JP2824584B2 - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路で必要とされる微細パタン
を形成するためのエツチング方法に関し、特にシリコン
酸化膜からなる下地膜上に堆積した多結晶シリコン膜を
エツチングするドライエツチング方法に関するものであ
る。
を形成するためのエツチング方法に関し、特にシリコン
酸化膜からなる下地膜上に堆積した多結晶シリコン膜を
エツチングするドライエツチング方法に関するものであ
る。
シリコン半導体集積回路では、速度性能の向上のため
パタン寸法の微細化が要求され、その微細化に伴つてゲ
ート酸化膜の極薄膜化も要求されるようになつてきた。
このため、多結晶シリコンゲート電極のエツチングで
は、薄いシリコン酸化膜からなる下地膜を損傷せずに微
細パタンを実現できるエツチング技術が重要になつてい
る。
パタン寸法の微細化が要求され、その微細化に伴つてゲ
ート酸化膜の極薄膜化も要求されるようになつてきた。
このため、多結晶シリコンゲート電極のエツチングで
は、薄いシリコン酸化膜からなる下地膜を損傷せずに微
細パタンを実現できるエツチング技術が重要になつてい
る。
従来の多結晶シリコン膜をエツチングする方法には、
例えばCl2ガスのみを反応ガスとする方法があつた。こ
の方法でエツチングしたパタンは裾が残り易く順台形状
のパタン形状になり易い上に、パタン裾近傍のエツチン
グ速度が局部的に速くその部分の下地シリコン酸化膜が
他の部分よりも早く露出するため、第４図に示すように
パタン裾近傍の下地シリコン酸化膜２がオーバエツチン
グ中に消失してしまい、その結果下地膜損傷部８が生じ
るという問題があつた。したがつて、特に下地シリコン
酸化膜が極薄の場合の試料では、オーバエツチングが制
限されるため順台形状のパタン実用に供しているのが実
状であつた。
例えばCl2ガスのみを反応ガスとする方法があつた。こ
の方法でエツチングしたパタンは裾が残り易く順台形状
のパタン形状になり易い上に、パタン裾近傍のエツチン
グ速度が局部的に速くその部分の下地シリコン酸化膜が
他の部分よりも早く露出するため、第４図に示すように
パタン裾近傍の下地シリコン酸化膜２がオーバエツチン
グ中に消失してしまい、その結果下地膜損傷部８が生じ
るという問題があつた。したがつて、特に下地シリコン
酸化膜が極薄の場合の試料では、オーバエツチングが制
限されるため順台形状のパタン実用に供しているのが実
状であつた。
一方、Cl2に少量のSF6を添加した２種混合ガスを反応
ガスとするエツチングプロセスでは、Ｆラジカルに伴う
等方性エツチングが発生するため、オーバエツチングを
するとパタンの裾が後退したアンダカツトの大きい逆台
形状のパタン（第５図参照）になつてしまうという欠点
があつた。また、この条件では局部エツチングは無い
が、エツチング選択比（Si/SiO2）が前者（約20）より
も小さいため、極薄の下地シリコン酸化膜がオーバエツ
チング中に消失する恐れがあるという欠点があつた。た
だし、第４図及び第５図において、１はSiウエハ、２は
下地シリコン酸化膜、４はエツチングマスク、７は多結
晶シリコンのエツチングパタンをそれぞれ示している。
ガスとするエツチングプロセスでは、Ｆラジカルに伴う
等方性エツチングが発生するため、オーバエツチングを
するとパタンの裾が後退したアンダカツトの大きい逆台
形状のパタン（第５図参照）になつてしまうという欠点
があつた。また、この条件では局部エツチングは無い
が、エツチング選択比（Si/SiO2）が前者（約20）より
も小さいため、極薄の下地シリコン酸化膜がオーバエツ
チング中に消失する恐れがあるという欠点があつた。た
だし、第４図及び第５図において、１はSiウエハ、２は
下地シリコン酸化膜、４はエツチングマスク、７は多結
晶シリコンのエツチングパタンをそれぞれ示している。
他方、Cl2に少量のSF6とO2を添加した３種混合ガスを
反応ガスとするエツチングプロセスでは、100以上とい
う非常に大きなエツチング選択比（Si/SiO2）を容易に
