JP3351183B2 - シリコン基板のドライエッチング方法及びトレンチ形成方法 - Google Patents
シリコン基板のドライエッチング方法及びトレンチ形成方法Info
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Description
ライエッチングによって深溝形状や深孔形状などに加工
する方法に関し、特に、Bi-CMOS 半導体装置などのSiを
材料とした製品を製造する分野に役立つ。
るために深溝(トレンチ)を形成することが必要であ
る。トレンチエッチングは、深さ方向にのみ選択的にエ
ッチングして、高アスペクト比の深溝形状や深孔形状を
形成する方法である。これらの形状を製造工程で実現す
るためには、エッチングが高異方性であることに加え
て、マスクであるSiO2に対する高選択比、エッチング速
度の均一性が要求される。
開平6-163478号公報に記載のドライエッチング方法が知
られている。そのエッチング方法は、エッチングガスと
して、Br系/O2 系/SiF4/SF6 又はNF3 ガスを用いるもの
である。
ングガスを用いる方法は、高異方性、SiO2に対する高選
択比は満たされるものの、エッチング速度が遅いという
問題がある。本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、Si半導体のドライエッチ
ングにおいて、高異方性、マスクに対する高選択比、エ
ッチング速度の均一性、高エッチング速度を達成するこ
とである。
めの発明の構成は、塩素ガスと、He−O 2 ガスと、6
フッ化硫黄ガスとから成り、He−O 2 ガスの混合比が
He:O 2 =7:3のときガス流量比He−O 2 /Cl 2
が2以上10以下であるエッチングガスでシリコン基板
をドライエッチングすることによりトレンチを形成する
方法である。
ガスと、フッ素を含有するガスと、臭素を含むガスとか
ら成り、ガス流量比He−O 2 /Cl 2 が2以上10以下
であるエッチングガスでシリコン基板をドライエッチン
グすることである。又、フッ素を含有するガスにはSF
6又はNF3を用いることができる。さらに、臭素を含む
ガスにはHBrを用いることができる。
エッチングに寄与し、酸素を含有したガスはマスクに対
する選択比の向上に寄与している。又、フッ素を含有し
たガス又は臭素を含有したガスは、形状制御、即ち、ほ
ぼ垂直な深溝や深孔形成に寄与する。
るエッチングレートは1μm/分であり、マスク材のSi
O2に対する選択比はほぼ無限大である。又、深溝の側壁
の角度は、僅かに傾斜したほぼ90度とすることがで
き、再現性良くかつ良好な形状に形成することができ
た。又、塩素ガスに対するHe-O2 ガスの流量比He-O2 /
Cl2 は2以上10以下にすることで、Siに対するエッチン
グレートは1μm/分以上、トレンチの側壁を順テーパ
でほぼ90度とし、SiO2膜減り量を0.2μm以下にす
ることができた。
明する。ドライエッチング装置として、図1の模式断面
図に示すようなRIE(Reactive IonEtching: 反応性イオ
ン・エッチング)装置を用いた。RIE 装置の代わりにEC
R(Electron Cyclotron Resonance)装置でも良い。図1
において、エッチング槽301に上部電極304と下部
電極305があり、この下部電極305に対象とするSi
基板308を配置し、ガス導入口302より下記に述べ
るエッチングガスが導入され、排気口303から排出さ
れる。この電極間に高周波電源306より13.56M
Hzの電力が供給され、電極間でガスプラズマが生じて
Si基板308のエッチングが行われる。なお、このRIE
装置はエッチング槽の周りにマグネットコイル307が
配置してあり、マグネトロン方式である。
ガスは、Cl2 ガス、SF6 ガス、Heガスを含むO2ガス( 以
下、「He-O2 ガス」という) である。尚、比較例とし
は、HBr/SiF4/He-O2/SF6のエッチングガスを用いた。い
ずれも、He-O2 ガスの混合比はHe:O2=7:3 である。
件を図3に示す条件にして、Siをエッチングした。尚、
マスクはSiO2である。その時、対SiO2膜選択比、エッチ
ッグ速度、側壁角度、SiO2膜減り量を測定した。その結
果を、比較例と共に、図2に示す。図2に示す測定結果
から理解されるように、第1実施例のエッチングガスを
用いた場合には、側壁角度、SiO2膜減り量に関しては、
比較例のエッチングガスと同様な結果であるが、エッチ
ング速度に関しては、約1.1μm/分と比較例のエッ
チング速度の約2倍である。又、選択比もほぼ無限大と
することができた。
レンチが逆テーパ形状になり易い。トレンチが逆テーパ
形状になると、トレンチに多結晶Siを完全に埋め込むこ
とができない。このため、トレンチの側壁の角度を精度
良く制御することが必要となる。トレンチが逆テーパ形
状となるのは、Cl2 ガスのエッチング反応が速すぎて、
側壁保護膜の形成が間に合わないためと思われる。その
ために、He-O2 ガスを加えて、側壁保護膜の生成が容易
になるようにした。これにより、トレンチが逆テーパに
なることが防止された。
