JP2690900B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP2690900B2 JP2690900B2 JP62170965A JP17096587A JP2690900B2 JP 2690900 B2 JP2690900 B2 JP 2690900B2 JP 62170965 A JP62170965 A JP 62170965A JP 17096587 A JP17096587 A JP 17096587A JP 2690900 B2 JP2690900 B2 JP 2690900B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子のエッチング加工に係り、特に配
線膜が二層になっている半導体素子に好適なドライッチ
ング方法に関するものである。 〔従来の技術〕 Al−Si−Cu（0.5〜４％），（１μｍ）/TiW（〜100
0Å）の二層構造のエッチングについては、セミコンダ
クタ・インターナショナル 1987年３月号 第76〜79頁
“金属のプラズマエッチング”（Plasma Etching of Me
tal;Semiconductor International March 1987,PP76−7
9）において論じられている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、二層になっている金属膜の下の膜
（本発明ではTiW膜）が1000Å以下の薄い膜についてし
か展開されていなかった。従って、従来は上の膜（本発
明ではAl−Si−Cu膜）のオーバエッチング中および防食
処理中にTiW膜のエッチングが終了していよ。しかし、
この方法では、TiW膜が厚く（＞2000Å）なり、Al−Si
−Cu膜のオーバーエッチング時間および防食処理時間を
延長すると、TiW膜にサイドエッチが入るという問題が
あった。 本発明の目的は、上記TiW膜を異方性にエッチング
し、二層配線膜のエッチングの形状制御を可能にするこ
とにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、Al合金膜と2000Å以上の厚さのTiW膜か
らなる積層金属膜を有する試料をエッチングするドライ
エッチング方法であって、 前記Al合金膜を第一のチャンバでエッチング処理し、 前記試料を第二のチャンバに搬送し、 第二のチャンバにおいてフッ素系ガスに塩素系ガスを
50％混入したエッチングガスで、圧力0.03torr〜0.06to
rrの範囲で前記TiW膜をエッチング処理することを特徴
とするドライエッチング方法により、達成される。 〔作用〕 1. TiW膜のエッチングでは、エッチング生成物による
チャンバ内の汚染が著しい。この汚染はTiWの膜厚が厚
くなると激しくなり、２枚目以降の上の膜（Al−Si−Cu
膜）のエッチングに影響する。従って、装置は２チャン
バ方式とし、Al−Si−Cu膜とTiW膜を別のチャンバで加
工すると、TiW膜のエッチング生成物がAl−Si−Cu膜の
エッチングに影響を及ぼさないようになる。 2. 従来のAl−Si−Cu膜の防食処理における条件（ガス
種，圧力等）では、等方的にエッチングが進行する。従
って、ガスに塩素ガスを混入し、圧力を0.2Torr以下に
することにより、TiW膜は垂直にエッチングされる。 ３ 一定波長の強度をモニタし、TiW膜のエッチング終
了時を正確に判定することにより、下地絶縁膜のエッチ
ング過多を防止できる。 〔実 施 例〕 以下、本発明の一実施例を第１〜３図により説明す
る。 第１図（ａ）は本発明に用いたウェハの断面図であ
り、１はポジレジスト、２はAl−Si−Cu膜、３はTiW
膜、４はSiO2膜、５はSiである。 第２図は本発明に用いた平行平板型ドライエッチング
装置である。ウェハは、まずチャンバ６で上の膜である
Al−Si−Cu膜２をエッチングする。次に、バッファ室７
を通って真空内に保持したまま、チャンバ８に搬送し、
ここでTiW膜３をエッチングする。TiW膜３を従来技術通
りフッ素系ガスでエッチングすると、第１図（ｂ）のよ
うに等方的な形状になる。しかるに、このTiW膜３のエ
ッチングに塩素系ガスを50％混入することにより、第１
図（ｃ）のような垂直な形状が得られた。この時のエッ
チング圧力は、0.03〜0.06Torrである。 第３図はTiW膜エッチング時の波光強度の時間変化を
示す。波長395nmおよび201nmの発光強度の変化を第３図
（ａ）に、また、724nmの強度変化を第３図（ｂ）に示
す。どちらも、ｂ点によりエッチング終点を判定でき
る。 〔発明の効果〕 本発明によれば、Al合金膜の下のTiW膜が2000Å以上
でも垂直にエッチングできるので、配線膜が二層になっ
ている半導体素子のエッチング加工に効果がある。
線膜が二層になっている半導体素子に好適なドライッチ
ング方法に関するものである。 〔従来の技術〕 Al−Si−Cu（0.5〜４％），（１μｍ）/TiW（〜100
0Å）の二層構造のエッチングについては、セミコンダ
クタ・インターナショナル 1987年３月号 第76〜79頁
“金属のプラズマエッチング”（Plasma Etching of Me
tal;Semiconductor International March 1987,PP76−7
9）において論じられている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、二層になっている金属膜の下の膜
（本発明ではTiW膜）が1000Å以下の薄い膜についてし
か展開されていなかった。従って、従来は上の膜（本発
明ではAl−Si−Cu膜）のオーバエッチング中および防食
処理中にTiW膜のエッチングが終了していよ。しかし、
この方法では、TiW膜が厚く（＞2000Å）なり、Al−Si
−Cu膜のオーバーエッチング時間および防食処理時間を
延長すると、TiW膜にサイドエッチが入るという問題が
あった。 本発明の目的は、上記TiW膜を異方性にエッチング
し、二層配線膜のエッチングの形状制御を可能にするこ
とにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、Al合金膜と2000Å以上の厚さのTiW膜か
らなる積層金属膜を有する試料をエッチングするドライ
エッチング方法であって、 前記Al合金膜を第一のチャンバでエッチング処理し、 前記試料を第二のチャンバに搬送し、 第二のチャンバにおいてフッ素系ガスに塩素系ガスを
50％混入したエッチングガスで、圧力0.03torr〜0.06to
rrの範囲で前記TiW膜をエッチング処理することを特徴
とするドライエッチング方法により、達成される。 〔作用〕 1. TiW膜のエッチングでは、エッチング生成物による
チャンバ内の汚染が著しい。この汚染はTiWの膜厚が厚
くなると激しくなり、２枚目以降の上の膜（Al−Si−Cu
膜）のエッチングに影響する。従って、装置は２チャン
バ方式とし、Al−Si−Cu膜とTiW膜を別のチャンバで加
工すると、TiW膜のエッチング生成物がAl−Si−Cu膜の