得られるため、下地シリコン酸化膜がほとんどエツチン
グされないように改善された。しかし、２種混合ガスと
同様にＦラジカルに伴う等方性エツチングによるアンダ
カツトが発生し、パタン形状が逆台形状（第５図参照）
になつてしまうという欠点が残つてしまつていた。
反応ガスとするエツチングプロセスでは、100以上とい
う非常に大きなエツチング選択比（Si/SiO2）を容易に
得られるため、下地シリコン酸化膜がほとんどエツチン
グされないように改善された。しかし、２種混合ガスと
同様にＦラジカルに伴う等方性エツチングによるアンダ
カツトが発生し、パタン形状が逆台形状（第５図参照）
になつてしまうという欠点が残つてしまつていた。
このように従来の多結晶シリコン膜のドライエツチン
グ方法では、極薄の下地シリコン酸化膜を保護しつつア
ンダカツトの小さい高精度で急峻なパタンを確保すると
いう条件を同時に満足することが困難であつた。
グ方法では、極薄の下地シリコン酸化膜を保護しつつア
ンダカツトの小さい高精度で急峻なパタンを確保すると
いう条件を同時に満足することが困難であつた。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、その目的
は、上述した従来技術の欠点を解決し、下地シリコン酸
化膜の保護と高精度で急峻なパタン形状の確保という両
条件を同時に満足する新しいドライエツチング方法を提
供することにある。
は、上述した従来技術の欠点を解決し、下地シリコン酸
化膜の保護と高精度で急峻なパタン形状の確保という両
条件を同時に満足する新しいドライエツチング方法を提
供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、シリコン酸化膜
上に堆積した多結晶シリコン膜をエツチングするドライ
エツチング方法において、Cl2を反応ガスとする第１の
エツチングで多結晶シリコン膜を途中までエツチングし
て裾引きの有るパタンを形成し、それ以降のエツチング
をCl2とSF6とO2の混合ガスを反応ガスとする第２のエツ
チングで行うことにより、下地シリコン酸化膜を保誤し
つつパタンの裾引き部分を除去して高精度で急峻なパタ
ンを実現することを特徴とするものである。
上に堆積した多結晶シリコン膜をエツチングするドライ
エツチング方法において、Cl2を反応ガスとする第１の
エツチングで多結晶シリコン膜を途中までエツチングし
て裾引きの有るパタンを形成し、それ以降のエツチング
をCl2とSF6とO2の混合ガスを反応ガスとする第２のエツ
チングで行うことにより、下地シリコン酸化膜を保誤し
つつパタンの裾引き部分を除去して高精度で急峻なパタ
ンを実現することを特徴とするものである。
本発明においては、Cl2を反応ガスとする第１のエツ
チングと、Cl2とSF6とO3の３種混合ガスを反応ガスとす
る第２のエツチングを行うことによつて、下地シリコン
酸化膜を保護しつつ高精度で急峻な多結晶シリコンパタ
ンを得ることができる。
チングと、Cl2とSF6とO3の３種混合ガスを反応ガスとす
る第２のエツチングを行うことによつて、下地シリコン
酸化膜を保護しつつ高精度で急峻な多結晶シリコンパタ
ンを得ることができる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明によるドライエツチン
グ方法の一実施例を示すエツチング工程図であり、１は
Siウエハ、２は下地シリコン酸化膜、３は多結晶シリコ
ン膜、４はエツチングマスク、５は第１のエツチングの
反応ガスとして用いるCl2ガス、６は第２のエツチング
の反応ガスとして用いるCl2とSF6とO2の３種混合ガス、
７は多結晶シリコンのエツチングパタンつまり完成した
多結晶シリコンパタンである。
グ方法の一実施例を示すエツチング工程図であり、１は
Siウエハ、２は下地シリコン酸化膜、３は多結晶シリコ
ン膜、４はエツチングマスク、５は第１のエツチングの
反応ガスとして用いるCl2ガス、６は第２のエツチング
の反応ガスとして用いるCl2とSF6とO2の３種混合ガス、
７は多結晶シリコンのエツチングパタンつまり完成した