(以下、流量比He-O2 /Cl2 を、単に、「流量比R」と
いう)を変化させて、対SiO2膜選択比、側壁角度、SiO2
膜減り量、側壁保護膜の形成状態、エッチング速度を測
定した。その結果を図4、図5、図6、図13に示す。
図4に示す結果より、流量比Rが2以上で、対SiO2膜選
択比がほぼ無限大となることが理解される。又、図13
に示す結果より、流量比Rが大きくなるとエッチング速
度が低下するが、流量比Rが4でも比較例のほぼ2倍の
エッチング速度、即ち、1μm/分が得られているのが
理解される。また、図13の結果を外挿すると、エッチ
ング速度は流量比Rが10以下で比較例よりも向上すると
予想される。側壁角度に関しては、図5から分かるよう
に、流量比Rが2以上で逆テーパが防止されているのが
理解される。SiO2膜減り量は、図5から分かるように、
流量比Rが2以上でほぼ比較例程度となっている。よっ
て、流量比が2以上となると、He-O2 によりSiO2膜の生
成反応が増加し、SiO2膜のエッチングが防止されること
が分かる。
の形成は、流量比Rが2以上で良好になることが理解さ
れる。流量比Rが2より小さいと、図7に示すように、
側壁保護膜はトレンチの上部分に形成され、マスクに近
い上部分のトレンチが逆テーパになることが理解され
る。一方、流量比Rが2以上となると、図7に示すよう
に、ほぼトレンチの側壁全体に渡って側壁保護膜が形成
され、トレンチが逆テーパになることが防止されて、基
板面に垂直な方向にのみエッチングが進行していくこと
が理解される。以上のことから、流量比Rは2以上10以
下が望ましいことが理解される。更に好ましくは、流量
比は2以上4以下が望ましい。
の流量を変化させて、エッチング速度、エッチング均一
性、トレンチ側壁角度、SiO2膜減り量を測定した。尚、
Cl2ガス流量、He-O2 ガス流量、磁束密度を、それぞ
れ、変化させて、同様に、上記の特性を測定した。その
結果を図8に示す。その結果から分かるように、SF6 ガ
スの流量を増加すると、エッチング速度が増加するが、
トレンチが逆テーパとなる傾向が増加する。これは、フ
ッ素が等方性エッチングの傾向が高いためである。又、
過剰のフッ素はSiO2膜減り量を増加させていることが理
解される。
進させるため、 F* (ラジカル),Fイオンが増加し、Si
との反応が増し、エッチング速度が高速化できると考え
られる。
6 ガス、He-O2 ガス、HBr ガスである。He-O2 ガスの混
合比は、第1実施例と同様に、He:O2=7:3 である。図3
に示す条件でエッチングした。エッチング速度、側壁角
度、SiO2膜減り量、対SiO2膜選択比を測定した。その結
果を図2に示す。実施例1と同様な結果が得られている
のが理解される。又、側壁保護膜の形成状態を測定し
た。その結果を図9に示す。
する方が、トレンチのより深いところまで形成され、そ
の結果、図10に示すように、より垂直なトレンチ、即
ち、逆テーパにならないトレンチが得られるのが理解さ
れる。図11から理解されるように、蒸気圧、沸点か
ら、SiF4、SiCl4 、SiBrの順で、揮発し易い。このこと
から、HBr は、SixBryOz等の側壁保護膜の形成に寄与し
ていると考えられる。
側のエッチング速度の均一性を測定した。その結果を図
12に示す。その結果から、エッチング速度の均一性は
2%以内であり、ウエハにおける微細加工に利用可能で
あることが理解される。
tive Ion Etching: 反応性イオン・エッチング)装置の
模式的構造断面図。
ガスを用いた場合の対SiO2膜選択比、エッチング速度、
側壁角度、SiO2膜減り量を測定した結果を示す特性図。
測定した特性図。
度、SiO2膜減り量との関係を測定した特性図。
関係を測定した特性図。
関係を説明した説明図。
チング均一性、側壁角度、SiO2膜減り量との関係を測定
した特性図。
定した特性図。
説明した説明図。
を測定した特性図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 シリコン基板をドライエッチングするこ
とによりトレンチを形成する方法において、 塩素ガスと、He−O 2 ガスと、 6フッ化硫黄ガスとから成り、 He−O 2 ガスの混合比がHe:O 2 =7:3のときガス
流量比He−O 2 /Cl 2 が2以上10以下である エッチ
ングガスでエッチングすることを特徴とするシリコン基
板のトレンチ形成方法。 - 【請求項2】 シリコン基板をドライエッチングする方
法において、Cl 2 ガスと、He−O 2 ガスと、 フッ素を含有するガスと、 臭素を含むガスと、 から成り、ガス流量比He−O 2 /Cl 2 が2以上10以
下であるエッチングガスでエッチングすることを特徴と
するドライエッチング方法。 - 【請求項3】 請求項2に記載のドライエッチング方法
において、 前記フッ素を含有するガスはSF6又はNF3であること
を特徴とする。 - 【請求項4】 請求項2又は3に記載のドライエッチン
グ方法において、 前記臭素を含むガスはHBrであることを特徴とする。
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