JP3067737B2 - 酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法 - Google Patents
酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化バナジウム膜
のプラズマエッチング方法に関し、更に詳しくは、下地
である絶縁層とのエッチング比を高くした酸化バナジウ
ム膜のプラズマエッチング方法に関するものである。
のプラズマエッチング方法に関し、更に詳しくは、下地
である絶縁層とのエッチング比を高くした酸化バナジウ
ム膜のプラズマエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化バナジウムは、温度変化によって抵
抗が大きく変化する材料として知られており、この性質
を利用して、温度計測や赤外線検出を行う膜として多用
されている。このような膜を形成する際、温度変化を効
率良く生じさせるために、５０ｎｍから２００ｎｍ程度
の厚さを有する酸化バナジウム膜を成膜し、更に、温度
変化を起こす領域を制限するために加工する必要があ
る。従来、酸化バナジウム膜を加工する方法としては、
物理的なイオン衝撃でエッチングするイオンミリング法
（例えば、ワダ他、ソサエティ・オブ・フォトオプチィ
カル・インスツルメンテイション・エンジニアズ、プロ
シーディング、１９９７年、第３２２４巻、４６頁、５
行目）と、化学的に揮発性の高い物質に反応させて蒸発
させるプラズマエッチング法（例えば、ビュヘイ他、ジ
ャーナル・オブ・ヴァキュアム・サイエンス・アンド・
テクノロジー、１９８６年、第Ａ４巻、４４０〜４４２
頁）とがあった。
抗が大きく変化する材料として知られており、この性質
を利用して、温度計測や赤外線検出を行う膜として多用
されている。このような膜を形成する際、温度変化を効
率良く生じさせるために、５０ｎｍから２００ｎｍ程度
の厚さを有する酸化バナジウム膜を成膜し、更に、温度
変化を起こす領域を制限するために加工する必要があ
る。従来、酸化バナジウム膜を加工する方法としては、
物理的なイオン衝撃でエッチングするイオンミリング法
（例えば、ワダ他、ソサエティ・オブ・フォトオプチィ
カル・インスツルメンテイション・エンジニアズ、プロ
シーディング、１９９７年、第３２２４巻、４６頁、５
行目）と、化学的に揮発性の高い物質に反応させて蒸発
させるプラズマエッチング法（例えば、ビュヘイ他、ジ
ャーナル・オブ・ヴァキュアム・サイエンス・アンド・
テクノロジー、１９８６年、第Ａ４巻、４４０〜４４２
頁）とがあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、イオンミリン
グ法では、酸化バナジウム膜とその下層である絶縁層と
のエッチング速度がほとんど同じであるため、酸化バナ
ジウム膜をエッチング加工する際に絶縁層までエッチン
グされ、例えば図６に示すように、絶縁層のさらに下に
形成された配線などに損傷を与えることがあった。ま
た、イオンを中和するためにイオンミリング装置から熱
電子を放出させており、このため、酸化バナジウム膜の
下に形成された回路に電荷が溜り、絶縁破壊が生じるこ
とが多かった。
グ法では、酸化バナジウム膜とその下層である絶縁層と
のエッチング速度がほとんど同じであるため、酸化バナ
ジウム膜をエッチング加工する際に絶縁層までエッチン
グされ、例えば図６に示すように、絶縁層のさらに下に
形成された配線などに損傷を与えることがあった。ま
た、イオンを中和するためにイオンミリング装置から熱
電子を放出させており、このため、酸化バナジウム膜の
下に形成された回路に電荷が溜り、絶縁破壊が生じるこ
とが多かった。
【０００４】プラズマエッチング法では、電荷蓄積によ
る絶縁破壊はないが、前述のビュヘイらは、プラズマエ
ッチングする際に酸化バナジウム膜上に形成するマスク
を金製にする必要があると説明している。この金製のマ
スクを除去する際、沃素と沃化カリウムとを含むエッチ
ング液を用いる必要があり、このような溶液を用いる
と、マスク除去後の酸化バナジウム膜の特性が変化した
り、あるいは、酸化バナジウム膜そのものが溶解してし
まうことがあった。また、酸化バナジウム膜のエッチン
グ速度を大きくし、かつ、酸化バナジウム膜と絶縁層と
のエッチング速度の比、すなわちエッチング選択比を良
くすることは、現状の技術ではできない。このため、マ
スクで覆われていない酸化バナジウム膜領域の下地の絶
縁層までエッチングされ、絶縁層のうち薄い部分に孔が
開いて、その下の配線がエッチングされることがあっ
た。
る絶縁破壊はないが、前述のビュヘイらは、プラズマエ