多結晶シリコンパタンである。
すなわち、第１図（ａ）において、Siウエハ１の上に
70Å厚の下地用シリコン酸化膜２を形成したのち、3000
Å厚の多結晶シリコン膜３を堆積する。次に第１図
（ｂ）において、まず多結晶シリコン膜３上にエツチン
グマスク材料とするシリコン酸化膜を堆積し、その上に
さらに所望のレジストパタンを形成する。次いでレジス
トパタンをマスクに上層のシリコン酸化膜をドライエツ
チングし、続いて、レジストをアツシング除去すること
によつてエツチングマスク４を完成する。次に第１図
（ｃ）において、マイクロ波励起による電子サイクロト
ロン共鳴（ECR）プラズマを利用するECRエツチング装置
にCl2ガス５を導入してガス圧0.6mTorr,マイクロ波パワ
ー800Wのエツチングプラズマを形成し、多結晶シリコン
の途中まで第１のエツチングを行う。この時、同エツチ
ング量は多結晶シリコンの厚さや下地シリコン酸化膜の
厚さおよびそれらの膜厚比などの試料条件によつて決定
されるが、パタン近傍の異常エツチング部（トレンチン
グと呼ばれる）においても下地シリコン酸化膜が露出し
ない範囲内に設定する。しかる後、第１図（ｄ）におい
て、ECRエツチング装置にCl2とSF6とO2からなる３種混
合ガス６を導入しガス圧0.6mTorr,マイクロ波パワー600
Wの条件の下でオーバエツチングを含むそれ以降の第２
のエツチングを行うことにより、高精度で急峻な多結晶
シリコンパタン７を完成する。
70Å厚の下地用シリコン酸化膜２を形成したのち、3000
Å厚の多結晶シリコン膜３を堆積する。次に第１図
（ｂ）において、まず多結晶シリコン膜３上にエツチン
グマスク材料とするシリコン酸化膜を堆積し、その上に
さらに所望のレジストパタンを形成する。次いでレジス
トパタンをマスクに上層のシリコン酸化膜をドライエツ
チングし、続いて、レジストをアツシング除去すること
によつてエツチングマスク４を完成する。次に第１図
（ｃ）において、マイクロ波励起による電子サイクロト
ロン共鳴（ECR）プラズマを利用するECRエツチング装置
にCl2ガス５を導入してガス圧0.6mTorr,マイクロ波パワ
ー800Wのエツチングプラズマを形成し、多結晶シリコン
の途中まで第１のエツチングを行う。この時、同エツチ
ング量は多結晶シリコンの厚さや下地シリコン酸化膜の
厚さおよびそれらの膜厚比などの試料条件によつて決定
されるが、パタン近傍の異常エツチング部（トレンチン
グと呼ばれる）においても下地シリコン酸化膜が露出し
ない範囲内に設定する。しかる後、第１図（ｄ）におい
て、ECRエツチング装置にCl2とSF6とO2からなる３種混
合ガス６を導入しガス圧0.6mTorr,マイクロ波パワー600
Wの条件の下でオーバエツチングを含むそれ以降の第２
のエツチングを行うことにより、高精度で急峻な多結晶
シリコンパタン７を完成する。
第２図は、第２のエツチングに採用した３種混合ガス
（Cl2−SF6−O2）を反応ガスとする多結晶シリコンとシ
リコン酸化膜のエツチング速度およびエツチング選択比
特性の一例を示すものであり、図中Ｘで示す実線は多結
晶シリコンのエツチング速度（シリコンエツチ速度とも
いう）特性を示し、同じくＹで示す破線はシリコン酸化
膜のエツチング速度特性を、Ｚで示す点線はエツチング
選択比特性をそれぞれ示す。このとき、ガス流量は、Cl
2＝24sccm、SF6＝3sccmは一定に保ち、O2ガス添加量を
変化させた場合の結果である。ガス圧は0.6mTorr、マイ
クロ波パワーは600Wである。ここで、多結晶シリコンの
エツチング速度はその特性ＸのようにO2ガスの添加量に
係わらずほぼ一定であるのに対し、シリコン酸化膜の速
度は特性Ｙのように徐々に低下するため、例えば、Cl2
＝24sccm、SF6＝3sccm、O2＝1sccmの条件では約300とい
う極めて高いエツチング選択比（Si/SiO2）が確保でき
（特性Ｚ）、この条件では下地シリコン酸化膜はほとん
どエツチングされないことがわかる。
（Cl2−SF6−O2）を反応ガスとする多結晶シリコンとシ