エッチングに影響を及ぼさないようになる。 2. 従来のAl−Si−Cu膜の防食処理における条件（ガス
種，圧力等）では、等方的にエッチングが進行する。従
って、ガスに塩素ガスを混入し、圧力を0.2Torr以下に
することにより、TiW膜は垂直にエッチングされる。 ３ 一定波長の強度をモニタし、TiW膜のエッチング終
了時を正確に判定することにより、下地絶縁膜のエッチ
ング過多を防止できる。 〔実 施 例〕 以下、本発明の一実施例を第１〜３図により説明す
る。 第１図（ａ）は本発明に用いたウェハの断面図であ
り、１はポジレジスト、２はAl−Si−Cu膜、３はTiW
膜、４はSiO2膜、５はSiである。 第２図は本発明に用いた平行平板型ドライエッチング
装置である。ウェハは、まずチャンバ６で上の膜である
Al−Si−Cu膜２をエッチングする。次に、バッファ室７
を通って真空内に保持したまま、チャンバ８に搬送し、
ここでTiW膜３をエッチングする。TiW膜３を従来技術通
りフッ素系ガスでエッチングすると、第１図（ｂ）のよ
うに等方的な形状になる。しかるに、このTiW膜３のエ
ッチングに塩素系ガスを50％混入することにより、第１
図（ｃ）のような垂直な形状が得られた。この時のエッ
チング圧力は、0.03〜0.06Torrである。 第３図はTiW膜エッチング時の波光強度の時間変化を
示す。波長395nmおよび201nmの発光強度の変化を第３図
（ａ）に、また、724nmの強度変化を第３図（ｂ）に示
す。どちらも、ｂ点によりエッチング終点を判定でき
る。 〔発明の効果〕 本発明によれば、Al合金膜の下のTiW膜が2000Å以上
でも垂直にエッチングできるので、配線膜が二層になっ
ている半導体素子のエッチング加工に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に用いたウェハの縦断面図で、（ａ）は
エッチング前，（ｂ）はTiW膜をフッ素系ガスでエッチ
ングした時の形状、（ｃ）は塩素系ガスを混入した時に
得られる形状を示す。第２図は本発明に用いれエッチン
グ装置の真空室略図である。第３図はTiW膜エッチング
時の一定波長の強度変化を示した線図で、（ａ）は395n
mおよび201nm,（ｂ）は724nmの発光モニタしたものであ
る。 １……ポジレジスト、２……Al−Si−Cu膜、３……TiW
膜,4……SiO2膜、５……Si,6……チャンバ、７……バッ
ファ室、８……チャンバ
エッチング前，（ｂ）はTiW膜をフッ素系ガスでエッチ
ングした時の形状、（ｃ）は塩素系ガスを混入した時に
得られる形状を示す。第２図は本発明に用いれエッチン
グ装置の真空室略図である。第３図はTiW膜エッチング
時の一定波長の強度変化を示した線図で、（ａ）は395n
mおよび201nm,（ｂ）は724nmの発光モニタしたものであ
る。 １……ポジレジスト、２……Al−Si−Cu膜、３……TiW
膜,4……SiO2膜、５……Si,6……チャンバ、７……バッ
ファ室、８……チャンバ
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．Al合金膜と2000Å以上の厚さのTiW膜からなる積層
金属膜を有する試料をエッチングするドライエッチング
方法であって、 前記Al合金膜を第一のチャンバでエッチング処理し、 前記試料を第二のチャンバに搬送し、 第二のチャンバにおいてフッ素系ガスに塩素系ガスを50
％混入したエッチングガスで、圧力0.03torr〜0.06torr
の範囲で前記TiW膜をエッチング処理することを特徴と
するドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62170965A JP2690900B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62170965A JP2690900B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6415953A JPS6415953A (en) | 1989-01-19 |
| JP2690900B2 true JP2690900B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=15914651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62170965A Expired - Lifetime JP2690900B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690900B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4700554B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-06-15 | パナソニック電工Ｓｕｎｘ株式会社 | 異物検出装置 |
| JP2007010502A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Sunx Ltd | 異物検出装置 |
| JP4700574B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-06-15 | パナソニック電工Ｓｕｎｘ株式会社 | 異物検出装置 |
| US9676202B2 (en) * | 2012-05-09 | 2017-06-13 | Xerox Corporation | System and method for detecting defects in an inkjet printer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587829A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-17 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS61256726A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Hitachi Ltd | エツチング方法 |
| JP2603217B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| JPH0722153B2 (ja) * | 1985-09-09 | 1995-03-08 | 日本電信電話株式会社 | ドライエツチング方法および装置 |
| JPS62154628A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1987
- 1987-07-10 JP JP62170965A patent/JP2690900B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6415953A (en) | 1989-01-19 |
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