cl2の分圧／
SF6の分圧）が2.0の点で40倍以上という非常に高
い値が得られた。また、圧力比0.25、0.5、1.0、
2.0の各々の点でのSEM観察結果（第６図ａは
SF6のみ、ｂはCl2／SF60.25、Ｃは0.5以上）から
第５図において多結晶Siのエツチング速度が飽和
する領域、すなわち、Cl2／SF6圧力比0.5では、
オーバエツチングに対して、マスク下のアンダカ
ツトは全く入らず、かつ、前記エグレも全く発生
しないことが解つた。
なお、圧力比0.25の時に得られる形状は、マス
クの下にはアンダカツトは入らず、逆テーパ状に
エツチングされる。以上説明した様に、本発明に
よればSF6＋Cl2のみ、すなわち、不活性ガス等
の添加なしにエツチングすることによりSiO2と
の充分高い選択比が得られ、かつ、多結晶Siのエ
ツチング速度を高い値に保てることができ、さら
に、エグレもなく垂直にエツチングされることか
ら、エツチングのマージンが大巾に広く取ること
ができる。以上示した結果の詳細については、現
在充分解明されていないが、第７図、第８図に示
したSF6＋H2の結果からアンダーカツトについて
は以上の様な推察が可能と考えられる。第７図
は、SF6にH2を添加した場合のエツチング特性で
あり、H2の添加とともに多結晶Si、Siのエツチ
ング速度（a″）は次第に減少し、ついにSiO2の
エツチング速度（b″）に等しくなることがわかつ
た。このH2の役割は、SF6から解離したＦ原子の
除去効果にあると考えられ（Ｈ＋Ｆ→HF）、多
量のH2を添加した場合には、SFX +イオンのみに
よりエツチングが進行していくと考えられる。第
８図は、選択エツチングが行なわれるSF6とH6の
圧力比が0.5の点でのSEM観察結果であり、マス
ク下のアンダカツトを生じながらかつ、逆テーパ
状にエツチングが行われることがわかつている。
これはＦ原子による作用と考えられる。これに対
して、第６図に示した様に、SF6とCl2の圧力比
0.25の場合には、マスク下のアンダカツトは入ら
ずに逆テーパ状にエツチングが行われており、こ
れら２つの結果から、Cl原子存在下であるにもか
かわらず、アンダーカツトがないのはCl2の多結
晶Siの壁への吸着がマスク下のアンダカツトを防
止していることが考えられる（第８図のアンダカ
ツトはＦ原子によると考えられる）。
クの下にはアンダカツトは入らず、逆テーパ状に
エツチングされる。以上説明した様に、本発明に
よればSF6＋Cl2のみ、すなわち、不活性ガス等
の添加なしにエツチングすることによりSiO2と
の充分高い選択比が得られ、かつ、多結晶Siのエ
ツチング速度を高い値に保てることができ、さら
に、エグレもなく垂直にエツチングされることか
ら、エツチングのマージンが大巾に広く取ること
ができる。以上示した結果の詳細については、現
在充分解明されていないが、第７図、第８図に示
したSF6＋H2の結果からアンダーカツトについて
は以上の様な推察が可能と考えられる。第７図
は、SF6にH2を添加した場合のエツチング特性で
あり、H2の添加とともに多結晶Si、Siのエツチ
ング速度（a″）は次第に減少し、ついにSiO2の
エツチング速度（b″）に等しくなることがわかつ
た。このH2の役割は、SF6から解離したＦ原子の
除去効果にあると考えられ（Ｈ＋Ｆ→HF）、多
量のH2を添加した場合には、SFX +イオンのみに
よりエツチングが進行していくと考えられる。第
８図は、選択エツチングが行なわれるSF6とH6の
圧力比が0.5の点でのSEM観察結果であり、マス
ク下のアンダカツトを生じながらかつ、逆テーパ
状にエツチングが行われることがわかつている。
これはＦ原子による作用と考えられる。これに対
して、第６図に示した様に、SF6とCl2の圧力比
0.25の場合には、マスク下のアンダカツトは入ら
ずに逆テーパ状にエツチングが行われており、こ
れら２つの結果から、Cl原子存在下であるにもか
かわらず、アンダーカツトがないのはCl2の多結
晶Siの壁への吸着がマスク下のアンダカツトを防
止していることが考えられる（第８図のアンダカ
ツトはＦ原子によると考えられる）。
以上、不純物がドープされた多結晶シリコンに
ついて述べたが、単結晶Siに置き換えても良好に
エツチングする事が出来る。
ついて述べたが、単結晶Siに置き換えても良好に
エツチングする事が出来る。
第１図は本発明に用いたドライエツチング装置
の断面図、第２図ａ、第２図ｂはCl2系ガスでＰ
−ドープ多多晶Siをエツチングした時のエグレを
説明するための断面図、第３図、第４図は、SF6
単体ガスを用いた時のRF電力、圧力に対する多
結晶Si、単結晶Si、SiO2のエツチング特性図、第
５図はSF6にCl2を添加した時のエツチング特性
図、第６図ａ，ｂ，ｃはSF6とCl2の圧力比を変
えた時の断面図、第７図はSF6にH2を添加した時
のエツチング特性図、第８図は、SF6／H2で多結
晶Siをエツチングした時の断面図である。図にお
いて、 １……陰極、１……炭素板、２……陽極、３…
…被エツチング物、４……反応容器、５……ガス
導入口、６……水冷パイプ、７……テフロン、８
……排気系、９……マツチング回路、１０……高
周波電源、１１，２０，２７……レジスト、１
２，２１，２４，２５，２６……多結晶Si、１３
……エツチング後の逆カーパ部、１４，１８，１
９……エグレ、１５，２２，２８……SiO2、１
６，２３，２９……単結晶Si。
の断面図、第２図ａ、第２図ｂはCl2系ガスでＰ
−ドープ多多晶Siをエツチングした時のエグレを
説明するための断面図、第３図、第４図は、SF6
単体ガスを用いた時のRF電力、圧力に対する多
結晶Si、単結晶Si、SiO2のエツチング特性図、第
５図はSF6にCl2を添加した時のエツチング特性