ッチングする際に酸化バナジウム膜上に形成するマスク
を金製にする必要があると説明している。この金製のマ
スクを除去する際、沃素と沃化カリウムとを含むエッチ
ング液を用いる必要があり、このような溶液を用いる
と、マスク除去後の酸化バナジウム膜の特性が変化した
り、あるいは、酸化バナジウム膜そのものが溶解してし
まうことがあった。また、酸化バナジウム膜のエッチン
グ速度を大きくし、かつ、酸化バナジウム膜と絶縁層と
のエッチング速度の比、すなわちエッチング選択比を良
くすることは、現状の技術ではできない。このため、マ
スクで覆われていない酸化バナジウム膜領域の下地の絶
縁層までエッチングされ、絶縁層のうち薄い部分に孔が
開いて、その下の配線がエッチングされることがあっ
た。
【０００５】以上のような事情に照らして、酸化バナジ
ウム膜のエッチング速度を改善し、下地の絶縁層とのエ
ッチング選択性を改善し、エッチング阻止用のマスクと
して金以外の材料を使用できることが要望されている。
すなわち、本発明の目的は、下地である絶縁層とのエッ
チング比を高くした酸化バナジウム膜のプラズマエッチ
ング方法を提供することである。
ウム膜のエッチング速度を改善し、下地の絶縁層とのエ
ッチング選択性を改善し、エッチング阻止用のマスクと
して金以外の材料を使用できることが要望されている。
すなわち、本発明の目的は、下地である絶縁層とのエッ
チング比を高くした酸化バナジウム膜のプラズマエッチ
ング方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る酸化バナジウム膜のプラズマエッチン
グ方法は、絶縁層上に成膜された酸化バナジウム膜をプ
ラズマエッチングする際、フッ素原子数６以上のフッ化
物ガスを体積比で１０％以上含むエッチングガスを用い
ることを特徴としている。
に、本発明に係る酸化バナジウム膜のプラズマエッチン
グ方法は、絶縁層上に成膜された酸化バナジウム膜をプ
ラズマエッチングする際、フッ素原子数６以上のフッ化
物ガスを体積比で１０％以上含むエッチングガスを用い
ることを特徴としている。
【０００７】フッ化物ガスは、例えばＳＦ6ガス、Ｃ2Ｆ
6ガスやＣ3Ｆ8ガスである。本発明により、酸化バナジ
ウム膜のエッチング反応性が高まり、酸化バナジウム膜
と絶縁層とのエッチング比が、従来に比べて遥かに大き
くなる。従って、酸化バナジウム膜をエッチングする
際、絶縁層が大きくエッチングされることが防止され
る。エッチングガス圧力は、通常、７Ｐａ〜１２Ｐａの
範囲内である。また、この圧力範囲内でエッチングガス
を毎分１００ｃｃ以上流すことにより、エッチングガス
がエッチング室に滞在する時間は短くなり、エッチング
反応を更に促進することができる。
6ガスやＣ3Ｆ8ガスである。本発明により、酸化バナジ
ウム膜のエッチング反応性が高まり、酸化バナジウム膜
と絶縁層とのエッチング比が、従来に比べて遥かに大き
くなる。従って、酸化バナジウム膜をエッチングする
際、絶縁層が大きくエッチングされることが防止され
る。エッチングガス圧力は、通常、７Ｐａ〜１２Ｐａの
範囲内である。また、この圧力範囲内でエッチングガス
を毎分１００ｃｃ以上流すことにより、エッチングガス
がエッチング室に滞在する時間は短くなり、エッチング
反応を更に促進することができる。
【０００８】好適には、絶縁層がシリコン窒化膜であ
る。また好適には、エッチングガスが、フッ化物ガスと
炭酸ガスとの混合ガスである。これにより、酸化バナジ
ウム膜のエッチング速度を毎分２００ｎｍ以上の速度に
することができる。本発明の好適な実施態様（以下、第
１の実施態様と言う）としては、酸化バナジウム膜上に
レジスト膜を成膜し、次いで、レジスト膜をパターンニ
ングしてマスクを形成し、更に、酸化バナジウム膜をプ
ラズマエッチングする。
る。また好適には、エッチングガスが、フッ化物ガスと
炭酸ガスとの混合ガスである。これにより、酸化バナジ
ウム膜のエッチング速度を毎分２００ｎｍ以上の速度に
することができる。本発明の好適な実施態様（以下、第
１の実施態様と言う）としては、酸化バナジウム膜上に
レジスト膜を成膜し、次いで、レジスト膜をパターンニ
ングしてマスクを形成し、更に、酸化バナジウム膜をプ
ラズマエッチングする。
【０００９】また、本発明の別の好適な実施態様（以
下、第２の実施態様と言う）としては、酸化バナジウム
膜上に絶縁膜を成膜し、次いで、絶縁膜をパターンニン
グしてマスクを形成し、更に、酸化バナジウム膜をプラ
ズマエッチングする。これにより、酸化バナジウム膜の
表面を大気に晒すことがないため、酸化バナジウム膜の
特性に影響を及ぼさずにエッチング加工することができ
る。
下、第２の実施態様と言う）としては、酸化バナジウム