リコン酸化膜のエツチング速度およびエツチング選択比
特性の一例を示すものであり、図中Ｘで示す実線は多結
晶シリコンのエツチング速度（シリコンエツチ速度とも
いう）特性を示し、同じくＹで示す破線はシリコン酸化
膜のエツチング速度特性を、Ｚで示す点線はエツチング
選択比特性をそれぞれ示す。このとき、ガス流量は、Cl
2＝24sccm、SF6＝3sccmは一定に保ち、O2ガス添加量を
変化させた場合の結果である。ガス圧は0.6mTorr、マイ
クロ波パワーは600Wである。ここで、多結晶シリコンの
エツチング速度はその特性ＸのようにO2ガスの添加量に
係わらずほぼ一定であるのに対し、シリコン酸化膜の速
度は特性Ｙのように徐々に低下するため、例えば、Cl2
＝24sccm、SF6＝3sccm、O2＝1sccmの条件では約300とい
う極めて高いエツチング選択比（Si/SiO2）が確保でき
（特性Ｚ）、この条件では下地シリコン酸化膜はほとん
どエツチングされないことがわかる。
第３図に、本発明の２段エツチング法によつてエツチ
ングした多結晶シリコンパタンの断面形状の一例を示
す。ここでは、Cl2を反応ガスとする第１のエツチング
で全エツチング量の約50％をエツチングして裾引きの有
るパタンを形成し、オーバエツチングを含む残りの50％
のエツチングをCl2とSF6とO2の混合ガスを反応ガスとす
る第２のエツチングで行つたものである。その結果、下
地シリコン酸化膜の損傷は全く発生せず、かつ、高精度
で急峻なパタンが実現できた。この場合のパタンの寸法
変化量は、２種または３種混合ガスだけで100％エツチ
ングした場合の寸法変化量の約1/2であり、予想通りの
結果であつた。このように、本エツチング法は寸法精度
の向上に非常に効果的であることが確認された。
ングした多結晶シリコンパタンの断面形状の一例を示
す。ここでは、Cl2を反応ガスとする第１のエツチング
で全エツチング量の約50％をエツチングして裾引きの有
るパタンを形成し、オーバエツチングを含む残りの50％
のエツチングをCl2とSF6とO2の混合ガスを反応ガスとす
る第２のエツチングで行つたものである。その結果、下
地シリコン酸化膜の損傷は全く発生せず、かつ、高精度
で急峻なパタンが実現できた。この場合のパタンの寸法
変化量は、２種または３種混合ガスだけで100％エツチ
ングした場合の寸法変化量の約1/2であり、予想通りの
結果であつた。このように、本エツチング法は寸法精度
の向上に非常に効果的であることが確認された。
なお、本発明の２段エツチングにおいて行う第１（Cl
2）と第２（Cl2＋SF6＋O2）のエツチング量の設定は、
次のように決定すれば良い。例えば、多結晶シリコンの
膜厚差が大きい試料（例えば、段差有り試料）は、長い
オーバエツチングが必要である。したがつて、下地シリ
コン酸化膜が極めて薄い場合には、パタン裾近傍のシリ
コン酸化膜が早期に消失する危険が大きいため、第１の
エツチングは多結晶シリコン膜厚が最も薄く下地シリコ
ン酸化膜が最も早く露出する部分の露出が開始するまで
と設定すれば良い。これに対し同様の段差試料であつて
も下地シリコン酸化膜が厚い試料では、シリコン酸化膜
が早期に消失する危険は小さくなるため、第１のエツチ
ングは多少延長することができるようになり、下地膜が
さらに厚い試料では、多結晶シリコン膜厚が最も厚く下
地シリコン酸化膜の露出が最も遅い部分の露出が完了す
るまでとさらに延長することができる。他方、多結晶シ
リコンの膜厚が比較的均一な試料（例えば、平坦試料）
のオーバエツチングは前者（段差有り試料）に比べて短
かくなるため、多結晶シリコンの膜厚差に伴う下地シリ
コン酸化膜のオーバエツチング量も前者（段差有り試
料）に比べて少なくなる。このため、このような平坦試
料における第１のエツチングは、前者（段差有り試料）
の各試料よりも多少長く設定することが可能と言える。
2）と第２（Cl2＋SF6＋O2）のエツチング量の設定は、
次のように決定すれば良い。例えば、多結晶シリコンの
膜厚差が大きい試料（例えば、段差有り試料）は、長い