図、第６図ａ，ｂ，ｃはSF6とCl2の圧力比を変
えた時の断面図、第７図はSF6にH2を添加した時
のエツチング特性図、第８図は、SF6／H2で多結
晶Siをエツチングした時の断面図である。図にお
いて、 １……陰極、１……炭素板、２……陽極、３…
…被エツチング物、４……反応容器、５……ガス
導入口、６……水冷パイプ、７……テフロン、８
……排気系、９……マツチング回路、１０……高
周波電源、１１，２０，２７……レジスト、１
２，２１，２４，２５，２６……多結晶Si、１３
……エツチング後の逆カーパ部、１４，１８，１
９……エグレ、１５，２２，２８……SiO2、１
６，２３，２９……単結晶Si。
Claims (1)
- １ 平行平板電極間に高周波電力を印加してガス
プラズマを発生させ、前記電極のうち陰極に単結
晶シリコンあるいは不純物が導入された多結晶シ
リコンから成る被エツチング物を置いてエツチン
グするドライエツチング方法に於いて、被エツチ
ング物が置かれる陰極表面を炭素板、又は炭化水
素系の有機膜で覆い、六弗化イオウ（SF6及び塩
素（Cl2）のみから成りガス圧力比（Cl2／SF6）
が0.5以上の混合ガスから前記ガスプラズマを発
生させるようにした事を特徴とするドライエツチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10546881A JPS587829A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10546881A JPS587829A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587829A JPS587829A (ja) | 1983-01-17 |
| JPH031825B2 true JPH031825B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=14408408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10546881A Granted JPS587829A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587829A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180466A (en) * | 1984-12-29 | 1993-01-19 | Fujitsu Limited | Process for dry etching a silicon nitride layer |
| JP2690900B2 (ja) * | 1987-07-10 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | ドライエッチング方法 |
| US4981816A (en) * | 1988-10-27 | 1991-01-01 | General Electric Company | MO/TI Contact to silicon |
| DE10244862B4 (de) * | 2002-09-23 | 2006-09-14 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einer Praseodymoxid-Schicht |
| DE102007002782A1 (de) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Siemens Ag | Drehantrieb mit geraden Primärteilsegmenten |
| JP4865915B1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-02-01 | 泉 菅谷 | 糸通し機能付き携帯可能な拡大レンズ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437580A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Nec Corp | Dry etching method and target film used for it |
| JPS55119177A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-12 | Ibm | Silicon etching method |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP10546881A patent/JPS587829A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437580A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Nec Corp | Dry etching method and target film used for it |
| JPS55119177A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-12 | Ibm | Silicon etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS587829A (ja) | 1983-01-17 |
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