膜上に絶縁膜を成膜し、次いで、絶縁膜をパターンニン
グしてマスクを形成し、更に、酸化バナジウム膜をプラ
ズマエッチングする。これにより、酸化バナジウム膜の
表面を大気に晒すことがないため、酸化バナジウム膜の
特性に影響を及ぼさずにエッチング加工することができ
る。
【００１０】第２の実施態様では、絶縁膜は、例えば、
シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜である。この場合、
シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜をパターンニングす
る際、例えばＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用い
てプラズマエッチングする。これにより、マスクの加工
が完了した時点で、マスク直下の酸化バナジウム膜のエ
ッチングの進行を従来に比べて遥かに効果的に停止する
ことができる。ＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合ガス中の
ＣＨＦ3ガスの体積比は、８０％以上であることが好ま
しい。
シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜である。この場合、
シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜をパターンニングす
る際、例えばＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用い
てプラズマエッチングする。これにより、マスクの加工
が完了した時点で、マスク直下の酸化バナジウム膜のエ
ッチングの進行を従来に比べて遥かに効果的に停止する
ことができる。ＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合ガス中の
ＣＨＦ3ガスの体積比は、８０％以上であることが好ま
しい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例 本実施形態例では、先ず、センサとして動作させる回路
を有する回路基板１の上に形成された絶縁層３の上に、
酸化バナジウム膜４をスパッタ法で１５０ｎｍの厚さで
成膜した（図１）。回路基板１は金属配線２を有する。
本実施形態例では、絶縁層３はＳｉＮXからなるＳｉＮX
膜３であり、厚さは２００ｎｍである。絶縁層３は、Ｓ
ｉＯ2からなる層であってもよい。次いで、酸化バナジ
ウム膜４を熱処理した後、化学気相堆積法により絶縁膜
としてＳｉＯ2膜５を５８ｎｍの厚みで成膜した。更
に、この膜をエッチング阻止用のマスクとして利用する
ため、レジスト膜６を成膜してパターン形成し（図
１）、ＳｉＯ２膜５をプラズマエッチングした（図
２）。プラズマエッチング条件を以下に示す。 流量 ： ２４ｓｃｃｍ ガス流量比率 ： ＣＨＦ3／Ｏ2＝８３．５／１６．５ 圧力 ： １０Ｐａ 電力 ： １２００Ｗ エッチング時間 ： ４分
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例 本実施形態例では、先ず、センサとして動作させる回路
を有する回路基板１の上に形成された絶縁層３の上に、
酸化バナジウム膜４をスパッタ法で１５０ｎｍの厚さで
成膜した（図１）。回路基板１は金属配線２を有する。
本実施形態例では、絶縁層３はＳｉＮXからなるＳｉＮX
膜３であり、厚さは２００ｎｍである。絶縁層３は、Ｓ
ｉＯ2からなる層であってもよい。次いで、酸化バナジ
ウム膜４を熱処理した後、化学気相堆積法により絶縁膜
としてＳｉＯ2膜５を５８ｎｍの厚みで成膜した。更
に、この膜をエッチング阻止用のマスクとして利用する
ため、レジスト膜６を成膜してパターン形成し（図
１）、ＳｉＯ２膜５をプラズマエッチングした（図
２）。プラズマエッチング条件を以下に示す。 流量 ： ２４ｓｃｃｍ ガス流量比率 ： ＣＨＦ3／Ｏ2＝８３．５／１６．５ 圧力 ： １０Ｐａ 電力 ： １２００Ｗ エッチング時間 ： ４分
【００１２】図４は、上記の条件でエッチング行ったと
きのＳｉＮX膜３、酸化バナジウム膜４及びＳｉＯ2膜５
のエッチング深さとエッチング時間との関係を示すグラ
フ図である。図４から得られた各膜のエッチング速度
（単位：ｎｍ／分）を以下に示す。 酸化バナジウム膜：４．４ ＳｉＮX膜：７８．２ ＳｉＯ2膜：３４．５
きのＳｉＮX膜３、酸化バナジウム膜４及びＳｉＯ2膜５
のエッチング深さとエッチング時間との関係を示すグラ
フ図である。図４から得られた各膜のエッチング速度
（単位：ｎｍ／分）を以下に示す。 酸化バナジウム膜：４．４ ＳｉＮX膜：７８．２ ＳｉＯ2膜：３４．５