オーバエツチングが必要である。したがつて、下地シリ
コン酸化膜が極めて薄い場合には、パタン裾近傍のシリ
コン酸化膜が早期に消失する危険が大きいため、第１の
エツチングは多結晶シリコン膜厚が最も薄く下地シリコ
ン酸化膜が最も早く露出する部分の露出が開始するまで
と設定すれば良い。これに対し同様の段差試料であつて
も下地シリコン酸化膜が厚い試料では、シリコン酸化膜
が早期に消失する危険は小さくなるため、第１のエツチ
ングは多少延長することができるようになり、下地膜が
さらに厚い試料では、多結晶シリコン膜厚が最も厚く下
地シリコン酸化膜の露出が最も遅い部分の露出が完了す
るまでとさらに延長することができる。他方、多結晶シ
リコンの膜厚が比較的均一な試料（例えば、平坦試料）
のオーバエツチングは前者（段差有り試料）に比べて短
かくなるため、多結晶シリコンの膜厚差に伴う下地シリ
コン酸化膜のオーバエツチング量も前者（段差有り試
料）に比べて少なくなる。このため、このような平坦試
料における第１のエツチングは、前者（段差有り試料）
の各試料よりも多少長く設定することが可能と言える。
このように、本発明の２段エツチングにおける第１
（Cl2）と第２（Cl2＋SF6＋O2）のエツチング量の設定
は、試料条件等に応じて決定されるものであり、特定の
値に限定するものではない。しかし、これに関する本方
式の基本的な考え方は、第１のエツチングにおいて下地
シリコン酸化膜を損傷しない範囲で出来るだけ多くの多
結晶シリコンをエツチングし、下地シリコン酸化膜を保
護しつつ行う第２のエツチングを短縮することによつ
て、アンダカツトの発生を最小限に抑えて寸法変化の少
ないパタンを実現することである。したがつて、無用に
第１のエツチング量を少なく、第２のエツチング量を多
くすることが大きなアンダカツトを発生させるという点
から不適当であることは言うまでもない。上述の実施例
で用いたエツチング配分（第１で50％、第２で50％）は
試料内における多結晶シリコン厚さの分布と下地シリコ
ン酸化膜の厚さから決定したものである。
（Cl2）と第２（Cl2＋SF6＋O2）のエツチング量の設定
は、試料条件等に応じて決定されるものであり、特定の
値に限定するものではない。しかし、これに関する本方
式の基本的な考え方は、第１のエツチングにおいて下地
シリコン酸化膜を損傷しない範囲で出来るだけ多くの多
結晶シリコンをエツチングし、下地シリコン酸化膜を保
護しつつ行う第２のエツチングを短縮することによつ
て、アンダカツトの発生を最小限に抑えて寸法変化の少
ないパタンを実現することである。したがつて、無用に
第１のエツチング量を少なく、第２のエツチング量を多
くすることが大きなアンダカツトを発生させるという点
から不適当であることは言うまでもない。上述の実施例
で用いたエツチング配分（第１で50％、第２で50％）は
試料内における多結晶シリコン厚さの分布と下地シリコ
ン酸化膜の厚さから決定したものである。
このように本発明は、従来のCl2だけで100％エツチン
グする方法において発生した下地シリコン酸化膜の損傷
問題と、Ｆ原子を含む２種混合ガス（Cl2＋SF6）または
３種混合ガス（Cl2＋SF6＋O2）で100％エツチングする
従来の方法において発生したアンダカツトによる寸法精
度の劣化問題を同時に解決し、高精度で急峻な多結晶シ
リコンパタンを実現したものである。
グする方法において発生した下地シリコン酸化膜の損傷
問題と、Ｆ原子を含む２種混合ガス（Cl2＋SF6）または
３種混合ガス（Cl2＋SF6＋O2）で100％エツチングする
従来の方法において発生したアンダカツトによる寸法精
度の劣化問題を同時に解決し、高精度で急峻な多結晶シ
リコンパタンを実現したものである。
なお、上記実施例では、第２のエツチングに用いる混
合ガスの一例として、Cl2＝24sccm、SF6＝3sccm、O2＝1
sccmの場合について述べたが、高いエツチング選択比
（Si/SiO2）は、例えば、Cl2＝24sccm、SF6＝6sccm、O2
＝2sccmなどの混合条件でも得られることが確認できて