【００１３】上記のエッチング速度から以下に示すエッ
チング選択比が得られる。 酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜：０．０６ 酸化バナジウム膜／ＳｉＯ2膜：０．１３ ＳｉＯ2膜／ＳｉＮX膜：０．４４ 酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜または酸化バナジウム膜
／ＳｉＯ2膜のエッチング選択比が０．２よりも小さい
ことから、このエッチング条件では絶縁層３がエッチン
グされて酸化バナジウム膜４が露出しても、酸化バナジ
ウム膜４のエッチングはほとんど進行しないことが判
る。
チング選択比が得られる。 酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜：０．０６ 酸化バナジウム膜／ＳｉＯ2膜：０．１３ ＳｉＯ2膜／ＳｉＮX膜：０．４４ 酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜または酸化バナジウム膜
／ＳｉＯ2膜のエッチング選択比が０．２よりも小さい
ことから、このエッチング条件では絶縁層３がエッチン
グされて酸化バナジウム膜４が露出しても、酸化バナジ
ウム膜４のエッチングはほとんど進行しないことが判
る。
【００１４】続いて、酸化バナジウム膜４をエッチング
するために、エッチングガスをＳＦ 6ガスとＣＯ2ガスと
の混合ガスに変えた。酸化バナジウム膜４のエッチング
条件を以下に示す。 流量：１７４ｓｃｃｍ ガス流量比率：ＳＦ6／ＣＯ2＝１５／８５ 圧力：７Ｐａ 電力：５００Ｗ（電力密度０．１３Ｗ／ｃｍ2） エッチング時間：４０秒
するために、エッチングガスをＳＦ 6ガスとＣＯ2ガスと
の混合ガスに変えた。酸化バナジウム膜４のエッチング
条件を以下に示す。 流量：１７４ｓｃｃｍ ガス流量比率：ＳＦ6／ＣＯ2＝１５／８５ 圧力：７Ｐａ 電力：５００Ｗ（電力密度０．１３Ｗ／ｃｍ2） エッチング時間：４０秒
【００１５】図３は、このエッチング後の基板断面図で
ある。また、図５は、この条件でプラズマエッチングし
たときの各膜のエッチング時間とエッチング深さとの関
係を示すグラフ図である。この条件で得られた各膜のエ
ッチング速度（単位：ｎｍ／分）を以下に示す。 酸化バナジウム膜：２９２．２ ＳｉＮX膜：５６．４ ＳｉＯ2膜：１４．９ また、この条件で得られたエッチング選択比を以下に示
す。 酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜：５．２ 酸化バナジウム膜／ＳｉＯ2膜：１９．６ ＳｉＯ2膜／ＳｉＮX膜：０．３
ある。また、図５は、この条件でプラズマエッチングし
たときの各膜のエッチング時間とエッチング深さとの関
係を示すグラフ図である。この条件で得られた各膜のエ
ッチング速度（単位：ｎｍ／分）を以下に示す。 酸化バナジウム膜：２９２．２ ＳｉＮX膜：５６．４ ＳｉＯ2膜：１４．９ また、この条件で得られたエッチング選択比を以下に示
す。 酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜：５．２ 酸化バナジウム膜／ＳｉＯ2膜：１９．６ ＳｉＯ2膜／ＳｉＮX膜：０．３
【００１６】本実施形態例では、エッチングガスを１０
０ｓｃｃｍ以上で流してエッチングすると、酸化バナジ
ウム膜４のエッチング速度は２００ｎｍ／分以上にな
り、酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜のエッチング選択比
は５以上になる。従って、酸化バナジウム膜４のエッチ
ングが完了した時点で、下地であるＳｉＮX膜３をほと
んどエッチングすることなくエッチングを停止できる。
さらにマスクとして用いたＳｉＯ2膜５もほとんどエッ
チングされないため、ＳｉＯ2膜５は、エッチング阻止
マスクとしての機能を充分に果すことができる。また、
エッチングガス流量は、従来に比べて少ない。
０ｓｃｃｍ以上で流してエッチングすると、酸化バナジ
ウム膜４のエッチング速度は２００ｎｍ／分以上にな
り、酸化バナジウム膜／ＳｉＮX膜のエッチング選択比
は５以上になる。従って、酸化バナジウム膜４のエッチ
ングが完了した時点で、下地であるＳｉＮX膜３をほと
んどエッチングすることなくエッチングを停止できる。
さらにマスクとして用いたＳｉＯ2膜５もほとんどエッ
チングされないため、ＳｉＯ2膜５は、エッチング阻止
マスクとしての機能を充分に果すことができる。また、
エッチングガス流量は、従来に比べて少ない。
【００１７】尚、マスクを形成するために成膜する絶縁
膜の厚さは６０ｎｍ以下であればよい。絶縁膜をプラズ
マエッチングする際に使用するエッチングガスは、ＣＨ
Ｆ3ガスを体積比で８０％以上含むガスであって、毎分
２０〜３０ｃｃの範囲内でエッチング室に流されること
が好ましい。また、レジスト膜６のエッチング速度は、
毎分１５３ｎｍであった。レジスト膜６は通常１０００
ｎｍ以上の厚みであるので、レジスト膜６を酸化バナジ
ウム膜４のエッチング阻止マスクとして使用することが
可能である。
膜の厚さは６０ｎｍ以下であればよい。絶縁膜をプラズ
マエッチングする際に使用するエッチングガスは、ＣＨ
Ｆ3ガスを体積比で８０％以上含むガスであって、毎分
２０〜３０ｃｃの範囲内でエッチング室に流されること
が好ましい。また、レジスト膜６のエッチング速度は、
毎分１５３ｎｍであった。レジスト膜６は通常１０００
ｎｍ以上の厚みであるので、レジスト膜６を酸化バナジ
ウム膜４のエッチング阻止マスクとして使用することが
可能である。
【００１８】実験例 ＣＦ4ガスとＣＯ2ガスとの混合ガスをエッチングガスと
して用いた場合の酸化バナジウム膜のエッチング速度を
実験により測定したところ、以下に示す結果が得られた
（エッチング速度の単位：ｎｍ／分） 酸化バナジウム膜：２９．２ ＳｉＮX膜：３３．８ ＳｉＯ2膜：２２．６ 混合ガス流量：毎分１００ｃｃ／以上 上記ように、酸化バナジウム膜のエッチング速度は毎分
２９．２ｎｍであり、酸化バナジウム膜の大きなエッチ
ング速度は得られなかった。従って、酸化バナジウム膜
のエッチング用ガスとして炭酸ガスに混合するガスは、
フッ素の原子数が６以上であるフッ化物ガスを用いる必
要がある。
して用いた場合の酸化バナジウム膜のエッチング速度を
実験により測定したところ、以下に示す結果が得られた
（エッチング速度の単位：ｎｍ／分） 酸化バナジウム膜：２９．２ ＳｉＮX膜：３３．８ ＳｉＯ2膜：２２．６ 混合ガス流量：毎分１００ｃｃ／以上 上記ように、酸化バナジウム膜のエッチング速度は毎分
２９．２ｎｍであり、酸化バナジウム膜の大きなエッチ
ング速度は得られなかった。従って、酸化バナジウム膜
のエッチング用ガスとして炭酸ガスに混合するガスは、
フッ素の原子数が６以上であるフッ化物ガスを用いる必
要がある。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁層上に成膜された
酸化バナジウム膜をプラズマエッチングする際、フッ素
原子数６以上のフッ化物ガスを体積比で１０％以上含む
エッチングガスを用いる。これにより、酸化バナジウム
膜と絶縁層とのエッチング比が、従来に比べて大きく異
なるので、例えば絶縁層下に回路が形成されている場
合、回路への電荷蓄積による絶縁破壊が起こらず、配線
がエッチングされない。また、酸化バナジウム膜のエッ
チング形状は良好である。
酸化バナジウム膜をプラズマエッチングする際、フッ素
原子数６以上のフッ化物ガスを体積比で１０％以上含む
エッチングガスを用いる。これにより、酸化バナジウム
膜と絶縁層とのエッチング比が、従来に比べて大きく異
なるので、例えば絶縁層下に回路が形成されている場
合、回路への電荷蓄積による絶縁破壊が起こらず、配線
がエッチングされない。また、酸化バナジウム膜のエッ
チング形状は良好である。
【図１】実施形態例で、酸化バナジウム膜をエッチング
する前の基板断面図である。
する前の基板断面図である。
【図２】実施形態例で、酸化バナジウム膜上の絶縁膜の
エッチングを終えたときの基板断面図である。
エッチングを終えたときの基板断面図である。
【図３】実施形態例で、酸化バナジウム膜のエッチング
加工を終えたときの基板断面図である。
加工を終えたときの基板断面図である。
【図４】実施形態例で、ＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合
ガス雰囲気の下でプラズマエッチングした際のＳｉＯ2
膜，ＳｉＮX膜及び酸化バナジウム膜のエッチング深さ
とエッチング時間との関係を示すグラフ図である。
ガス雰囲気の下でプラズマエッチングした際のＳｉＯ2
膜，ＳｉＮX膜及び酸化バナジウム膜のエッチング深さ
とエッチング時間との関係を示すグラフ図である。
【図５】実施形態例で、ＳＦ6ガスとＣＯ2ガスとの混合
ガス雰囲気の下でプラズマエッチングした際のＳｉＯ2
膜、ＳｉＮX膜及び酸化バナジウム膜のエッチング深さ
とエッチング時間との関係を示すグラフ図である。
ガス雰囲気の下でプラズマエッチングした際のＳｉＯ2
膜、ＳｉＮX膜及び酸化バナジウム膜のエッチング深さ
とエッチング時間との関係を示すグラフ図である。
【図６】従来の方法で酸化バナジウム膜を加工した基板
断面図である。