いる。このように、第２のエツチングに用いる混合ガス
流量は上記条件だけに限定するものでなく、下地シリコ
ン酸化膜の膜厚に対して十分に大きなエツチング選択比
を確保できる条件ならば他の流量条件でも構わないこと
は言うまでもない。なお、O2の代りに酸化性をある程度
有するN2、CO2などのガスの添加とすることもできる。
合ガスの一例として、Cl2＝24sccm、SF6＝3sccm、O2＝1
sccmの場合について述べたが、高いエツチング選択比
（Si/SiO2）は、例えば、Cl2＝24sccm、SF6＝6sccm、O2
＝2sccmなどの混合条件でも得られることが確認できて
いる。このように、第２のエツチングに用いる混合ガス
流量は上記条件だけに限定するものでなく、下地シリコ
ン酸化膜の膜厚に対して十分に大きなエツチング選択比
を確保できる条件ならば他の流量条件でも構わないこと
は言うまでもない。なお、O2の代りに酸化性をある程度
有するN2、CO2などのガスの添加とすることもできる。
また、上記実施例では、エツチングマスク材料として
シリコン酸化膜を用いる場合について述べたが、シリコ
ンと十分なエツチング選択比をもつ材料ならば、例え
ば、レジスト，シリコン窒化膜などでも構わないことは
言うまでもない。
シリコン酸化膜を用いる場合について述べたが、シリコ
ンと十分なエツチング選択比をもつ材料ならば、例え
ば、レジスト，シリコン窒化膜などでも構わないことは
言うまでもない。
また、本発明は多結晶シリコン膜単層のエツチングに
対してばかりでなく、ポリサイドと呼ばれる高融点金属
シリサイドと多結晶シリコン膜の多層構造、あるいは高
融点金属と多結晶シリコン膜の多層構造における多結晶
シリコン膜層のエツチングにも適用できることは言うま
でもない。
対してばかりでなく、ポリサイドと呼ばれる高融点金属
シリサイドと多結晶シリコン膜の多層構造、あるいは高
融点金属と多結晶シリコン膜の多層構造における多結晶
シリコン膜層のエツチングにも適用できることは言うま
でもない。
以上説明したように、本発明のドライエツチング方法
は、下地シリコン酸化膜上の多結晶シリコン膜をエツチ
ングするに際し、Cl2を反応ガスとする第１のエツチン
グを行つた後、Cl2とSF6とO2の３種混合ガスを反応ガス
とする第２のエツチングを行うことにより、下地シリコ
ン酸化膜の保護と急峻なパタン形状の確保という両条件
を同時に満足できるため、薄い下地シリコン酸化膜上に
おいても微細で高精度の多結晶シリコンパタンをエツチ
ングすることができるという大きな利点がある。
は、下地シリコン酸化膜上の多結晶シリコン膜をエツチ
ングするに際し、Cl2を反応ガスとする第１のエツチン
グを行つた後、Cl2とSF6とO2の３種混合ガスを反応ガス
とする第２のエツチングを行うことにより、下地シリコ
ン酸化膜の保護と急峻なパタン形状の確保という両条件
を同時に満足できるため、薄い下地シリコン酸化膜上に
おいても微細で高精度の多結晶シリコンパタンをエツチ
ングすることができるという大きな利点がある。
よつて、このような下地薄膜上でのエツチングを可能
とする本発明技術は従来には全くなく、今後の超LSI製
造に対して不可欠であり、その貢献度は工業上極めて重
要である。
とする本発明技術は従来には全くなく、今後の超LSI製
造に対して不可欠であり、その貢献度は工業上極めて重
要である。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するエ
ツチング工程図、第２図は本発明の実施例において３種
混合ガス系でエツチングした時のシリコンとシリコン酸
化膜のエツチング速度および選択特性の一例を示す図、
第３図は本発明の多段エツチング法によつて形成した極
薄シリコン酸化膜上の多結晶シリコンパタンの拡大断面
図、第４図はCl2ガスを反応ガスとする従来のエツチン
グ法によつて形成した極薄シリコン酸化膜上の多結晶シ
リコンパタンの拡大断面図、第５図は（Cl2−SF6）混合
ガスまたは（Cl2−SF6−O2）混合ガスを反応ガスとする
従来のエツチング法によつて形成した極薄シリコン酸化