断面図である。
１ 回路基板 ２ 金属配線 ３ 絶縁層（ＳｉＮX膜） ４ 酸化バナジウム膜 ５ 絶縁膜（ＳｉＯ2膜） ６ レジスト膜
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁層上に成膜された酸化バナジウム膜
をプラズマエッチングする際、フッ素原子数６以上のフ
ッ化物ガスを体積比で１０％以上含むエッチングガスを
用いることを特徴とする酸化バナジウム膜のプラズマエ
ッチング方法。 - 【請求項２】 絶縁層がシリコン窒化膜であることを特
徴とする請求項１に記載の酸化バナジウム膜のプラズマ
エッチング方法。 - 【請求項３】 エッチングガスが、フッ化物ガスと炭酸
ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項１又は
２に記載の酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方
法。 - 【請求項４】 酸化バナジウム膜上にレジスト膜を成膜
し、 次いで、レジスト膜をパターンニングしてマスクを形成
し、 更に、酸化バナジウム膜をプラズマエッチングすること
を特徴とする請求項１から３のうち何れか１項に記載の
酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法。 - 【請求項５】 酸化バナジウム膜上に絶縁膜を成膜し、 次いで、絶縁膜をパターンニングしてマスクを形成し、 更に、酸化バナジウム膜をプラズマエッチングすること
を特徴とする請求項１から３のうち何れか１項に記載の
酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法。 - 【請求項６】 絶縁膜が、シリコン酸化膜又はシリコン
窒化膜であることを特徴とする請求項５に記載の酸化バ
ナジウム膜のプラズマエッチング方法。 - 【請求項７】 シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜をパ
ターンニングする際、ＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合ガ
スを用いてプラズマエッチングすることを特徴とする請
求項６に記載の酸化バナジウム膜のプラズマエッチング
方法。 - 【請求項８】 ＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合ガス中の
ＣＨＦ3ガスの体積比が、８０％以上であることを特徴
とする請求項７に記載の酸化バナジウム膜のプラズマエ
ッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10135053A JP3067737B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法 |
| US09/313,634 US6333270B1 (en) | 1998-05-18 | 1999-05-18 | Etching gas used for plasma-enhanced etching of vanadium oxide film and method of plasma-enhanced etching of vanadium oxide film |
| US09/985,069 US20020025683A1 (en) | 1998-05-18 | 2001-11-01 | Etching gas used for plasma-enhanced etching of vanadium oxide film and method of plasma-enhanced etching of vanadium oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10135053A JP3067737B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330051A JPH11330051A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3067737B2 true JP3067737B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=15142822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10135053A Expired - Lifetime JP3067737B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6333270B1 (ja) |