膜上の多結晶シリコンパタンの拡大断面図である。 １……Siウエハ、２……下地シリコン酸化膜、３……多
結晶シリコン膜、４……エツチングマスク、５……Cl2
ガス、６……３種混合ガス（Cl2−SF6−O2）、７……多
結晶シリコンのエツチングパタン。
ツチング工程図、第２図は本発明の実施例において３種
混合ガス系でエツチングした時のシリコンとシリコン酸
化膜のエツチング速度および選択特性の一例を示す図、
第３図は本発明の多段エツチング法によつて形成した極
薄シリコン酸化膜上の多結晶シリコンパタンの拡大断面
図、第４図はCl2ガスを反応ガスとする従来のエツチン
グ法によつて形成した極薄シリコン酸化膜上の多結晶シ
リコンパタンの拡大断面図、第５図は（Cl2−SF6）混合
ガスまたは（Cl2−SF6−O2）混合ガスを反応ガスとする
従来のエツチング法によつて形成した極薄シリコン酸化
膜上の多結晶シリコンパタンの拡大断面図である。 １……Siウエハ、２……下地シリコン酸化膜、３……多
結晶シリコン膜、４……エツチングマスク、５……Cl2
ガス、６……３種混合ガス（Cl2−SF6−O2）、７……多
結晶シリコンのエツチングパタン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 千春 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−120525（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−110782（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/302
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン酸化膜からなる下地膜上に堆積し
た多結晶シリコン膜をエツチングするドライエツチング
方法において、Cl2を反応ガスとする第１のエツチング
を行つたのち、Cl2とSF6とO2の３種混合ガスを反応ガス
とする第２のエツチングを行うことにより、上記多結晶
シリコン膜の微細パタンを形成することを特徴とするド
ライエツチング方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1130086A JP2824584B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1130086A JP2824584B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309633A JPH02309633A (ja) | 1990-12-25 |
| JP2824584B2 true JP2824584B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=15025641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1130086A Expired - Lifetime JP2824584B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2824584B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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-
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- 1989-05-25 JP JP1130086A patent/JP2824584B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH02309633A (ja) | 1990-12-25 |
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