| JP (1) | JP3067737B2 (ja) |
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| JP3862080B2 (ja) | 2002-11-01 | 2006-12-27 | 防衛庁技術研究本部長 | 熱型赤外線検出器の製造方法 |
| JP4620962B2 (ja) | 2004-03-30 | 2011-01-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置の製造方法及び酸化バナジウム膜の形成方法 |
| JP4541742B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-09-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置 |
| JP4536408B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置 |
| JP4535367B2 (ja) | 2004-05-24 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置 |
| CN104332392B (zh) * | 2014-09-04 | 2017-04-05 | 北方广微科技有限公司 | 一种各向异性干法刻蚀vo2的方法 |
| JP6669957B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-03-18 | ミツミ電機株式会社 | 流量センサ |
| JP6807005B2 (ja) * | 2019-12-25 | 2021-01-06 | ミツミ電機株式会社 | 流量センサ |
| CN116395977A (zh) * | 2023-02-20 | 2023-07-07 | 电子科技大学 | 一种应用于智能窗的氧化钒薄膜制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3102647A1 (de) * | 1981-01-27 | 1982-08-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Strukturierung von metalloxidmasken, insbesondere durch reaktives ionenstrahlaetzen |
| JPS5842368A (ja) | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
| US4659426A (en) * | 1985-05-03 | 1987-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etching of refractory metals and their silicides |
| JPS6464273A (en) | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Agency Ind Science Techn | Superconducting switching device |
| JP3105746B2 (ja) * | 1994-09-12 | 2000-11-06 | 日本電気株式会社 | 超伝導集積回路の製造方法及び超伝導集積回路 |
-
1998
- 1998-05-18 JP JP10135053A patent/JP3067737B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-18 US US09/313,634 patent/US6333270B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-01 US US09/985,069 patent/US20020025683A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020001961A1 (en) | 2002-01-03 |
| JPH11330051A (ja) | 1999-11-30 |
| US20020025683A1 (en) | 2002-02-28 |
| US6333270B1 (en) | 2001-12-25 |
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